第7章真空成像器件

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第7章真空成像器件

第7章真空成像器件

4.x射线象增强器 x射线象增强器的作用是将不可见的X射线图 象转换成可见光图象,并校图象亮度增强。 它是由:输入荧光屏、光电阴极、电子光学系 统和输出荧光屏组成,
原理是: x射线通过被检体时,由于各部分 对x射线的吸收不同,在输入荧光屏上形 成被检体的x射线图象,经荧光屏转换成 微弱的可见光图象,微弱的可见光图象 激发光电阴极产生相应的电子图象,光 电子被出光电阴极、聚焦极和阳极组成 的静电透镜聚焦和加速,高能电子激发 输出荧光屏面,使电子图象转换成尺寸 缩小而亮度增强的可见光图象。
(3)荧光屏 荧光屏的作用是将电子动能转换成光能。 对荧光屏的要求是不仅应具有高的转换 效率,而且屏的发射光谱要同人眼或与 之耦合的下级光电阴极的响应一致。
二、特性参数 1、像管的光谱响应特性和光谱匹配 像管的光谱响应特性实际上就是第一光 电阴极的光谱响应特性,研究像管的光谱响 应特性有两大作用:决定光电阴极光电流; 提供目标与背景之间的光电子图像的对比。
光谱匹配是指在象管的光谱响应范围内光 源与光电阴极、光电阴极与荧光屏以及荧光 屏与人眼视觉函数之间的光谱分布匹配.
2、像管的增益特性 亮度增益定义为:荧光屏的光出射度 Bk 与 阴极入射照度Ek之比的 倍, Ba 1 6 GB , 若为单级相管,GB 10 S kVa 2
Ek M
(2)电子光学系统 像管中电子光学系统的任务有两个:加 速光电子;使光电子成像在像面上。 把能使电子流聚焦成像的电子光学系统称 为电子透镜。电子透镜可分为静电透镜和 磁透镜两类。
静电透镜即静电电子光学系统,靠静电 场来使光电子加速,聚焦成像。这种又分为 非聚焦型和聚焦型两种。 磁透镜即电磁复合系统,靠静电场的加 速和磁场来完成聚焦成像。
第七章 真空成像器件

真空成像器件与常见显像器件

真空成像器件与常见显像器件

真空成像器件与常见显像器件光电成像器件是指能摄取光学图像并能把图像信息以某种形式输出的器件。

显示(显像)器件指的是能根据图像信息(视频信号)将图像还原显示的器件。

光电成像器件•可分为真空成像器件和固体成像器件•真空成像器件可分为像管和摄像管,像管能把不可见光(红外或紫外)图像或微光图像通过电子光学透镜转化为可见光图像,摄像管能把可见光或不可见光图像通过电子束扫描转化成电信号输出;•固体成像器件不需要电子束扫描,只要通过某些特殊结构或电路,就可将光学图像转化为电信号输出,再通过显示器件显示。

显示器件•真空型和固体型•真空显示器件最常见的就是阴极射线管荧光显示器(CRT),它通过电子束扫描实现图像的显示;•固体平板显示器是当前大力发展的显示器件,与真空显示器件相比较有很多优点,常见的有液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)等。

