TFT LCD黄光制程介绍
TFTLCD黄光制程介绍资料
K: constant λ: wavelength
TFT-LCD exposure equipment Resolution ~3um
NA: numerical aperture
Exposure Introduction
IVO
Info Vision
Illumination System
光源: 8千瓦超高压水银灯,2只 Lamp:Standard type--750小时,Long type--1000小时 波长: exposure----340nm~460nm [g/h/i line,436nm/405nm/365nm]
alignment---536nm~600nm [d/e line,578nm/546nm] 强度:
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
The structure of E-UV chamber
2021/10/15
Cleaner introduction
The measurement of contact angle
感光剂
PR内的光敏成分,对光形式的辐射能,特别是紫外区, 会发生光化学反映。
2021/10/15
Coater introduction
IVO
Info Vision
溶剂
使PR保持液体状态,对PR的化学性质 几乎没有影响
添加剂
专有化学品,用来控制和改变PR材料的特定化学 性质或光响应特性,包括控制PR反射率的染色剂
Exposure
PR coating
Develop 2021/10/15
tft lcd工艺流程
tft lcd工艺流程
《tft lcd工艺流程》
随着科技的不断发展,液晶显示技术已经成为了人们生活中不可或缺的一部分。
其中,tft lcd(薄膜晶体管液晶显示器)作
为一种高清、高亮度、高对比度的液晶显示器,具有广泛的应用领域,从电子产品到工业控制系统都有涉及。
tft lcd的制造过程需要经历多道工艺流程,才能最终制成成品。
首先是基板的制备,通常采用玻璃基板或薄膜基板,然后进行清洗、切割和化学处理等工艺。
接下来是光刻工艺,通过光刻胶和光刻机在基板上形成轮廓清晰的电路图案。
然后是薄膜沉积,将金属膜和绝缘膜层层叠加在基板上,形成液晶显示的亮度、对比度和反应速度。
再接下来是涂覆液晶层,将液晶充填在两块玻璃基板之间,并进行密封。
最后是组装、测试和包装,将tft lcd组装成成品后经过严格的测试,然后包装出厂。
整个tft lcd的制造过程需要高精度的设备和技术,如光刻机、
薄膜沉积设备、液晶填充机等。
同时还需要严格的质量控制和环境要求,以保证生产出高质量的tft lcd产品。
总的来说,tft lcd工艺流程是一个复杂的、精密的制造过程,
需要各种技术和设备的紧密配合,才能最终生产出优质的tft lcd产品。
随着科技的发展,tft lcd的工艺流程将会不断完善和提升,以满足不断增长的市场需求。
触控面板黄光制程工艺全解
触控面板黄光制程工艺全解触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解发布时间:2014-8-22作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺,黄光制程一直备受关注。
技术发展到今天,已经拥有非常完善的工艺。
本文将从黄光制程的步骤入手,全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。
1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。
(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。
word编辑版.清洗机制程参数设定十槽清洗机PRC.℃,浸泡时间为5,温度为60±1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N 温1.0N~1.6N,n. KOH溶度为/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/2~3min磨刷传动速度为3.0~4.5m/min,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,5度为40±℃,℃,干燥5±0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40转速为85~95rpm,压力为℃。
110℃±10机1.2.3段温度为溶KOH注:玻璃清洗洁净度不够之改改善对策,适当加入少许,溶液,经常擦拭风切口,喷洗等处,亦可调态清洗KOH液,改变速度,将传速度减慢。
机传动2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的,综合性的精密表面加工技术。
