霍尔效应
霍尔效应高考知识点总结
霍尔效应高考知识点总结霍尔效应是近几年高考中的一个重要知识点，涉及到电磁感应和导电材料的相关原理和应用。
本文将对霍尔效应进行总结和归纳，帮助学生更好地理解和掌握这一知识点。
1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应是指当导电材料中有电流通过时，垂直于电流方向的方向上会产生一定的电势差。
这种现象是由磁场对电子的偏转效应引起的。
当电子在导体中运动时，磁场施加的力使得电子受到侧向偏转，导致电子在一个方向上聚集，产生电势差。
2. 霍尔效应的公式和参数霍尔效应可以通过一个简单的公式来描述：VH = B × I × RH。
其中VH表示霍尔电压，B表示磁场的强度，I表示电流的大小，RH表示霍尔系数。
霍尔系数是一个与导体特性相关的参数，通过测量霍尔电压和磁场以及电流的值可以计算出来。
3. 霍尔效应的应用霍尔效应在实际中有着广泛的应用。
其中最常见的是磁场传感器的应用。
磁场传感器通过测量霍尔电压的变化来检测磁场的强度和方向。
这种传感器在自动控制、磁力计、电流测量等领域都得到了广泛的应用。
4. 良导体和劣导体中的霍尔效应差异在不同的导体中，霍尔效应呈现出不同的特点。
在良导体中，电子的运动能力较强，电流通过后霍尔电压较大；而在劣导体中，电子的运动能力较差，电流通过后霍尔电压较小。
这是因为良导体中自由电子的浓度较高，受到磁场作用后偏转偏大；而劣导体中自由电子的浓度较低，受到磁场作用后偏转偏小。
5. 霍尔效应的探究与实验学生在学习和掌握霍尔效应时，可以通过一些简单的实验来加深理解。
例如，可以利用霍尔效应进行磁场的测量，通过改变电流大小和磁场强度，观察霍尔电压的变化规律。
还可以探究不同材料的导电性质对霍尔效应的影响，比较不同材料产生的霍尔电压的差异。
6. 霍尔效应在电子设备中的应用霍尔效应在电子设备中有着广泛的应用。
例如，在手机和平板电脑里的磁场传感器，可以通过测量霍尔电压的变化来检测屏幕是否翻盖。
在电动车和电磁炉中，也用到了霍尔效应来检测电流的大小和方向，对设备的安全性和控制起到了重要作用。
霍尔效应的现象原理及应用
霍尔效应的现象原理及应用1. 霍尔效应的基本概念霍尔效应是指在垂直于载流方向的磁场中通过一块导电材料时，会在材料的一侧产生电势差的现象。
这个现象是由美国科学家爱德华·霍尔于1879年发现的。
霍尔效应是电子运动与磁场相互作用的结果，是电磁感应的一种形式。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的产生是由于载流电子受到垂直于流动方向的磁场力的影响。
当导电材料中有电流通过时，在垂直于电流方向的磁场作用下，自由电子受到洛伦兹力的作用，发生弯曲，并在材料中形成电流分布不均匀的情况。
由于电流的分布不均匀，导致在材料中的某个侧面产生电势差，即霍尔电势差。
这个电势差与导电材料的电导率、磁场强度以及电流的关系可以通过以下公式表示：$$V_H = R_H \\cdot I \\cdot B$$其中，V H为霍尔电势差，R H为霍尔系数，I为通过导体的电流，B为垂直于电流方向的磁场强度。
3. 霍尔效应的应用霍尔效应具有许多实际应用，以下列举几个常见的应用：3.1 磁场传感器霍尔效应被广泛应用于磁场传感器中。
利用霍尔效应，可以通过测量霍尔电势差来确定磁场强度。
磁场传感器常用于测量磁场的方向和大小，广泛应用于导航、磁条读取、车辆制动系统等领域。
3.2 电流传感器由于霍尔效应与电流大小有关，可以利用这一特性设计电流传感器。
电流传感器可以测量通过导线的电流大小，并将其转化为电压输出。
电流传感器在电力系统、电动车辆以及智能家居等领域起着重要的作用。
3.3 速度测量霍尔效应也可以用于测量物体的速度。
一种常见的应用是在计算机硬盘驱动器中，利用霍尔传感器来测量磁盘的旋转速度。
通过测量旋转磁场产生的霍尔电势差，可以确定磁盘的旋转速度。
3.4 开关霍尔效应也可以用于设计开关。
当磁场与霍尔传感器接触时，产生的电势差可以触发开关动作。
这种开关常用于电子设备中的接近传感器、磁性门锁等。
3.5 电流变送器霍尔效应可用于制造电流变送器，用于将测量电流转换为标准电信号输出。
霍尔效应(Hall Effect)
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外加一磁场沿正y轴
在动并A1受，正A2Z间方加向一磁电场位作差用使力电F洞B 以q漂v流速B 度沿正x方向运
因材料原呈电中性，故有相等之负电荷累积在材料下 方并产生负Z方向静电力Fe＝qE
稳定态时，FB=FE 即 qvB＝qE
E=vB
此时上下两侧之电压差即为霍尔电压
归零
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选取单位
数值撷取
范围设定
11
实验仪器
探针置入位置
测
厚 压 克 力 垫
磁 场 测 试 板
探 针
试 板 放 置 处
片