变像管和像增强器•像管是变像管和像增强器的统称。

•变像管是指能够把不可见光图像转化为可见光图像的真空光电管;•像增强器是指能够把亮度很低的光学图像(弱光图像)变为有足够亮度图像的真空光电管。

•像管和摄像管的主要区别是,像管内部没有扫描机构,不能输出电视信号。

像管的结构和工作原理•像管有三个基本部分:一是光电变换部分,即光电阴极,;二是电子光学部分,即电子透镜;三是电光变换部分,即荧光屏。

普通红外变像管•红外变像管的光电阴极多为Ag-O-Cs阴极,它可以吸收波长小于1.15μm的红外光子能量变成光电子。

对于波长大于1.15μm的红外光,可采用负电子亲和势阴极。

光电导靶式红外变像管•红外光成像到光电导靶面上,在靶的另一边形成电势分布图像,使入射的电子流受到调制,利用返回的电子流使荧光面发光。

紫外变像管•紫外变像管的窗口材料为石英玻璃,光电发射材料为Sb-Cs阴极。

它可以使波长大于200nm 的紫外光变成光电子。

紫外变像管与光学显微镜结合起来,可用于医学和生物学等方面的研究。

真空成像器件

真空成像器件

真空成像器件 有无扫描机构 像管 变像管
把不可见变可见
摄像管 像增强器
把微弱增强 电子束扫 描后显示
真空摄像管
光电变换 • 将输入的光学图像转换为电荷图像 光电信息积累、储存 光电信息积累、 • 通过电荷的积累和储存构成电位图像 • 通过电子束扫描读出电位图像,形成视频 扫描输出 信号输出
真空摄像管分类 • 光电发射型(a):外光电发射效应 • 视像管(b):内光电效应
像管的主要特性参数 等效背景照度
• 暗背景:无光照射时荧光屏的发光。 • 荧光屏上的目标叠加了一个背景亮度,使图像对 比度下降,严重时可能使微光图像淹没在背景中。 • 等效背景照度EBI:荧光屏上产生与暗背景相等亮 度时,光电阴极面上需输入的照度值。
Bb EBI = GB Bb为暗背景亮度,单位为cd/m2 ;Gb为亮度增益。 变像管的EBI在10-3lx量级;像增强器在10-7lx量级。
把不可见变可见
摄像管 像增强器
把微弱增强 电子束扫 描后显示
真空成像器件-应用举例 真空成像器件 应用举例
• 变像管:红外夜视仪,紫外变像管和光学显微镜 结合用于生物和医学研究 • 像增强器:微光夜视技术 • 摄像管:交通管理,机器人的眼睛,电视,摄像 机…..
像管的工作原理
三大功能 • 变换光谱:将红外、紫外的辐射图像变成可见图像 变换光谱:将红外、 • 增强亮度:使图像亮度接近人眼的视觉响应峰值 增强亮度: • 光学成像:将电子图像在荧光屏上变成光学图像 光学成像:
图像传感器发展历史
1965年推出的氧化铅视像管 年推出的氧化铅视像管(Plumbicon)成功地取代了超正 年推出的氧化铅视像管 成功地取代了超正 析像管,发展了彩色电视摄像机,使彩色广播电视摄像机的 析像管,发展了彩色电视摄像机, 发展产生一次飞跃。诞生了 英寸 英寸, 英寸 甚至于1/3英寸 英寸, 发展产生一次飞跃。诞生了1英寸,1/2英寸,甚至于 英寸 (8mm)靶面的彩色摄像机。然而,氧化铅视像管抗强光的 )靶面的彩色摄像机。然而, 能力低,余辉效应影响了它的采样速率。 能力低,余辉效应影响了它的采样速率。 1976年,又相继研制出灵敏度更高,成本更低的硒靶管 年 又相继研制出灵敏度更高, )。不断满足人们对图像传 (Saticon)和硅靶管(Siticon)。不断满足人们对图像传 )和硅靶管( )。 感器日益增长的需要。 感器日益增长的需要。 1970年 , 美国贝尔电话实验室发现的电荷耦合器件 ( CCD) 年 美国贝尔电话实验室发现的电荷耦合器件( ) 的原理使图像传感器的发展进入了一个全新的阶段, 的原理使图像传感器的发展进入了一个全新的阶段,使图像 传感器从真空电子束扫描方式发展成为固体自扫描输出方式。 传感器从真空电子束扫描方式发展成为固体自扫描输出方式。

光电成像原理与技术答案

光电成像原理与技术答案

光电成像原理与技术答案【篇一:光电成像原理与技术总复习】t>一、重要术语光电成像技术、像管、变像管、像增强器、摄像管(器)、明适(响)应、暗适(响)应、人眼的绝对视觉阈、人眼的阈值对比度、人眼的光谱灵敏度(光谱光视效率)、人眼的分辨率、图像的信噪比、凝视、凝视中心、瞥见时间、瞥见孔径、辐射度量、辐射功率、辐射强度、辐亮度、辐照度、辐射出照度、光度量、光能、光能密度、光通量、光亮度、光出射度,照度,发光强度,光亮度;坎(凯)德拉、流明、勒克司、视见函数、朗伯辐射体、气溶胶粒子、云、雾、霾、霭、大气消光、大气散射、大气吸收、大气能见度(能见距离)、大气透明度、电子透镜、光电子图像、亮度增益、等效背景照度、畸变、像管分辨力(率)、正(负)电子亲(素)和势、负电子亲和势、光电发射的极限、电流密度、mcp的饱和电流密度、荧光、磷光、表面态、微光夜视仪、照明系统的光强分布、成像系统的极限分辨力、选通技术、靶、惰性(上升惰性、衰减惰性)、摄像管的分辨力、动态范围、靶网、居里温度、热释电靶的单畴化、ccd的开启电压、ccd的转移效率、界面态“胖0”工作模式、光注入、电注入。

二、几个重要的效应1. 光电转换效应(内/外)2. 热释电能转换效率(应)3. 三环效应4. mcp的电阻效应/充电效应三、几个重要定律1. 朗伯余弦2. 基尔霍夫3. 黑体辐射(共4个)4. 波盖尔15. 斯托列托夫6. 爱因斯坦四、重要结构及其工作原理、特点1. 直视型光电成像器件的基本结构、工作原理2. 非直视型(电视型)光电成像器件的基本结构、工作原理3. 人眼的结构及其图像形成过程4. 大气层的基本构成、结构特点5. 像管的结构及其成像的物理过程6. 光阴极实现辐射图像光电转换的物理过程(光电发射过程)7. 电子光学系统的基本结构及其成像过程8. 荧光屏的结构及其发光过程9. 光谱纤维面板的结构及其成像原理10. 微通道板(mcp的结构及其电子图像的倍增原理)11. 主动红外成像系统结构及其成像过程12. 夜视成像系统结构及其成像过程13. 摄像管的结构及其工作原理14. 光电导摄像管的结构及其工作原理15. 热释电摄像管的结构及其工作原理16. 电子枪的结构及其工作原理17. mos电容器的结构及其电荷存储原理、18. ccd的结构及其电荷传输原理19. 埋沟ccd(bccd)的结构及其工作原理220. 线阵ccd的结构及其成像原理五、关键器件、系统的性能参数1. 表征光电成像器件的性能参数2. 大气辐射传输过程中,影响光电成像系统的因素3. 表征像管的性能参数4. 表征mcp的性能参数5. 微光成像系统的性能影响因素6. 摄像管的主要性能参数7. 热释电靶的主要性能参数8. 表征ccd的物理性能参数六、其他1. 辐射源的辐射能量所集中的波段2. mcp的自饱和特性3. 像管的直流高压电源的要求4. 受激辐射可见光的条件5. 计算第三章、第四章题型及分值分布:1. 术语解释(15分)2. 选择题(20分)3. 简述题(35分)4. 计算题(30分)各章习题:3第一章(29页):4、5、6、7第二章(53页):6、9第三章(84页):2、3、8、9、13、14第四章(106页):1、6第五章(209页):1、3、4、8、10第六章(244页):1、3、5、24、26第七章(295页):1、2、5、6、7、10、12、16、18第八章(366页):1、2、4、6、7整理by:??/???4【篇二:《光电成像原理与技术》教学大纲】英文名称:principle and technology of photoelectric imaging学分:3.5 学时:56(理论学时:56)先修课程:半导体物理、电动力学、应用光学、物理光学一、目的与任务本课程为电子科学与技术专业(光电子方向)的专业教育必修课程。

