m7整流二极管参数

M7二极管ASEMI贴片整流二极管

【M7-SMA】M7/M6/M5，ASEMI贴片整流二极管台系品质定位服务中市场需求，采用大规格GPP芯片稳定性不发热M7
贴片整流二极管M7
电性参数：1A 50V~1000V
不褪色，黑胶材质：环氧塑脂材料包封稳定性好
引脚为无氧铜、抗弯曲、、导电性好
M7：50K/箱箱体材质：牛皮纸耐压耐磨抗冲击
2000/5000/盘10盘/箱，防静电PE料管牛皮纸盒防静电、易保存，可回收利用
贴片整流二极管M7参数规格为：电流3A 电压：50V~1000V；盒装：10000Pcs/盒
应用于小电流领域产品：小功率开关电源，电源适配器，LED灯整流器，电风扇，电视机，室内
空调机，家用小电器等相关电器产品。

本品原装台系质量，定性和可靠性好
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；
肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI都有详细介绍。

贴片二极管1N4007(M7)规格书

0.1
PULSE WIDTH=300ms 1%DUTY CYCLE
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.5
正向电压 VF(V) VF Instantaneous Forward Voltage (V)
典型结电容
TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
200
100
TJ=25°C
10
Resistive or
inductive Load
0.2
0
0
25
50 75 100 125 150 175
环境温度 Ta(°C) Tamb, ambient temperature (°C)
正向特性曲线（典型值）
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
20
10
Tj = 25°C
反向电流 IR (mA) IR Instantaneous Reverse Current (mA)
峰值正向浪涌电流 IFSM(A) IFSM Peak Forward Surge Current (A)
M1 ...... M7
浪涌特性曲线（最大值） MAXIMUM NON REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT
表面安装普通整流二极管
反向电压 50 ---1000 V 正向电流 1.0 A
SMA DO-214AC
.067(1.70) .051(1.29)
.110(2.79) .086(2.18)
.091(2.31) .067(1.70)
.059(1.50) .035(0.89)
.180(4.57) .160(4.06)

各种二极管的简介机及其应用

整流二极管应用电路
• 下图是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ，组成。变压器把市电电压（多为220伏）变换为所需要的交变电压e2，D 再把交流电变换为脉动直流电，（半波整流电路）。
半波整流效果图
全波整流电路
• 全波整流电路，可以看作是由两个半波整流电路组合成的
晶体开关二极管 2CK13
开关二极管2ck81c 最高反向工作电压40V 反向击穿电压60V
其他开关二极管
其他开关二极管
发光二极管
• LED发光二极管简称LED，采用砷化镓、镓铝砷、和磷化镓等材料制成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。 • 分类：可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等。 • 应用：照明，指示灯等。 • LED发光二极管的压降一般为1.5~2.0 V，其工作电流一般取10~20 mA为宜
二极管
二极管的一般特性
• 正向特性：特性曲线的第一象限部分，曲线呈指数曲线形状，非线性。正向电压很低时正向电流几乎为 0，这一区间称为， “死区 ”，对应的电压范围称为死区电压或阈值电压，锗管的死区电压大约为 0.1V ，硅管的死区电压约为 0.5V； • 反向特性：反向电流很小，但当反向电压过高时， PN 结发生击穿，反向电流急剧增大。
不同直径的发光二极管
光敏二极管 CL-5M3B 5mm
肖特基二极管
• 应用场合：SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD • 与普通二极管的区别：SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

