集成电路制造工艺之光刻刻蚀工艺
集成电路主要工艺技术
集成电路主要工艺技术集成电路主要工艺技术是指将多个电子器件、电路及相应的连接线等组合在一块半导体晶片上的制造工艺。
集成电路工艺技术是现代电子工业的基础，其发展对于推动电子信息技术的进步起到了重要的推动作用。
集成电路主要工艺技术可以分为几个方面，包括：晶圆制备、光刻、化学腐蚀、沉积、离子注入、扩散、退火、金属化、切割、封装等。
晶圆制备是集成电路制造的第一步。
晶圆是一片由单晶硅材料制成的圆片，其表面被涂覆上一层绝缘材料。
晶圆制备的主要步骤包括原料准备、晶体生长、修整和切割等。
原料准备是指将硅原料经过精细处理后，制备成高纯度的硅棒。
晶体生长是将硅棒通过熔融法或气相沉积法在晶体炉中进行生长，得到单晶硅圆片。
修整是对晶圆进行修整，使其达到所需的尺寸和平整度要求。
切割则是将晶圆切割成所需的大小。
光刻是集成电路制造中的关键工艺之一。
光刻技术是利用光敏胶和光刻胶进行图形转移的过程。
光刻的主要步骤包括光刻胶涂布、预烘烤、曝光、显影和后烘烤等。
光刻胶涂布是将光刻胶均匀涂布在晶圆表面，形成一层薄膜。
预烘烤是将涂布好的光刻胶加热一定时间，使其变得干燥。
曝光是将待刻蚀的图形通过光源照射在光刻胶上，形成图形。
显影是将暴露在光源下的部分光刻胶溶解掉，形成模板。
后烘烤是将显影后的晶圆加热一段时间，使光刻胶固化。
化学腐蚀是将不需要的材料溶解掉的工艺步骤。
化学腐蚀的过程是将晶圆浸泡在腐蚀液中，使不需要的材料被腐蚀掉，而保留下来的材料则形成所需的结构。
化学腐蚀的主要方法有湿法腐蚀和干法腐蚀。
湿法腐蚀是指将晶圆浸泡在腐蚀液中，通过化学反应溶解掉不需要的材料。
干法腐蚀是在真空或气氛控制下，通过化学反应将不需要的材料氧化或还原为易溶解的产物。
沉积是将需要的材料沉积到晶圆表面的工艺步骤。
沉积的主要方法有物理气相沉积和化学气相沉积。
物理气相沉积是通过将材料加热到一定温度，使其蒸发并沉积在晶圆表面上。
化学气相沉积是通过将气体中的材料通过化学反应使其变为固态，并沉积在晶圆表面上。
集成电路制造工艺
集成电路制造工艺
一、集成电路(Integrated Circuit)制造工艺
1、光刻工艺
光刻是集成电路制造中最重要的一环，其核心在于成膜工艺，这一步
将深受工业生产，尤其是电子产品的发展影响。
光刻工艺是将晶体管和其
它器件物理分开的技术，可以生产出具有高精度，高可靠性和低成本的微
电子元器件。
a.硅片准备：在这一步，硅片在自动化的清洁装置受到清洗，并在多
次乳液清洗的过程中被稀释，从而实现高纯度。
b.光刻：在这一步，光刻技术中最重要的参数是刻蚀精度，其值很大
程度上决定着最终的制造成本和产品的质量。
光刻体系中有两个主要部分：照明系统和光刻机。
光刻机使用一种特殊的光刻液，它可以将图形转换成
光掩膜，然后将它们转换成硅片上的图形。
在这一步，晶圆上的图像将逐
步被清楚的曝光出来，刻蚀精度可以达到毫米的程度。
c.光刻机烙印：在这一步，将封装物理图形输出成为光刻机可以使用
的信息，用于控制光刻机进行照明和刻蚀的操作。
此外，光刻机还要添加
一定的标识，以方便晶片的跟踪。
2、掩膜工艺
掩膜工艺是集成电路制造的一个核心过程。
它使用掩模薄膜和激光打
击设备来将特定图案的光掩膜转换到晶圆上。
使用的技术包括激光掩膜、
紫外光掩膜等。
光刻与刻蚀工艺
涂胶/显影技术
01
02
03
涂胶
在晶圆表面涂上一层光敏 胶，以保护非曝光区域并 提高图像对比度。
显影
用适当的溶剂去除曝光区 域的光敏胶，以形成所需 的图案。
控制胶厚
保持胶厚均匀，以避免图 像的扭曲和失真。
烘烤与曝光技术
烘烤
通过加热去除晶圆表面的湿气，以提高光敏胶的灵敏度和图像质 量。
曝光
将掩模图像投影到光敏胶上，通过光化学反应将图像转移到晶圆 上。
非接触式光刻
投影式非接触
利用光学系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶涂层上，优点是无需直接接触，缺点是难度较高，需要精确的控 制系统。
电子束光刻
利用电子束在光刻胶上直接曝光，优点是分辨率高、无需掩膜板，缺点是生产效率低。
投影式光刻
接触式投影
掩膜板与光刻胶涂层之间保持接触，通过投影系统将图像投影到光刻胶上，优点是操作简单、高效， 缺点是图像质量可能受到掩膜板损伤和光刻胶污染的影响。
要点二
损伤控制
是指在刻蚀过程中避免对材料产生损伤。对于某些特殊 材料，如脆性材料，损伤控制尤为重要。如果刻蚀过程 中产生过多损伤，可能会导致材料性能下降甚至破裂。
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光刻工艺的基本步骤
涂胶
将光刻胶涂敷在硅片表面，以形成 光刻胶层。
烘烤
通过烘烤使光刻胶层干燥并固化。
曝光
将掩膜版上的图形对准硅片上的光 刻胶层，并使用曝光设备将图形转 移到光刻胶上。
