模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
1半导体二极管自我检测题一. 选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体, 掺入杂质后称杂质半导体。
若掺入五价杂质, 其多数载流子是电子。
2. 在本征半导体中, 空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中, 空穴浓度B 电子浓度；在P型半导体中, 空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于, B．小于, C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决..，而少数载流子的浓度..关系十分密切。
（A. 温度, B. 掺杂工艺, C. 杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽. . ；当PN结外加反向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽.. .（A. 大于, B. 小于, C. 等于, D. 变宽, E. 变窄, F不变）5. 二极管实际就是一个PN结, PN结具有单向导电性, 即处于正向偏置时, 处于导通状态；反向偏置时, 处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_.，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A. 0.1～0.3V, B. 0.6～0.8V, C. 小于, D. 大于）7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度.T1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时，该二极管的死区电压. 0..伏，反向击穿电压. 16. 伏，反向电流.10-. 安培。
温度T.小..25℃。
（大于、小于、等于）图选择题78. PN结的特性方程是。
普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
二. 判断题（正确的在括号内画√, 错误的画×）1. N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）2. 在P型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（√）3．P型半导体带正电, N型半导体带负电。
（×）4. PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题（1）A C （2）A （3）C （4）A不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。
u i 和u o 的波形如图所示。
ttttu i和u o的波形如图所示。
u o的波形如图所示。
I D＝（V－U D）/R＝，r D≈U T/I D＝10Ω，I d＝U i/r D≈1mA。
（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
I ZM＝P ZM/U Z＝25mA，R＝U Z/I DZ＝～Ω。
（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
先假设所有二极管都截止,瞧哪个二极管得正偏电压高,先导通。
(a)图中,
所以,D2先导通,导通后VO＝3-0、7=2、3V,D1截止。
(b)图中,
所以,D2D4先导通,则,D1截止,
VO＝－1、4V
1、8设图题1、8中二极管得导通压降为0、7V,求二极管上流过得电流ID得值。
图题1、8
解:将二极管以外得电路进行戴维宁等效
所以
1、9已知图题1、9电路中稳压管DZ1与DZ2得稳定电压分别为5V与9V,求电压VO得值。
图题1、9
解:(a)图中DZ1、DZ2均工作于稳压状态,
(b)DZ1工作于稳压状态,DZ2工作于反向截止区,所以DZ2支路得电流近似为零,
1、10已知图题1、10所示电路中,,稳压管DZ1、DZ2得稳定电压分别为5V、3V,正向导通压降均为0、7V。试画出vO得波形。
6、普通小功率硅二极管得正向导通压降约为_B,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管得正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。
(A.0、1～0、3V,B.0、6～0、8V,C.小于,D.大于)
7、已知某二极管在温度为25℃时得伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为T1时得伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管得死区电压为0、5伏,反向击穿电压为160伏,反向电流为10-6安培。温度T1小于25℃。(大于、小于、等于)
图选择题7
8.PN结得特性方程就是。普通二极管工作在特性曲线得正向区;稳压管工作在特性曲线得反向击穿区。
二.判断题(正确得在括号内画√,错误得画×)
1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。(×)
2.在P型半导体中,掺入高浓度得五价磷元素可以改型为N型半导体。(√)
模拟电子技术基础-第一章课后习题详解
习题1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω故动态电流有效值I d＝U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
模拟电子技术基础第一章答案
1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。
解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ；当i 3.7u <V 时，D 2导通，将u o 钳位在-3.7V ； 当i 3.7 3.7V u -<<V 时，D 1、D 2均截止，u o = u i 。
1.4电路如图所示，二极管导通电压U D =0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管中的直流电流为D D ()/ 2.6I V U R mV =-=其动态电阻r D ≈U T /I D =10Ω。
故动态电流有效值为I D =U i /r D ≈1mA 。