《 光电检测技术 》教学大纲

《 光电检测技术 》教学大纲

《光电检测技术》教学大纲课程代码:课程中文名:光电检测技术课程英文名:课程类别:专业技术科适用专业:光伏材料应用、光伏发电应用、电子技术等专业课程学时: 48学时课程学分: 3学分一、课程的专业性质、地位和作用(目的)1、性质:必修2、地位:光电检测技术是光学与电子学技术相结合而产生的一门新型检测技术,它是利用电子技术对光学信息进行检测,并进一步传递、存储、控制、计算和显示。

光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一。

3、作用:通过本课程的教学,使学生了解和掌握各种光电器件的结构、工作原理、工作过程、工作特性及其基本的应用,培养学生通过了解器件的性能特点来搭建检测系统的能力,培养学生学习的能力和综合运用知识的能力,培养学生理论联系实际的学风和科学态度,提高学生的分析处理实际问题的能力,为以后的工作和学习打下基础。

二、教学内容、学时分配和教学的基本要求第一章光电检测应用中的基础知识6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0 学时1.1 辐射度学和光度学基本概念1.2 半导体基础知识1.3 基本概念1.4 光电探测器的噪声和特性参数重点:辐射度学和光度学基本概念难点:光电探测器的噪声和特性参数教学要求:本章介绍了光电检测应用中的基础知识,要求学生对基本概念有理解,进而掌握光电探测器的噪声及特性参数第二章光电检测中的常用光源3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时2.1 光源的特性参数2.2 热辐射源2.3 气体放电光源2.4 固体发光光源2.5 激光器重点:光源的特性参数难点:气体、固体发光光源和激光器的工作原理教学要求:本章要求学生掌握各种固体发光的工作原理及其应用第三章结型光电器件 6 学时,理论教学6 学时,实践或其他教学0学时3.1 结型光电器件工作原理3.2 硅光电池3.3 硅光电二极管和硅光电三极管3.4 结型光电器件的放大电路3.5 特殊结型光电二极管3.6 结型光电器件的应用举例——光电耦合器件重点:结型光电器件的工作原理;硅光电池的工作原理及特性;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较难点:结型光电器件的放大电路及应用举例——光电耦合器件教学要求:要求学生掌握硅光电池的工作原理;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较及结型光电器件的放大电路及应用——光电耦合器件第四章光电导器件6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时4.1光敏电阻的工作原理4.2 光敏电阻的主要性能参数4.3 光敏电阻的偏置电路和噪声4.4 光敏电阻的特点和应用重点:光敏电阻的工作原理和特性参数难点:光敏电阻的应用教学要求:要求学生掌握光敏电阻的工作原理及性能参数及光敏电阻的应用第五章真空光电器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时5.1 光电阴极5.2 光电管与光电倍增管5.3 光电倍增管的主要特性参数5.4 光电倍增管的供电和信号输出电路5.5 微通道板光电倍增管5.6 光电倍增管的应用重点:光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数难点:光电倍增管的供电和信号输出电路及应用教学要求:要求学生掌握光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数及实际应用第六章真空成像器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时6.1像管6.2常见像管6.3摄像管6.4光导靶和存储靶6.5摄像管的特性参数6.6摄像管的发展方向重点:像管与摄像管的工作原理难点:光导靶和存储靶的原理及摄像管的特性参数教学要求:要求学生掌握像管与摄像管的工作原理及特性参数第七章固体成像器6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时7.1 电荷耦合器件7.2 电荷耦合器件的分类7.3 CCD摄像机分类7.4 CCD的特性参数7.5 自扫描光电二极管阵列7.6 固体摄像器件的发展现状和应用重点:电荷耦合器件的工作原理;CCD的特性参数难点:自扫描光电二极管阵列教学要求:要求学生掌握CCD固体成像器件的工作原理第八章红外辐射与红外探测器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时8.1 红外辐射的基础知识8.2 红外探测器8.3 红外探测器的性能参数及使用中应注意的事项8.4 红外测温8.5 红外成像8.6 红外无损检测8.7 红外探测技术在军事上的应用重点:红外探测器的工作原理、性能参数及使用中应注意的事项难点:红外探测器的具体应用教学要求:要求学生掌握红外辐射的基础知识,并掌握红外探测器的各种具体应用第九章光导纤维与光纤传感器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时9.1 光导纤维基础知识9.2 光导纤维的应用9.3 光纤传感器的分类及构成9.4 功能型光纤传感器9.5 非功能型光纤传感器重点:光导纤维的基础知识及功能型光纤传感器的工作原理难点:非功能型光纤传感器的工作原理教学要求:要求学生掌握光导纤维的基础知识,并掌握光纤传感器的工作原理第十章太赫兹波的产生与检测3学时其中理论教学 3 学时,实践或其他教学0学时10.1 概述10.2 THz辐射光谱学10.3 THz辐射成像重点:THz辐射成像的原理难点:THz辐射成像的原理教学要求:要求学生掌握THz辐射成像的原理三、各章节教学课时分配表本课程各部分教学内容计划学时数分配如下:四、课程的考核办法和成绩评定:1、考试 2.笔试(闭卷)3.平时成绩比重:平时成绩(包括考勤、作业、答疑、课堂练习、课外实验、等)占30%4.期末成绩比重:卷面考试占70%。