显影
使用显影液将曝光后的光刻胶进行 化学处理，使图形更加清晰地展现 出来。
光刻工艺的重要性
光刻工艺是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片的制造 质量和性能。
集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
任意粒子曝光的最高的分辨率
关于光束的线宽限制，对其他的粒子束同样适用。任何粒子束都具有波动性，即 德布罗意物质波，其波长λ与质量m、动能E的关系描述如下。粒子束的动能E为
其动量p 粒子束的波长
E 1 mV 2 2
phmV 2mE
由此，用粒子束可得到的 最 细线h 条为
、对比度
为了测量光刻胶的对比度，将一定厚度的光刻胶膜在不同的辐照剂量下曝光，然 后测量显影之后剩余光刻胶的膜厚，利用得到的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线进行 计算就可以得到对比度。
光刻胶的对比度：不同的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线的外推斜率。
Y2 Y1
X2 X1 光刻胶的对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。
根据对比度定义， Y2＝0，Y1=1.0，X2＝log10Dc，X1＝ log10Do。
正胶的对比度
p
1 log10 (Dc
Do )
Dc为完全除去正胶膜所需要的最小曝光剂量， Do为对正胶不产生曝光效果所允许的最大曝光剂量。
光刻胶的侧墙倾斜
在理想的曝光过程中，投到光刻胶上的辐照区域应该 等于掩模版上的透光区域，在其他区域应该没有辐照能 量。
显影方式与检测
目前广泛使用的显影的方式是喷洒方法。 可分为三个阶段： ①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液； ②然后硅片将在静止的状态下进行显影； ③显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。
喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。
显影之后，一般要通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)或者激光系统来检查图形的 尺寸是否满足要求。
8.3、光刻胶的基本属性
光学光刻胶通常包含有三种成份： ①聚合物材料(树脂)：附着性和抗腐蚀性 ②感光材料：感光剂 ③溶剂：使光刻胶保持为液态
集成电路制造工艺流程介绍
集成电路制造工艺流程介绍1. 晶圆生长：制造过程的第一步是晶圆生长。
晶圆通常是由硅材料制成，通过化学气相沉积（CVD）或单晶硅引入熔融法来生长。
2. 晶圆清洗：晶圆表面需要进行清洗，以去除可能存在的污染物和杂质，以确保后续工艺步骤的成功进行。
3. 光刻：光刻是制造过程中非常关键的一步。
在光刻过程中，先将一层光刻胶涂覆在晶圆表面，然后使用光刻机将芯片的设计图案投影在晶圆上。
接着，进行光刻胶显影，将未受光的部分去除，留下所需的图案。
4. 沉积：接下来是沉积步骤，通过CVD或物理气相沉积（PVD）将金属、氧化物或多晶硅等材料沉积在晶圆表面上，以形成导线、电极或其他部件。
5. 刻蚀：对沉积的材料进行刻蚀，将不需要的部分去除，只留下所需的图案。
6. 接触孔开孔：在晶圆上钻孔，形成电极和导线之间的接触孔，以便进行电连接。
7. 清洗和检验：最后，对晶圆进行再次清洗，以去除可能残留的污染物。
同时进行严格的检验和测试，确保芯片质量符合要求。
以上是一个典型的集成电路制造工艺流程的简要介绍，实际的制造过程可能还包括许多其他细节和步骤，但总的来说，集成电路制造是一个综合了多种工艺和技术的高精度制造过程。
集成电路（Integrated Circuit，IC）制造是一项非常复杂的工艺，涉及到材料科学、化学、物理、工程学和电子学等多个领域的知识。
在这个过程中，每一个步骤都至关重要，任何一个环节出错都可能导致整个芯片的质量不达标甚至无法正常工作。
以下将深入介绍集成电路的制造工艺流程及相关的技术细节。
8. 电镀：在一些特定的工艺步骤中，需要使用电镀技术来给芯片的表面涂覆一层导电材料，如金、铜或锡等。
这些导电层对于芯片的整体性能和稳定性非常重要。
9. 封装：制造芯片后，需要封装芯片，以保护芯片不受外部环境的影响。
封装通常包括把芯片封装在塑料、陶瓷或金属外壳内，并且接上金线用以连接外部电路。
10. 测试：芯片制造完成后，需要进行严格的测试。
第八章光刻与刻蚀工艺模板
第八章光刻与刻蚀工艺模板光刻与刻蚀工艺是现代集成电路制造中的重要工艺环节之一、光刻技术用于在硅片上制作电路图形，而刻蚀技术则用于去除不需要的材料，以形成所需的电路结构。
