半导体三极管的分类
三极管分类
4.贴片式三极管的外形及特点
采用表面贴装技术SMT（Surface MountedTechnology）的三极管称为贴片式三极管。贴片式三极管有三个引脚的，也有四个引脚的。在四个引脚的三极管中，比较大的一个引脚是集电极，两个相通引脚是发射极，余下的一个引脚是基极。常见贴片式三极管的外形如图4所示。
1、电流放大：
三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。在放大电路中，就是利用三极管的这一特性来放大信号的。
2、开关作用：
当三极管做开关时，工作在截止、饱和两个状态。
在三极管开关电路中，三极管的集电极和发射极之间相当于一个开关，当三极管截止时它的集电极和发射之间的内阻很大，相当于开关的断开状态；当三极管饱和时它的集电极和发射极之间内阻很小，相当于开关的接通状态。
贴片三极管测量：
正视，两脚左下脚为b极（基极），测量方法同上
2、好坏判断
按以上方法测量时两组读数在300--800为正常，如果有一组数值不正常三极管为坏，如果两组数值相差不大说明三极管性变劣。
测量ce两脚，如果读数为0，说明三极管ce之间短路或击穿，如果读数为1，说明三极管ce之间开路。
七、三极管的代换原则（只适合主板）
导通状态的工作条件：UB>UE，且UBE≥0.7V，CE结内阻很小，此时电流可以从集电极经CE结流向发射极。
截止状态的工作条件：UBE<0.7V，时，也就是基极没有电流时，CE结内阻很大，此时CE结没有电流流过。
硅三极管和锗三极管的导通、截止电压也是不同的：
硅三极管：导通电压UBE>0.7V，截止电压UBE<0.7V。
三极管种类
晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
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三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
半导体三极管综合知识
半导体三极管综合知识5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。
它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
NPN型，锗管多为PNP型。
`E(集电极集电极)B(基极)NPN型三极管 PNP型三极管5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
5.5 半导体三极管的主要参数a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。
即β=ΔIc/ΔIb。
b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。
c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。
5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。
饱和和截止状态一般合用在数字电路中。
a;半导体三极管的三种基本的放大电路。
b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。
注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。
交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。
交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。
5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.b;判别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。
半导体三极管
放大 截止 饱和 倒置
正向 反向 三极管饱和 反向时的管压降 反向 正向UCE被称作 正向
为三极管的 反向饱和压降
放大状态时有： IC=β IB+ICEO≈βIB
UCE=UCC-IC*Rc 减小Rb，IB增大； IC增大，UCE减小 集电结反偏电压减小。 饱和后，UCE≈0, IC=(UCC-UCES)/Rc IC≈UCC/Rc 饱和条件： IB>IC/β IB>(UCC-UCES)/βRc≈UCC/(β Rc）
半导体三极管
3.1 概述
半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT）
c
N P N 集电极 集电结
NPN型 c b
PNP型
c b
b
基极
发射结
e
e
发射极
e
三极管的发射极的箭头方向， 代表三极管工作在放大，饱和 状态时，发射极电流（IE）的 实际方向。
半导体三极管的分类：
按材料分： 按结构分： 按使用频率分： 按功率分： 硅管、锗管 NPN、 PNP 低频管、高频管 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
NPN: 0.35V,0.3V,1V 1V
+VCC
-VCC
PNP: -0.2V,0V,-0.05V -0.05V -0.2V
PNP
0.35V
NPN
0.3V
0V
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态 发射结电压 集电结电压
放大 截止 饱和
正向 反向 正向
反向 反向 正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 4、不饱和则看有没有两个电压差为正向导通电压 例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V
三极管的特征
三极管的特征三极管是一种常用的电子元件，具有许多独特的特征和功能。
本文将详细介绍三极管的特征，包括三极管的结构、工作原理和应用领域。
一、结构特征三极管由三个不同类型的半导体材料（N型、P型或P型、N型）组成，通常被称为发射极、基极和集电极。
这三个区域分别构成了三极管的结构，决定了其特性。
二、工作原理三极管的工作原理基于PN结的导电性。
当三极管的基极-发射极结正向偏置时，发射极和基极之间形成一个正向偏压，从而形成了一个导通通道。