待
磁
测
铁
半
架
导
体
材料12如 Nhomakorabea量测磁场
先将高斯计执行 归零程序。
依操作说明找出磁 鐵N、S极。
量测示意图
将实验器材架设好，
14
9
计算
J nev I I A ab
v B E VH b
n IB aeVH
n : 載子濃度 e : 電荷電量 v: 漂移速度 J : 電流密度 B : 外加磁場 VH : 霍爾電壓 a : 樣品厚度(y方向) b : 樣品高度(z方向) A : 電流通過之樣品截面積
10
实验仪器-----高斯计(量测磁场使用 )
多数载子为电洞，少数载子为电子。
三价杂质通常为硼(B) 、鋁(Al)、鎵(Ga)、 銦(In)。
6
N型半导体
在纯硅中加入五价元素杂質，使每个硅原子与五价 杂质结合成共价键时多一电子，即为N型半导体。
多数载子为电子，少数载子为电洞。 五价杂质通常为磷(P)、
霍尔效应
量子霍尔效应实际上给处在微观世界的 电子订了一个 “交通规则”：电子在这 种强磁场中，只能沿着边缘的一维通道 中走。本来这是一个导体，加上一个很 强的磁场后，这个材料的绝大部分变成 绝缘的，电子只能在边缘沿着一个个通 道运动，而且只能做单向运动，不能返 回。
霍尔传感一种磁场传感器。 霍尔效应是磁电效应的一种 实验测定的霍尔，通过器是 根据霍尔效应制作的霍尔效 。 应系数，能够判断半导体材 料的导电类型、载流子浓度 及载流子迁移率等重要参数。
霍尔器件具有许多 优点，它们的结构 牢固，体积小，重 量轻，寿命长，安 装方便，功耗小， 频率高（可达 1MHZ），耐震动， 不怕灰尘、油污、 水汽及盐雾等的污 染或腐蚀。
汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放 在分电器内取代机械断电器，用作点火 脉冲发生器。这种霍尔式点火脉冲发生 器随着转速变化的磁场在带电的半导体 层内产生脉冲电压，控制电控单元 （ECU）的初级电流。相对于机械断电 器而言，霍尔式点火脉冲发生器无磨损 免维护，能够适应恶劣的工作环境，还 能精确地控制点火正时，能够较大幅度 提高发动机的性能，具有明显的优势 Nhomakorabea。
利用霍尔传感器对浮子位移进行检测的 基本原理以及霍尔传感器输出信号处理 系统的基本构成和功能，分析了这种新 型金属管转子流量计的主要特点。实际 测量表明:该流量计具有准确度高、可靠 性高、结构简单、智能化等特点。
霍尔效应
一· 定义及解释
二· 在生活和生产方面的应用 三· 科技及前景
• 在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导体中的电 子与电洞受到不同方向的洛伦兹力而往不同方向上聚集， 定义：霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理 学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的 导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在 导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势 差，这一现象便是霍尔效应 • 在聚集起来的电子与电洞之间会产生电场，此一电场将会 使后来的电子电洞受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦 兹力，使得后来的电子电洞能顺利通过不会偏移，此称为 霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
名词解释霍尔效应
名词解释霍尔效应
霍尔效应(霍尔效应)是一种量子效应,涉及到电子在磁场中的运动。
当电子在磁场中受到一个电场的作用时,它们会受到洛伦兹力,从而改变它们的运动状态。
这种改变可以导致电子的霍尔系数(霍尔系数)发生变化,从而指示电子在磁场中的运动方向和速度。
霍尔效应最初被发现是在20世纪50年代。
当时,研究人员发现,如果将一个霍尔传感器放置在一个磁场中,它可以通过检测电子的霍尔系数来测量磁场强度。
这种技术被广泛应用于各种电子设备中,例如磁共振成像设备、硬盘驱动器和传感器等。
霍尔效应的应用范围非常广泛,但它也有一些限制。
例如,在强磁场中,霍尔传感器可能会受到损坏。
此外,霍尔系数也受到温度和湿度等因素的影响,因此需要对它们进行校准。
除了用于测量磁场外,霍尔效应还可以用于控制电流。
例如,可以使用霍尔传感器来检测电流的方向,从而控制电路中的电流。
霍尔效应技术还被应用于许多其他领域,例如量子计算、量子存储和量子通信等。
霍尔效应是一个非常重要的量子效应,它的应用将推动计算机科学和技术的发展。
随着技术的不断发展,霍尔效应的应用前景将越来越广阔。
什么是霍尔效应
什么是霍尔效应什么是霍尔效应美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电势差。
霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
1．霍尔效应将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场B ，沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势Vh，如图1所示，这现象称为霍尔效应。
Vh称为霍尔电压。
图1 霍尔效应原理图实验表明，在磁场不太强时，电位差Vh与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即或式（1）中Rh称为霍尔系数，式（2）中Kh称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv / (mA·T)。
产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。
如图1（a）所示，一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为式中V为电子的漂移运动速度，其方向沿X轴的负方向。
e 为电子的电荷量。
Fm指向Y轴的负方向。
自由电子受力偏转的结果，向A侧面积聚，同时在B侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场Eh （即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力Fe，A、B面之间的电位差为Vh（即霍尔电压），则(4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有式中称为霍尔元件的灵敏度，一般地说，Kh愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压Vh 。
霍尔效应
霍尔效应一、简介霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall ，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
二、理论知识1． 1． 霍尔效应将一块半导体或导体材料，沿Z 方向加以磁场B，沿X 方向通以工作电流I ，则在Y 方向产生出电动势H V ，如图1所示，这现象称为霍尔效应。
H V 称为霍尔电压。
(a) (b)图1 霍尔效应原理图实验表明，在磁场不太强时，电位差H V 与电流强度I 和磁感应强度B 成正比，与板的厚度d 成反比，即d IB R V HH =(1)或 IB K V H H =(2)式（1）中H R 称为霍尔系数，式（2）中H K 称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv / (mA ·T)。
产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N 型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P 型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。
如图1（a ）所示，一快长为l 、宽为b 、厚为d 的N 型单晶薄片，置于沿Z 轴方向的磁场B中，在X 轴方向通以电流I ，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为j eVB B V e B V q F m -=⨯-=⨯=(3)式中V为电子的漂移运动速度，其方向沿X 轴的负方向。
e 为电子的电荷量。
m F 指向Y轴的负方向。
自由电子受力偏转的结果，向A 侧面积聚，同时在B 侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y 轴负方向上的横向电场H E （即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y 轴正方向的电场力e F，A 、B 面之间的电位差为H V （即霍尔电压），则 jb V e j eE E e E q F H H H H e ==-==(4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有0=+e m F F=+-j b V e j eVB H即b V eeVB H= 得 VBb V H =(5)此时B 端电位高于A 端电位。
霍尔效应
1-输入轴；2-转盘； 3-小磁铁；4-霍尔传感器
实验内容
实验任务
——利用霍尔效应测量螺线管内轴线上磁感应强度的分布.
完成这一实验任务，必须做以下工作：
仪器调节(将仪器调节到标准工作状态). 仪器标定(确定霍尔电压与磁感应强度的关系). 测量通电螺线管内轴线上磁感应强度的分布.