本章将介绍光刻与刻蚀工艺的基本原理及常见的工艺模板。
一、光刻工艺模板在光刻工艺中，需要使用光刻胶作为图形保护层，以及光罩作为图形的模板。
光刻模板通常由硅片或光刻胶制成，可以通过不同的工艺步骤来实现具体的图形需求。
1.硅片模板硅片模板是一种常见的光刻工艺模板，它的制作过程相对简单。
首先，将一块纯净的硅片进行氧化处理，形成硅的氧化层。
然后，在氧化层上通过光刻技术制作所需的图形。
最后，使用化学刻蚀方法去除不需要的硅的氧化层，就可以得到所需的硅片模板。
硅片模板具有较好的精度和可靠性，能够满足微纳加工的要求。
然而，硅片模板制作过程复杂，成本较高。
2.光刻胶模板光刻胶模板是利用光刻胶作为模板材料的一种工艺模板。
光刻胶是一种感光性的聚合物材料，可以在光照的作用下发生化学反应。
在光刻工艺中，首先将光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻曝光将所需的图形转移到光刻胶上。
接下来，使用化学方法或溶剂去除不需要的光刻胶，就可以得到所需的光刻胶模板。
光刻胶模板制作过程简单，成本较低。
同时，光刻胶模板的精度较高，可以满足微纳加工的要求。
然而，光刻胶模板的使用寿命较短，通常只能使用几次。
在刻蚀工艺中，需要使用刻蚀胶作为图形保护层，以及刻蚀模板作为图形的模板。
刻蚀模板通常由硅片或光刻胶制成，可以通过不同的工艺步骤来实现具体的图形需求。
1.硅片模板硅片模板在刻蚀工艺中的制作方法与光刻工艺类似。
首先，在硅片上通过光刻技术制作所需的图形，然后使用化学刻蚀方法去除不需要的硅材料，就可以得到所需的刻蚀模板。
硅片模板具有较高的精度和可靠性，可以满足微纳加工的要求。
然而，硅片模板制作过程复杂，成本较高。
2.光刻胶模板光刻胶模板在刻蚀工艺中的制作方法与光刻工艺类似。
首先，将光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻曝光将所需的图形转移到光刻胶上。
集成电路工艺：刻蚀
1. 引 言
1.1刻蚀的概念
刻蚀：它是半导体制造工艺，微电子IC制造工 艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。 是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一 种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是 光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光 处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需 除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上 来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子其它机 械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微 加工制造的一种普适叫法。
4.2常用材料的湿法刻蚀
1.二氧化硅湿法刻蚀 采用氢氟酸溶液加以进行。因为二氧化硅可与室
温的氢氟酸溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材 及多晶硅。反应式如下：
SiO2 + 6HF＝ H2[SiF6] + 2H2O 由于氢氟酸对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制
程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释 后的氢氟酸溶液，或是添加氟化铵（NH4F）作 为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。
下层的Ti ➢ 金属铝的刻蚀步骤多，工艺复杂
4. 湿法刻蚀
4.1 湿法刻蚀的原理
湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀 的技术
这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除 待刻蚀区域的薄膜材料
湿法刻蚀，又称湿化学腐蚀法。半导体制造业一开 始，湿法腐蚀就与硅片制造联系在一起。现在湿法 腐蚀大部分被干法刻蚀代替，但在漂去氧化硅、除 去残留物、表层剥离以及大尺寸的图形腐蚀应用方 面起着重要作用。尤其适合将多晶硅、氧化物、氮 化物、金属与Ⅲ－Ⅴ族化合物等作整片的腐蚀。
干法刻蚀是各向异性刻蚀，用物理和化学方法， 能实现图形的精确转移，是集成电路刻蚀工艺的 主流技术。