tft lcd生产工艺流程
tft lcd生产工艺流程TFT LCD(Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display)是一种采用薄膜晶体管技术制作的液晶显示器。
下面是关于TFTLCD生产工艺流程的简要介绍。
第一步:基板准备TFT LCD的制造过程首先需要准备好基板。
常见的基板材料有玻璃和塑料,通常使用的是玻璃基板。
基板会经过清洗和表面处理等步骤,确保其表面干净平整。
第二步:背板制备接下来需要制作液晶显示器的背板。
背板通常是由非晶硅等材料制成,分为多个层次,包括玻璃、金属层和透明导电层等。
这些层次通过物理沉积和化学气相沉积等方法形成。
第三步:薄膜晶体管制备在背板上制作薄膜晶体管(TFT)是制造TFT LCD的关键步骤。
首先,在背板上涂覆一层非晶硅薄膜,然后使用光刻技术将其进行精确刻画。
接着,通过光刻和铜蒸发等技术制作导线,形成TFT电路。
最后,使用激光修复技术进行检查和维修。
第四步:液晶贴合液晶贴合是将液晶层与TFT基板粘接在一起的过程。
首先,将液晶层通过喷洒、滚压或涂覆等方式涂覆在TFT基板上,然后使用蒸发技术制备对齐膜。
接着,将液晶层和TFT基板对齐,然后进行加热和压力处理,使其牢固贴合在一起。
第五步:封装在液晶贴合完成后,需要对TFT LCD进行封装。
这涉及将TFT LCD置于玻璃基板之间,形成密封结构。
然后将结构封装在金属或塑料外壳中,以保护内部结构。
第六步:测试和检验生产完毕后,对TFT LCD进行测试和检验是确保质量的关键步骤。
这包括对液晶显示器的像素、亮度、对比度和色彩等方面进行检测,并进行修复或调整。
总结:以上是TFT LCD生产工艺流程的简要介绍。
整个制造过程包括基板准备、背板制备、薄膜晶体管制备、液晶贴合、封装和测试等步骤。
每个步骤都需要高度的精确度和技术要求,以确保TFT LCD的质量和性能。
TFT-LCD面板制作流程图解
•何谓TFT-LCD?TFT-LCD 即是Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display的缩写(薄膜电晶体液晶显示器)TFT-LCD如何点亮?简单说,TFT-LCD面板可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶,上层的玻璃基板是与彩色滤光片(Color Fi lte r) 结合,而下层的玻璃则有电晶体镶嵌于上。
当电流通过电晶体产生电场变化,造成液晶分子偏转,借以改变光线的偏极性,再利用偏光片决定画素(Pixel)的明暗状态。
此外,上层玻璃因与彩色滤光片贴合,形成每个画素(Pixel)各包含红蓝绿三颜色,这些发出红蓝绿色彩的画素便构成了面板上的影像画面。
TFT-LCD的三段主要的制程:前段Array前段的Array 制程与半导体制程相似,但不同的是将薄膜电晶体制作于玻璃上,而非矽晶圆上。
中段Cell中段的Cell ,是以前段Array的玻璃为基板,与彩色滤光片的玻璃基板结合,并在两片玻璃基板间灌入液晶(LC)。
后段Module Assembly (模组组装)后段模组组装制程是将Cell制程后的玻璃与其他如背光板、电路、外框等多种零组件组装的生产作业。
TFT-LCD面板制作流程薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)模块薄膜晶体管液晶显示器模块•TFT-LCD:三明治的构造液晶显示器的构造如同三明治一般,将液晶夹在两片玻璃基板之间,这两片玻璃基板就是TFT Array玻璃与彩色滤光片。
TFT Array玻璃上面有无数的画素(pixel)排列,彩色滤光片则是画面颜色的来源,液晶便夹在TFT Array以及彩色滤光片之间。
当电压施于TFT(晶体管)时,液晶转向,光线便穿过液晶在面板上产生一个画素,而此光源则是由背光模块负责提供。
此时,彩色滤光片给予每一个画素特定的颜色。
结合每一个不同颜色的画素所呈现出的,就是面板前端的影像。
TFT-LCD:三明治的构造经过300道以上的制程产生TFT-LCD必须在精密的无尘室内,经过300道以上的制程生产出来。
TFT制程简介
47“ TOP MON:450A A1:2500A BOTTOM MON:250A TOP MON:450A A1:2000A BOTTOM MON:250A
M2沉积
A1
BOTTOM MON
A
B
A
B
3375
TOP MON
47“ TOP MON:450A A1:2500A BOTTOM MON:250A TOP MON:450A A1:2000A 光阻厚度:15800A 上光阻 BOTTOM MON:250A 光阻
AOIH : Auto Optical Inspection High Resolution AOIL : Auto Optical Inspection Low Resolution ADSI : After Develop/Strip inspection SUFS : Surface Scan SUFP : Surface Profile NANO : NANO meter ELIP : Ellipsometer
