模拟电子技术第3章.ppt

合集下载

第3章电子技术基础_模拟部分

第3章电子技术基础_模拟部分

•3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
•1. 温度对BJT参数的影响
•(1) 温度对ICBO的影响 •温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
•(2) 温度对 的影响 •温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
•(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 •温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
•iB=f(vBE) vCE=const •iC=f(vCE) iB=const •可以写成:
•在小信号情况下,对上两式取全微分得
•BJT双口b+ hrevce
PPT文档演模板
•ic= hfeib+ hoevce 第3章电子技术基础_模拟部分
•1. BJT的H参数及小信号模型
部载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏 集电结反偏
• 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
PPT文档演模板
第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
•(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
PPT文档演模板
第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号

模拟电子技术(四版)李雅轩章 (3)

模拟电子技术(四版)李雅轩章 (3)
发射极电位UB1、UC1、UE1、UB2、UC2、UE2值的大小,记录于自拟 的数据表格中。调节RP使V1的集电极静态电流IC1为1 mA左右。
9
2. 测量基本放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻 (1) 开关S1置“1”位置,把反馈网络从A点断开,在输入 端接低频信号发生器,输入频率为f=1 kHz、电压为Ui=10 mV 的正弦信号,从输出端分别测量不接负载电阻RL和接负载电阻 RL两种情况下的输出电压Uo、UoL,计算出电压放大倍数Au、输 出电阻ro(=(Uo-UoL)RL/UoL),填入实表 3.1中。 (2) S1置“2”位置,将Rs=4.7 kΩ接入回路,调节信号源 电压,同时保持Ui=10 mV不变,测出此时信号源电压Us值的大 小,计算出输入电阻ri(=UiRs/(Us-Ui))值,填入实表3.1中。
45
4. 电流并联负反馈 电流并联负反馈的实际电路和连接方框图分别如图
3.2.7(a)和(b)所示。
图 3.2.7 电流并联负反馈 (a) 电路图;(b) 方框图
46
47
3.3 负反馈对放大器性能的影响 3.3.1 提高放大倍数的稳定性
放大器的放大倍数是由电路元件的参数决定的。若元件老 化或更换、电源不稳、负载变化或环境温度变化,则可能引起 放大器的放大倍数变化。为此,通常都要在放大器中引入负反 馈,用以提高放大倍数的稳定性。
33
图3.2.1为几个反馈电路,我们现在用瞬时极性法来判别 它们反馈的极性。
图 3.2.1 反馈极性的判别 34
2. 交流反馈与直流反馈 图3.2.2中,(a)图中反馈信号的交流成分被Ce旁路掉,在 Re上产生的反馈信号只有直流成分,因此是直流反馈。(b)图 中反馈信号通道仅通交流,不通直流,因而为交流反馈。若将 (a)图中电容Ce去掉,即Re不再并联旁路电容,则Re两端的压降 既有直流成分,又有交流成分,因而是交直流反馈。

《模拟电子技术》课件

《模拟电子技术》课件
《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术,具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理,即对连续变化的电压或电流信号进行处理,实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比,模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如,石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性,可以应用于高性能的电子器件中。
此外,还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中,以提高器件的性能和稳定性。
03
此外,还需要加强人才培养和技术交流,提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分,也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成,其结构简单、可靠,应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时,电流可以通过PN结,表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时,电流很难通过PN结,表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路,主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性,将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除,从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。

