武汉理工大学模电试卷
武汉理工大学网络教育模拟电子技术
一、判断(共计50分,每题2.5分)1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
A. 正确B. 错误错误:【A】2、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。
A. 正确B. 错误错误:【A】3、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路，全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。
A. 正确B. 错误错误:【A】4、将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联在一起，可以组成带阻滤波器。
A. 正确B. 错误错误:【A】5、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）A. 正确B. 错误错误:【A】6、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共集组态带负载能力强。
A. 正确B. 错误错误:【A】7、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。
A. 正确B. 错误错误:【A】8、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）A. 正确B. 错误错误:【A】9、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带。
A. 正确B. 错误错误:【A】10、直流电源一般由下列四部分组成，它们分别为：电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。
A. 正确B. 错误错误:【A】11、对于耗尽型MOS管，当栅源电压等于零时，有导电沟道存在。
A. 正确B. 错误错误:【A】12、N型半导体中电子是少数载流子。
（）A. 正确B. 错误错误:【B】13、结型场效应管利用栅源极间所加的反向电压来改变导电沟道宽度。
（）A. 正确B. 错误错误:【A】14、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）A. 正确B. 错误错误:【B】15、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流。
A. 正确B. 错误错误:【A】16、场效应管放大电路有共源、共栅、共漏三种组态。
武汉理工大学历年数电试卷和模拟题
3．F3F3四、（共12分）设计一个三人举手表决电路，要求输出Y的状态与三人A、B、C中多数的状态一致：1．列出真值表并写出逻辑表达式；（6分）2．用3/8线译码器74138和与非门实现上述逻辑函数，画出电路图。
（6分）74138集成译码器功能表及符号输入输出G1G2A G2B A2A1A0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y70X X X X X11111111X1X X X X11111111X X1X X X111111111000000111111110000110111111100010110111111000111110111110010011110111100101111110111001101111110110011111111110五、（共12分）分析下列由计数器74LS290和数据选择器74LS151组成的电路：1．画出图中74LS290输出的状态转换图；（3分）2．写出图中74LS151输出Y的逻辑表达式；（3分）3．对照CP画出输出Y的波形图；（3分）4．说明电路的逻辑功能。
（3分）武汉理工大学教务处 试题标准答案及评分标准用纸课程名称 数字电子技术 （ A 卷）一、填空（每空1分，共16分）1.（ 111111.11）B ＝（77.7）O =（3F.C ）H ＝（01100011.01110101）8421BCD 2．()()F A BB C =++，()()'F A B B C =++3．A=C=1，F AB BC AC =++ 4．速度快 5．-5V6．10，8，8 7．0，1，2二、化简（每小题6分，共12分）1．代数法化简：()()()F A B ABC A(B AB)A B AC A A B A+C A A BC A A BC A B+C AB+AC=•+++=•++=++=++=+==2．卡诺图法化简：Y(A,B,C,D)=(0,2,3,4,6,12)(1,7,8,10,14,15)∑+∑m d 三、写表达式（每小题4分，共12分）1．1F A B C =⋅⋅ 2．2F A B B C =⋅+⋅ 3．3F 1= 四、1．真值表：（略）（3分）逻辑表达式：()Y 3,5,6,7m =∑（3分） 2．电路图：（6分）1GA74LS138G 2212AGAY 4 1 Y Y 5 Y2 Y 6 Y Y 7Y 3 0A B C10 0Y图1 例1逻辑五、1．七进制；（3分）2．输出Y 的逻辑表达式()Y 0,1,3,4,5m =∑；（3分）3．1101110；（3分）4．序列码发生器。
推荐-电工及电子技术基础模拟试题 精品
武汉理工大学继续教育学院《电工及电子技术基础》试题(B)20XX机电专业20XX年12月____________一、填空：（本大题包括10小题，每小题2分，共计20分）1．实际电压源的内阻越小，其特性越接接近于理想________源。
2．电路中电位参考点发生变化后，其它各点的电位_______________________。
3．在对称三相电路中，若负载作三角形连接，其相电流i AB=5sin(314t+60°)A。
则线电流i A=________________________A。
4．某正弦交流电压u的初相位为45°，在t=0时u=220V，则u的有效值为_______V。
5．若电源电压有效值保持不变，而电源频率提高时，R、C串联正弦交流电路的电流有效值将_________。
6．二极管最重要的特性是_________________。