第07章 光电成像器件02

第07章 光电成像器件02

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2.典型双沟道线阵CCD器件
光敏单元的尺寸为14µm长、14µm高,中心距亦为 14µm,光敏元阵列总长为30.24mm。
(1)TCD1206SUP的基本结构
TCD1206SUP的驱动时序图
(2)TCDl206SUP的驱动电路
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(3)TCDl206SUP的特点 2)温度特性
1)光谱响应
3)积分时间与暗电压 的变化关系
(2)TCD1209D的驱动脉冲波形图
11
驱动脉冲的时序关系要求
(3)TCD1209D的特性参数 1)光谱响应特性
2)灵敏度
线阵CCD的灵敏度参数定义为单位曝光量的作用下 器件的输出信号电压,即
R UO HV
U SAT U DAk
(4)TCD1209D的驱动电路
3)动态范围
DR
降低暗信号电压是提高动态范围的最好方法。
3) 面阵CCD摄像器件
3) 面阵CCD摄像器件
7.3.1 电荷耦合器件
7.3.1 电荷耦合器件
电荷耦合器件只能感受到光线的强弱,并不能感 受到颜色的变化,若实现色彩的采集和成像,必 须在感光元件的前面加上分色滤色片。
9
7.3.1 电荷耦合器件
7.3.1 电荷耦合器件
彩色CCD的分色原理
彩色 CCD 的结构分为三层: 微透镜阵列 彩色滤光片阵列 光电二极管阵列。
暂存区
行正程期间
水平读出 寄存器
行正程期间
水平读出寄存器输 出一行视频信号
水平读出 寄存器
3) 面阵CCD摄像器件
3) 面阵CCD摄像器件
场正程期间:
行逆程期间
暂存区的信号电荷 产生一行平移
暂存区
场正程期间:

7光电成像原理与技术-电视型电真空成像器件成像物理

7光电成像原理与技术-电视型电真空成像器件成像物理
此为热释电摄像管靶工作时的热电转换 基本原理。
三场后的惰性为: 5%
: 约为0.95
典型光电灵敏度为: 400A/ lm
中心分辩力为:750TVL 在450线的输出调制度为35%
7.4 热释电摄像管
热释电摄像管是一种工作在 8 14m 波段的热成 像器件,其靶面为热释电材料,由于其具有不需 制冷,结构简单,价格低廉且全天候,全被动的 工作模式,得到了迅速发展。
①光电导积累
②二次电子发射积累
(3)信号阅读部分
现用的扫描方式有逐行扫描与隔行扫描 两种方式
电子束逐行扫描轨迹
(a)奇数场
(b)偶数场
隔行扫描的一帧 电子束轨迹
隔行扫描重现图像示意图
像元从无光照到受强光照时输出信号的过程
①无光照时输出信号过程
放电过程
t
VAd VT (1 e ) RdC
当强度变化的光照射热电体时,热
电体的温度发生变化,Ps亦发生变化,
面电荷从原来的平衡值跟着发生变化。
3、热释电效应
某些物质吸收光辐射后,将其转换成热能,这 个热能使晶体的温度升高,当温度变化时,自 发极化强度及面束缚电荷发生变化,在垂直极 轴的两个端面之间 出现微小电压,如果用导 线连接起来,就会形成电流,产生热释电效 应.
t
VAe VAeme RbC
根据我国电视标准,可以算出讯道带宽为 Δf =0.0128M (MHz)
式中, M为垂直分辨力。 摄像管的分辨力通常以电视线或电视的行/帧高表 示。也可以换算成以线对/毫米表示的分辨力,即
式中, h, l 分别为光栅高度和对角线的长度。
(2)光电转换特性
光电导靶
信号阅读部分
扫描电子枪系统

4.1真空成像器件解析

4.1真空成像器件解析

南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件
(三)、主要参数

1.光电特性
摄象管输出的光电流与入射的光照度之间的 函数关系常表示为
Ip=kEγ
Ip:光电流 γ:光照指数 E:照度 k:比例系数
由图可见,在光电转换特性中最重要的参量是γ。γ=1表示Ip与E成正比例关系, 这时,电视信号的灰度等级均匀。γ<1,电视信号有均匀的灰度畸变,但此时 在低照度下的灵敏度有相对的增加,高照度下的光电特性呈一定的饱和状态。γ =1有利于提高暗场时的信噪比,γ<l有利于扩展动态范围,γ>1是不适用的。
光电成像器件 --真空光电器件