G-I-N MoN/AL/MoN
PASSIVATION
ITO
TFT循环制程图解
镀下 层膜 去光阻液 stripper 去光阻 蚀刻(etch) 镀膜(sputter,cvd) 酸, 气体
光罩(reticle)
显影 液
上光阻(coater)
对准,曝光(stepper)
显影(developer)
TFT 制程简介(第一层)
目前 TFT 1100至5880流程
1850 1800 1400 1300 1200 1106 1150 1100 AOIH/AOIL STRP WETX03 TLCD05 MTSP04 WETX05/07 SUFS ICLN02 量測/檢測機台 WET 機台 SHIBAURA機台 2800 2400 2350 2300 2305 2250 2200 2100 STRP05 DRYP02 AOIH TLCD03 STRP03 AOIL CVDB02 PCLN01 3930 3970 3940 3900 3400 3300 3200 3100 5880 5800 NANO01 5400 ADSI07 5405 STRP07 5300 DRYT06 5200 WETX01 4400 TLCD06 4370 MTSP05 4210 PCLN01 4200 DRY機台 其它部門的機台
TFT—LCD制程简介
•
总结以上参考13
液晶面板之製作過程
• 完成了薄膜電晶體玻璃基板後,就要進行 液晶面板的組合。液晶面板是由電晶體玻 璃基板與彩色濾光片組合而成,首先要將 玻璃洗乾淨,再進行下一個步驟。
電晶體玻璃與彩色濾光片配向。
• 在整個組合的過程中,首先要為佈滿電晶 體的玻璃和彩色濾光片塗上一層化學薄膜, 然後再進行配向的動作。
•
12
参考6页
薄膜电晶体玻璃基板怎么做?
• 要形成可用的薄膜電晶體,需要: • 重复清洗 镀膜 上光阻 曝光 • 去光阻 蚀刻 投影 一般來說,要製造TFT-LCD就要重覆五到七 次。
13
薄膜電晶體玻璃基板怎麼做?(1)
• 一片表面平滑,沒有任何雜質的玻璃,是 製造薄膜電晶體玻璃基板最主要的原料。 在製作之前,要用特殊的洗淨液,將玻璃 洗的乾乾淨淨,然後脫水、甩乾。
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TFT-LCD的三段主要制程
• 一、 前段Array (阵列制程) -前段的 Array 制程是将薄电晶体制作于玻璃上。 • 中段Cell (组立制程) -中段的Cell 製程,是以前段Array的玻璃為基板, 與彩色濾光片的玻璃基板結合,並在兩片玻璃 基板間灌入液晶(LC) • 後段Module Assembly (模组制程) - 后段模组组装製程是將Cell製程後的玻璃與其 他如背光板、電路、外框等多種零組件組裝的 生產作業。
TFT-LCD制程简介
1
目 录
•
一、什么是TFT—LCD
• • • • •
二、结构介绍 三、 TFT-LCD点亮原理 四、供应商和基板尺寸 五、制造流程 六、应用范围一、TFT-LCD 是薄膜电晶体液晶显示器。
TFT是薄膜电晶体 LCD是液晶显示器
TFT-LCD原理及制程简介--五道光罩
Channel(通道)
(i)a-Si:H
通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si:H
Source/Drain 電極 Cr
Contact hole
SiNx
畫素電極
ITO
19
Mask 1:GE (Gate電極形成)
A
A
A’
1. 受入洗淨
A’
芝蒲
2. 濺鍍Cr (4000A)
ULVAC
3. 成膜前洗淨
島田理化/芝蒲
DNS 島田理化 ORBOTEC 田葉井
TFT元件製程結束 , 後流至ARRAY TESTER
24
靜電保護:避免因Gate與Source電極的電壓差,而對TFT產生
不良的影響,達到靜電保護的目的。
Source Driver
Gate Driver
Source 線 或 Gate 線
尖 端 放 電
Short Ring
41325.. CGSPDEH製製程程
玻璃基板
ITO層:1000Å
半導體層(a-Si):1500Å
歐姆接觸層(n+ a-Si):300Å
閘極(Gate):4000Å
閘極絕緣層 (SiNx):3000Å+1000Å
保護層(SiNx):3000Å
汲極金屬層(Drain):4000Å
源極金屬層(Source):4000Å
3.一般RON與ROFF電阻比至少約為105以上。
7
認識 TFT
D
S
D
SD
S
G
G
G
1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。 3.為何要採 Inverted Staggered 之結構?