各向同性刻蚀：侧向与纵向腐蚀速度相同 各向异性刻蚀：侧向腐蚀速度远远小于纵向腐蚀
集成电路四大基本工艺
集成电路是一种微型化的电子器件，其制造过程需要经过多个复杂的工艺流程。
其中，氧化、光刻、掺杂和沉积是集成电路制造中的四大基本工艺。
首先，氧化工艺是在半导体片上形成一层绝缘层，以保护芯片内部的电路。
这一步骤通常使用氧气或水蒸气等氧化物来进行。
通过控制氧化层的厚度和质量，可以确保芯片的可靠性和稳定性。
其次，光刻工艺是将掩膜版上的图形转移到半导体晶片上的过程。
该工艺主要包括曝光、显影和刻蚀等步骤。
在曝光过程中，光线通过掩膜版照射到晶片表面，使光敏材料发生化学反应。
然后，显影剂将未曝光的部分溶解掉，留下所需的图案。
最后，刻蚀剂将多余的部分去除，得到所需的形状和尺寸。
第三，掺杂工艺是根据设计需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触电极等元件。
该工艺通常使用离子注入或扩散等方法来实现。
通过精确控制掺杂的深度和浓度，可以调整材料的电学性质，从而实现不同的功能。
最后，沉积工艺是在半导体片上形成一层薄膜的过程。
该工艺通常使用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方法来实现。
通过控制沉积的条件和参数，可以得到具有不同结构和性质的薄膜材料。
这些薄膜材料可以用于连接电路、形成绝缘层等功能。
综上所述，氧化、光刻、掺杂和沉积是集成电路制造中的四大基本工艺。
这些工艺相互配合，共同构成了集成电路复杂的制造流程。
随着技术的不断进步和发展，这些工艺也在不断地改进和完善，为集成电路的发展提供了坚实的基础。
第八章光刻与刻蚀工艺
8.1 光刻工艺流程
2.涂胶Spin Coating ①对涂胶的要求：粘附良好，均匀，薄厚适当 胶膜太薄－针孔多，抗蚀性差； 胶膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍） ②涂胶方法：浸涂，喷涂，旋涂√
Photoresist Spin Coater
EBR: Edge bead removal边缘修复
8.6.6 投影式曝光
利用光学系统，将光刻版的图形投影在硅片上。
8.6.6 投影式曝光
优点：光刻版不受损伤， 对准精度高。 缺点：光学系统复杂， 对物镜成像要求高。 用于3μm以下光刻。
分步重复投影光刻机--Stepper
采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜。 光刻版： 4X~5X； 曝光场：一次曝光只有硅片的一部分； 采用了分步对准聚焦技术。
h 2 2m E
a. E给定：m↑→ΔL↓→R↑，即R离子 > R电子 b. m给定：E↑→ΔL↓→R↑
8.3 光刻胶的 基本属性
1）光刻胶类型：正胶和负胶 ①正胶：显影时，感光部分 溶解，未感光部分不溶解； ②负胶：显影时，感光部分 不溶解，不感光部分溶解。
正胶（重氮萘醌）的光分解机理
负胶（聚乙烯醇肉桂酸脂）的光聚合机理
8.1 光刻工艺流程
③影响显影效果的主要因素： ⅰ）曝光时间； ⅱ）前烘的温度与时间； ⅲ）胶膜的厚度； ⅳ）显影液的浓度； ⅴ）显影液的温度； ④显影时间适当 t太短：可能留下光刻胶薄层→阻挡腐蚀SiO2(金属） →氧化层“小岛”。 t太长：光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶 →图形边缘破坏。
第八章 光刻与刻蚀工艺
掩模版
掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率＝90％，则 6块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）6＝53％； 10块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）10＝35％； 15块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）15＝21％； 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低。 掩膜版尺寸：①接触式和接近式曝光机：1∶1 ②分步重复投影光刻机（Stepper）： 4∶1；5∶1；10∶1
第八章光刻与刻蚀工艺
双叠氮交联剂的感光波长范围为260~460nm，已适用于高 压汞灯等光源。但添加适宜的增感剂，感光度也有所提高。
若曝光气氛中存在氧，将导致灵敏度下降，因此，必须在 氮气或真空条件下曝光操作。