7．三极管由放大状态变为截止状态后，电路中将出现的特征是________________。
8．某三极管发射结反偏，集电结也反偏时，此三极管的工作状态为_____________。
9．单相桥式整流电路，接负载R L=100Ω，电源电压u2=2×20sinωt V，则负载电流的平均值I L为_____________。
10．基本R-S触发器，输入端R D、S D禁用的状态为________________。
二、单项选择题：（本大题包括16小题，每小题1.5分，共计24分）（选择唯一正确答案，并将其编号填入括号内。
选错或未选均无分）11．有一阻值为100kΩ的电阻与另一阻值为1kΩ的电阻并联后，再与一阻值为1kΩ的电阻串联，根据工程近似的的观点，它们并、串联后的等效电阻值为（）A．0.5kΩB．1kΩC．2kΩD．100kΩ12．基尔霍夫电压定律、电流定律（）A．与电路结构有关，与元件性质无关B.与电路结构有关，与元件性质也有关C．与电路结构无关，与元件性质有关D.与电路结构无关，与元件性质也无关13．直流电路如图1所示，E=15V，I K=5A，R=5Ω，恒压源E的工作状况是（）A．发出功率75W B．吸收功率75W C．发出功率30WD．吸收功率30W14．R、L串联的正弦交流电路如图2所示，若u R=52sin(ωt+10°)V，u L=52sin(ωt+100°)V，则总电压u为（）A．5sin(ωt+45°)V B．10sin(ωt+55°)VC．52sin(ωt+110°)V D．102sin(ωt+70°)V15．有关图3中所示电路电流•I的下列计算公式中，错误．．的是（）图1 题13电路图A ．R U R •B ．Cj UC ω•C ．•C U C j ωD ．)1(Cj R U ω+•16．负载为△连接的三相对称电路，若每相负载有功功率为30W ，则三相有功功率为（ ）A ．0B ．303WC ．90WD ．903W 17．三相异步电动机的电磁转矩T 与（ ）A ．定子电流成反比B ．定子电压成正比C ．定子电压平方成反比D ．定子电压平方成正比18．在掺杂半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ）A ．杂质浓度B ．掺杂工艺C ．晶体缺欠D ．温度 19．PN 结的空间电荷的组成是（ ）A ．正离子与电子B ．负离子与空穴C ．正离子与负离子D ．电子与空穴 20．PN 结未加外部电压时，扩散电流与漂移电流是（ ）A ．只有扩散电流没有漂移电流B ．只有漂移电流没有扩散电流C ．扩散电流与漂移电流均存在，且前者大于后者D ．扩散电流与漂移电流均存在，且相等 21．锗二极管的死区电压约为（ ）A ．0.1 V 左右B ．0.3 V 左右C ．0.5 V 左右D ．0.7 V 左右22．PNP 型与NPN 型三极管主要区别为（ ）A ．必需由两种不同材料（硅、锗）制造B ．必需掺杂不同的元素C ．N 区与P 区的位置安排不同D ．掺杂的浓度不同 23．处于放大状态的三极管，其发射结（e 结）及集电结（c 结）的偏置情况为（ ）A ．c 结反偏，e 结正偏B ．c 结正偏，e 结反偏C ．c 结正偏，e 结正偏D ．c 结反偏，e 结反偏 24．对半导体三极管而言，不正确的说法是（ ）A ．三极管的参数β与温度有关B ．硅材料只能制造NPN 型三极管C ．三极关在放大状态时，e 结为正偏，c 结为反偏D ．三极管的参数I CEO 与温度有关 25．单相桥式整流电路，交流电源U 2=20V ，工作中突然发生一只二极管脱焊，则输出电压U L 等于（ ）A ．20VB ．18VC ．10VD ．9V 26．表示基本触发器的置0端的文字符号为（ ）A ．S DB ．R DC ．QD ．__Q三、简 析 题：（本大题包括4小题，每小题4分，共计16分）27．通常电灯开得愈多，总负载电阻愈大还是愈少，为什么？28．在图4所示正弦交流电路中，若电源角频率ω=1000 ra d ∕ s ，R =100Ω，欲使输出电压u 2超前输入电压u 1的相位角为60°，则电感L 应取多大值？ 29．在图5所示电路中，E =5V ，R =5k Ω，试分析并分别求出图5（a ）、(b )、（c ）各图中电流表（即mA 表）的读数。
武汉理工大学模电试卷
武汉理工大学考试试题 （A 卷）课程名称 模电 专业班级 软件工程0601题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分2020128121612备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一. 填空题：（每空1分，共20分）1.在P 型半导体中，多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）。
P 型半导体主要靠（ ）导电。
2.当PN 结正向偏置时使空间电荷区（ ），加剧了多数载流子的（ ）运动，形成正向电流，此时PN 结处于（ ）状态。
3.根据导电沟道结构上的不同，场效应管可以分成（ ）和（ ）两大类型，他们的导电过程仅仅取决于（ ）的运动。
4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为（ ）偏置和集电结电压应为（ ）偏置。
5.共射放大电路有（ ）电压增益，（ ）电流增益，温度升高时，其增益均会（ ）。
6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电流放大倍数大，可选用（ ）和（ ）组态电路；若希望放大器的高频响应好，应选用（ ）组态电路。
7.电流源电路的特点是输出电流（ ），直流等效电阻（ ），交流等效电阻（ ）。
二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含三价元素杂质的半导体是（ ）。
① P 型半导体；② N 型半导体；③ 本征型半导体2. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（ ）。
①. I S e U ②. TU U I e S ③. )1e (S －TU U I3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（ ）。
① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（ ）和（ ）。
① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时5. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ） 。
①. 结型管 ②. 增强型MOS 管 ③. 耗尽型MOS 管6.检查放大电路中的BJT 在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（ ）。
1~4章习题课 模电 武汉理工
iD1
V1 uI V2 uI ( i1 iD2 ) ( ) R1 R2
iD1 iD2
2uI 24 5 18 uI 5
+
iD1 D1 i1
iD2 D2 i2 R2 V2
+
D1导通的条件是uI＞12 V
uI
R1 5 kW
模拟电子技术基础
2.3.1 在题图2.3.1所示电路中，发光二极管导通 电压VD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正 常工作。试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？
解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光。 （2）为了让二极管正常发光，ID＝5～15mA， R的范围为
R i R b //[rbe (1 )R L ] 18 //(0.56 101 0.11) 7kW
Avs
Ri ( 1 )RL Ri Rs rbe ( 1 )RL
7 101 0.11 0.877 。 7 0.6 0.56 101 0.11
2.2.5 电路如题图所示，设所有稳压管均为硅管 （正向导通电压为VD＝0.7V），且稳定电压VZ＝ 8V，已知vi＝15sinωt (V)，试画出vO1和vO2的 波形。
模拟电子技术基础
当 vi VZ 8V 时，稳压管 DZ 反向击穿，vo＝8V ； 当 vi VD 0.7V 时，稳压 管 DZ 正向导通，vo＝−0.7V ； 当 0.7V VD vi VZ 8V 时，稳压管 DZ1 和 DZ2 未击穿，vo＝vi 。
50 3 3 0.5
150
Vi
Ri Rb1 Rb 2 rbe 0.5k W
模电考试题及答案
模电考试题及答案**模电考试题及答案**一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入端电流为零，这是因为（）。
A. 输入端电阻非常大B. 输入端电阻非常小C. 输入端电流被放大D. 输入端电流被抑制答案：A2. 共发射极放大电路中，静态工作点的确定主要取决于（）。
A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 电源电压答案：B3. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加电路噪声D. 降低输入阻抗答案：B4. 晶体三极管工作在放大区的条件是（）。
A. VBE < 0.7VB. VBE > 0.7VC. VCE < 0.7VD. VCE > 0.7V答案：B5. 差分放大电路可以（）。
A. 放大差模信号B. 放大共模信号C. 抑制共模信号D. 放大交流信号答案：C6. 场效应管的控制极是（）。
A. 栅极B. 漏极C. 源极D. 门极答案：A7. 多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B8. 功率放大器与电压放大器的主要区别在于（）。
A. 放大倍数B. 工作频率C. 输出功率D. 输入阻抗答案：C9. 正弦波振荡电路产生振荡的条件是（）。
A. 开环增益大于1B. 相位移动为360度C. 开环增益大于3D. 相位移动为180度答案：B10. 调制的目的是（）。
A. 提高信号的传输距离B. 改变信号的频率C. 降低信号的功率D. 增加信号的带宽答案：A二、填空题（每空2分，共20分）1. 在共发射极放大电路中，若集电极电流为2mA，则基极电流大约为_____μA。
答案：202. 理想运算放大器的两个输入端分别是______输入端和______输入端。
答案：反相；同相3. 负反馈可以提高放大电路的______和______。
答案：稳定性；线性4. 晶体三极管的三种工作状态分别是______、______和饱和区。
武汉理工大学电工电子样卷
（C ）C L R /2= 题三图如图所示，换路前已处于稳态，t=0时开关闭合，试求换路后的电容两端电压题四图题五图武汉理工大学教务处（A 卷）一、填空题（每空1分，共16分）1. －1A 、2V 、1A2. 1000 、 3π 、503. 电压、电流4. 滞后 、容性5. N1/N2、N2/N16. 改变电源相序7.变电源频率f 、变电机极数P 、变转差率S二、单选题（每题2分，共20分）1～5：A B B D C 6～10：A B A A C 三、（10分）解：c 点电位为Vc=1×10=10V （3分）b 点与c 点电位差为U bc =4×3/（4+2）=2V ，故Vb=Vc+U bc =12V （4分） a 点电位为Va=Vb-3=9V （3分） 四、（12分）解：（1）开关未闭合时，电路处于稳态，计算)0(-C U 如图3.1所示，Uab ＝20V ，故101020)0(=-=-C U V （3分） （2）根据换路定则，)0()0(-=+C C U U ＝10V （2分） （3）当电路再次进入稳态后，)(∞C U如图4.2所示，)(∞C U ＝20×（1/4）-10=-5V （3分）(4)等效电阻R ＝10K Ω，故时间常数RC ＝10K Ω×10μF=0.1s （2分） 根据三要素法，可得t C e t U 10155)(-+-=V 。
（2分） 五、（12分）解：（1）求开路电压Uab 。
如图5.1所示电路。
Uab ＝16V （4分） （2）等效电阻R0＝8Ω,如图5.2所示。