1.6已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，最小稳定电流I Zmin =5mA ，最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；(2)若U I =35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：（1）稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为Imin Z L Zmin Z(/)(6/0.55)1623V U U R I R U =++=+⨯+=Imax Z L Zmax Z(/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+⨯+=故23V<U i <43V 。
因此，U I 为10V 和15V 时稳压管未工作在稳压状态下。
所以I LO 10V I L | 3.33VU R U U R R ===+I LO 15V I L|5VU R U U R R ===+U I 为35V 时稳压管工作在稳压状态下，所以I O 35V Z |6V U U U ===（2）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻中的电流，即Z D I Z Zmax ()/29I U U R mA I =-=>稳压管将因功耗过大而损坏。
电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案
1第1章直流电路习题解答1.1求图 1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解（吸收）；（吸收）W 5.45.131P W 5.15.032P （产生）；（吸收）；W 15353P W 5154P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
W 4225P 1.2 求图 1.2中的电流、电压及电压源和电流源的功率。
I U 图1.2 习题1.2电路图解；A 2IV 13335IIU电流源功率：（产生），即电流源产生功率。
W 2621U P 6W 2电压源功率：（产生），即电压源产生功率。
W 632IP W 61.3 求图1.3电路中的电流、及。
1I 2I 3I 图1.3 习题1.3电路图2解;A 1231I A1322I 由、和构成的闭合面求得：1R 2R 3R A1223I I 1.4 试求图 1.4所示电路的。
ab U 图1.4 习题1.4电路图解V8.13966518abU 1.5求图1.5中的及。
I S U 图1.5 习题1.5电路图解A7152)32(232I V221021425)32(22SIU 1.6试求图 1.6中的、、及。
I X I U X U 图1.6 习题1.6电路图解；;A 213I A 31XI I V155XI UV253245XXI U31.7 电路如图 1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻。
R 图1.7 习题1.7电路图解(1) 1046418666661866666abR (2)712432383R1.8电路如图 1.8所示：（1）求图(a)中的电压和；（2）求图(b)中V 2U时的S U U 电压。
S U 图1.8 习题1.8电路图解（a ）;V 8.10546)54(63S U V8.48.10544U （b ） S S111244U U U即 ;求得22132S SU U V12S U 1.9滑线电阻分压器电路如图 1.9(a)所示，已知，额定电流为，外加500RA 8.1电压，，求（1）输出电压；（2）如果误将内阻为，最大量程为V 5001001R o U .50的电流表连接在输出端口，如图(b)所示，将发生什么结果？A 24图1.9 习题1.9电路图解（1）V4005005001005001URR R U (2）设电流表内阻为，流过电流表的电流为（方向各下），则总电流A R A I A975.45.04005.0400100500A 1A 11R R R R R R R U IA969.4975.45.0400400A11AIR R RR R I 由于的滑线电阻额定电流，的电流表量程，故设备被损坏。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u Ai U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解：①直流负载线方程为：()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术第一章习题答案
模拟电子技术第一章习题答案一、填空题1.增大、增大、下2.浓度差异、电场3.五、三4.自由电子、空穴、空穴、自由电子5. N、自由电子、空穴6.本征半导体、杂质半导体7.高于8.正偏、反偏、单向导电性9.电击穿、热击穿10.高、低、单向导电11.限流电阻12.点接触、面接触13.减小、增大14.大、小15.反向击穿16.正向电流、反向电流17.电、光、正向18.光、电、反向19.反向击穿区、反向击穿区20.阻碍、促进二、单项选择题1.C2.D3.D4.C5.B6.A7.B8.B9.A10.C三、判定题1.错误2.错误3.错误4.正确5.错误四、运算分析题1.对〔a〕图，u I > 4V时稳压管稳压，u O1 = u I– 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O1 = 0。
对〔b〕图，u I > 4V时稳压管稳压，u O2 = 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O2 = u I。
波形图如下：2. 〔1〕开关S 闭合时发光二极管才能发光。
〔2〕R 的取值范畴Ω=-=-=26715)15(max min mAV I U V R D D DD Ω=-=-=8005)15(min max mA V I U V R D D DD 运算的最后结果：Ω≤≤Ω800267R3. 稳压管的最大稳固电流为mA VmW U P I Z ZM ZM 256150=== 稳压管正常工作时要求ZM DZ Z I I I ≤≤min ，因此mA RV mA 25)612(5≤-≤ 求得Ω≤≤Ωk R k 2.124.0。
运算的最后结果：Ω≤≤Ωk R k 2.124.04. 〔1〕当开关S 闭合时，Z DZ U V V U <≈+⨯=8.5725230，因此稳压管截止。
电压表读数U V =8.57V ，而 mA k V I I A A 4.29)25(3021=Ω+==〔2〕当开关S 断开时，I A2 = 0，稳压管能工作于稳压区，故得电压表读数U V =12V ，A 1读数为mA k V I A 3.65)1230(1=Ω-= 运算的最后结果：〔1〕U V = 8.57V ，I A1 = I A2 = 4.29mA〔2〕U V = 12V ，I A1 = 3.6mA ，I A2 = 0mA5. 〔a 〕第一假定稳压管断开，求得U PN = -8V ，绝对值大于U Z 值，因此能够工作于反向击穿区。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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（√）
3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）