2. 内光电变换型(光电导型)
把没有移象区的摄象管称为光 电导式摄象管或视象管,它的 两部分功能全由一个靶来完成。 电子枪部分二者基本相同。这两类管子比 较,光电发射式摄象管历史最早,信号质 量也最高,但体积大,结构复杂,调整麻 烦,所以目前除特殊场合(微光摄象领域) 外一般用得较少。光电导式摄象管比前者 体积小,结构简单,信号质量有的也接近 于前者,所以电视领域中用得较为普遍。
南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件
(二)基本原理
摄象管的工作原理是:先将输入的光学图象转 换成电荷图象,然后通过电荷的 积累和储存构成电 位图象,最后通过电子束扫描把电位图象读出,形成 视频信号输出。
南京理工大学 何勇
光电成像器件 --真空光电器件

摄象管具有三个基本功能:光电变换、光电信息的积累、储存及 扫描输出。当被摄景物的光学图象通过物镜投射到摄象管上时, 由于摄象管受照面的材料具有光导或光电发射作用,在摄象管的 靶面上(或光电阴极面上)就建立起与入射照度分布相对应的电位 起伏,这就完成了光电变换的功能,从电子枪发射出来的电子束 依次沿着靶面扫描,扫描线经过某一点(称为象素)的时间只占扫 描整个光敏面所需周期的极小部分(0.062μs),为了提高检测灵 敏度,每个象素在扫描周期内应不间断地对转换后的电量进行积 累,这时靶又起到了积累存储光电信息的功能,当电子束依次沿 着靶面扫描,将靶面的电位起伏顺序地转变成视频信号输出,就 完成了扫描输出的功能。

第7章真空成像器件(像管)

第7章真空成像器件(像管)

Copyright@2006知识点回顾:光电器件的应用选择1.光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配;2.光电器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配;3.光电检测器件必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配,以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应;4.光电检测器件必须和输入电路在电特性上良好匹配,以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等;5.为了使器件具有长期工作的可靠性,必须注意选好器件的规格和使用的环境条件。

Copyright@2006光电技术第7章真空成像器件-像管Copyright@2006•光电成象器件是指能够输出图象信息的一类器件。

包括真空成像器件和固体成像器件。

真空成像器件根据管内有无扫描机构粗略的分为像管和摄像管。

功能:把不可见光图像或微弱光图像通过电子光学透镜直接转换成可见图像,如变像管、像增强管、X 射线像增强器等等。

功能:把可见或不可见光图像通过电子束扫描后转换成相应的电信号,通过显示器件再成像的光电成像器件。

Copyright@2006固体成像器件:通过某些特殊结构或电路(自扫描形式)读出电信号,然后通过显示器件再成像。

真空成像器件:用电子束在高真空度的管内进行扫描。

其功能大致可归为以下两类:1、使不可见光图象(红外、紫外)变为可见光图象2、使光学图象变为电视信号Copyright@2006Copyright@2006•像管和摄像管的区别:Copyright@2006第7.1节像管的工作原理与结构一、工作原理(三大功能):变换光谱:将红外、紫外的辐射图像变成可见图像增强亮度:使图像亮度接近人眼的视觉响应峰值光学成像:将电子图像在荧光屏上变成光学图像像管:变像管和像增强管的统称。

Copyright@2006二、结构:一是光电变换部分,即光电阴极,光电子发射图象二是电子光学部分,即电子透镜,它可以使光电阴极发射出来的光电子图象进行加速三是电光变换部分,即荧光屏,它可以使电子图象变成可见光图像Copyright@2006三、几种像管结构:1、非聚焦型像管(近贴型)光电子在电场的作用下以抛物线轨迹向荧光屏投射。

第7章 固体成像器件

第7章 固体成像器件

输出栅 输出端 输 出 二 极 管
N+ SiO2 P-Si
N+
CCD主要由信号输入、电荷转移和信号输出三部分组成 。 输入部分的作用是将信号电荷引入到CCD的第一个转 电注入由一个输入二极管和一个或几个输入栅构成,它 给输入栅加适当的电压,在其下面半导体表面形成一 移栅下的势阱中。引入的方式有两种:电注入和光注入。 个耗尽层,这个耗尽层就相当于一个“通道”。 可以将信号电压转换为势阱中等效的电荷包.
假设t=t1时,已有信号电荷存贮在偏 当t=t2时,①电极和②电极均加有 当t=t3时,①电极上的电压已由+10V 压为+10V的①号电极下的势阱里,其它三 +10V电压,且两电极靠得很近,这样① 变为+2V,下面的势阱由深变浅,势阱内电 个电极上均加有大于阈值但仍较低的电 电极和②电极下面所形成的势阱就连通, 荷全部移入②电极下的深势阱中。 压,这些电极下面也有势阱,但很浅。 ①电极下的部分电荷就流入②电极下的 势阱中。 结论:从t1→t3 ,深势阱从①电极下移动到②电极下面, 势阱内的电荷也随之转移; 如果不断地改变电极上的电压,就能使信号电荷可控地 一位一位地顺序转移,从而形成电荷耦合。
CCD线阵列 CCD 单元 CCD线阵 列结构+输入 机构+输出机 构=N位CCD
CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的,但与MOS CCD的特点是以电荷作为信号,不是以电流或电压 作为信号 晶体管的工作原理不同。 MOS晶体管是利用在电极下的半导体表面形成的反型 层进行工作的,CCD是利用在电极下SiO2:半导体界面形成 的深耗尽层(势阱)进行工作的,属非稳态器件。 信号电荷是空穴还是电子?电子 d 2U 具有被高电势吸引的特性 (Si O2 ) 0 2 dx 1.MOS结构的稳态情况 2 在制造时,SiO2 层中已掺入正离子,在UGS = 0 时就 当栅极电压UG=0时,在SiO2:P-Si 当栅极上加上一定电压UG后,在 界 1).当UG<0时:多数载流子积累状态; 在两个N+区间的P型表面层中感应出大量的电子,形成一 当栅极上加上一定电压UG后, SiO2:P-Si 界面形成符号相反的电荷, 面无电场作用,其载流子浓度与体内一样; 2).当UG>0,但尚处于小电压时:多数载 定宽度的反型层,在DS间建立了导电沟道;只要在 DS 间 在SiO2:P-Si 界面的电荷和电势 P-Si本身呈电中性,电子能量从内到表 电荷的分布随外界电压的大小和方向 流子的耗尽状态; 加正电压就会形成 ID。 分布可通过求解泊松方程得到; 面均相同。因此能带是平坦的,不存在 的变化而变化,接下来我们讨论三种 3).当UG>Uth>0时:为反型状态。 表面空间电荷区 情况.