中南大学电路与模拟电子技术(计算机类专用) 第3章 正弦交流电路PPT课件

中南大学电路与模拟电子技术(计算机类专用) 第3章  正弦交流电路PPT课件
5.2 正弦量2 (ti)为正弦量随时间变化的核心部分,它反映了正弦量的
变化进程,称为正弦量的相角或相位。
( )就是相角随时间变化的频率,即
d (t
dt
i
)
单位:rad/s,它是反映正弦量变化快慢的要素。
、T和f三者之间的关系:
T2
2f
频率f的单位为赫芝(HZ)
1KH 1Z30HZ 1MH 1Z 60 HZ
在工程实际中,往往以频率的大小作为区分电路的标志,如高频
电路,低频电路。
5
<三> 初相角Yi
i= Imcos( t+i)
5.2 正弦量3 它是正弦量在t=0时刻的相角,即 (ti)/t 0i
单位:弧度或度 ( 0 ) 。
i 主值范围内取值
iImcost(76)Imcost(56)
Yi的大小与计时起点的选择有关。
正弦交流电路 章3第
第5章 正弦交流电路相量法
掌握相量与正弦量的关系;电阻、电容和电感元件电压和电 流的相量关系。掌握用相量法分析正弦稳态电路的方法(包 括结点法、网孔法、叠加定理和戴维宁定理),掌握正弦电 路功率计算问题。 注意:直流电路的一般分析方法和电路定理同样可用于分析
正弦稳态电路。 相量是正弦量的一种表示方法,它们之间是一一对应 关系, 而相量不等于正弦量。
A B B A e ejj B a B Aej(a b)B A(ab)
几何意义: j
B A/B
A
1
16
3.2.3 相量法的基础
一、正弦量5的.相3量相量法的基础1
欧拉公式: co sjsin ej
i 2Icost (i)Re2[Iej(ti)] Re2[Iejiejt]

模拟电子技术第三章

模拟电子技术第三章

2. 输入电阻 3. 输出电阻
Ri = Ri1
Ro = Ron
对电压放大电路的要求: 对电压放大电路的要求:Ri大, Ro小,Au的数值 最大不失真输出电压大。 大,最大不失真输出电压大。
第三章 多级放大电路
分析举例
= β ( R3 ∥ Ri2 ) Au1 rbe1 (1+β 2 ) ( R6 ∥ RL ) Au 2 = rbe2 + (1+β 2 ) ( R6 ∥ RL ) A = A A
第三章 多级放大电路
3.1 多级放大电路的耦合方式
将多个单级基本放大电路合理联接, 将多个单级基本放大电路合理联接,构成多级放大电路
组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级 一级, 组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级, 级间耦合。 级与级之间的连接称为级间耦合 级与级之间的连接称为级间耦合。 四种常见的耦合方式:
R1 R + uI
iC1 T1 Re
Rc
+VCC + uO
uB1 T2 R2
利用热敏三极管补偿零漂
(3) 采用差分放大电路。 ) 采用差分放大电路。
第三章 多级放大电路
3.3.2
差分放大电路
差分放大电路是构成多级直接耦合放大电路的基本单元电路 一、电路的组成
uO T
Re Re
T
V
差分放大电路的组成(a) 图 3.3.2差分放大电路的组成 差分放大电路的组成
选择恰当的变比,可在负载上得到尽可能大的输出功率。 选择恰当的变比,可在负载上得到尽可能大的输出功率。
第三章 多级放大电路

光电耦合
光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和 传递的,因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。 传递的,因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。

模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件

模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件

U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什 么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 )
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )

3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻, 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。

《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路

《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路

3.2 双极型晶体管
3.2.4 晶体管的共射特性曲线
2.输出特性曲线—— iC=f(uCE) IB=const
以IB为参变量的一族特性曲线
(1)当UCE=0V时,因集电极无收集
作用,IC=0;
(2)随着uCE 的增大,集电区收集电
子的能力逐渐增强,iC 随着uCE 增加而
增加;
(3)当uCE 增加到使集电结反偏电压
电压,集电结应加反向偏置电压。
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
1. 晶体管内部载流子的传输
如何保证注入的载流
子尽可能地到达集电区?
P
N
IE=IEN + IEP
IEN >> IEP
IC= ICN +ICBO
ICN= IEN – IBN
IEN>> IBN
ICN>>IBN
N
IEP
IE
3. 晶体管的电流放大系数
(1) 共基极直流电流放大系数
通常把被集电区收集的电子所形成的电流ICN 与发射极电流
IE之比称为共基电极直流电流放大系数。