（4分） （3）I ＝Uab/(R0+24)=0.5A ，如图5.3所示，（4分）六、（15分）解：由已知条件可知，︒∠=0380ABU V ，s rad /314=ω，则 A 、B 、C 相电压分别为︒-∠=30220A U V ，︒-∠=150220B U V ，︒+∠=90220C U V ，（3分） Ω=⨯⨯==-10108.313143L X L ω，Ω=⨯⨯==-10)10318314/(1)/(16C X C ω（3分）︒-∠==3022/R U I A A A ，︒-∠=-=6022)/(C B B jX U I A ，︒∠==022)/(LC C jX U I A ，（3分） 图4.1 t ＝0－等效电路A I I I I CB A N 3060-∠=++=∙∙∙∙（2分） 相量图如下图所示。
模电期末考试试题及答案
模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。
7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。
8. 一个理想的电压源的内阻是_________。
9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。
10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。
三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。
12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。
13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。
四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。
假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。
15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。
答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
武汉理工大学模电试题
模拟试题一一、选择填空(每空1分，共20分)1．纯净的半导体叫（）。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。
A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。
A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。
A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。
A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。
A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。
A．比较B．滤波C．调整二、判断正误(每题2分，共10分)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。
（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在模拟电路中，三极管的主要作用是（）。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案：A2. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 0B. 1ΩC. 1kΩD. 无穷大答案：D3. 共发射极放大电路中，若要增大输出电压，应增大（）。
A. 集电极电阻B. 发射极电阻C. 基极电阻D. 电源电压答案：A4. 差分放大电路的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 增加输出电压D. 减小输入阻抗答案：B5. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加输入阻抗D. 减小输出阻抗答案：B6. 场效应管的控制量是（）。
A. 电压B. 电流C. 电荷D. 电场答案：D7. 在模拟电路中，为了减少噪声，通常采用（）。
A. 增加电源电压B. 减小电源电压C. 增加信号源阻抗D. 减小信号源阻抗答案：D8. 集成运算放大器的输出电压范围受到（）的限制。
A. 电源电压B. 输入电压C. 负载电阻D. 放大倍数答案：A9. 为了使共发射极放大电路工作在放大区，基极与发射极之间的电压应满足（）。
A. V_BE > 0.7VB. V_BE < 0.7VC. V_BE = 0.7VD. V_BE ≥ 0V答案：A10. 理想二极管的正向导通电压为（）。
A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案：B二、填空题（每题2分，共20分）11. 在共基极放大电路中，输出电压与输入电压相位______。
答案：相同12. 集成运算放大器的差模输入阻抗是指两个输入端之间的阻抗，而共模输入阻抗是指两个输入端对地的阻抗，理想情况下，差模输入阻抗应为______，共模输入阻抗应为无穷大。
答案：无穷大13. 场效应管的跨导定义为输出电流与输入电压之间的比值，即 g_m = ______。
答案：I_D / V_GS14. 为了提高放大电路的输入阻抗，可以在三极管的基极与信号源之间串联一个______。
理工大学模拟电子技术期末考试试卷1
,考试作弊将带来严重后果！理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类06级，2008.07.11）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答，其它题直接答在试卷纸上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共 四 大题，满分100分，考试时间120分钟。
