太阳能电池片扩散工艺.
太阳能电池片扩散工艺.
扩散工艺培训一、扩散目的在P 型衬底上扩散N 型杂质形成PN 结。
达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R □。
即获得适合太阳能电池PN 结需要的结深和扩散层方块电阻。
R □的定义：一个均匀导体的立方体电阻 ,长L ，宽W ，厚d R= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W ）成正比，比例系数为（ ρ /d ）。
这个比例系数叫做方块电阻，用R □表示： R □ = ρ / dR = R □（L / W ）二、太阳电池磷扩散方法1、三氯氧磷（POCl 3）液态源扩散（本公司现在采用的方法）2、喷涂磷酸水溶液后链式扩散3、丝网印刷磷浆料后链式扩散三、磷扩散的基本原理三氯氧磷（POCl 3）在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl 5）和五氧化二磷（P 2O 5），其反应式如下：生成的五氧化二磷（P 2O 5）在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO 2）和由上面反应式可以看出，三氯氧磷（POCl 3）热分解时，如果没有外来的氧（O 2）参与其分解是不充分的，生成的五氯化磷（PCl 5）是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
但在有外来O 2存在的情况下，五氯化磷（PCl 5）会进一步分解成五氧化二磷（P 2O 5）并放出氯气（Cl 2）其反应式如下：生成的五氧化二磷（P 2O 5）又进一步与硅作用，生成二氧化硅(SiO 2)和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使五氯化磷（PCl 5）充分的分解和避免五氯化磷（PCl 5）对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。
在有氧气的存在时，三氯氧磷（POCl 3）热分解的反应式为：三氯氧磷（POCl 3）分解产生的五氧化二磷（P 2O 5）淀积在硅片表面，五氧化二磷（P 2O 5）与硅反应生成二氧化硅（SiO 2）和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。
三氯氧磷（POCl 3）液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN 结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。
太阳能电池片扩散工艺
影响扩散的因素
浓度差别的存在是产生扩散运动的必要条件，环境温 度的高低则是决定扩散运动快慢的重要因素，而扩散 时间则是决定扩散的浓度和深度的因素。
高温氧化/扩散系统的设备简介
• 高温氧化/扩散系统设备的总体结构分为四大部分：控制部分、推舟净化部 分、电阻加热炉体部分、气源部分。
Chint Solar Confidential
Cl2
①颜色\气味\状态：通常情况下为有刺激性气味 黄绿色的气体。 ②密度：比空气密度大，标况时 是ρ=M/V(m)=(71g/mol)/(22.4L/mol)=3.17g/L 。 ③易 液化。熔沸点较低，在101kPa下，熔点-107.1°C， 沸点-34.6°C，降温加压可将氯气液化为液氯，液 氯即Cl2，其与氯气物理性质不同，但化学性质基 本相同。 ④溶解性：可溶于水，且易溶于有机溶 剂，难溶于饱和食盐水。1体积水在常温下可溶解2 体积氯气，形成氯水，密度为3.170g/L。
用吸笔依次将硅片从硅片盒中取出，插入石英 舟。
11
送片
用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上， 保证平稳，缓缓推入扩散炉。
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回温
打开O2，等待石英管升温至设定温度。
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扩散