4．PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（√）
5．由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 （ × ）
6．PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性，又描写了 PN 结的反向击穿特性。
解：
图题 1.1
（a）图中，vi>0 时，二极管截止，vo=0；vi<0 时，二极管导通，vo= vi。
（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。
（c）图中，二极管截止，vo=0。
1.2 求图题 1.2 所示电路中流过二极管的电流 ID 和 A 点对地电压 VA。设二极管的正向
导通电压为 0.7V。
图题 1.5 解： （a）图中，D 导通， I (12 0.7) 3R 11.3 3R
V1＝0.7+V2=8.23V （b）D 截止，I=0，V1＝12V， V2＝0V 1.6 忽略图题 1.6 中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。
图题 1.6 解：先将 D 断开，计算 A、B 点对地电压
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1 半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入
五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度 B 电子
图题 1.7
解：
先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。
（a）图中，VD1 0 (6) 6V 所以， D2 先导通，导通后 VO＝3-0.7=2.3V，VD1 0 2.3 2.3V
（b）图中，VD1 5 (6) 1V
D1 截止。
所以，D2D4 先导通，则VD1 5 (2.1) 2.9V ，D1 截止，
浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A．大于，B．小于，C．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关
系十分密切。 （A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度） 4. 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当 PN 结外加反
向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个 PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于
导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二
（×）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在
正向导通状态（×）。
习题
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1.1 图题 1.1 各电路中，vi 5Sinωt(V) ，忽略 D 的导通压降和死区电压，画出各电路相应 的输出电压波形。
（a） VA
(
2
3
3
20 1 ) 1 4
10V
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VA VB ，所以 D1 导通
（b）
VA
(10
2
2
3
15 4 ) 1 4
8V
VA VB ，所以 D2 截止 1.7 设图题 1.7 中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出 Vo 的值。
图题1.2
解：（a）VA 6 0.7 5.3V
（b） 10 VA VA (6) VA 0.7
R1
R2
R3
得VA 4.96V
1.33电路如图题1.3所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝0.2V，正向导通压降为
0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电
流I1和I2。
图题1.3
解：由于 D1 的死区电压小于 D2 的死区电压，应该 D1 先导通。设 D1 通、D2 截止，此
时
D2 两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V 小于 D2 的开启电压，所以 D2 截止，因此
I2＝0 1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA，反向击穿电压为 30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电 路的电流I。
VO＝－1.4V
1.8 设图题 1.8 中二极管的导通压降为 0.7V，求二极管上流过的电流 ID 的值。
图题 1.8
解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效
极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于 1μ A ，D．大于 1μ A ）
7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图选择题 7 中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性如图中虚线所示。在 25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电压 为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度 T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
图选择题 7
v
8．PN 结的特性方程是 i I S (eVT 1) 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳
压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）
2．在 P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为 N 型半导体。
图题1.4
解： （a）图中，两个二极管导通， I 10 5 2mA
（b）图中，由于 D2 反向截止，所以电流为反向饱和电流 10μA。 （c）图中，D2 反向击穿，保持击穿电压 30V，所以 I (40 30) 5 2mA （d）图中，D1 导通， I 40 5 8mA
1.5 试确定图题 1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压 V1 和 V2 的值（设 二极管正向导通电压为 0.7V）