选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分）1．在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2．增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路，要求则其栅源间电压GS u （ ） A ．GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3． 在共射基本放大电路中，适当增大集电极负载电阻R C ，电压放大倍数和输出电阻将( )A ．放大倍数变大，输出电阻变大B ．放大倍数变大，输出电阻不变C ．放大倍数变小，输出电阻变大D ．放大倍数变小，输出电阻变小4． 如右图所示电路中，晶体管≈100，估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为（ ）A ．011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5．NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。
A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7． 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，便可以得到幅频特性和相频特性，条件是（ ）。
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^1B. 10^2C. 10^3D. 10^5 至 10^6答案：D3. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可放大性答案：B4. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的增益带宽积D. 有限的电源电压答案：C5. 在模拟电路设计中，以下哪个不是噪声的来源？A. 电源B. 电阻C. 运算放大器D. 外部电磁干扰答案：B6. 一个二阶低通滤波器的截止频率是1kHz，若要将其转换为高通滤波器，其截止频率将如何变化？A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：A7. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 差模抑制与共模增益的比值D. 共模增益与差模增益的比值答案：B8. 一个理想二极管的正向导通电压是多少？A. 0VB. 0.7VC. 1.5VD. 3.3V答案：B9. 在模拟电路设计中，以下哪个不是电源管理的考虑因素？A. 电源纹波B. 电源效率C. 电源稳定性D. 电源的频率响应答案：D10. 什么是增益带宽积（GBW）？A. 放大器的增益与带宽的乘积B. 放大器的增益与截止频率的比值C. 放大器的带宽与截止频率的比值D. 放大器的增益与截止频率的乘积答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的基本应用之一——非反相放大器的工作原理。
答案：非反相放大器是一种基本的运算放大器应用，其工作原理基于运算放大器的虚短和虚断特性。
在非反相放大器中，输入信号被连接到运算放大器的非反相输入端，输出信号则从运算放大器的输出端获得。
由于运算放大器的高增益，输出信号是输入信号的线性放大版本，其增益由反馈电阻和输入电阻的比值决定。
湖北理工18套模拟电子技术试题及答案[1]
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湖北理工18套模拟电子技术试题及答案[1]《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
武汉理工大学模拟电路试卷
武汉理工大学考试试题纸（ 卷）备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一、填空题（本大题共20分，每空1分，）：1.理想二极管的正向电阻为 零 ，反向电阻为 无穷大 。
2.当正向电压 小于死区电压的绝对值 ，或反向电压 低于击穿电压 时，二极管截止。
3.当PNP 型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 发射 极电位最高， 集电 极电位最低， 基 极和 发射 极电位之差约等于 -0.3V 。
4.设某共射极基本放大电路原来没有发生削波失真，现增大c R ，则静态工作点向 左 方向移动，较容易引起 饱和 失真。
5.设某负反馈放大电路的开环放大倍数1000A ∙=，反馈系数0.01F = ，若A ∙变化5%，则f A 变化 0.45% 。
6. 电流并联 负反馈能使放大电路的输入电阻减小，输出电阻变大； 电压并联 负反馈能使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小。
7.若12id i i v v v =-是 差模 电压，12()2ic i i v v v =+是 共模 电压，则差分电路两输入端的电压分别为1i v = 2ic id v v + ，和2i v = 2ic id v v - 。
8.电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 电压增益 ，因为电流源的 交流电阻 大。
二、单项选择题（本大题共20分，每空1分）1.当PN 结外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（ D ）。
A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变2.正偏时，对于某个确定的工作点，普通二极管的交流电阻D r 和直流电阻D R 相比，（ A ）。
A.D D r R <；B.D D r R =；C.D D r R >；D.说不定哪个大3.在下图（二3）所示电路中，设1Z D 的稳定电压为7V ，2Z D 的稳定电压是为13V ，则输出电压等于（ C ）。