TFT-LCD原理及制程简介--五道光罩
玻璃基板
ITO層:1000Å
半導體層(a-Si):1500Å
歐姆接觸層(n+ a-Si):300Å
閘極(Gate):4000Å
閘極絕緣層 (SiNx):3000Å+1000Å
保護層(SiNx):3000Å
汲極金屬層(Drain):4000Å
源極金屬層(Source):4000Å
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Gate Driver
Array面板訊號傳輸說明
Source Driver
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ARRAY製程及設備
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TFT Array組成材料
MASK 1-GE MASK 2-SE MASK 2-SE MASK 2-SE MASK 3-SD
MASK 4-CH MASK 5-PE
Gate 電極
Cr
GI 層(Gate 絕緣層) SiNx
D
D
S
S G
CLC
G
com
G
TFT元件在閘極(G)給予適當電壓(VGS>起始電壓Vth ,註), 使通道(a-Si)感應出載子(電子)而使得源極(S)汲極(D)導
通。
【註】:Vth 為感應出載子所需最小電壓 。
9
TFT元件的運作原理 VSD
D
S
VGS〈Vth
GLeabharlann DSG(2)Vgs<Vth:訊號保持
D
畫素電極上的電壓成為正負對稱
的波形,使直流位準的電壓降誤
差到最小值。
14
儲存電容
Vg 目的:降低TFT關閉時,因Cgs所引 起的
畫素電壓變化(Voltage Offset)。
Source
黄光制程简介
2. 光阻的分类
光阻分正光阻 ( Positive photoresist) 和负光阻 ( Negative photoresist)。感光的部分溶于显影剂(Developer)的叫正 光阻,感光的部分不溶于显影剂的叫负光阻。
Litho 光阻在图形中的作用:
• Used to “resist” etch. • Used to “resist” ion implantation. • Accurately “aligned” to other patterns. • Critically sized.
BAKE
Ion Imp
1-3
CST stage
1-0
PR strip
1-2
CST stage
2-24 2-23 2-22 2-21 2-20 2-19 2-8 2-7 2-6 2-5
HHP HHP LHP CP L CP L ADH T RS T CP 2-29 2-28 2-27 2-26 2-25 LHP LHP LHP LHP LHP
Litho
BARC HMDS coat
Deposition
Photo in-line process flow overview
BAKE(*) Cooling1 PR Coat(**) TARC(***) Soft Bake Cooling2
(*) Absolutely we remove moisture on the wafer before BARC coating : Secondary reaction (**) EBR is not absolute process : We can use WEE instead of EBR ==> Need recipe tuning (***) TARC should be coated after PR bake(Soft bake) : Do not TARC bake(Secondary reaction) ($) We can change from before exposure to after exposure for I-line,but DUV cannot. ($$) PED control is very important to maintain process performance for DUV,but I-line isn’t. ($$$) ADI procedure is important to reduce ADI loss : Scope ==> OL ==> CD
TFT-LCD技术及生产工艺流程简介
TFT-LCD技术及生产工艺流程简介概述TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜场效应晶体管LCD,是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。
液晶平板显示器,特别TFT-LCD,是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件,它的性能优良、大规模生产特性好,自动化程度高,原材料成本低廉,发展空间广阔,将迅速成为新世纪的主流产品,是21世纪全球经济增长的一个亮点。
主要特点和TN技术不同的是,TFT的显示采用背透式照射方式假想的光源路径不是像TN液晶那样从上至下,而是从下向上。
这样的作法是在液晶的背部设置特殊光管,光源照射时通过下偏光板向上透出。
由于上下夹层的电极改成FET电极和共通电极,在FET电极导通时,液晶分子的表现也会发生改变,可以通过遮光和透光来达到显示的目的,响应时间大大提高到80ms左右。
因其具有比TN-LCD更高的对比度和更丰富的色彩,荧屏更新频率也更快,故TFT俗称真彩。