I CN

IE
由于IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN,且ICN>> IBN,ICN>>IEP。通常ത
的值小于1,但≈1,一般

为0.9-0.99。

3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
3. 晶体管的电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数
I C I CN I CBO I E I CBO ( I C I B ) I CBO

模拟电子技术基础 3.3差分放大电路PPT课件

模拟电子技术基础 3.3差分放大电路PPT课件
uod = 2ic1RL
ic2 = ic1
而(对镜像源):
二、双端变单端的转换电路
对共模信号:
ic4 = ic3 ≈ ic1
iL = ic4 – ic2 = 0
uoc = 0
ic2 = ic1

具有双端输出的效果!
3.3.4 差分放大电路的差模传输特性
O
ui
iC
iC1
iC2
I0
UT
-UT
4UT
采用 V3 管代替 R
4 FET管电流源
I0 = IREF
2、有源负载
以电流源取代电阻作放大电路的负载。
优点:既提高了电压放大倍数,又设置了合适的工作点。
一、电流源与有源负载
二、具有电流源的差分放大电路
二、具有电流源的差分放大电路
CMOS差分放大电路
V1、V2构成差放, V3、V4构成电流源作有源负载, V5、V6 、V7构成电流源提供偏置。
第3章 放大电路基础
3.1 放大电路的基础知识 3.2 基本组态放大电路 3.3 差分放大电路 3.4 互补对称功率放大电路 3.5 多级放大器
3.3 差分放大电路
3.3.1 基本差分放大电路
3.3.2 电流源与具有电流源的差分放大电路
3.3.3 差分放大电路的输入、输出方式
差分放大电路又称差动放大电路,简称差放,具有输出电压近似与两个输入电压之差成正比的特性,是集成运放中重要的基本单元电路。
3.3.3 差分放大电路的差模传输特性及应用
一、电路组成及静态分析
一般
3.3.1 基本差分放大电路
结构特点: 1 两个输入端,两个输出端; 2 电路结构和元件参数对称; 3 双电源供电; 4 RE是公共发射极电阻。

模拟电子技术第三章 场效应三极管

模拟电子技术第三章 场效应三极管
+
d g s
源 极
上页 下页 首页
栅 极
N沟道结型场效应管的结构和符号
3
s
2. 工作原理
⑴ 当uDS = 0 时, uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。
ID=0 ID=0
d
P+
d
N 型 沟 道
P+ P+
d
P+ P+ P+
g
g
N 型 沟 道
g
s uGS = 0
s uGS < 0
4
预夹断轨迹
恒流区
IDO O
UGS(th) 2UGS(th) uGS/V
O
截止区
uDS/V
转移特性曲线可近似用以下公式表示:
iD I DO ( uGS U GS(th) )
2
当uGS ≥ UGS(th)时
12
上页
下页
首页
2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子,
使uGS = 0 时,
形成一个N型导电沟道。
又称之为反型层 开启电压,用uGS(th)表示
导电沟道随uGS 增大而增宽。
10
B uGS > UGS(th)时 形成导电沟道
上页 下页 首页
uDS对导电沟道的影响
uGS为某一个大于UGS(th)的固定值, 在漏极和源极之间加正电压,且 s uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生,
在制造时就具有 原始导电沟道
31
3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th):是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off): 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS: MOS管的参数

电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)