第七章固体成像器件刘星.

第七章固体成像器件刘星.

7.2
电荷耦合器件的分类
CCD器件按结构可分为两大类:线阵CCD和面阵CCD。 7.2.1 线阵CCD 最简单的线阵CCD是由一个输入二极管(ID)、一个输入栅(IG)、一个 输出栅(OG)、一个输出二极管(OD)和一列紧密排列的MOS电容器构成,如下 图所示。
上述结构不宜作摄像用: (1)电极是金属的容易蔽光,即使是换成多晶硅,由于多层结构电极系统 对入射光吸收、反射和干涉比较严重,因此光强损失大,量子效率低。 (2)电荷包转移期间,光积分在继续进行,使输出信号产生拖影。
2.ILTCCD 行间转移(内线转移)结构采用了光敏区与转移区相间排列方式。这相 当于将若干个单边传输的线阵CCD图像传感器按垂直方向并排,底部设置 一个水平读出寄存器,其单元数等于垂直并排的线阵CCD图像传感器的个 数,如下图所示。
适合于低光强,“拖影”小。
7.3 CCD摄像机分类 按接收光谱分,CCD摄像机可分为可见光CCD、红外CCD、X射线CCD和紫外光CCD 7.3.1 可见光CCD
可见光CCD可分为黑白CCD、彩色CCD和微光CCD三大类。
按照电视摄像机的类型,彩色CCD摄像机可分为三片式、二片式和单 片式三种类型。 三片式彩色CCD摄像机。景物经过摄像镜头和分光系统形 成红(R)、绿(G)、蓝(B)三个基色,图像分别照射到三片CCD上。这三片 CCD常采用行间转移结构,因为行间转移结构可以把光敏区和转移区分开, 能有效防止模糊现象。为了提高蓝光灵敏度,使用透明电极(SnO2)作为光 敏区电极,转移寄存器采用BC-CD。
CCD中电荷的存贮和传输是通过改变各电极上所加电压实现的。按照加 在电极上的脉冲电压相数来分,电极的结构可分为二相、三相、四相等结构 形式。
7.1.3 电荷耦合器件的组成及其工作原理 CCD主要由三部分组成,信号输入部分、电荷转移部分和信号输出部分。 输入部分的作用是将信号电荷引入到CCD的第一个转移栅下的势阱中。 引入的方式有两种:电注入和光注入。 在滤波、延迟线和存储器应用情况 在摄像应用

光电检测技术知识点

光电检测技术知识点

1、光电效应应按部位不同分为内光电效应和外光电效应,内光电效应包括〔光电导〕和〔光生伏特效应〕。

2、真空光电器件是一种基于〔外光电〕效应的器件,它包括〔光电管〕和〔光电倍增管〕。

结构特点是有一个真空管,其他元件都放在真空管中3、光电导器件是基于半导体材料的〔光电导〕效应制成的,最典型的光电导器件是〔光敏电阻〕。

4、硅光电二极管在反偏置条件下的工作模式为〔光电导〕,在零偏置条件下的工作模式为〔光生伏特模式〕。

5、变象管是一种能把各种〔不可见〕辐射图像转换成为可见光图像的真空光电成像器件。

6、固体成像器件〔CCD〕主要有两大类,一类是电荷耦合器件〔CCD〕,另一类是〔SSPD〕。

CCD电荷转移通道主要有:一是SCCD〔外表沟道电荷耦合器件〕是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面,并沿界面传输;二是BCCD称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件,电荷包存储在离半导体外表一定深度的体内,并沿着半导体内一定方向传输7、光电技术室〔光子技术〕和〔电子技术〕相结合而形成的一门技术。