相对于DSTN而言,TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。
由于每个像素都可以通过点脉冲直接控制。
因而每个节点都相对独立,并可以进行连续控制。
这样的设计方法不仅提高了显示屏的反应速度,同时也可以精确控制显示灰度,这就是TFT色彩较DSTN更为逼真的原因。
主要优点随着九十年代初TFT技术的成熟,彩色液晶平板显示器迅速发展,不到10年的时间,TFT-LCD迅速成长为主流显示器,这与它具有的优点是分不开的。
主要特点是:(1)使用特性好低压应用,低驱动电压,固体化使用安全性和可靠性提高;平板化,又轻薄,节省了大量原材料和使用空间;低功耗,它的功耗约为CRT显示器的十分之一,反射式TFT-LCD甚至只有CRT的百分之一左右,节省了大量的能源;TFT-LCD产品还有规格型号、尺寸系列化,品种多样,使用方便灵活、维修、更新、升级容易,使用寿命长等许多特点。
TFT—LCD制程简介 共32页
TFT-LCD的三段主要制程
• 一、 前段Array (阵列制程) -前段的 Array 制程是将薄电晶体制作于玻璃上。
• 中段Cell (组立制程) -中段的Cell 製程,是以前段Array的玻璃為基板,
與彩色濾光片的玻璃基板結合,並在兩片玻璃
基板間灌入液晶(LC)
• 後段Module Assembly (模组制程) - 后段模组组装製程是將Cell製程後的玻璃與其
組合電晶體玻璃與彩色濾光片
• 在組合兩片玻璃之前,要先平均佈滿類似球狀的 間隙子固定間隔,以免液晶面板組合後,兩片玻 璃向內凹曲,通常液晶面板在組合時,會留下一 個或二個缺口,以利後續灌入液晶, 接著就以框 膠及導電膠封在兩片玻璃邊緣,如此就完成玻璃 的組合。
將液晶灌入液晶面板
• 封完邊框之後,就將液晶面板放到真空室, 透過剛才預留的缺口把液晶面板的空氣抽 掉,然後藉助大氣壓力灌入液晶,再將缺 口封閉。而液晶是一種介於固體與液體的化合物 質,具有規則性分子排列的特性。
TFT-LCD制程简介
1
目录
• 一、什么是TFT—LCD • 二、结构介绍 • 三、 TFT-LCD点亮原理 • 四、供应商和基板尺寸 • 五、制造流程 • 六、应用范围
2
何谓TFT—LCD?
• 一、TFT-LCD 是薄膜电晶体液晶显示器。
TFT是薄膜电晶体 LCD是液晶显示器
英文全称:thin-film transistor 英文全称liquid-crystal display.
包裝、出貨
液晶显示器的应用范围
• 在很多的通讯器材或资讯设备都能看到, 例如:笔记本电脑、数位个人助理(PDA)、电 视、新型移动电话等。
Thank you!
TFT-LCD制程介绍
C/F Introduce and Process
彩色滤光片基本结构是由玻璃基板(Glass Substrate),黑色矩阵(Black Matrix),彩色层 (Color Layer),保护层(Over Coat),ITO导电膜组 成。一般穿透式TFT用彩色光片结构如下图。
GLASS SUBSTRAT
Pixel ITO Patterning Using 3rd MASK
TFT-Array Process
Data Bus Line and S/D Metal Sputtering
Passivation SiNx Deposition Using
PECVD
Data Bus Line and S/D Patterning Using
TFT Array preview
TFT Array 等效电路
TFT元件
液晶 加入電壓
保持電容
因TFT组件的动作类似一个开关(Switch),液晶组件的作用 类似一个电容,藉Switch的ON/OFF对电容储存的电压值进行更 新/保持。
SW ON时信号写入(加入、记录)在液晶电容上,在以外时间 SW OFF,可防止信号从液晶电容泄漏。
Cell Process
Cell Process(1)
Cleaning
PI Coating
淡黃色 Å
800~1200Å
APR: Asahi Photosensitive Resin
PI 制程原理
将PI液滴在Anilox Roll 上。
Doctor Roll将Anilox Roll上的PI液整平。
在必要时可将保持电容与液晶电容并联,以改善其保持特性。
TFT Array Structure
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
整个制程的相关示意图-2
ITO和Metal制程仍需继 续进行以下几步:
蝕刻
剝膜
檢查
Process flow ITO Patterning Flow
ITO Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure
工艺流程
Sensor
有一种东西叫: ITO 透明导电材料 PI 光阻绝缘层
Metal
Mo/Al/Mo结构
1.任何触控屏,要对Touch这个动作作出反应,必须对触摸点进行定位; 2.TPK产品是一个二维平板,需要X和Y两个坐标进行定位; 3.TPK产品属于(投射型)电容式触控屏,感应电容触摸屏检测到的触摸位置对 应于感应到最大电容变化值的交叉点,对于X轴或Y轴来说,则是对不同ITO模块 的信号量取加权平均得到位置量,系统然后在触摸屏下面的LCD上显示出触摸点 或轨迹。
Developing Back side PR Coating
Stripping
Etching
Post-Bake
PI / Organic Patterning Flow
PI Patterning
Glass re-Bake
Pattern Exposure
14
蚀刻SiO2
谢谢!