整流二极管的参数及应用

采购电子元器件就上万联芯城，整流二极管等多样类别元件全新原装供应，万联芯城专为客户进行一站式电子元器件配单业务。

只需提交物料清单，即可为您报价。

万联芯城货源渠道均来自原厂及原厂授权代理商，保证货品原装质量，是我们的服务初衷。

点击进入万联芯城点击进入万联芯城快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。

因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

下面例举的是用于高耐压、高电流的二极管，但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。

此时，对二极管基本的应用条件而言，特性和性能已优化。

整流二极管的特征在这里，将整流二极管分为以下4类：通用整流用、通用开关用、肖特基势垒二极管、快速恢复二极管4种类型，特征汇总于下表。

通用型一般用于整流，主要目的是将交流整流为直流。

桥式二极管是整流用的二极管组合。

另外，用于无意中电源或电池反接时，保护用于防止过电流流过。

正向电压VF因工作电流而异，1V左右为标准。

这是硅PN结二极管的普通VF。

反向恢复时间trr是以50Hz/60Hz的商用电源的整流为前提，以不是特别快的为标准。

开关型，用途如其字面所示，主要用于电源的切换。

VF标准与通用型相同。

因为以开关用途为目的，所以trr比通用型更快。

但是，还达不到肖特基势垒二极管或快速恢复二极管的速度，其开关特性仅定位于比通用型快。

肖特基势垒二极管（SBD）不是PN结，而是利用金属和半导体如N型硅的形成肖特基势垒（Barrier）。

与PN结二极管相比，肖特基势垒二极管（SBD）具有VF更低，开关特性更快的特征。

常用整流二极管技术参数

常用整流二极管技术参数常用整流二极管技术参数型号参数代换反向峰值电压(V) 额定整流电流(A) 反向电流(μA) 浪涌电流(A) 反向恢复时间(μS)1S1835 600 1.5 10 1.5 GG10HE1S1886 200 1.5 SN10C、2N10E1S1887 400 1.51S1642 200 0.53JH61 800 3.0 0.5 GG15HB3JV61 600 3.0 0.5BA157 400 1.0BA159 1000 1.0 ES1AZ、CFR08-04BV206 300 2.0BV407 600 2.0EH1Z 200 0.6 2CZ40、PR1003、2CZ321C、CH06CEM01Z 250 1.0 2C285E、TZ1EM1A 650 1.0 EH1AES-1 450 0.8 10 30 1.5 CN08E、CG08G、TQ15、BSV-09ES1A 650 0.8 10 40 1.5RU01Z 200 1.0 10 45EU-1 450 0.5 10 15 0.4 2CZ34H、SG05EEU01A 600 0.35 10 15 0.4EU2 450 1.0 10 40 0.4 TZ3、TG17、PR1004EU-3A 650 1.0 10 40 0.4EK-04 40 1.0 5.0 40ERB81-004 40 1.7ERA156 600 2.0ERA15-06 600 1.5GU-3B 800 1.0 0.5RC2 2000 0.2 10 20 0.8RC-2 2000 0.2 10 20 0.8RU2 650 1.0 10 20 0.4 2CZ317C、CFR10-06 RU-3A 650 1.0 10 20 0.4RM2 400 1.2RM2C 1000 1.2 100 20RGP10D 200 1.0 5 30 150nsRGP10J 600 1.0 5 30 250ns GG10HARU-4B 850 3.0 10 0.4 BA159、GG30KB RB156 650 1.5 RM156R02A 800 1.5 10 80 2CZ37、CZ12HRH1Z 200 0.6 4 2CZ321C、2CZ40 RH1S 850 0.6 1.5 CN061、2CZ36RH1A 600 0.6 2CZ318G、PR1005 RH-DX0220-CEZZ 600 2.0RH-DX0224-CEZZ 800 1.0RH-DX0226-CEZZ 1000 1.0RMZC 1000 1.2 10 100 20S5295G 400 1.0 1.5S5295J 600 1.0 1.5SLB01-02 200 2.0SS1.5J4 400 1.5 1.3 70SS2J4 400 2.0 2.0 100SS3J4 400 3.0 5.0 200TVR-2D 200 1.0TVR-4J 600 1.0 10 100 20 2CZ313BTVR4X 1000 1.2 10 100 20 GZ12NTVSRU2 600 1 2CZ321TVSRC2 2000 0.2 CFR10-06、RU2、2CZ317GTVSRM1ZM 400 1.5 5 50 RC2、BSRC2、TG19 CFR02-02D TVSRM-15RC 50 2U05C 200 2.5 3 30 DH15R、CB20-10RU05E 400 2.5 3 40U05G 600 2.5 3 40U05J 800 2.5 5 50V06C 500 2.5 50 6.0V09C 300 2.5 10 5 0.4 2CZ201、BSV06C、BHV06CV11N 1500 0.5 1.0 DHV09C、TG1V09E-4 500 0.8 2 25 0.4 GC06QD、2CZ2349AV19E-4 500 0.8 10 30 0.2 CG10FD、TG8、 CG09E-4MI15RC 1100 2.0 GG10FB、TG9、CC10EMI15SC 1100 2.5W06A-4 50 0.75 50 20 3W06A 100 0.75 50 20 3 CDR08-01JVR2D 200 1.0 CN08A、SN10AJVR4J 600 1.2常用整流二极管参数：普通整流二极管参数(一)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1。