原始光刻胶膜可被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射后 发生聚合或交联反应，聚合为不可溶物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相反。其成分主要为感光性树脂，其次 包括溶剂和增感剂。以感光性树脂的种类来分类：
（1）聚乙烯醇肉桂酸脂类
产品有北京化工厂的北化103胶、上海化学试剂厂的上试 1 号胶、美国的柯达光致抗蚀剂（KPR）以及日本东京应化光致 抗蚀剂（TPR）。
2、正性光刻胶（正胶）
原始光刻胶膜不能被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射 后，发生光分解反应，分解为可溶性物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相同；未经感光的光刻胶仍然保持它在 紫外光照射下发生光分解反应的活性，因此此类光刻胶在光刻 工艺中能够多次曝光。
主要成分为邻叠氮醌类化合物。产品有：北京化工厂的205、 206、212正性胶，上海试剂一厂的702、703胶等，美国Shipley 公司生产的AZ-1350系列等。
第八章 光刻与刻蚀工艺
1
§8.1 概述
一、光刻技术的特点
1、光刻是一种表面加工技术； 2、光刻是复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术； 3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精 度的要求就越高，难度就越大。
二、光刻的目的
在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩模版完全对应的几 何图形，从而达到选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
(完整版)光刻与刻蚀工艺
光刻工艺过程
❖涂胶 coating ❖前烘 prebaking ❖曝光 exposure ❖显影 development ❖坚膜 postbake ❖刻蚀 etch ❖去胶 strip ❖检验 inspection
1、涂胶
SiO2
Si （1）氧化、清洗
光刻胶 SiO2
Si （2）涂胶、前烘
1、涂胶
❖ 在图形曝光的工 作区域，则需要等级 10或1的洁净室。
lithography
❖Introduction
❖ 光刻 ▪ 洁净室 ▪ 工艺流程 ▪ 光刻机 ▪ 光刻胶 ▪ 掩膜版
光刻原理（1）
❖ 掩膜版图形转移到光刻胶
▪ 在光刻过程中，光刻胶受到光辐射之后发生光 化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影 液中光刻胶感光部分与未感光部分的溶解速度 相差非常大。
❖涂胶目的
▪ 在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没 有缺陷的光刻胶薄膜。
❖怎样才能让光刻胶粘的牢一些？
可以开始涂胶了……
❖ 怎么涂？
▪ 旋转涂胶法：把胶滴在硅片，然后使硅片高速旋转， 液态胶在旋转中因离心力作用由轴心沿径向（移动） 飞溅出去，但粘附在硅表面的胶受粘附力的作用而留 下。在旋转过程中胶所含的溶剂不断挥发，故可得到 一层均匀的胶膜
▪ （2）等级为M3.5的洁净室（公制），直径大 于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过103.5 （约3500个/m3)
❖ 100个/ft3= 3500个/m3
▪ 一个英制等级100的洁净室相当于公制等级 M3.5的洁净室。
洁净室（4）
❖ 对一般的IC制造 区域，需要等级100 的洁净室，约比一般 室内空气低4个数量 级。
Resist coat (wafer track)
光刻和刻蚀工艺流程
光刻和刻蚀工艺流程第一步：光刻掩膜准备光刻工艺的第一步是制备掩膜。
掩膜是一种类似于胶片的薄膜，上面有制作好的电路图形。
通常，光刻掩膜由专门的光刻工艺工程师根据电路图形设计，并通过专业软件生成掩膜图形。
之后将掩膜图形转移到掩膜胶片上。
第二步：光刻胶涂覆接下来，在待加工的硅片表面涂覆一层光刻胶。
光刻胶是一种特殊的光敏物质，具有对紫外光敏感的特性。
使用旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
第三步：软烘烤硅片上涂覆好光刻胶之后，需要进行软烘烤步骤。
软烘烤的作用是去除光刻胶中的溶剂以及帮助光刻胶更好地附着在硅片表面上。
软烘烤的温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第四步：曝光曝光是光刻工艺的关键步骤。
在曝光台上，将掩膜和被涂覆光刻胶的硅片对准，并通过紫外光照射。
光刻胶中被曝光的部分会发生化学变化，形成光刻胶的图形。