打开小N2，以设定流量通小N2（携源）进行扩散
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关源，退舟
扩散结束后，关闭小N2和O2，将石英舟缓 缓退至炉口，降温以后，用舟叉从臂桨上取 下石英舟。并立即放上新的石英舟，进行下 轮扩散。 如没有待扩散的硅片，将臂浆推入扩散炉， 尽量缩短臂桨暴露在空气中的时间。
步进电机
限位开关
净化系统
极限保护开关
Chint Solar Confidential
30
高温氧化/扩散系统的设备简介
太阳能电池扩散工艺介绍
太阳能电池扩散工艺介绍嘿，朋友们！今天咱来聊聊太阳能电池扩散工艺。
这玩意儿啊，就好比是给太阳能电池这个“小家伙”打造超级能力的秘密魔法！你想想看，太阳能电池就像是一个渴望能量的小勇士，而扩散工艺呢，就是给它赋予强大力量的关键步骤。
在这个过程中，一些神奇的事情发生了。
咱先说说扩散工艺是咋回事。
就好像做菜一样，得有各种调料恰到好处地搭配，才能做出美味佳肴。
扩散工艺也是这样，要让一些特殊的物质均匀地分布在电池里面。
这可不是随随便便就能搞定的，得非常精细才行呢！那些要扩散进去的物质，就像是给小勇士配备的精良武器。
它们得准确地进入到该去的地方，才能让太阳能电池发挥出最大的威力呀！如果没做好，那不就像战士拿了把不称手的兵器，怎么能打胜仗呢？扩散工艺的要求可高啦！温度啦、时间啦、各种条件都得把握得死死的。
这就好比是烤蛋糕，温度高了低了，时间长了短了，都会影响蛋糕的口感和质量。
太阳能电池扩散工艺也是一样，差一点都不行呢！而且啊，这个过程还得特别小心，不能有任何杂质混进去。
这就好像在一个干净的房间里，不能有一粒灰尘捣乱一样。
要是有杂质，那可就糟糕啦，会影响整个太阳能电池的性能。
你说这扩散工艺是不是特别重要？它就像是给太阳能电池注入了灵魂，让它能够在阳光的照耀下闪闪发光，为我们提供源源不断的能量。
咱们的生活中到处都需要能源，太阳能就是其中特别环保又好用的一种。
而扩散工艺呢，就是让太阳能电池变得更厉害的关键步骤。
没有它，太阳能电池可能就没法发挥出那么大的作用啦！所以啊，咱们可得好好重视这个神奇的扩散工艺。
让它不断进步，不断完善，为我们的生活带来更多的便利和好处。
你说是不是这个理儿呢？反正我觉得这扩散工艺真的太牛啦！。
浅谈太阳能晶硅电池生产过程中的扩散工艺
浅谈太阳能晶硅电池生产过程中的扩散工艺太阳能晶硅电池主要是以单/多晶硅片为原材料，利用光伏效应将太阳能转化为电能。
在电池片的生产过程中，扩散制PN结是最核心的工序。
扩散工艺对电池的性能有着重要影响。
文章从工厂生产的角度，结合工艺及设备使用情况，浅谈扩散工艺的技术特点。
标签：晶硅电池；扩散制结；工艺1 扩散在传统电池生产中的工艺步骤原材料硅片来料检验——清洗制绒——扩散制结——干法刻蚀洗磷（或湿法刻蚀）——PECVD镀膜——丝网印刷——烧结——测试分选——电池片成品包装。
2 扩散的原理及POCl3制PN结物质分子因浓度梯度而进行分子转移是扩散的基本原理；在工厂的晶硅电池生产中，普遍采用热扩散法：即在P型半导体表面掺杂五价磷元素，形成PN结，具体是指以液态POCl3作为扩散源，在高温有氧条件下（>600℃）充分分解反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，利用磷原子（N型）向硅片（P型）内部扩散的方法，改变硅片表面层的导电类型，形成PN结（同时在硅片表面形成一层磷硅玻璃），达到合适的掺杂浓度；当有适当波长的光照射在该PN结上，由于光伏效应而在势垒区两边形成电势，在开路情况下稳定的电势差形成电流。
POCl3→PCL5+P2O5PCL5+O2→P2O5+CL2↑POCl3+O2→P2O5+CL2↑P2O5+Si→SiO2+P↓POCl3液态源扩散具有生产效率较高，制结均匀平整，扩散层表面良好等优点。
3 扩散设备和扩散的具体工艺过程扩散方式有管式和链式之分；目前，国内工厂中普遍采用管式扩散炉（下同）制作电池片的PN结；其主要由控制部分、推舟净化部分、炉体部分、气源部分等组成。
在正常的生产过程中（无需运行饱和工艺），其具体工艺过程为：进舟——低温通氧和大氮——低温通大氮，氧和小氮——高温通大氮，氧和小氮——高温通大氮（恒温）——低温通大氮（冷却）——出舟。