m7整流二极管参数M7整流二极管是一种常用的半导体元件，广泛应用于电子设备中。

它具有许多特殊的参数，这些参数对于其在电路中的性能起着至关重要的作用。

本文将对M7整流二极管的参数进行详细探讨，从而深入了解这一元件在电子领域中的应用。

首先，我们来看M7整流二极管的最大额定电流参数。

在实际应用中，电子设备需要承受不同程度的电流，因此M7整流二极管的最大额定电流是非常重要的参数。

它决定了整流二极管在电路中能够承受的最大电流值，一旦超过这个数值，就会导致整流二极管失效。

因此，在设计电子设备时，必须根据实际需求来选取合适的整流二极管，以确保电路的正常运行。

其次，我们来讨论M7整流二极管的最大反向工作电压参数。

整流二极管在电路中主要起到导通和截止的作用，因此其最大反向工作电压也是一个至关重要的参数。

当反向电压超过了整流二极管的最大反向工作电压时，会导致二极管击穿，从而使电路失效。

因此，在设计电子电路时，必须合理选择整流二极管的最大反向工作电压，以确保电路的稳定性和可靠性。

另外，M7整流二极管的正向压降参数也是需要重点考虑的。

正向压降是指在整流二极管正向导通时产生的电压降，它会影响整个电路的性能。

通常情况下，整流二极管的正向压降越小，那么整体电路的损耗就越小。

因此，在选择整流二极管时，必须根据实际需求来合理选择正向压降参数，以确保电路的效率和性能。

此外，整流二极管的封装形式、工作温度范围、参数稳定性等也是需要考虑的重要参数。

整流二极管的封装形式决定了其在电路中的安装方式，工作温度范围影响了整流二极管在不同环境条件下的性能表现，参数稳定性则关系到整流二极管在长期使用过程中的可靠性。

因此，以上这些参数都是需要仔细研究和考虑的，以确保整流二极管在电子设备中具有稳定的性能表现。

梳理一下本文的重点，我们可以发现，M7整流二极管的参数对于其在电子领域中的应用起着至关重要的作用。

在选择和应用整流二极管时，必须充分了解其各项参数，根据实际需求来合理选择，以确保电路的稳定性和可靠性。

ASEMI整流二极管M7型号参数

ASEMI整流⼆极管M7型号参数
编辑-Z
下⾯给⼤家详细介绍⼀下ASEMI整流⼆极管M7型号参数，M7是⼀种硅整流⼆极管，硅整流⼆极管是⼀种⽤于将交流电转换为直流电的半导体器件。

M7具有击穿电压⾼、反向漏电流⼩、耐⾼温性能好等特点，主要⽤于各种电源整流电路。

硅整流⼆极管的种类很多：
M1-M7⼆极管，SMA（DO-214AC）封装，具体型号有：M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7，对应的反向重复峰值电压分别
为50V、100V、200V、400V、600V， 800V、1000V。

型号：M7
封装：SMA
特性：⼩电流、贴⽚⼩封装
电性参数：1A 1000V
芯⽚材质：GPP
正向电流(Io)：1A
芯⽚个数：1
正向电压(VF)：1.1V
芯⽚尺⼨：46MIL
浪涌电流Ifsm：30A
漏电流(Ir)：5uA
⼯作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：2
关于M7与M1、M2、M3、M4、M5、M6的不同，在于反向重复峰值电压的不同，M7可以代替M1、M2、M3、M4、M5、M6。