关键提示
Ｕ0＝Ｉx·R0
U0的方向只与Ix的方向有关。
霍尔效应中负效应的消除
埃廷斯豪森效应
能斯特效应 里吉-勒迪克效应 不等位效应
ＵE 方向与I和Ｂ方向有关。
ＵN方向只与Ｂ方向有关。 ＵRL的方向只与Ｂ的方向有关 U0的方向只与I的方向有关。
负效应的消除：改变I和B的方向，即对称测量法。
+B,+I, 测得电压U1=UH+UE+UN+URL+U0
109.45
109.85 110.10 110.40 110.40 110.20 110.25 110.15 109.80
3.59
3.60 3.61 3.62 3.62 3.61 3.61 3.61 3.60
实验数据例——螺线管内轴线磁场分布的测定
(续表2)
X/cm
23.00 24.00 24.50 25.00 25.50 26.00 26.50 27.00 27.50 298年的诺贝尔物理学奖
实验原理
现象 —— 霍尔效应
在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁 场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这 种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。
理论分析 磁场中运动载流子受洛伦兹力作用
UH
电荷聚集形成电场 电场力与洛伦兹力 达到平衡，形成稳 定电压UH
霍尔效应-
霍尔效应霍尔效应是一种电学现象，指的是在通过导体的电流流动过程中，当垂直于电流方向有一磁场时，会在导体侧面上产生一电势差，这种电势差被称为霍尔电压，并且与电流、磁场及导体材料有关。
霍尔效应的发现和研究对于现代电子工业和物理学的发展都具有重要的意义，本文将对霍尔效应的原理、应用、以及在实验中的具体操作进行详细的介绍。
一、原理当一个导体上有电流流过时，根据洛伦兹力的作用，电子将受到一个力，沿着导体的长度方向运动，而如果同时存在一个与电流方向垂直的磁场时，磁场将使电子受到一个向导体的侧面施加的力，使电子在此方向运动，从而引起静电势差。
这个效应由美国物理学家霍尔首次发现，被称为基尔霍尔效应，或仅仅叫做霍尔效应。
在一个以恒定电流 I 流过的导体条上，位于上下两端相距为 d 的两点间的电压差为 Ux，则有Ux = (B×I×d)/nq，其中 B 是垂直于导体面的磁感应强度，n 是每单位体积内的自由电荷数，q 为电子电荷量。
这个式子意味着在有磁场存在的情况下，电子受到的洛伦兹力作用将使其沿着导体面运动，从而导致产生叠加产生垂直于电流和磁场方向的电势差，即为霍尔电压。
二、应用1、测量磁感应强度在不同的磁场下，通过导体流过的电流、导体材料和几何形状都保持不变，此时在导体侧面产生的霍尔电压将与磁场的大小成正比关系，可以通过霍尔电压来精确地测量磁场的大小。
2、电流传感器常见的电流传感器就是基于霍尔效应来制作的。
将一个薄平板霍尔元件放置到测量电路中去，当电流通过平板时，平板内将产生电磁场，霍尔元件受到磁场作用后，将产生跨越平板厚度方向的一定电势差，这个电势差可以表示电流的大小，并且与电流成正比关系。
3、磁传感器霍尔元件的输出与磁场的大小和方向有关。
当一磁场和其垂直的电流通过元件时，将测得电势差，电势差与磁场正比。
因此，霍尔元件也可以作为磁传感器使用。
4、直流电机驱动器霍尔元件可用来检测直流电机转子位置，电机通常有 3 条电线，其中一条是零线，其余两条称为 A/B 线，将霍尔元件的输出连接至 A/B 线可进行直流电机位置检测。
霍尔效应
霍尔效应一、简介霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall ，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
二、理论知识准备1.霍尔效应将一块半导体或导体材料，沿Z 方向加以磁场，沿X 方向通以工作电流I ，则在Y 方向产生出电动势，如图1所示，这现象称为霍尔效应。
称为霍尔电压。
(2)(b)图1 霍尔效应原理图实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I 和磁感应强度B 成正比，与板的厚度d 成反比，即(1)或(2)式（1）中称为霍尔系数，式（2）中称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv / (mA ·T)。
产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N 型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P 型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。