低温通氧即预扩散，可改善方阻的均匀性，减少死层，同时也可以缩短整个工艺时间；扩散过程中对气氛的均匀性要求较高，因此在生产过程中应尽量避免将桨暴露在空气中过长时间；在初次使用或者清洗完成后要运行饱和工艺使扩散环境更加均匀良好。
太阳能电池片扩散工艺
清洗开始时，先开O2，再开TCA；清洗结束 后，先关TCA，再关O2。 三氯乙烷（C2H3Cl3）高温氧化分解，产生 的氯分子与重金属原子化合后被气体带走， 达到清洗石英管道的目的。其反应式为： C2H3Cl3 + O2 = Cl2 + H2O + CO2 +…… 当炉温升至预定温度（1050℃）后直接运行 TCA工艺，直至TCA+饱和工艺结束。
POCl3 简介
PClO3极易水解，在潮湿的空气中，因水解产生酸雾， 水解生的HCl 溶于源中会使源变成淡黄色，此时须换 源。 工艺生成物HPO3是一种白色粘滞性液体，对硅片有 腐蚀作用，并会使石英舟粘在管道上不易拉出。
磷扩散工艺过程
清洗
扩散
饱和 回温 装片
关源，退舟
卸片
送片
7
方块电阻测量
四探针法原理
检验原理ⅱ
I V
R=F×V/I 四探针可以排成不同的几何形状，最常见的是排成一条直线。 探针间距远大于结深时，几何修正因子为4.5325。
关于四探针
用途：测量半导体材料的电阻率。 原理：使用四根处于同一水平面上的探针压 在所测材料上，1,4探针通电流。2,3探针间 产生一定的电压。
扩散方块电阻控制在47-52Ω/□之间。同一炉扩散方块 电阻不均匀度≤20%，同一硅片扩散方块电阻不均匀度 ≤10%。 表面无明显因偏磷酸滴落或其他原因引起的污染。
清洗
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清洗
化学品：C2H3CL3(三氯乙烷) 特性： 无色液体，不溶于水 危害性：遇明火、高热能燃烧，并产生剧毒的氯 化氢烟雾 。急性中毒主要损害中枢神经系统。对 皮肤有轻度脱脂和刺激作 用。
9
饱和
每班生产前，需对石英管进行饱和。 炉温升至设定温度时，以设定流量通小N2（携 源）和O2，使石英管饱和，20分钟后，关闭小 N2和O2。 初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时， 需使石英管在950℃通源饱和1小时以上。
太阳能电池片扩散工艺
2.2.2扩散制结制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。
制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等。
本节主要介绍热扩散法。
扩散是物质分子或原子运动引起的一种自然现象，热扩散制p—n结法为用加热方法使V族杂质掺入P型或Ⅲ族杂质掺入n 型硅。
硅太阳电池中最常用的V族杂质元素为磷，Ⅲ族杂质元素为硼。
硅太阳电池所用的主要热扩散方法有涂布源扩散，液态源扩散，固态源扩散等。
2.2.2.2液态源扩散液态源扩散有三氯氧磷液态源扩散和硼的液态源扩散，它是通过气体携带法将杂质带入扩散炉内实现扩散。
其原理如图3.6：图3.6 三氯氧磷扩散装置示意图对于p型10cm硅片，三氯氧磷扩散过程举例如下：（1）将扩散炉预先升温至扩散温度（850～900C︒）。
先通入大流量的氮气（500～1000ml/min），驱除管道内气体。
如果是新处理的石英管，还应接着通源，即通小流量氮气，（40～100ml/min）和氧气（30～90ml/min），使石英壁吸收饱和。
（2）取出经过表面准备的硅片，装入石英舟，推入恒温区，在大流量氮气（500～1000ml/min）保护下预热5分钟。
（3）调小流量，氮气40～100ml/min、氧气流量30～90ml/min。
通源时间10～15min。
（4）失源，继续通大流量的氮气５min，以赶走残存在管道内的源蒸气。
（5）把石英舟拉至炉口降温５分钟，取出扩散好的硅片，硼液态源扩散时，其扩散装置与三氯氧磷扩散装置相同，但不通氧气。
2.2.2.3固态氮化硼源扩散固态氮化硼扩散通常采用片状氮化硼作源，在氮气保护下进行扩散。
片状氮化硼可用高纯氮化硼棒切割成和硅片大小一样的薄片，也可用粉状氮化硼冲压成片。
扩散前，氮化硼片预先在扩散温度下通氧３０分钟使氮化硼表面的三氧化二硼与硅发生反应，形成硼硅玻璃沉积下在硅表面，硼向硅内部扩散。