中国触摸屏网()
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5 6 7 8
常用药液:接上
序号 9 Metal 剥膜液 项目 NMP溶液/3316剥膜液 备注
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點:高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點:便宜
➢光阻不被反應 ➢人員作業安全 黃光--最佳作業光源
光阻吸收光譜
以乾膜吸收為例: 乾膜-1
最易感光範圍-310 nm
安全範圍-450nm
乾膜-2
最易感光範圍-360 nm 安全範圍-460nm
乾膜-3
➢簡單來說:
最易感光範圍-310、355 nm 安全範圍-470nm
光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)
Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)
壓膜 (乾膜貼附於Film上)
曝光 (將Pattern轉移至乾膜上)
顯影 (將未曝光乾膜洗掉)
2天內須完成曝光(乾膜易變質)
1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)
曝光機型式
1.接觸式曝光機(Contact Mode) 備註:三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度:20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點:光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
TFT-LCD制程简介
Array
Thin-Film Transistor
Cell
Liquid Crystal
Module
Array:電晶體 矩形陣列
Cell:顯示單元體
Module:產品模組
一廠:320*400(mm) 二廠:610*720(mm)
ARRAY
+
CELL
外購
cell + + +
MODULE
….
cell cell cell cell cell cell
第1代面板:長400mm,寬320mm
13.3“~14.1” 15“~17”
19“
22“~32”
720mm
610mm
面板範圍
裁餘部份, 拋棄不用
第3.5代面板:長720mm,寬610mm
液晶注入示意圖
液晶 液晶
2.封將閉液3C晶1.H破皿.A抽上M真真B昇空E,空使R,
注入口達到液面 之下
利用大氣壓力 及毛細現象 將液晶灌入
ADI的工作包括:
1.線幅 -- 線寬 -- Critical Dimension 2.配列 -- 同一層光罩之間的銜接 3.重合 -- 不同層光罩之間的對準 4.斜光目檢--玻璃表面刮傷及Particle的檢查
After Etching Inspection
1.蝕刻後檢查
不良的產品可以補蝕刻
2.去光阻後檢查
戴爾它(三角形)
最新的AV產品
Polyimide配向膜塗覆
APR板
淡黃色
800~1200 Å
配向絨布
PI膜配向:基板和 roller成45度角,
TFT和CF基板方向差 90 度. Roller高速旋轉時,絨毛上的纖維
TFT-LCD(AV)理论及制程介绍
液晶顯示器名詞解釋:
45~50度,上視角15~20度,下視角35~40度。對於液晶顯示器來說至 少有三種參數來評價一個顯示模式的視角範圍: (1)對比度(Contrast Ratio) 從斜的方向去看液晶顯示器, 與正看時相比,白色部分 會變暗,黑色部分會變亮,因此對比會下降。一般定義當 對比下降到10的時候的角度為該顯示器的視角。也就是 定義大於此視角的時候黑白已經不易分辨。 (2)灰階(Gray Scale) 理論上顯示器從零灰階(黑色)到二五五灰階(白色)應該是灰階數 越高則越亮;但是液晶顯示器在某個大角度的時候有可能看到低 灰階反而比高灰階還亮,也就是看到類似黑白反轉的現象,這種現 象稱之為灰階反轉。定義不會產生灰階反轉現象的最大角度為視 角,也就是超過這個角度就有可能看到灰階反轉,而灰階反轉是無 法接受的影像品質。
Color Filter簡述:
R B G R B G R B G R B G R B G R B G R B G R B G R 條形 亮度最高 適用於OA產品 R R G B R G R B G R B G R B G R B G R B G R B G R B G R G R
馬賽克(對角形) 早期的AV產品
2-2.當在上下兩表面之間加電壓時,液晶分子會順電場方向排列,成 為直立排列之現象,此時入射光線即不受液晶分子影響,已直線 射出下表面。
TFT-LCD顯示原理:
3.偏光片之特性 將非偏極光(一般光線)過濾成線性偏極光: a.當非偏極光通過a方向之偏光片時,光線被過濾成與a方向平行之 線性偏極光。 b.線性偏極光繼續前進,通過a方向之偏光片時,光線通過;光線通 過b方向之偏光片時光線被完全阻擋。
戴爾它(三角形) 最新的AV產品
TFT-LCD顯示原理:
TFT-LCD(AV)理论及制程介绍
TFT-LCD顯示原理:
3.偏光片之特性 將非偏極光(一般光線)過濾成線性偏極光: a.當非偏極光通過a方向之偏光片時,光線被過濾成與a方向平行之 線性偏極光。 b.線性偏極光繼續前進,通過a方向之偏光片時,光線通過;光線通 過b方向之偏光片時光線被完全阻擋。
TFT-LCD構造說明:
TFT-LCD顯示原理:
1.液晶簡介 1-1.TFT-LCD使用之液晶為TN(Twist Nematic)型液晶,分子呈橢圓狀; TN型液晶一般是順著長軸方向串接,長軸間彼此平行方式排列。 1-2.當接觸到槽狀表面時,液晶分子就會順著槽的方向排列於槽中。
1-3.當液晶被包含在兩個槽狀表面中間,且槽之方向互相垂直,則液 晶分子之排列→下表面液晶分子:沿著b方向 上表面液晶分子:沿著a方向
Video Graphics Array Super Video Graphics Array Extended Graphics Array Super Extended Graphics Array Ultra Extended Graphics Array
液晶顯示器名詞解釋:
註:因一畫素具有R、G、B三個子畫素(sub-pixel),故以解析 度1024x768之顯示器為例,共具有3072x768個子畫素。
TFT-LCD顯示原理:
4.將偏光片、槽狀表面、液晶組合後之光學效果 當上下偏光片互相垂直時,若未施加電壓,光線可通過;當施加電 壓時,光線被完全阻擋。
TFT-LCD顯示原理:
5.TFT-LCD顯像原理 5-1.SCAN IC傳輸掃描信號; DATA IC傳輸顯像控制信號。 5-2.當某一sub-pixel導通時,該sub-pixel因無法透光而呈現黑色。 DATA DRIVER IC R R R R R G G G G G B B B B B R R R R R G G G G G B B B B B CF
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Coater introduction 粘滞性
IVO Info Vision
• 粘滞性与时间有关,会随着PR溶剂的挥 发增加。粘滞性增加,PR流动趋势变小, 厚度会增加。
2013-8-27
Coater introduction 粘附性
• PR与下层材料黏附之强度。如黏附性不 好,会导致表面图形的变形。
IVO Info Vision
2013-8-27
Cleafe
IVO Info Vision
2013-8-27
IVO Info Vision
Coater introduction
2013-8-27
Coater introduction
Dehydration bake
IVO Info Vision
2013-8-27
Coater introduction
Photo Process-Adhesion
IVO Info Vision
2013-8-27
Coater introduction
Photo Process-Coating
IVO Info Vision
• Resist :
IVO Info Vision
2013-8-27
Coater introduction
Dehydration bake
IVO Info Vision
2013-8-27
Coater introduction
Photo Process-Adhesion
• Purpose : To Increase the Adhesion of Photoresist • Adhesion:HMDS(Hexamethyldisilazane); [(CH3)3Si]2NH • Key parameter : – Adhesion Method – Adhesion Time – Temperature – Exhaust • Function: – Si-O-H----OH2+[(CH3)3Si2NH Si-O-Si-(CH3)3
IVO Info Vision
2013-8-27
Coater introduction 分辨率
• 能够在玻璃基板上形成符合要求的最小 的特征图形。形成的CD越小,PR的分辨 能力和光刻系统就越好
IVO Info Vision
2013-8-27
Coater introduction 对比度
• PR从曝光区域到非曝光区域的过度的陡 度
2013-8-27
Cleaner introduction
The basic principle of inclined rinse
IVO Info Vision
2013-8-27
Cleaner introduction
Brush structure
IVO Info Vision
2013-8-27
材料
• 石英:高光学透射和低温度膨胀。 • 铬:沉积在掩膜版上的不透明材料。有时 会在铬表面形成一层氧化铬抗反射层。
2013-8-27
Exposure Introduction
Operation Mode of the Console • Inline mode
Communication between MPA and I/F Plate is loaded by I/F arm
IVO Info Vision
Mask
Chrome
Resist Substrate Positive Type Developing Negative Type
Thin Film
正光阻:曝光后,光照到部分显影后去除 负光阻:曝光后,光照到部分显影后保留
2013-8-27
Coater introduction