第五步：后烘烤曝光之后，需要进行后烘烤。
烘烤的目的是加强光刻胶的图形，使其更稳定并提高精度。
烘烤温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第六步：显影显影是将光刻胶中未曝光的部分溶解掉的步骤。
将硅片浸入特定的显影液中，显影液会将光刻胶中溶解掉的部分清除掉，形成具有电路图形的光刻胶。
第七步：刻蚀刻蚀是将未被光刻胶保护的硅片表面精确地去除掉部分的步骤，以形成电路图形。
刻蚀液根据硅片的材料和刻蚀目标而确定。
将硅片浸入刻蚀液中，刻蚀液会剥离掉没有光刻胶保护的硅片表面，形成光刻胶的图形。
第八步：去光刻胶刻蚀完成后，需要将光刻胶从硅片上去除。
通常使用酸性或碱性溶液将光刻胶溶解掉。
去光刻胶后，就得到了具有电路图形的硅片。
以上就是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻和刻蚀工艺对于微电子芯片的制造至关重要，能够提供精确的电路图形，是制造集成电路的基础步骤。
随着技术的不断发展，光刻和刻蚀工艺也在不断改进，以满足高集成度和高性能的微电子芯片的制造需求。
光刻与刻蚀工艺
光刻与刻蚀工艺pptxx年xx月xx日contents •光刻与刻蚀工艺简介•光刻工艺详细介绍•刻蚀工艺详细介绍•光刻与刻蚀工艺的挑战与对策•光刻与刻蚀工艺的发展趋势目录01光刻与刻蚀工艺简介1光刻工艺原理23利用光子能量将光刻胶上的分子激活，使其可进行化学反应。
光学曝光将光刻胶上的图形转移到半导体基板上的过程。
图形转移对光刻胶和半导体基板表面进行化学处理，以实现图形的精细加工。
表面处理利用液体化学试剂将半导体表面的材料溶解。
刻蚀工艺原理湿法刻蚀利用等离子体或离子束等高能粒子将半导体表面的材料去除。
干法刻蚀刻蚀过程中，被刻蚀材料与阻挡层材料的去除速率之比。
选择比1光刻与刻蚀工艺的关系23光刻工艺是制造芯片的核心技术，通过光刻胶上的图形控制半导体表面的加工。
刻蚀工艺是将光刻胶上的图形转移到半导体表面的关键步骤，要求高精度和高一致性。
光刻和刻蚀工艺的组合直接决定了芯片制造的质量、产量和成本。
02光刻工艺详细介绍03运动控制系统运动控制系统精确控制掩膜与光刻胶之间的相对位置，确保图形对准和重复性。
光刻机工作原理01曝光系统曝光系统将掩膜上的图形转换为光刻胶上的图形，是光刻机的核心部分。
02投影系统投影系统将曝光系统输出的光线聚焦到光刻胶表面，实现小比例图形转移。
光学接触剂是低分子聚合物，具有高度透明性和低折射率。
光学接触剂正性光刻胶受到光照后会发生交联反应，形成网状结构，耐腐蚀性强。
正性光刻胶负性光刻胶受到光照后会发生降解反应，形成可溶性物质，易于清除。
负性光刻胶光刻胶的分类与性质增加对比度通过优化涂层和选择合适的光源和波长，增加光刻胶与衬底之间的对比度。
提高分辨率采用短波长光源和高级数值孔径透镜，提高光刻机分辨率。
提高精度和一致性采用先进的控制系统和误差修正技术，提高光刻胶图形的精度和一致性。
光刻工艺的优化03刻蚀工艺详细介绍离子刻蚀机以离子束或离子束辅助化学反应的方式进行刻蚀。
具有各向异性刻蚀、高分辨率和低损伤等优点，但刻蚀速率较慢，设备昂贵。
光刻与刻蚀工艺流程课件
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
02
刻蚀工艺简介
刻蚀工艺的定义
刻蚀工艺：是指利用物理或化学方法，将材料表面的一部分 去除，以达到形成图案或结构的目的。
在半导体制造中，刻蚀工艺是关键的步骤之一，用于形成电 路、器件和其它微结构。
刻蚀工艺的原理
物理刻蚀
利用物理能量，如高能粒子或等 离子体，轰击材料表面，使其原 子或分子从表面溅射出来。
总结词
胶的均匀涂布是光刻工艺中的重要环节，直接影响到光刻胶的覆盖质量和均匀 性。
详细描述
在涂胶过程中，要确保胶液的均匀分布，避免出现胶层厚薄不均、气泡等问题 。可以采用匀胶机进行涂布，控制好涂布速度和温度，以保证胶的均匀性。
曝光能量控制问题
总结词
曝光能量是光刻工艺中的关键参数， 直接影响到曝光质量和光刻胶的溶解 度。
预烘
预烘
使光刻胶中的溶剂挥发， 增强光刻胶与硅片之间的 黏附力。
预烘温度和时间
根据光刻胶类型和特性而 定。
预烘作用
提高光刻胶的黏附性和稳 定性。
曝光
曝光
通过掩膜版将所需图案投影到光 刻胶上，使光刻胶发生化学反应
。
曝光方式
接触式曝光、接近式曝光、扫描 式曝光等。
曝光剂量
影响光刻胶的溶解性和分辨率。
坚膜温度的控制问题
总结词
坚膜温度是光刻工艺中的重要参数，直接影响到光刻胶的硬度和附着力。
详细描述
要选择合适的坚膜温度，以保证光刻胶的硬度和附着力。坚膜温度过高会导致光刻胶变脆，而坚膜温度过低会导 致光刻胶附着力下降，影响光刻效果。
腐蚀深度的问题
总结词
chap8光刻与刻蚀工艺
改善驻波效应的技术：在光刻胶层底 部或顶部使用抗反射涂层，同时在曝光 后进行烘焙。