扩散温度为９５０～１００0Ｃ︒，扩散时间１５～３０分钟，氮气流量２０００ｍｌ／ｍｉｎ以下，氮气流量较低，可使扩散更为均匀。
太阳能电池片扩散工艺
太阳能电池片扩散工艺随着全球能源危机的出现，太阳能作为一种清洁、可再生能源备受关注。
而太阳能电池片作为太阳能电池的核心部件，其性能和制造工艺的改进对于提高太阳能电池的效率至关重要。
本文将重点介绍太阳能电池片扩散工艺。
太阳能电池片的扩散工艺是指将P型硅片与N型硅片接触，通过扩散工艺形成P-N结，使其具备正负电荷分离的能力，从而产生电流。
太阳能电池片的扩散工艺主要包括三个步骤：清洗、扩散和合金。
首先是清洗步骤。
在制造太阳能电池片之前，需要对硅片进行清洗，以去除表面的污染物和杂质。
清洗过程主要包括化学清洗和机械清洗两个步骤。
化学清洗使用一定浓度的酸和碱溶液，通过浸泡和刷洗的方式清除硅片表面的有机和无机杂质。
机械清洗则是利用超声波或喷射高压水流的方式清除硅片表面的微小颗粒和残留物。
接下来是扩散步骤。
在清洗后，需要在硅片表面形成P-N结。
扩散工艺通过将掺有掺杂物的气体在高温下与硅片反应，将掺杂物扩散到硅片表面，形成P-N结。
掺杂物的选择取决于所需的电荷类型，常见的掺杂物有磷和硼。
扩散工艺的关键是控制扩散层的厚度和掺杂浓度，以确保太阳能电池片的性能。
最后是合金步骤。
合金工艺是将金属电极与扩散层接触，通过高温下的热处理使其相互融合，形成电池片的正负极。
常用的合金材料有铝和银。
合金工艺的目的是提高电池片的传导性和稳定性，确保电流的顺利传输。
除了上述三个主要步骤外，太阳能电池片的扩散工艺还需要进行辅助工艺，如光刻、腐蚀和退火等。
光刻工艺是利用光敏胶膜进行图案化处理，形成电池片的电极和连接线。
腐蚀工艺是通过腐蚀液将不需要的硅片部分腐蚀掉，以减小电池片的厚度。
退火工艺是利用高温处理，消除电池片内部的应力和缺陷，提高其结晶度和电池效率。
总的来说，太阳能电池片的扩散工艺是太阳能电池制造的关键环节之一。
通过清洗、扩散和合金等步骤，可以形成P-N结和金属电极，使太阳能电池片具备正负电荷分离的能力，从而转化太阳能为电能。
随着科技的进步和工艺的改进，太阳能电池片的效率和稳定性将得到进一步提高，为清洁能源的开发和利用做出更大贡献。
poncon光伏电池扩散工艺流程
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扩散工艺培训一、扩散目的在P 型衬底上扩散N 型杂质形成PN 结。
达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R □。
即获得适合太阳能电池PN 结需要的结深和扩散层方块电阻。
R □的定义：一个均匀导体的立方体电阻 ,长L ，宽W ，厚d R= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W ）成正比，比例系数为（ ρ /d ）。
这个比例系数叫做方块电阻，用R □表示： R □ = ρ / dR = R □（L / W ）二、太阳电池磷扩散方法1、三氯氧磷（POCl 3）液态源扩散（本公司现在采用的方法）2、喷涂磷酸水溶液后链式扩散3、丝网印刷磷浆料后链式扩散三、磷扩散的基本原理三氯氧磷（POCl 3）在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl 5）和五氧化二磷（P 2O 5），其反应式如下：生成的五氧化二磷（P 2O 5）在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO 2）和由上面反应式可以看出，三氯氧磷（POCl 3）热分解时，如果没有外来的氧（O 2）参与其分解是不充分的，生成的五氯化磷（PCl 5）是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
但在有外来O 2存在的情况下，五氯化磷（PCl 5）会进一步分解成五氧化二磷（P 2O 5）并放出氯气（Cl 2）其反应式如下：生成的五氧化二磷（P 2O 5）又进一步与硅作用，生成二氧化硅(SiO 2)和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使五氯化磷（PCl 5）充分的分解和避免五氯化磷（PCl 5）对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。