当然也可以⽤⼆极管1N4007、1N4007*、A7代替M7，在不考虑封装的情况，它们之间可以相互通⽤。

如何判断M7贴⽚⼆极管的好坏？
这取决于在⼆极管 M7 两端测量的电阻。

如果正向电阻很⼩，反向电阻很⼤，则说明异常。

正常的 M7 ⼆极管正向导通，反向截⽌。

以上就是关于ASEMI整流⼆极管M7型号参数的详细介绍。

ASEMI品牌在整流桥和⼆极管领域已有12年的专业经验，供应全系列⾼品质，⾼性能的整流桥和⼆极管产品。

常用整流二极管型号及参数大全

常用整流二极管型号及参数大全整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，有正极和负极两个端子。

在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。

常用整流二极管型号：1、1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)，2、1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma，3、2AN1 二极管 5A, f=100KHz，4、2CK100 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma，5、2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz，6、2CP1553 硅二极管Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF。

整流二极管的常用参数整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。

选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

1、额定正向工作电流，额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

2、最大浪涌电流，最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流，其值通常是额定正向工作电流的20倍。

3、最高反向工作电压，加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。

为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。

例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。

4、最大功率，最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流，这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

转整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则

标签：无标签【转】整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。

二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中。

本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。

(一)整流二极管的主要参数1.IF—最大平均整流电流。

指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。

该电流由PN结的结面积和散热条件决定。

使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。

例如1N4000系列二极管的IF为1A。

2.VR—最大反向工作电压。

指二极管两端允许施加的最大反向电压。

若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。

通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。

例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.3.IR—反向电流。

指二极管未击穿时反向电流值。

温度对IR的影响很大。

例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。

4.VR—击穿电压。

指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。

反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

5.tre—反向恢复时间。

指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

6.fm—最高工作频率。

主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。

例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。

7.CO—零偏压电容。

指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。

值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。

手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C 时IR则变为小于500uA。

常用整流二极管常用整流二极管参数

常用整流二极管常用整流二极管参数第一，电流参数。

整流二极管的电流参数通常包括最大平均整流电流和最大峰值整流电流。

最大平均整流电流是指在连续导通条件下，二极管所能承受的最大电流值。

最大峰值整流电流是指二极管能够承受的短时间内的最大电流值，通常与最大平均整流电流成比例关系。

第二，电压参数。

整流二极管的电压参数包括正向导通压降和反向击穿电压。

正向导通压降是指在正向工作状态下，二极管的电压降。

反向击穿电压是指二极管在反向工作时，其能够承受的最大电压值。

这两个参数对于选择合适的整流二极管至关重要。

第三，速度参数。

整流二极管的速度参数主要包括导通速度和恢复速度。

导通速度是指整流二极管从关态转变为导态所需的时间，即二极管开启的速度。

恢复速度是指整流二极管从导态转变为关态所需的时间，即二极管关断的速度。

速度参数对于二极管在高频率或快速开关应用中的性能至关重要。

第四，频率参数。

整流二极管的频率参数主要包括最大允许频率和最小逆变频率。

最大允许频率是指整流二极管可靠工作的最高频率，通常与其他参数相关。

最小逆变频率是指在逆变电路中，二极管能够正常工作的最低频率。

除了上述常用参数外，还有一些其他参数也很重要，如功耗、热阻、封装类型等。

功耗是指整流二极管在工作过程中所消耗的功率，对于电路的稳定性和可靠性有很大影响。

热阻是指整流二极管导通过程中产生的热量与温度之间的关系，可以直接影响到二极管的散热性能。

封装类型是指整流二极管的外部封装形式，有不同的封装类型适用于不同的应用场景和安装方式。

综上所述，常用整流二极管的参数有很多，包括电流、电压、速度和频率等。

在选择和应用整流二极管时，需要综合考虑这些参数，并根据具体的应用要求做出合理的选择。

整流二极管(PN结二极管)主要参数及工作原理介绍

整流二极管（PN结二极管）主要参数及工作原理介绍整流二极管是一种用于将交流电转换成直流电的半导体器件，具有明显的单向导电性，可用半导体锗或硅制成。

整流二极管一般为平面硅二极管，用于各种功率整流电路。

整流二极管一层半导体材料掺杂有P型材料，另一层掺杂有N型材料，这些P型和N型层的组合形成称为PN结，因此也被叫做PN结二极管。

整流二极管的选用原则选择整流二极管时，要考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率和反向恢复时间等参数。