这时，集电极和基极之间的结反向偏置，集电极基本上不导电。
当基极电流增加时，发射极电流也会相应增加。
三、特性1. 放大功能：三极管是一种双极型放大器件，可以将微弱的信号放大为较大的信号。
通过控制输入信号的大小，可以实现放大倍数的调节。
2. 开关功能：三极管可以作为电子开关使用。
当三极管处于截止状态时，集电极和基极之间的电流非常小；当三极管处于饱和状态时，集电极和基极之间的电流较大。
通过控制输入信号的大小，可以控制三极管的导通与截止，实现开关的功能。
3. 高频特性：三极管具有良好的高频特性，可以在射频和微波领域中使用。
由于其短开关时间和高频特性，三极管在无线电通信、雷达和卫星通信等领域中得到广泛应用。
4. 可控性：通过调节基极电流，可以精确地控制三极管的放大倍数和工作状态。
这使得三极管成为电路设计中的重要元件，可用于各种应用中。
四、应用领域1. 放大器：三极管可以用作放大器，将微弱的信号放大为较大的信号。
在音频放大器、射频放大器和功率放大器等领域中广泛应用。
2. 开关：三极管的开关功能使其在数字电子电路中得到广泛应用。
例如，在计算机内存、逻辑门和计数器等电路中使用。
3. 振荡器：三极管可以作为振荡器的关键元件，产生稳定的振荡信号。
在无线电、通信和计算机等领域中，振荡器被广泛应用。
4. 放电管：三极管可以用作电子放电管，用于控制和保护电路中的电压和电流。
五、总结三极管是一种重要的电子元件，具有放大、开关、高频特性和可控性等特点。
功率三极管种类
功率三极管种类功率三极管是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，它的种类繁多，可以满足不同场合的使用需求。
功率三极管的主要作用是放大和开关，具有高电流放大系数、低阻抗、高电压承受能力等特点。
本文将对功率三极管的种类进行详细介绍，以帮助大家更好地了解和选择适合的功率三极管。
一、按结构分类1.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：MOSFET具有较高的输入阻抗和较低的噪声，非常适合高精度放大和开关应用。
2.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：IGBT兼具双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的优点，具有高电压、高电流、高速度等特性，广泛应用于工业控制和电动汽车等领域。
3.双向可控硅（BJT）：BJT具有电流放大和开关功能，常见的有NPN和PNP两种类型。
它们在放大和开关电路中具有广泛的应用。
4.晶闸管（Thyristor）：晶闸管是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性，主要用于交流电路中的整流和逆变。
二、按材料分类1.硅（Si）功率三极管：Si功率三极管具有较高的导通电阻和较低的饱和电压，适用于较低频率的场合。
2.氮化镓（GaN）功率三极管：GaN功率三极管具有高频率、高电压、高温度等特性，适用于5G、电动汽车等高要求的领域。
3.碳化硅（SiC）功率三极管：SiC功率三极管具有高导通电阻、高饱和电压、高温度等优点，适用于高温、高功率的场合。
三、按封装分类1.塑料封装：塑料封装功率三极管具有轻小、低成本的特点，适用于一般场合。
2.陶瓷封装：陶瓷封装功率三极管具有高可靠性、高频率、低噪声等特点，适用于高要求的场合。
3.金属封装：金属封装功率三极管具有高电压、高电流、高温度等特性，适用于大功率、高压场合。
总结：功率三极管的种类繁多，根据不同的应用需求，可以选择适合的结构、材料和封装类型。
在实际应用中，要充分考虑功率三极管的性能、可靠性、成本等因素，确保电路的正常工作和性能要求。
通过了解和掌握功率三极管的种类，可以为我们在电子电路设计和应用中提供更多的选择和便利。
第二章半导体三极管与分立元件放大电路
IC IB
IE(1)IB
三、三极管的电流放大作用
（1）三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控 制了集电极电流IC较大的变化。
（2）三极管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC提供 的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信号对大信 号的控制作用。
（3）三极管是一种电流控制器件。
UB
Rb 2V CC Rb1 Rb2
若电路满足I1≥（5~10）IB，UB≥（5~10）UBE由上式可知， UB由Rb1、Rb2分压而定，与温度变化基本无关。
如果温度升高使IC增大，则IE增大，发射极电位UE=IERe升 高，结果使UBE=UB－UE减小，IB相应减小，从而限制了IC的增 大，使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为
这个值时，放大性能下降或损坏管子。
（2）反向击穿电压（Reverse breakdown voltage） U(BR)CBO ： 发射极开路时，集电极－基极之间允许施加的最高 反向电压，超过此值，集电结发生反向击穿。 U(BR)EBO ： 集电极开路时，发射极－基极之间允许施加的最高反 向电压。 U(BR)CEO：基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作，使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中，iB＝0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO ， 其值比U(BR)CBO小。T↑，U(BR)↓。
图（b）的电路，由于C1的隔断直流作用，VCC不能通过Rb 使管子的发射结正偏即发射结零偏，因此三极管不工作在放大 区，无放大作用。
2.2.4 共射基本电路的静态工作点
一般，三极管的UBE可视为已知量，硅管│UBE│取0.7V， 锗管│UBE│取0.2V，VCC>>UBE。
三极管电路讲解
三极管电路讲解摘要：1.三极管的基本概念2.三极管的工作原理3.三极管的分类4.三极管的主要参数5.三极管的应用领域正文：三极管是一种常用的半导体元器件，它在电子电路中有着广泛的应用。
下面，我们来详细讲解一下三极管电路的相关知识。
