电力电子课后作业讲解
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填空题
电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术 3个部分。
现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。
电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。
晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。
晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。
双向晶闸管的门极控制方式有两种:移向触发和过零触发。
2.判断题
(×)1)普通晶闸管内部有两个PN结。
(×)2)普通晶闸管外部有3电极,分别是基极、发射极和集电极。
(√)3)型号为KP50-7的半导体器件,是一额定电流为50A的普通晶闸管。
(×)4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
(×)5)只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。
(×)6)晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管就会导通。
(×)7)加在晶闸管门极上的触发电压,最高不得超过100V。
3.选择题
1)在型号KP100-10G中,数字10表示( C )。
A、额定电压为10V
B、额定电流为10A
C、额定电压为1000V
D、额定电流为100A
2)晶闸管内部有( C )PN结。
A、1个
B、2个
C、3个
D、4个
3)晶闸管的3个引出电极分别是( B )
A、阳极、阴极、栅极
B、阳极、阴极、门极
C、栅极、漏极、源极
D、发射极、基极、集电极
4)普通晶闸管的额定通态电流是用( A )表示。
A、流过晶闸管的平均电流
B、直流输出平均电流
C、整流输出电流有效值
D、交流有效值
5)当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( B )A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定
6)处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极与阴极间加正向电压,且在门极与阴极间作( C )处理才能使其开通。
A、并联一电容
B、串联一电感
C、加正向触发电压
D、加反向触发电压
7)在晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以( A )
A、阳极电流
B、门极电流
C、阳极电流与门极电流之差
D、阳极电流与门极电流之和
填空题
典型的全控型器件主要有门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管和绝缘栅双型晶体管四种。
某半导体器件的型号为KP50-7,其中KP表示该器件的名称为反向阻断晶闸管,50表示额定电流50A,7表示额定电压700V。
GTO的门极控制增益β的表示方法:β=IATO|1-IGM|。
电力MOSFET的基本特性有转移特性、开关特性和输出特性三种。
2.选择题
1)功率晶体管(GTR)从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B )。
A、一次击穿
B、二次击穿
C、临界饱和
D、反向截至
2)电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的( A )控制器件。
A、电压
B、电流
C、电阻
D、功率
3)在电力电子装置中,电力晶体管一般工作在( D )状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、开关
4)电力晶体管在使用时,要防止( A )。
A、二次击穿
B、静电击穿
C、时间久而失效
D、工作在开关状态
电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在( D )条件下工作。
A、直流
B、低频
C、中频
D、高频
6)电力场效应晶体管(电力MOSFET)( B )现象。
A、有二次击穿
B、无二次击穿
C、防止二次击穿
D、无静电击穿
7)用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时,若其正、反向电阻都很小,说明两极之间( B )。
A、开路
B、短路
C、接线错误
D、测量方法错误
8)具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )。
A、全控型器件
B、半控器件
C、不控型器件
D、触发型器件
9)IGBT的3个引出电极分别是( D ).
A、阳极、阴极、门极
B、阳极、阴极栅极
C、栅极、源极漏极
D、发射极、栅极、集电极
1填空题
1)驱动电路的基本任务是就是将信息按照其控制目标的要求,转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间,并使其导通或关断的
2)电力电子器件的驱动电路分为电流驱动型和电压驱动型。
3)在驱动电路中采用的隔离环节一般是光隔离和磁隔离。
4)磁隔离的器件通常是脉冲变压器,当脉冲较宽时,为避免铁心饱和,常采用高频调制和解调的方法。
2.选择题
1)对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的( A )。
A、导通
B、寿命
C、关断
D、饱和
2)驱动电路是电力电子器件主电路与( C )电路之间的接口。
A、缓冲电路
B、保护电路
C、控制电路
D、滤波电路
3)功率晶体管的驱动电路一般有两种类型,即恒流驱动和( C )。
A、变流驱动
B、变压驱动
C、比例驱动
D、补偿驱动