串联稳压电源电路中使用的整流二极管对截止频率的反向恢复时间要求不高。

只要最大整流电流和最大反向工作电流满足电路的要求，就选用整流二极管。

例如1N系列、2CZ系列、RLR 系列等。

在开关稳压电源的整流电路和脉冲整流电路中，整流二极管应具有较高的工作频率和较短的反向恢复时间（如RU系列、EU 系列、V系列、1SR系列等）。

或者也可以选择快速恢复二极管或肖特基整流二极管。

整流二极管主要参数1、最大平均整流电流IF ：长期工作允许通过的最大正向平均电流。

电流由PN结的结面积和散热条件决定。

通过二极管的平均电流不能大于此值，应满足散热条件。

例如1N4000整流串联二极管的IF为1A。

2、最大工作反向电压VR ：施加在二极管上的最大允许反向电压。

如果超过这个值，反向电流（IR）会急剧增加，破坏二极管的单向导电性，造成反向击穿。

通常取反向击穿电压（VB）的一半作为（VR），例如下表格所示：3 、最大反向电流IR：在最高反向工作电压下允许流过二极管的反向电流。

该参数反映了二极管的单向导电性。

因此，电流值越小，二极管质量越好。

4、击穿电压VB：二极管反向伏安特性曲线锐弯点处的电压整流值。

当反向为软特性时，是指在给定反向漏电流下的电压值。

5 、最高工作频率fm：二极管在正常情况下的最高工作频率。

主要由PN结的结电容和扩散电容决定。

如果工作频率超过fm，二极管的单向导电性就不能很好的体现出来。

M7二极管参数

M1 THRU M7SURFACE MOUNT GENERAL RECTIFIERReverse Voltage -50 to 1000 Volts Forward Current -1.0 AmpereF E A T U R E S‧ The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ‧ For surface mounted applications ‧ Low reverse leakage‧ Built-in strain relief, ideal for automated placement ‧ High forward surge current capability ‧ High temperature soldering guaranteed: 250℃/10 seconds at terminalsCase : JEDEC DO-214AC molded plastic body Terminals : Solder plated solderable per MIL-STD-750, Method 2026Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : AnyWeight : 0.003 ounce 0.093 gramsMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSRaings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specifiedSingle phase half-wave 60HZ resistive or inductive load ,for capacitive load current derate by 20% SYMBOLS M1M2M3M4 M5 M6M7UNITSMaximum repetitive peak reverse voltage V RRM 50 100 200 400 600 800 1200 VOLTS Maximum RMS voltage V RMS 35 70 140280 420 560700VOLTS Maximum DC blocking voltageV DC 50 100 200 400 600 800 1200 VOLTSMaximum average forward rectified current at T L =110℃I (A V) 1.0AMP Peak forward surge current 8.3ms single Half sine-wave superimposed on rated toad (JEDEC Method)I FSM 30.0 AMPS Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A V F 1.1 VOLTS Maximum DC reverse current T A =25℃ at rated DC blocking voltage T A =100℃ I R5.050.0μATypical junction capacitance (NOTE 1)C J 15.0 pFTypical thermal resistance (NOTE 2) Rq JA 75.0 ℃/WOperating junction and storage temperature range T J , T STG -65 to +175 ℃ Note :1. Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0V D.C2. P.C.B mounted with 0.2x0.2＂(5.0x5.0mm) copper pad areas0.111(2.83) 0.100(2.54)0.178(4.53) 0.157(3.99)0.078(2.00) 0.063(1.60)0.012(0.305) 0.006(0.152)0.008(0.203)MAX 0.096(2.45)0.078(1.98) 0.060(1.52) 0.030(0.76)0.224(5.69) 0.194(4.93)Dimensions in inches and (millimeters)RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES M1 THRU M7。