1.三极管的基本概念三极管，又称为晶体三极管，是由三个控制电极组成的半导体器件。
它具有电流放大作用，能够将输入信号的电流放大到输出端。
三极管的结构主要有两种：NPN 型和PNP 型。
2.三极管的工作原理三极管的工作原理主要基于半导体材料的PN 结。
当三极管的基极电流（IB）流过时，它将引起集电极电流（IC）的放大。
这个过程中，基极电流对集电极电流的放大作用称为电流放大系数，它与三极管的类型、结构和工作条件有关。
3.三极管的分类根据结构和工作原理的不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP型。
其中，NPN 型三极管的发射极是电子浓度较低的N 型半导体，基极是电子浓度较高的P 型半导体，集电极是电子浓度最高的N 型半导体；PNP 型三极管则相反，发射极是电子浓度较高的P 型半导体，基极是电子浓度较低的N 型半导体，集电极是电子浓度最高的P 型半导体。
4.三极管的主要参数三极管的主要参数包括：电流放大系数（β）、极性、静态工作点（ICEO）、最大耗散功率（Ptot）等。
其中，电流放大系数表示基极电流对集电极电流的放大能力；极性决定了三极管的输入和输出信号的电流方向；静态工作点是指三极管在静态工作状态下，基极电流和集电极电流的比值；最大耗散功率表示三极管在最大工作状态下能够承受的热功率。
5.三极管的应用领域三极管在电子电路中有着广泛的应用，如放大器、振荡器、开关等。
它不仅能够放大电流，还可以控制电流的开关，因此被广泛应用于各种电子设备和仪器中。
总之，三极管是一种重要的半导体元器件，它的工作原理、分类和参数都是电子工程师需要掌握的基本知识。
三极管介绍
3、硅管与则锗管可相互代用。2种材料不 同的管子相互代用时要求其导电性能必须相同 （即PNP型代PNP型）、参数相接近。当然， 由于更换管子后的偏置不同，需对偏置电阻作 重新调整。
电压增加，从而使发射区注入基区的电子增多， 又增使大I。E增由大此，可I见E的，增集大电又结将产使生集雪电崩极击电穿流后进会一引步起
发射极电流的增加，因此雪崩倍增的效果得到了
放大。这种雪崩倍增和电流放大之间的相互影响，
是由于集电结和发射结之间的相互作用引起的， 由此可知 V(BR)CEO 要比V(BR)CBO小很多。
• 由于三极管有三个电极，它的伏安特性 就不象二极管那样简单，工程上最常用 到的是三极管的输入特性和输出特性曲 线。在此以共射极电路大致介绍一下其 特性曲线。
1、输入特性
输入特性是指当集电极与发射极之间 的电压VCE为某一常数时，输入回路中加 在三极管基极与发射极之间的电压VBE与 基极电流iB之间的关系曲线。 2、输出特性
三极管介绍
梅小俊
半导体三极管是通过一定的工艺，将 两个PN结结合在一起的器件。半导体三 极管是一种电流控制器件，即通过基极电 流或发射极电流去控制集电极电流。三极 管的放大作用主要依靠它的发射极电流能 够通过基区传输，然后到达集电极而实现 的。为了保证这一个传输过程，一方面要 满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要 远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很 小；另一方面要满足外部条件，即发射结 要正向偏置、集电结要反向偏置。
4、用复合管代用高β值的三极管。用2只 三极管作适当的连接即可完成单管的功能，并 能提高放大倍数。复合管的β值为两管β值的 乘积，即β=β1×β2 。2只管子可以是同一种 导电类型，也可以是不同的导电类型。在维修 时，若用复合管来代用单管，线路一般要重新 调整偏置。
三极管百科
三极管三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。
目录三极管的主要参数判断基极和三极管的类型测判三极管的口诀展开什么是三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。
其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal OxideSemi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。
3 三极管
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
（2）观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明： 放大状态
在三极管型号命名方法中，涉及到材料、 结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列，例 如C90系列的三极管，平面朝向自己时， 从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率： 小、大、中功率管 (4) 按工作频率 ： 低频管、高频管 (5) 按用途分： 普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；
这些特点使BJT不同于 两个单独的PN结，而呈 现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理 实验电路接线图
输出 回路
输入 回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小 信号） 在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做 数字开关）。
数字开关：
三极管简介
半导体双极型三极管又称晶体三极管，通常简称晶体管或三极管，它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积校、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
基本介绍双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。
双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。
这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。
这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。