在有氧气的存在时，三氯氧磷（POCl 3）热分解的反应式为：三氯氧磷（POCl 3）分解产生的五氧化二磷（P 2O 5）淀积在硅片表面，五氧化二磷（P 2O 5）与硅反应生成二氧化硅（SiO 2）和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。
三氯氧磷（POCl 3）液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN 结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。
五氧化二磷（P2O5）与空气中的水会发生反应，生成偏磷酸。
偏磷酸对呼吸道有刺激性。
眼接触可致灼伤，造成永久性损害。
皮肤接触可致严重灼伤。
四、扩散工艺基本程序1、清洗饱和：初次扩散前扩散炉石英舟首先进行TCA清洗。
清洗结束后对石英管进行饱和，即运行正常扩散工艺。
（初次扩散前或停产后恢复生产及石英舟清洗后，必须对石英管及石英舟进行饱和。
）2、升温装片：打开大氮,调节气体流量到指定数，使炉管升温。
装片时须戴好口罩和干净的棉布及乳胶手套，用石英吸笔依次将硅片从白片盒中吸出插入石英舟。
双面扩散一个槽插入一片，单面扩散一个槽插入背靠背两片。
3、进炉稳定：用石英舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅桨上，保证平稳，用步进电机缓缓推入炉管。
稳定炉管，使炉管内温度达到工艺设定值，管内气体趋于稳定。
稳定时通入定量氧气，使硅片表面形成一层SiO2,使扩散速度更均匀。
前氧适用于多晶工艺。
4、通源驱入：待炉管温度均升到设定温度，通入小氮（携带磷源的少量氮气）及氧气，设定气体流量及通入时间。
通源是磷在硅片表面扩散的过程。
通源指定时间后，关闭小氮，通入大氮，进行驱入。
驱入是磷向硅片内部扩散，扩结深，同时降低表面浓度。
驱入时通入定量氧气，可与管内残留的磷源充分反应，并可与管内的五氯化磷（PCl5）反应，避免其腐蚀硅片表面5、出炉检验：驱入指定时间后，将碳化硅桨退出炉管，待石英舟冷却用石英舟叉抬下。
从炉口到炉尾的顺序均匀抽取六片硅片进行方阻测试。
检验合格后可卸片，不合格返工。
五、扩散后检验1、外观检验：观察硅片表面颜色是否均匀，有无偏磷酸滴落，及崩边缺角等。
2、方块电阻检验：用四探针测试仪测量方块电阻，记录下测量数据.单晶扩散方块电阻控制在40-50Ω/□之间,多晶扩散方块电阻控制在58-68Ω/□之间。
六、四探针检验原理四根探针的间距s 相等, 针尖在同一平面同一直线上。
当被测样品的几何尺寸比探针间距s 大许多倍时，R □=Rs实际上硅片有一定大小，因此采用修正因子C 表示。
C 根据被测硅片的尺寸和探针的间距而定，对于不同的长度l 、宽度 a 、厚度b 和探针间距s ，C 的参考值会有所不同。
通常四探针间距s 约为1mm, 那么a/s 远大于40，由下表可知，修正因子C=4.532七、影响R □大小的因素 1、温度的影响：温度的高低，将决定硅片表面的杂质浓度的高低和P-N 的结深 2、时间的影响：通源时间、驱入时间 3、小N 2的影响： 流量的多少 4、源瓶的温度：决定瓶内的蒸汽压，温度越高，挥发性能越大 5、氧气流量：影响到三氯氧磷的反应程度和PSG 的厚度，进而影响到磷的扩散 6、其它因素：设备密封性、硅片电阻率及表面洁净状况、源瓶内三氯氧磷的多少八、扩散改善方向扩散改善方向主要为方块电阻的均匀性。
方块电阻不均匀性包括片内不均匀I V C I V I V Rs •=•≈•=5324.42π在10%左右。
九、等离子刻蚀的目的腐蚀硅片表面的SiO2，以及一定厚度的Si，以达成截断硅片内部回路。
十、什么是等离子体随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。
它们统称为物质的三态。
当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。
这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。