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8.6
紫外线曝光
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造 成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一 个很小的间隙 (10 ～ 25m) ，可以大大减 小掩膜版的损伤，分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜 版上的图形投影到衬底上的曝光方法， 目前用的最多的曝光方式。
定义：用光刻方法制成的微图形，只 给出了电路的行貌，并不是真正的器件 结构。因此需将光刻胶上的微图形转移 到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫 做刻蚀。 • 目的：把经过曝光, 显影后的光刻胶 微图形中下层材料的裸露部分去掉, 即 在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。
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八、去胶
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8.2 分辨率
聚乙烯醇肉桂 酸酯 KPR胶的 光交联(聚合)
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1.负性胶由光产 生交联
常用负胶有聚肉桂酸 酯类、聚酯类和聚烃 类,
显影 曝光
胶 衬底 掩膜 胶 衬底
2.正性胶 由光产生 分解
胶 衬底
胶 衬底
负胶
正胶
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聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR
常用负胶有聚肉桂酸酯类、聚酯类 和聚烃类
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DNQ-酚醛树脂光刻胶的化学反应
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二、光刻的目的：光刻的目的就是
在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩
膜版完全对应的几何图形，从而实现选
择性扩散和金属薄膜布线的目的。 三、在ULSI中对光刻的基本要求： 1、高分辨率：分辨率的表示方法：第一 种是以每毫米最多能够容纳的线条数来 表示。即线宽。条数/mm；第二种是以剥 蚀后的二氧化硅尺寸减去光刻掩膜版的 图形尺寸除以2表示。
集成电路制造工艺——光刻与刻蚀工艺114页PPT
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6、黄金时代是在我们的前面，而不在 我们的 后面。
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7、心急吃不了热汤圆。
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8、你可以很有个性，但某些时候请收 敛。
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9、为成功找方法，不为失败找借口 (蹩脚 的工人 总是说 工具不 好)。
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10、只要下定决心克服恐惧，便几乎 能克服 任何恐 惧。因 为，请 记住， 除了在 脑海中 ，恐惧 无处藏 身。-- 戴尔． 卡耐基 。
41、学问是异常珍贵的东西，从任何源泉吸 收都不可耻。——阿卜·日·法拉兹
42、只有在人群中间，才能认识自 己。——德国
43、重复别人所说的话，只需要教育； 而要挑战别人所说的话，则需要头脑。—— 玛丽·佩蒂博恩·普尔
44、卓越的人一大优点是：在不利与艰 难的遭遇里百折不饶。——贝多芬
45、自己的饭量自己知道。——苏联
集成电路工艺讲义-刻蚀工艺
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五.等离子刻蚀设备
❖圆筒型 ❖平板型
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(
)
硅 片 接 地
反 应 离 子 刻
蚀
结
构
示
意
图