电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)

du(t ) p(t ) = u (t )i (t ) = Cu(t ) dt
(3―6)
对上式从-∞到 进行积分 可得t时刻电容上的储能为 进行积分, 对上式从 到t进行积分,可得 时刻电容上的储能为 计算过程中认为u(-∞)=0。 。 计算过程中认为
ωC (t ) = ∫
t
−∞
p (ξ )d ξ
(3-7)
1 1 1 = + C C1 C2
或写为
C1C2 C= C1 + C2
(3―18)
上式中C为电容 相串联时的等效电容。由式(3―17)画出 上式中 为电容C1与C2相串联时的等效电容。由式 为电容 画出 其等效电路如图3.6(b)所示。同理可得,若有 个电容 k(k=1,2,…,n) 所示。同理可得,若有n个电容 个电容C 其等效电路如图 所示 相串联, 相串联,其等效电容为
第3章 动态电路分析
电容元件及电容电流波形分别如图3.2( )、 例3-1 电容元件及电容电流波形分别如图 (a)、 (b)所示,已知 )所示,已知u(0)=0,试求 ,试求t=1s、t=2s、t=4s时的电 、 、 时的电 容电压u以及 以及t=2s时电容的储能。 时电容的储能。 容电压 以及 时电容的储能
第3章 动态电路分析
电感串并联: 电感串并联:
是电感L 相串联的电路, 图 3.8(a)是电感 1 与 L2 相串联的电路 , 流过两电感的电流是同一电 是电感 的微分形式和KVL,有 流i。根据电感 。根据电感VAR的微分形式和 的微分形式和 ,
L = L1 + L2
(3―25)
称为电感L1与 L2串联时的等效 称为电感 与 串联时的等效 电感。 由式(3―26)画出相应的等效 电感 。 由式 画出相应的等效 电路如图3.8(b)所示 。 同理 , 若有 所示。 同理, 若有n 电路如图 所示 个 电感 Lk(k=1,2,…,n) 相 串联 , 可 推 导其等效电感为

3杨素行__第三版_模拟电子技术基础简明教程课件_第3章46页PPT

3杨素行__第三版_模拟电子技术基础简明教程课件_第3章46页PPT
第三章 放大电路的频率响应
3.1 频率响应的一般概念
由于放大电路中存在电抗性元件,所以电路的放大倍 数为频率的函数,这种关系称为频率响应或频率特性。
3.1.1 幅频特性和相频特性
电压放大倍数的幅值和相角都是频率的函数。 即
A uA u(f)(f)
Au( f ):幅频特性
( f ):相频特性
第三章 放大电路的频率响应 典型的单管共射放大电路的幅频特性和相频特性 Aum Au
3.2 三极管的频率参数
三极管
0 1 j f f
0 :低频共射电流放大系数;
f :为
值下降至
1 2
0
时的频率。
0
1 f

2
-arctafn f
f
第三章 放大电路的频率响应
2l0g 2l0g 0-2l0g1 ff 2
对数幅频特性
20lg / dB
20lg 0
-20dB/十倍频
O
对数相频特性
第三章 放大电路的频率响应
一、RC 高通电路的波特图
Au
UO Ui
R
R
1 j C
+
Ui
1
1 1
j RC
_ 图 3.1.2
C
+
R
UO
_
RC 高通电路
令: fL21 RC 21L
Au 1
1 1
jL
1 1-j fL f
模:A u
1
1
fL f
2
相角: arct(afLn)
f
第三章 放大电路的频率响应
值下降为低频 0 时 的 0.707 时的频率。
1
0
j