如图1（a ）所示，一快长为l 、宽为b 、厚为d 的N 型单晶薄片，置于沿Z 轴方向的磁场中，在X 轴方向通以电流I ，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为 (3)式中为电子的漂移运动速度，其方向沿X 轴的负方向。
E 为电子的电荷量。
指向Y 轴的负方向。
自由电子受力偏转的结果，向A 侧面积聚，同时在B 侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y 轴负方向上的横向电场（即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y 轴正方向的电场力，A 、B 面之间的电位差为（即霍尔电压），则(4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有BH V H VH V d IB R V HH =IB K V H H =H RH KB jeVB B V e B V q F m-=⨯-=⨯=Vm FH Ee F H V jb V e j eE E e E q F H H H H e==-==0=+e m F F即得(5)此时B 端电位高于A 端电位。
简述霍尔效应原理
简述霍尔效应原理霍尔效应是磁电效应的一种，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。
以下将从五个方面简述霍尔效应的原理。
1. 霍尔电压的产生当电流通过一个导体时，电子不仅沿着导体的表面流动，还会受到洛伦兹力的作用。
在垂直于电流和磁场的方向上，洛伦兹力使得电子向一个特定的方向聚集，导致该方向上出现负电荷的积累。
这使得导体垂直于电流和磁场的方向上出现电场，即产生霍尔电压。
2. 霍尔元件的几何形状为了提高霍尔电压的输出和稳定性，通常将导体制作成特殊的几何形状，称为霍尔元件。
常见的霍尔元件有矩形、圆柱形、薄膜形等。
这些形状的设计主要考虑如何最大化电流和磁场的相互作用面积，从而提高霍尔电压的输出。
3. 磁场的作用磁场对霍尔效应的影响至关重要。
在磁场的作用下，电子受到洛伦兹力的作用，改变其运动轨迹，从而产生霍尔电压。
磁场的强度和方向可以通过改变霍尔元件的材料和几何形状进行调整，以适应不同的应用需求。
4. 温度的影响温度对霍尔效应的影响主要体现在两个方面。
一方面，温度会影响材料的电阻率，从而影响电流的大小。
另一方面，温度会影响电子的热运动速度，改变洛伦兹力对电子运动轨迹的影响程度。
因此，在应用霍尔效应时，需要考虑温度的影响，并进行相应的温度补偿或使用具有优良温度稳定性的材料。
5. 测量方法测量霍尔电压的方法主要包括直接测量法和锁相放大器法。
直接测量法是通过测量霍尔元件两端之间的电势差来计算霍尔电压的方法。
这种方法简单易行，但精度相对较低。
锁相放大器法是通过使用专门的电子设备对信号进行滤波和放大，以测量微弱的霍尔电压。
该方法精度较高，但需要使用专业的设备和电路。
为了进一步优化霍尔元件的性能，通常还会采取以下几种措施：6. 金属电极的制备：在霍尔元件的四个端面上制备金属电极，用于导通电流和收集霍尔电压。
金属电极通常采用蒸镀、溅射等方法制备，要求具有低电阻、高导电性等特点。
霍尔效应及其应用
霍尔效应及其应用应用一、霍尔效应原理霍尔效应是1879年美国物理学家霍尔读研究生期间在做研究载流子导体在磁场中受力作用实验时发现的。
霍尔效应是载流试样在与之垂直的磁场中由于载流子受洛仑兹力作用发生偏转而在垂直于电流和磁场方向的试样的两个端面上出现等量异号电荷而产生横向电势差UH的现象。
电势差UH称为霍尔电压，EH称为霍尔电场强度。
此时的载流子既受到洛伦兹力作用又受到与洛伦兹力方向相反的霍尔电场力作用，当载流子所受的洛伦兹力与霍尔电场力相等时，霍尔电压保持相对稳定。
二、霍尔元件的特点和分类1.霍尔元件的特点。
霍尔元件的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀，调试方便等。
霍尔元件和永久磁体都能在很宽的温度范围(-40℃～1 50℃)、很强的振动冲击条件下工作，且磁场不受一般介质的阻隔。
另外它的变换器组件能够和相关的信号处理电路集成到同一片硅片上，体积小，成本低，且具有较好的抗电磁干扰性能。
2.霍尔元件的分类。
按照霍尔元件的结构可分为：一维霍尔元件、二维霍尔元件和三维霍尔元件。
一维霍尔元件又被称为单轴霍尔元件，它的主要参数是灵敏度、工作温度和频率响应。
运用此类器件时，就可将与适当的小磁钢一起运动的物体的位置、位移、速度、角度等信息以电信号的形式传感出来，达到了自动测量与控制的目的。
二维霍尔元件的结构是二维平面，也被称为平面霍尔元件；三维霍尔元件通常被称为非平面霍尔元件。
霍尔元件按功能可分为：线形元件、开关、锁存器和专用传感器。
三、霍尔效应的应用人们在利用霍尔效应原理开发的各种霍尔元件已广泛应用于精密测磁、自动化控制、通信、计算机、航天航空等工业部门及国防领域。
按被检测的对象的性质可将它们的应用分为直接应用和间接应用。