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反
应
离
子
刻
蚀
结
构
示
意
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图 22
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双 向 等 离 子 刻 蚀 示 意 图
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六.光刻技术的发展
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粗细线条兼顾，折中
洁净度
防止沾污
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§3 刻蚀方法
❖干法刻蚀:横向腐蚀小,钻蚀小,
无化学废液,分辨率高,细线条
操作安全，简便；处理过程未引入污 染：易于实现自动化，表面损伤小
缺点:成本高,设备复杂
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❖湿法刻蚀:操作简单,成本低廉,
用时短
❖湿法干法结合
❖湿法去表层胶，干法去底胶
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一.干法刻蚀原理
基本原理：腐蚀剂气体与被腐蚀样品 表面接触来实现腐蚀。
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两类物质的腐蚀：
反应腔加上射频电场，刻蚀气体放电产生 等离子体，等离子体处于激发态，有很 强的化学活性，撞击在硅片上，发生反 应，腐蚀硅化物。
1.多晶硅、氧化硅、氮化硅，采用CF4刻蚀
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SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O此反应的产物 是气态的 SiF4和水,其反应速率R可用
集成电路制造中的腐蚀工艺
集成电路制造中的腐蚀工艺(共7页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--集成电路制造中的腐蚀工艺摘要：在集成电路制造过程中，需要光刻工艺将光刻版上的图形复制到硅片上，而腐蚀工艺则是通过光刻胶来做保护，最后完成图形复制的任务。
腐蚀结果的好坏会直接影响到硅片上的图形，这些图形则最终会在电路制作完成后对电路造成不同程度的影响。
对于不同的材料，腐蚀工艺需要根据不同的腐蚀结果选取不同的腐蚀液或腐蚀气体，并通过大量的实验得到最佳的腐蚀结果。
文章结合实际工作经验对在常规集成电路制造过程中的的几种材料在腐蚀工序的腐蚀做了简要的说明分析，对易出现的问题进行解决。
关键词：湿法腐蚀；干法腐蚀；等离子腐蚀；铝腐蚀Etching for Integrated CircuitMA Hong-jiangThe 47th Research Institute of China ElectronicsTechnologyGroup,Shenyang,110032,ChinaAbstract: We need put the pattern on the wafer through Photolithography ,but finally pattern will be keep down through Etch in IC manufacture .Result of etching will affect the pattern on the wafer ,finally all those factor will affect the circuit function after IC is finished .We need do enough experiment to decide the best way to etch different material by using different etchant or gas for etching .This article analyses the result of different material in etching process in normal IC manufacture ,and it afford many method to solve so many questions that those are occurred easily in etching .Keywords : Wet Etch；Dry Etch ；Plasma Etch；Al Etch引言在集成电路的制造过程中，腐蚀工艺占有极其重要的地位。