模拟电子技术基础简明教程(第三版)第三章

模拟电子技术基础简明教程(第三版)第三章
O φ 00 900 1800 -2700 单管共射放大电路的频率特性 上页 下页 首页 fL |Au | Aum
0.707A 0.707Aum BW fH
f
A = Au ( f )∠( f ) u
A (f) u
f
幅频特性 相频特性
( f )
二, 下限频率,上限频率和通频带
|Au |
Aum :称为中频电压放大倍数 fL :称为下限频率
第三章 放大电路的频率响应
第一节 频率响应的一般概念
幅频特性和相频特性 下限频率, 下限频率,上限频率和通频带 频率失真 波特图 高通电路和低通电路
1
下页 总目录
一, 幅频特性和相频特性
由于电抗性元件的作用, 由于电抗性元件的作用, 使正弦波信号通过放大电路时, 使正弦波信号通过放大电路时, 不仅信号的幅度得到放大, 不仅信号的幅度得到放大, 而且还将产生一个相位移. 而且还将产生一个相位移. 此时,电压放大倍数可表示如下: 此时,电压放大倍数可表示如下:
A = u
1 1 = 1+ jωτH 1+ j f
fH
上页 下页 首页
= 20lg 1+ ( f f )2 20lg Au H
= arctg( f fH )
20lg|A 20lg|Au |/dB
最大误差 3 dB φ 0.1fH 0.1f fH 10fH 10f f 0 -450 20dB/十倍频 20dB/十倍频
EQ
β
β
IEQ
Cbc可查到
上页 下页 首页
应用密勒定理将电路简化 将Cbc分别等效到输入回路和输出回路. 分别等效到输入回路和输出回路.
b + Ube e 简化的混合П型等效电路 rb e C gmUbe rb b U b e b c + K-1 C b c K Uce -
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。


H

则可以方便的画出放大电路的频率特性图。
对数幅频特性:在
f到 L
f H
之间,20lg A us
20lg A usm
是一条水平直线;在 f f 时,是一条斜率为 L
+20dB/十倍频程的直线;在
f

f 时,是一 H
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
条斜率为+20dB/十倍频程的直线;在
2)画出相应的波特图。
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
例2:已知某放大电路波特图为: 1)求解Aum、fL、fH; 2)写出放大倍数的表 达式。
中南大学信息科学与工程学院
3.5 共模射放拟大电电路子的频技率响术应的改善与增益带宽积
1. 对放大电路频率响应的要求
要实现不失真(幅值失真与相位失真)放大,希 望fL要小于信号频率的最低频分量,fH要高于信 号频率的最高频分量。
20lg|Au| = -20lg f / fH
-90
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
2. 频率特性的波特图
A•u
1 1 ( f / fH )2
|A•u |
1 0.707
20lg|A• u |/dB
- arctan f / fH
0.1 1 10 100
0 –20
f / fH – 3 dB
L ,由图可知: L Rc RLC ,其中, fL 1 2 L
而同样,上限截止频率取决于高频时输入回路的
时间常数 ;由图可知: RC ,
H
H

中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
其中
f 1 2
H
H
因此,只要能正确的画出低频段和高频段的交流等
效电路,算出输入回路的时间常数 L
R R L 2 ( )C
c
L
A A
ush
usm
1
f
1 j L
f
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
5.完整的单管共射放大电路的频率特性
将前面画出的单管共射放大电路频率特性的中频段 、 低频段和高频段画在同一张图上就得到了如图所示 的完整的频率特性(波特)图。
实际上,同时也可得出单管共
fH

1 2RC

1 2 3.14 0.5 k 0.01 F 31.8 (kHz)
例 : 已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz,求电容 C。
500 C 2 k
1
C
2fL R
1

2 3.14 300 Hz 2500
0.212 (F)
中南大学信息科学与工程学院
f

f 时, H
是一条斜率为-20dB/十倍频程的直线。放大电路
的通频带 f f - f 。
BW
H
L
相频特性:在 10 f f 0.1 f 时, -180 ;
L
H

f 0.1 f L
在 f 10 f H
时, -90 ;
时, -270 ;
中南大学信息科学与工程学院
1. 频率特性的描述
•R

Ui
C Uo

Au

U• o U• i

1 / j C R 1 / j C

1
1
j RC
1 1 j f
fH
令 1/RC = H, τ=RC
则 fH = 1/2RC
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
|A• u |
1 0.70 7
O