两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。
在基极区域，空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。
由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。
双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
1-2_半导体三极管
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。
载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率：功率：材料：类型：1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；示向。
集电结反偏集电结反偏，有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。
CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。
进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN数扩散到集电结。
3、三极管的电流分配关系I B定义：发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化，则会导致在流在定义：流放大倍数流放大倍数：的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。
所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画，即各电极电压与电流的关系曲线，是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线：好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即：结和发射结的两个性曲线。
（反偏状态，可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区，且基区复合减少，明显增大，特性曲线将向右稍微移动一些。
输出特性曲线=0V时，因集电极无收集作用，i C=0。
当uCEu稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时，如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集，此后uCE电流没有明加，电流也没有明显的增加，特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。
三极管工作原理及分解
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V
PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V
1、大量电子N2通过很 薄1、的发基射区极的被电子集大电量极地扩吸散注 收入忽到略，基。少区量，基电区子空穴N的1在扩基散可 极与空穴复合。N2和 N2、1的电子比扩例散由的同三时极，在管基内区将 部与空结穴构相决遇产定生。复合在。不由考于基 虑区薄空，IC穴因BO浓此时度，低复：，合且的基电区子做是得极很 少 数。 IC/IB=N2/N1=β 2、以上公式是右方电 路3扩、散满绝到足大集多发电数结射到处基结，区并正的在偏电集子、电均结能 集电场电作结用反下到偏达时集电得区到。的，
1. 工作于放大状态的半导体三极管
IC IB
• 三极管的电流放大条 件
• 内部：发射区高掺杂， 基区很薄，集电结面 积大
• 外部：发射结正偏， 集电结反偏
三极管的 电流放大条件
内部：发射区高掺杂， 基区很薄，集电结面 积大
外部：发射结正偏，集 电结反偏
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
倒置
偏的集电区不能提供大
量的电子发射，发射结
也不能有效收集电子，
所以倒置状态电流放大
倍数很小，不采用。
三极管状态判断小结
1.以电压判断三极管工作状态
判断放大状态时的引脚
NPN型 c
b
三极管的分类
三极管的分类有哪些
三极管也是半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，在电子元器件是很常见的一种，北京南电科技发展有限公司作为专业的代理商，经营的产品种类多，三极管就是主营的一种。
北京南电科技发展有限公司主营三极管，公司常规型号常备大量现货，并于香港、深圳、北京等地设有现货仓库，可随时供货；非常规型号也可按需储备。
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三极管是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
其常见的分类有以下七种。
1、材质划分
按材质划分，三极管可分为硅管材质的三极管和锗管材质的三极管两种。
2、按照结构划分
按照结构划分，三极管可分NPN型三极管和PNP型三极管两种。
3、按照功能划分
按照功能划分，三极管可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
4、按照功率划分
按照功率划分，三极管可分为小功率管、中功率管、大功率管三种。
5、按照工作频率分
按照工作频率分，三极管可分为低频管、高频管、超频管三种。
6、按照结构工艺分
按照结构工艺分，三极管可分为合金管、平面管两种。
7、按照安装方式分
按照安装方式分，三极管分为插件三极管、贴片三极管两种。
半导体三极管概述
4. 结电容
结电容是指PN结在结两端电压作用下形成的电容效应。 结电容主要由两部分组成：一是PN结在正向电压作用下， 扩散电流的变化形成的电容效应，称之为扩散电容，通常记 作 ，它与通过PN结的扩散电流的大小成正比例；二是PN 结在反向电压作用下，电场的变化形成的电容效应，称之为 势垒电容，通常记作 ，它与作用在PN结两侧的反向电压 的大小成反比例。结电容是造成三极管产生频率响应的主要 原因，也是影响三极管开关速度的主要原因。