这种状态的物质叫等离子体。
它可以称为物质的第四态。
十一、等离子刻蚀的原理等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。
这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
具体到我们公司来说，刻蚀就是去除扩散中在硅片表面形成的磷，以防止电池内部形成回路。
主要过程是，先将腔体内抽成真空，然后通过变压器将380V，50Hz的工业用电转化为高压电，再通过缠绕在腔体上的线圈，产生强磁场，将CF4电离，形成F-离子，腐蚀硅片表面的SiO2，以及一定厚度的Si，以达成截断硅片内部回路的目的。
十二、等离子刻蚀反应首先，母体分子CF 4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。
其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO 2表面，并在表面上发生化学反应。
生产过程中，在中CF 4掺入O 2，这样有利于提高Si 和SiO 2的刻蚀速率。
十三、刻蚀后的检测在刻蚀完成后的硅片中，依次选取最上面第三片、中间一片、最下面倒数第三片，共三片用万用表进行测试；每片测试四个周边，每边测试两个点（图二）；测试时将刻蚀后硅片放在156*156的环氧树脂板中间位置，将两根测试针间距1cm ，与环氧板倾角80-90度靠紧硅片边缘，观察电阻测试结果。
它们的离子以及C F,CF,,CF ,CF CF 23e 4−→−若数据高于30KΩ，认为数据无效，需要对该点附近进行重测；对于4KΩ－30KΩ的可以认为该批刻透，可以正常流出；如果测试中发现有一点或一点以上位于2KΩ以下，则认为该批没有刻透，需要追加刻蚀时间。
二次清洗插片前，将万用表指针笔仅靠硅片的一面中间部分，观察万用表上读数，如果万用表计数小于500Ω表示此面是扩散面，如果万用表计数大于5000Ω则表示此面是非扩散面。
十四、扩散间设备介绍扩散系统的顶部是热交换器，中部是加热炉体，下部是功率调节部件。
系统分左右手操作结构型式。
整机由六个部分构成，即扩散系统主机、排毒箱、气源柜、净化工作台、送料装置、控制柜。
1、48所扩散炉（一二三五六七中心）2、centrotherm（五中心及八九中心）3、Tempress（八九中心）4、Seven star（八九中心）1250mm，CT炉管1000mm。
十五、扩散间洁净度要求洁净度：万级净化间，净化插片台(净化度：100级)、净化保护柜（净化度:100级）温度：23±2℃湿度：<50%十六、扩散工艺常见的化学用品1、三氯氧磷（POCL3）：三氯氧磷（POCL3）理化特性：无色透明液体，具有刺激性气味，强腐蚀性、毒性，不燃烧。
如果纯度不高则呈红黄色。
比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。
POCL3很容易发生水解，极易挥发。
三氯氧磷（POCL3）的危害：三氯氧磷（POCL3）遇水或水蒸气剧烈反应生成磷酸与氯化氢等有毒的腐蚀性烟雾，对皮肤、粘膜有刺激腐蚀作用。
三氯氧磷可引起急性中毒，在短期内吸入大量三氯氧磷蒸汽可引起上呼吸道刺激症状、咽喉炎、支气管炎，严重者可发生喉咙水中窒息、肺炎、肺水肿、心力衰竭，亦可发生贫血、肝脏损害、蛋白尿。
口服三氯氧磷可引起消化道灼伤，眼和皮肤接触引起灼伤，长期低浓度接触可引起口、眼及呼吸道刺激症状。
2、三氯乙烷（C2H3Cl3）：三氯乙烷（C2H3Cl3）理化特性：无色透明液体，具有刺激性气味，腐蚀性、毒性，可燃，不溶于水。
熔点-32.5℃，沸点74.1℃。
遇明火、高热能燃烧，并产生剧毒的光气和氯化氢烟雾。
主要用作溶剂、金属清洁剂。
与碱金属和碱土金属能发生强烈反应。
与活性金属粉末（如镁、铝等）能发生反应，引起分解。
三氯乙烷（C2H3Cl3）应储存于阴凉通风的库房避免光照，远离火种、热源。
三氯乙烷（C2H3Cl3）的危害：三氯乙烷（C2H3Cl3）燃烧产物有一氧化碳、二氧化碳及氯化氢光气。
三氯乙烷（C2H3Cl3）可引起急性中毒，中毒主要损害中枢神经系统。
轻者表现为头痛、眩晕、步态蹒跚、嗜睡等；重者可出现抽搐，甚至昏迷。
可引起心律不齐。
对皮肤有轻度脱脂和刺激作用。