8、场致发光有〔粉末、薄膜和结型三种形态。

9、常用的光电阴极有正电子亲合势光电阴极〔PEA〕和负电子亲合势光电阴极〔NEA〕,正电子亲和势材料光电阴极有哪些〔Ag-O-Cs,单碱锑化物,多碱锑化物〕。

10、根据衬底材料的不同,硅光电二极管可分为〔2DU〕型和〔2CU〕型两种。

11、像增强器是一种能把微弱图像增强到可以使人眼直接观察的真空光电成像器件,因此也称为〔微光管〕。

12、光导纤维简称光纤,光纤有〔纤芯〕、〔包层〕及〔外套〕组成。

13、光源按光波在时间,空间上的相位特征可分为〔相干〕和〔非相干〕光源。

14、光纤的色散有材料色散、〔波导色散〕和〔多模色散〕。

15、光纤面板按传像性能分为〔普通OFP〕、〔变放大率的锥形OFP〕和〔传递倒像的扭像器〕。

16、光纤的数值孔径表达式为,它是光纤的一个基本参数、它反映了光纤的〔集光〕能力,决定了能被传播的光束的半孔径角17、真空光电器件是基于〔外光电〕效应的光电探测器,他的结构特点是有一个〔真空管〕,其他元件都置于〔真空管〕。

电真空成像器件的发展现状和趋势

电真空成像器件的发展现状和趋势

相应的进展: 相应的进展 ⑴Galileo 公司的长寿命微通道板玻璃以大原子序数铯 铷氧化物替换小原子序数的钾钠氧化物, 可以提高微通道 板耐电子冲刷能力, 获得长寿命的二次电子发射特性, 同时 还免除了K 成分的同位素带来的噪声。这一点对某些微通 道板探测器有重要作用。 ⑵碱土金属同样具有较低的逸出功, 适量引入碱土金属 氧化物M gO 和CaO 可降低电子冲刷造成的增益下降幅度。 ⑶无膜技术的发展。 通过进一步优化这种高性能微通道板的结构和制管时 的烘烤与冲刷方法, 加大对微通道板及管内其他组件吸附 气体的清除力度结合在阴极与微通道板间实现的电源选通 技术, 以及对砷化镓光阴极激活层的成分进行优化, 彻底去 除了离子反馈膜,大大提高了管子的信噪比, 显著减轻了 晕轮,更重要的是,大大增加了管子的寿命。
4.与固体成像器件的结合
• 固体成像器件和电真空成像器件各有优缺点,可 以利用两者的互补点结合起来使用。例如CCD在 微光下成像质量差,而像增强器微光成像能力高。 将两者耦合起来,即构成增强型(微光)电荷耦 合成像器件(ICCD)。 • 从增益和分辨力考虑,像增强器可以采用两级级 联的方式,可以达到几万倍的增益,更加适应微 光环境。 • 耦合方式:光纤直接耦合、光纤锥耦合器耦合。
电真空成像器件的发展现状和 趋势
发展方向
• 往高灵敏度方向发展 • 设法增加器件寿命 • 往小型化方向发展 • 与固体成像器件的结合
1.超高灵敏度新型Super_HARP摄像 管的发展
工作原理: 在黑暗条件下进行成像和观察, 要求摄像器件 有更高的灵敏度。 日本NHK 研究所发现非晶硒与晶体半导体一 样具有雪崩式倍增作用, 在此基础上发明了可在低 照度条件下产生良好的电视图像的新型光电导体 和靶结构, 即高增益雪崩倍增非晶光电导体(High gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor) , 简称HARP靶。
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了解:几种特殊像管
2.增益特性 亮度增益:荧光屏的光出 射度和入射至光电阴极 表面上的照度之比。
Ba GB Ek Ba荧光屏的亮度,单位 d / m 2 C Ek 照在光电阴极上的照度,单位 lx
3.等效背景照度 像管置于完全黑暗的环境中,当加上工作电压 后,荧光屏上仍会发出一定亮度的光,这种 发光称为像管的暗背景。 暗背景存在导致的结果:图像的对比度下降, 有可能使微弱光图像淹没在背景中而不能辨 别。 4.分辨率 单位:每毫米线对数

一、工作原理(三大功能): 变换光谱:将红外、紫外的辐射图像变成可见图像 增强亮度:使图像亮度接近人眼的视觉响应峰值 光学成像:将电子图像在荧光屏上变成光学图像
像管:变像管和像增强管的统称。


二、结构:
光电变换部分,即光电阴极,光电子发射图象 电子光学部分,即电子透镜,它可以使光电阴极发射出来 的光电子图象进行加速,有聚焦和非聚焦两种结构(静电 聚焦和磁场聚焦); 三是电光变换部分,即荧光屏,它可以使电子图象变成可 见光图像(P167)
常用变像管


1、红外变像管
红外辐射图像被光学物镜成像后位于光电阴极的前方,该 辐射图像相当于对光电阴极有一辐射通量,光电阴极将其 变成与其亮度成正比的电子图像,经静电聚焦后轰击荧光 屏,再转成光学图像。
光电阴 极
聚焦 极
阳 极
荧光 屏
红外变像管的应用(红外夜视仪)
选通式变像管(P170)
2、紫外变像管 紫外变像管的窗口材料为石英玻璃,光电发 射材料为Sb-Cs阴极。它可以使波长大于 200nm的紫外光变成光电子。紫外变象管与 光学显微镜结合起来,可用于医学和生物学 等方面的研究。



3、光纤面板变像管
将光电阴极及荧光屏连同光纤面板一起制成球面 型,使聚焦面与荧光屏重合,从而改善了像质。 荧光屏上的像借助于平凹形的光纤平板展开成平 面像。
聚焦 极 光纤面 板 光电阴 极 阳 极 荧光 屏 光纤面 板
常用像增强器