实验如图，把三极管接成二个电路，基极电路和集 电极电路，发射极是公共端，这种接法称为三极管 的共发射极接法。以NPN管为例，发射结加正向电压， 集电极加反向电压，三极管才能起放大作用。
IC
mA
IB
+
A
RB
+ V UBE
V UCE
+ EC
–
+– –
–
EB
三极管电流测量数据
IB(mA) IC(mA) IE(mA)
五. 三极管的工作状态
三极管的工作状态主要由三极管的二个PN结各自所承 受的偏置电压的大小和极性所决定的。三极管有二个PN结， 而每一个偏置电压又有二种可能的极性，即正向偏置和反向
偏置，因此，可构成三极管的三种工作状态：饱和、放 大、截止。
单极型三极管
双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流 的电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称 之为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载 流子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利 用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件 。
把基极电流的微小变化
能够引起集电极电流较大变
C
化的特性称为晶体管的电流 放大作用。
半导体三极管及其应用
器件的种类
材料 三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1、特性参数： 表明三极管的使用性能
1） 电流放大系数
为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的
电路
讨论共发射极接法的特性曲线
IC
mA
IB
+
A
+
RB
V UBE
+ 输– 入回–路
V UCE
+ EC
–
–
EB 共发射极电路
测量三极管特性的实验线路
1、输入特性
输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射
2.3 1.5 0.06 0.04
40
12 UCE(V)
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
2） 极间反向电流
a 集-基极反向饱和电流 ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 它相当于集电结的反向饱和电流。
ICBO
– A +
EC
ICBO是由少数载流子的 漂移运动所形成的电流，
深度饱和时，
2
40A
UCE =UCES 饱和电压
1 O3
6
9
20A IB=0 12 UCE(V)
硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。
临界饱和时： uCE = uBE
五、半导体三极管的型号和主要参数
三极管在集成电路中的结构
三极管在集成电路中的结构引言集成电路是现代电子技术中的重要组成部分，其中三极管作为一种基本的电子器件，在集成电路中起到关键的作用。
本文将详细介绍三极管在集成电路中的结构。
三极管的基本结构三极管是一种由三个区域构成的半导体器件。
它由两个不同类型的半导体材料（通常是P型和N型）组成，它们之间有两个PN结。
根据PN结的连接方式，三极管可以分为NPN型和PNP型。
NPN型三极管NPN型三极管是由一块N型半导体夹在两块P型半导体之间组成的。
其中，两块P型半导体被称为基区和集电区，而N型半导体被称为发射区。
基区和集电区之间的PN结被称为集电结，而基区和发射区之间的PN结被称为发射结。
PNP型三极管PNP型三极管是由一块P型半导体夹在两块N型半导体之间组成的。
其中，两块N型半导体被称为基区和集电区，而P型半导体被称为发射区。
基区和集电区之间的PN结被称为集电结，而基区和发射区之间的PN结被称为发射结。
三极管在集成电路中的应用三极管在集成电路中广泛应用于放大、开关和逻辑电路等方面。
下面将详细介绍三极管在这些方面的应用。
放大电路三极管可以用作放大器的关键部分，将输入信号放大到更高的电压或电流水平。
在集成电路中，三极管通常被用作差分放大器、共射放大器和共基放大器等。
差分放大器用于放大差分信号，共射放大器用于放大单端信号，而共基放大器则用于放大高频信号。
开关电路三极管的另一个重要应用是作为开关。
在集成电路中，三极管可以通过控制其基极电流来控制其集电极和发射极之间的电流流动。
当基极电流为零时，三极管处于关闭状态，电流无法流过。
而当基极电流为正值时，三极管处于导通状态，电流可以流过。
这使得三极管可以用于开关电路，例如数字逻辑门和计时器等。
逻辑电路三极管还可以用于构建逻辑电路。
在集成电路中，三极管可以作为逻辑门的基本构建单元，例如与门、或门和非门等。
通过控制三极管的输入，可以实现不同的逻辑功能。
逻辑电路在数字电路和计算机系统中起着至关重要的作用。
三极管的分类和作用
半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
------------------------------------------------------------------1.概念:半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.2.三极管的分类:a.按材质分: 硅管、锗管b.按结构分: NPN 、 PNPc.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.3.三极管的主要参数:a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c. hFE:电流放大倍数.d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e. PCM:最大允许耗散功率.f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.4.判断基极和三极管的类型:先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.判断集电极C和发射极E,以NPN为例:把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。