4.某晶体管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA ，则它的集电极电流等于（ A ）。
模拟试卷武汉理工大学网络教学平台
8．检波并经隔直电容后的信号成份有
得分
二、填空题（共10分，每小题2分，少填、错填均无分） 、 、 等三种。 、
1．功率放大电路根据静态工作点的位置可分为
2．为实现电信号的有效传输，无线电通信通常要进行调制。常用的模拟调制方式可以分为 和 三种。 。 和 。 ，
3．使调谐放大器工作不稳定的主要因素是 提高调谐放大器稳定性的措施通常采用
2） 信号不调制进行传播会相互干扰，无法接收。
2.答：由下图谐振功率放大器的集电极调制特性知： Ubm、Ucm 及 UBB 不变，而当 UCC 改变时，只有工作在过压工作状态，Ic1 有 明显的变化
四、简析题
解：1. 1 端和有标记端为同名端 2．
fo
1 2 LC
带入数据得, fo＝15.9MHz
七、计算题
(1)a)图为 AM 波 b)图为 DSB 波 uAM=2(1+0.3COS2π×102t) COS2πt×106t(V) uDSB=0.6 COS2π×102t COS2πt×106t (V) (2)PC=2w PDSB=0.09w PAM =2.09W BW=200 HZ
八、计算题
10
uC(t)=UCmcosωCt uΩ (t)= UΩ mcosΩt
…………
uo(t)=A uC(t)
试 卷 装 订 线
………………
装 订 线 内 不 要 答 题 ， 不 要 填 写 考 生 信 息
………………
试 卷 装 订 线
…………
4
得分
六、画图题（共 10 分）
分析下图为利用 MC1596 构成的何种电路？并画出这种电路的实现模型。 MC1596 还能用在哪些场合？
得分
《模电》经典题目,含答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内)（共16分）1．有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的( ）a。
输入电阻大b。
输入电阻小c。
输出电阻大 d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大,表明电路（）。
a。
放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大c。
抑制温漂能力越强d。
输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（).a。
变宽 b. 变窄c。
不变d。
与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1—4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dB d。
3dB图1-4 图1—55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a。
满足振荡条件，能产生正弦波振荡b。
由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c。
由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1—6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０,设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为( ）.a. 125mV b 。
1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a 。
CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定,应选( ）。
模电测试题及答案
模电测试题及答案一、选择题（每题5分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管的基本放大作用是通过改变哪个参数来实现的？A. 集电极电流B. 发射极电流C. 基极电流D. 漏极电流答案：C2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 零B. 无穷大C. 有限值D. 负值答案：B3. 在共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位关系是：A. 同相B. 反相C. 正交D. 无固定相位关系答案：B4. 以下哪个元件不是模拟电路中的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案：D二、填空题（每空3分，共15分）1. 在模拟电路中，放大器的增益可以通过改变________来调节。
答案：电阻值2. 运算放大器的输出电压范围受到________的限制。
答案：电源电压3. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高4. 模拟电路中的反馈可以分为________和________。
答案：正反馈，负反馈5. 模拟电路中的噪声主要来源于________和________。
答案：电源，半导体器件三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案：模拟电路处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路通常使用模拟信号，如电压或电流的连续变化，来表示信息；数字电路则使用二进制数字信号，即0和1，来表示信息。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于放大两个输入端之间的电压差；中间级为高增益放大级，进一步放大信号；输出级则负责将放大后的信号输出。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈电阻来控制放大倍数。