O –45 –90
i
b
bb'
b'e
b
be
L
c
L
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
3. 高频电压放大倍数
C 视为短路, 仅考虑C’π 的影响
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
R r r R R U r r R //( // ) ,
r U r R R U b'e
bb'
s
b
b'e b'e
模 拟电子技术
2. 中频段电压放大倍数
中频段,C可视为 短路,极间电容可 视为开路。
-180
A usm

U U
o s

U o U b'e

U b'e U i
UU
i s

-
g m
RL

r b 'e rbe

Ri Ri Rs
R R r r R r R R R //( ) // , //
i
s
i

s
be
be
i
s
1
A ush

U o U s

U o U b'e

U U
b'e
s

U s U s

-
g m
RL
Ri
j C
1
j C

r b 'e rbe

Ri Ri Rs

A usm 1
1
jR C

f
H

1
2R C
A A ush
0

fH
0 –45
–90
频率特性
f –40

f0
–45
fH
0.1 1 10
–90
波特图
– 20 dB/十倍频 f / fH
– 45/十倍频
波特图的优点:能够扩大频率的表达范围,并使作图方法得到简化
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
3.2.2 RC 高通电路的频率响应

Au

U o U i


c
0b
m b'e
b 'e
b b'e
g I 所以 0 EQ
r U m
b'e
T
C C
(从手册中可查到)
ob
f c f 由
0 计算 , 为特征频率(查手册)
T 2

T
r cb'e
c c c c (1 K )c
,
U K ce U b'e
幅频特性
fH f f
相频特性
A•u
1 1 ( f / fH )2
-arctan f / fH
滞后
f 0 时,

Au
1 ; 0
f fH 时,Au•
1 0.707; -45
2
f fH 时,Au• 0 ; -90
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
第3章 放大电路的频率响应
3.1 概述 3.2 RC电路的频率响应 3.3 晶体管的高频等效模型 3.4 共射放大电路的频率响应 3.5 放大电路的增益带宽积 小结
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
3.1 概述
1.幅频特性和相频特性
Au Au ( f )( f )
Aum 0.707Aum
模 拟电子技术
3.3 晶体管的高频等效模型
3.3.1 晶体管的混合 型的建立
PN结结电容的影响: 在低频和中频情况下,信号频率较低,晶体管的PN结极间 电容的容抗很大,而结电容很小,两者并联时,可以忽略 极间电容的作用;而在高频情况下,晶体管的极间电容的 容抗变小,与其结电阻相比,影响就不能被忽略了。
2. 放大电路频率响应的改善
为了改善低频响应,就要减小fL(如:采用直接 耦合);为了改善高频响应就要增大fH(fH增大, Ausm必然减小,两者矛盾)。
3. 放大电路的增益带宽积
A f A f
1
常数
r usm
BW
usm H 2 ( )
20lg|Au| = 20lg0.707 = -3 dB 45
f 0.1 fL 20lg|Au| = -20lg f / fH
90
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
例 : 求已知一阶低通电路的上限截止频率。
1 k
戴维南定理等效
1 k
0.01 F
1//1 k 0.01 F
模 拟电子技术
3.3.3 混合 模型的主要参数
混合 模型主要参数的计算依据:混合 模型与h参数模型 在低频时是等效的。
低频等效电路 中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
混合 模型的主要参数:
r r r
be
bb'
b'e
r U (1 ) T
b 'e
0
I EQ
I I g U U I r
射电路完整的电压放大倍数表
达式, 即
Aus Ausm 1 j f
j f fL
fL 1 j f
fH
共射电路完整波特图
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
由上图可看出,画单管共射 放大电路的频率特性
时,关键在于算出下限和上限截止频率fL和fH。 下限截止频率取决于电容C所在回路的时间常数
模 拟电子技术
而在f从 到 以及从 到 的范围内, 相频特性都是斜率为 - 45 /十倍频程的直线。 前面已经指出在画波特图时,用折线代替实际 的曲线是有一定误差的。对数幅频特性的最大
相关文档
最新文档