IVO Info Vision
Photo Introduction
INT Array
2013-8-27
IVO CONFIDENTIAL
Array Process
Light Photo Mask Photo Resist Thin Film
IVO Info Vision
Photo Resist Thin Film Glass
– 树脂(20%) – 感光剂 ( PAC)(5%) – 溶剂(75%) – 添加剂
2013-8-27
Coater introduction
IVO Info Vision
目的
1.将MASK上的图案转移到胶中 2.在后续工艺中保护下面的材料
2013-8-27
Coater introduction
Exposure Light
Exp. PreBake Out Titler or E.E.
RB In EUV & AK Out Dry AAjet
DHB
In (Vacuum dry)
Linear-coating
2013-8-27
IVO Info Vision
Cleaner introduction
2013-8-27
Cleaner introduction
Exposure Introduction
Illumination System
光源: 8千瓦超高压水银灯,2只 Lamp:Standard type--750小时,Long type--1000小时 波长: exposure----340nm~460nm [g/h/i line,436nm/405nm/365nm] alignment---536nm~600nm [d/e line,578nm/546nm] 强度: 紫外輻射 紅外輻射
IVO Info Vision
• Standalone mode
No communication between MPA and I/F Plate is loaded by Hand
• Console Mode (no use)
No communication between MPA and Console
2013-8-27
Exposure Introduction
UM06 System
IVO Info Vision
光罩只在Y 方向移动 凹面镜
凸面镜 玻璃基板可在 XY方向移动
梯形镜
2013-8-27
Exposure Introduction
Resolution of Exposure Machine Resolution vs. Wavelength
Cleaner introduction
Air knife
IVO Info Vision
• Water stripper • Vertical tilt 60° • Horizontal tilt 60°
2013-8-27
Cleaner introduction
The dry procedure of AK
树脂
IVO Info Vision
惰性的聚合物(包括碳、氢、氧的有机高分子)基质, 用于把PR中的不同材料聚在一起的黏合剂。给予PR的 机械和化学性质(黏附性、柔顺性、热稳定性)
感光剂
PR内的光敏成分,对光形式的辐射能,特别是紫外区, 会发生光化学反映。
2013-8-27
Coater introduction
2013-8-27
Cleaner introduction
The simple drawing of roller brush & AAjet rinse section
IVO Info Vision
2013-8-27
Cleaner introduction
AAJET
IVO Info Vision
IVO Info Vision
slit Coater
2013-8-27
Coater introduction
IVO Info Vision
Slit Coating
2013-8-27
IVO Info Vision
Exposure Introduction
2013-8-27
Exposure Introduction
Glass
Exposure
PR coating
Develop Etch 2013-8-27
Strip
IVO Info Vision
Photo Process
Photo process: Coating--->Exposure--->Development
Coating:将光阻均匀地涂布于基板表面 Exposure:由紫外线透射光罩将图形转写至光阻表面 Development:利用碱性显影液將紫外线照射的光阻去除以形成图形
2013-8-27
The structure of DNS SK-1100G
IVO Info Vision
30, 730
Out AOIL or Conveyor Rinse AK Out (Sub. Dev. Dry Direct) 1, 2
5,510
In
90° BF turn
5, 910
Postbake
Exposure Introduction
Layout
IVO Info Vision
2013-8-27
Exposure Introduction
MASK(掩膜版)分类
IVO Info Vision
• 亮场掩膜版 • 暗场掩膜版
2013-8-27
Exposure Introduction
IVO Info Vision
2013-8-27
Cleaner introduction