四、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个共发射极放大电路，其静态工作点为Vcc=12V，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，β=100，求该电路的静态集电极电流Ic。
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武汉理工大学考试试题 （A 卷）
课程名称 模拟电子技术基础B 专业班级 软件工程0601
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分
20
20
12
8
12
16
12
备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）
一. 填空题：（每空1分，共20分）
1.在P 型半导体中，多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）。
P 型半导体主要靠（ ）导电。
2.当PN 结正向偏置时使空间电荷区（ ），加剧了多数载流子的（ ）运动，形成正向电流，此时PN 结处于（ ）状态。
3.根据导电沟道结构上的不同，场效应管可以分成（ ）和（ ）两大类型，他
们的导电过程仅仅取决于（ ）的运动。
4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为（ ）偏置和集电结电压应为（ ）偏置。
5.共射放大电路有（ ）电压增益，（ ）电流增益，温度升高时，其增益均会（ ）。
6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电流放大倍数大，可选用（ ）和（ ）组态电路；若希望放大器的高频响应好，应选用（ ）组态电路。
7.电流源电路的特点是输出电流（ ），直流等效电阻（ ），交流等效电阻（ ）。
二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含三价元素杂质的半导体是（ ）。
① P 型半导体；② N 型半导体；③ 本征型半导体
2. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（ ）。
①. I S e U ②. T U
U I e S ③. )1e (S －T U U I
3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（ ）。
① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏
4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（ ）和（ ）。
① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时
5. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ） 。
①. 结型管 ②. 增强型MOS 管 ③. 耗尽型MOS 管
6.检查放大电路中的BJT 在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（ ）。
① BQ I ；② BE U ；③ CQ I ：④ CEQ U
7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，
那么它的β约为（ ）。
①. 83 ②. 91 ③. 100
8.已知某BJT组成的基本放大电路原来不存在削波失真，但在增大Rc以后，失真出现了，
这个失真必定是（）。
①饱和失真；②截止失真；③双重失真
9.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
①. 增大②. 不变③. 减小
10.设BJT的β为常数，则随着偏流电阻Rb的增大，单级基本放大电路的电压放大倍数的绝
对值（）。
①增大；②减小；③不变；④说不定怎样变化
11.增大信号源内阻，则放大电路对信号源的增益（）。
①增大；②减小；③不变；④说不定怎样变化
12.差分式放大电路由双端输出变为单端输出，其空载差模电压增益（）。
①电压增加一倍；②减小一半；③不变；④说不定怎样变化
13.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
①．减小温漂②. 增大放大倍数③. 提高输入电阻
14.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。
①．共射放大电路②.共集放大电路③．共基放大电路
15.在交流放大电路中，若要求输出电压Uo基本稳定，并能提高输入电阻应引入（）；
若要求输出电流Io基本稳定，并能减小输入电阻应引入（）；若要求输出电流Io基本稳定，并能提高输入电阻应引入（）。
①电压串联负反馈；②电流串联负反馈；
③电压并联负反馈；④电流并联负反馈
16.对于由负载电阻变化所引起的放大电路输出电压Uo和输出电流Io的变化，在引入电压
负反馈后，（）。
① Uo的稳定性提高，Io的稳定性不变；② Uo的稳定性不变，Io的稳定性提高；
③ Uo的稳定性提高，Io的稳定性降低；④ Uo的稳定性降低，Io的稳定性提高；
⑤ Uo和Io的稳定性都提高
17．对于放大电路，所谓开环是指（）。
①．无信号源②．无反馈通路
③．无电源④．无负载
三、计算题[12分]
电路如所示，晶体管的 ＝60，
'
bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u A 、Ri 和Ro ；
（2）设
s U ＝10mV （有效值）
，问
i U ＝？o U ＝？
四.计算题[8分]
电路如图所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的UBE 均为0.7V ，试求IC2的值。
五.分析题[12分，每小题各6分] 下图所示图带有反馈的电路:
(1) 指出各电路所引入的反馈是正反馈还是负反馈？ （2）判断各电路级间交流反馈的类型。
六.改错 [16分]
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共漏接法。
七、计算（12分）
益表达式。