m7整流二极管参数

m7整流二极管参数M7整流二极管是一种常用的电子元件，具有广泛的应用。

它是一种通用型二极管，可以用于直流电源、整流电路以及逆变电路等领域。

下面将详细介绍M7整流二极管的参数。

1.电流和电压参数：M7整流二极管的最大正向持续工作电流为1A，最大正向瞬时工作电流为30A。

最大反向峰值电压为1000V，最大反向工作电压为1000V。

这些参数决定了M7整流二极管在电路中的工作范围和电流负载能力。

2.效率和速度参数：M7整流二极管具有较高的效率，可以在低电压下工作。

它的正向电压降一般为1V左右，正向导通压降低，减小了功率消耗。

此外，M7整流二极管的开关速度快，反向恢复时间（Reverse Recovery Time）较短，可以改善整流效率。

3.封装和外观：M7整流二极管通常采用表面贴片封装，常见的封装尺寸有SMB和SMD。

封装好的整流二极管外观小巧，体积小，适合于紧凑型电路设计。

它也有其他封装形式，如DO-214AC、DO-15和DO-27等。

4.热特性和温度参数：M7整流二极管的最大工作温度范围为-55℃到+150℃。

在高温环境下，M7整流二极管的反向电流会有所增加，正向电压降会有所减小。

在设计中需要考虑散热和温度对整流二极管的影响。

5.电流反向保护能力：M7整流二极管具有电流反向保护能力，可以防止反向电压对电路造成损害。

当有反向电压作用于二极管时，它会阻断反向电流，保护其他电子元件免受损坏。

6.可靠性和寿命：M7整流二极管具有稳定的性能和较长的使用寿命。

它的可靠性高，寿命长，一般可以达到数千小时以上。

这使得M7整流二极管成为工业和家庭电子设备中的可靠元件。

总结：M7整流二极管是一种常用的电子元件，具有广泛的应用。

它具有较高的效率和速度、良好的封装和外观、稳定的热特性和温度参数，以及可靠的反向保护和长寿命。

这些参数使得M7整流二极管在各种电子设备和电路中发挥重要作用。

常用整流二极管参数

常用整流二极管参数1.最大正向电压（VRRM）：整流二极管的最大正向电压指的是在正向工作时，二极管能够承受的最大电压。

这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。

2.最大正向电流（IF）：整流二极管的最大正向电流指的是在正向工作时，二极管能够承受的最大电流。

这个参数通常以安培（A）为单位来表示。

3.最大反向电压（VR）：整流二极管的最大反向电压指的是在反向工作时，二极管能够承受的最大电压。

这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。

4.最大反向电流（IR）：整流二极管的最大反向电流指的是在反向工作时，二极管能够承受的最大电流。

这个参数通常以安培（A）为单位来表示。

5.承受功率（PR）：整流二极管的承受功率指的是在一定的工作条件下，二极管能够承受的最大功率。

这个参数通常以瓦特（W）为单位来表示。

6.负载能力：整流二极管的负载能力指的是在一定的工作条件下，二极管能够承受的最大负载。

这个参数通常以欧姆（Ω）为单位来表示。

7.正向电压降（VF）：整流二极管在正向工作时，电流通过时会产生一定的电压降，这个电压降被称为正向电压降。

这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。

8.正向电流（IFM）：整流二极管在正向工作时，能够承受的最大正向电流。

这个参数通常以安培（A）为单位来表示。

9.动态电阻（RD）：整流二极管在正向工作时，电流和电压之间的变化关系可以通过动态电阻来表示。

这个参数通常以欧姆（Ω）为单位来表示。

10. 反向恢复时间（Trr）：整流二极管在从正向工作状态切换到反向工作状态时，电流从正向工作到反向工作之间所需的时间。

这个参数通常以纳秒（ns）为单位来表示。

以上是常见的整流二极管参数，不同类型的整流二极管可能会有不同的参数范围和性能情况。

在选择和使用整流二极管时，需要根据具体的应用需求和工作条件来选择合适的整流二极管。

M7整流二极管

M7整流二极管整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V.硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。

整流二极管的选用整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。

选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。

整流二极管的常用参数（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。

该电流由PN结的结面积和散热条件决定。

使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。

例如1N4000系列二极管的IF为1A。

（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。

若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。

通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。

例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。

因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。

（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。