像增强器利用了像管功能中增强亮度、光学成像两 个功能。 像增强器与像管的异同点: 一、第一代微光像增强器结构示意如下图:

静电聚焦式MCP像增器

微通道板像增强器的优缺点:
⑴ 体积小,重量轻,整管长度和重量约为一代级联 管的二分之一; (2) 亮度便于调节; (3) 减少了荧光屏的光反馈; (4) 整管电压较低 其突出的缺点是: ⑴ 噪声大,主要是的附加噪声; ⑵ 图像不够均匀; ⑶ 工艺难度大,主要是的制作以及后续工序对 MCP有影响。

三、几种像管结构: 1、非聚焦型像管(近贴型)


光电子在电场的作用下以抛物线轨迹向荧光屏投 射。由于均匀电场只有加速投射作用,没有聚焦 成像作用,所以从光电阴极一点发出的不同初速 的电子,不能在荧光屏上形成点像,而是一个弥 散圆斑。(故分辨率较低)


2、静电聚焦型像管
几个圆筒形的电极可形成对光电子聚焦和加速的电场,使光 电阴极上的物在荧光屏上呈倒立的象。阴极零电位,阳极加 直流高压。


光电成象器件是指能够输出图象信息的一类 器件。包括真空成像器件和固体成像器件。 真空成像器件根据管内有无扫描机构粗略的分 为像管和摄像管。

功能:把不可见光图像 或微弱光图像通过电子 光学透镜直接转换成可 见图像,如变像管、像 增强管、X射线像增强器 等等。
功能:把可见或不可见光图 像通过电子束扫描后转换成 相应的电信号,通过显示器 件再成像的光电成像器件。
3.负电子亲和势(NEA)光电阴极和第三代像 增强器 该阴极材料在可见光范围有较高的灵敏度,在 近红外有极高(相对于银氧铯光电阴极)的 量子效率。 微通道板结构+负电子亲和势光电阴极=第三 代像增强器。 作用:同时起到光谱变换和微光增强。
4.X射线像增强器 作用:把不可见的X射线图像转换成可见光图 像,同时使图像亮度增强。 组成:输入荧光屏、光电阴极、电子光学系统 和输出荧光屏。
六、光电器件的应用选择
1.光电检测器件必须和辐射信号源及光学 系统在光谱特性上匹配; 2.光电器件的光电转换特性必须和入射辐 射能量相匹配; 3.光电检测器件必须和光信号的调制形式、 信号频率及波形相匹配,以保证得到没有频 率失真的输出波形和良好的时间响应;

4.光电检测器件必须和输入电路在电特 性上良好匹配,以保证有足够大的转换系 数、线性范围、信噪比及快速的动态响应 等; 5.为了使器件具有长期工作的可靠性, 必须注意选好器件的规格和使用的环境条 件。
聚焦 极
光纤 面板
光电 阴极
阳 极
荧光 屏
光纤 面板


二、第二代微光像增强器
——微通道板像增强器 1、 微通道板的原理和特性: 通道电子倍增器:微通道板MCP (Micro Channel Plate)是利用电子在通道内的二次倍增 来实现增强亮度的。
U

2、微通道板像增强器
微通道板是一种先进的具有传输、增强电子图像 功能的电子倍增器,具有体积小、重量轻、分辨 力好、增益高、噪声低、使用电压低等优点。广 泛用于光电倍增管、像增强器、微光电视、X光像 增强器、高速示波管,以及光子计数、 X- 射线、 紫外光子、电子、离子、带电粒子、亚原子粒子 等的探测。
固体成像器件:通过某些特殊结构或电路 (自扫描形式)读出电信号,然后通过显示 器件再成像。 真空成像器件:用电子束在高真空度的管内进 行扫描。
真空成像器件功能大致可归为以下两类: 1、使不可见光图象(红外、紫外)变为可见 光图象 2、使光学图象变为电视信号


像管和摄像管的区别:
第一节 像管的工作原理与结构
静电聚焦型象管结构示意图


3、电磁聚焦型像管
特点:若光电子有偏离于管轴的速度分量,磁场会使它呈 螺旋状前进,不管起初是沿什么方向发射,只要在轴向有 相同的初速度,则每个周期后最终都可以被会聚于一点。
电磁聚焦型象管结构示意图
像管的主要特性参数
1.光谱响应特性和光谱匹配 光谱响应特性指:光电阴极的光谱响应特性, 它决定管子所能应用的光谱范围。 Q:由上面的特性可以联系到什么器件? 光谱匹配:在像管的光谱响应范围内光源与光 电阴极、光电阴极与荧光屏、荧光屏与人眼 视觉函数之间的光谱分布匹配,匹配好,则 像管灵敏度高。

(1)近贴式MCP像增强器 近贴式MCP像增强器又称为平面型或薄片型像增 强器。它是把MCP平行放置在光电阴极和荧光屏之 间,三者相互靠得很近,故称双近贴式。(P171)
光电阴极
MCP 荧光屏


(2)倒像式MCP像增强器(静电聚焦式MCP像增器)
结构: 在单级第一代像增强器中,加上一块微通道板 MCP,MCP与光电阴极之间是静电透镜,与荧光屏之间是 近贴均匀场。 这种结构的优缺点是:分辨率高,像质好;但噪声较大。
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