直接应用是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，间接应用是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它将许多非电、非磁的物理量，如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。
霍尔效应原理
霍尔效应原理
霍尔效应是指当导电材料中的电流通过时，如果在该材料上施加一个垂直于电
流方向的磁场，就会在该材料的横截面上产生一个电动势，这种现象就被称为霍尔效应。
霍尔效应是由美国科学家爱德华·霍尔在1879年发现并描述的，它为我们
解释了一些材料的电学性质提供了重要的线索。
在霍尔效应中，当电流通过导体时，导体内的自由电子会受到磁场的作用而偏转，这导致了电子在导体的一侧聚集，而在另一侧则缺乏电子。
这种电子的聚集和缺乏会导致在导体的横截面上产生一个电势差，这个电势差就是霍尔电压。
霍尔电压的大小与导体的电流、磁场的强度以及导体材料的性质都有关。
霍尔效应的原理可以用一个简单的方程来描述，\[V_H = \frac{IB}{ne}\]其中，
\(V_H\)代表霍尔电压，\(I\)代表电流强度，\(B\)代表磁感应强度，\(n\)代表单位体
积内的自由电子数目，\(e\)代表电子的电荷量。
从这个方程可以看出，霍尔电压与
电流强度和磁感应强度成正比，与自由电子数目成反比。
霍尔效应在现代电子技术中有着广泛的应用。
例如，在传感器中，霍尔元件可
以用来检测磁场的强度和方向，从而实现位置、速度和角度的测量。
在电子设备中，霍尔元件也可以用来进行电流的测量和控制。
此外，霍尔效应还可以用来研究材料的电学性质，从而为材料的设计和应用提供重要的参考。
总之，霍尔效应是一种重要的电学现象，它揭示了电流在磁场中的行为规律，
为我们理解和应用电子技术提供了重要的理论基础。
通过对霍尔效应原理的深入研究和应用，我们可以更好地利用电磁力学的知识来解决实际问题，推动电子技术的发展和应用。
霍尔效应
一号表
量 V ：0～2 00m V 程 I ：0～2 00m A
二号表
量 V ：0～2 V 程 I ：0～2 A
三号表
量 V ：0～2 V 程 I ：0～2 A· +Fra bibliotek+
-
ON OFF
mA
A
A
电源
实验步骤
1.按此图的
电路连接好 电路线，共
14条线。
注意：一号表为mV/mA表，工作电流IS和霍尔电压UH均 用该表测量，当测量UH时，测量选择开关掷mV端，当测 量IS或不用时，测量选择开关掷mA端。二号表不用。
V a
Vb Vc Vd
表2. 霍尔电压与磁场的关系（即UH—B测量）
IS (mA)
IM (A)
(+IM +IS) Va (mV) (+IM -IS) Vb (mV) (-IM -IS) Vc (mV) (-IM +IS) Vd (mV) UH(mV) B(T)
B U
H
0.050
结果。有： +B +B -B -B
1 4
+IS -IS -IS +IS
Va = +UH + VE + VN + VR + V0 Vb = -UH - VE + VN + VR - V0 Vc = +UH + VE - VN - VR - V0 Vd = -UH - VE - VN - VR + V0
实验仪器
四川大学物理学院研制的
HYS-1型霍尔效应应用技
术综合实验仪。该实验仪 是集霍尔效应实验和霍尔
霍尔效应
[实验原理]1、霍尔效应及其产生机理一块长方形金属薄片或半导体薄片，若在某方向上通入电流I H ，在其垂直方向上加一磁场B ，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电位差U H ，这个现象称为“霍尔效应”。
U H 称为“霍尔电压”。
霍尔发现这个电位差U H 与电流强度I H 成正比，与磁感应强度B 成正比，与薄片的厚度d 成反比，即d BI R U H H H = （1）式中R H 叫霍尔系数，它表示该材料产生霍尔效应能力的大小。
霍尔电压的产生可以用洛伦兹力来解释。
如图1所示，将一块厚度为d 、宽度为b 、长度为L 的半导体薄片（霍尔片）放置在磁场B 中，磁场B 沿z 轴正方向。
当电流沿x 轴正方向通过半导体时，若薄片中的载流子（设为自由电子）以平均速度v 沿x 轴负方向作定向运动，所受的洛伦兹力为B ev f B ⨯= （2）在f B 的作用下自由电子受力偏转，结果向板面“I ”积聚，同时在板面“Ⅱ”上出现同数量的正电荷。
这样就形成一个沿y 轴负方向上的横向电场，使自由电子在受沿y 轴负方向上的洛伦兹力f B 的同时，也受一个沿Y 轴正方向的电场力f E 。
设E 为电场强度，U H 为霍尔片I 、Ⅱ面之间的电位差（即霍尔电压），则bU eeE f HE == （3）f E 将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有E B f f =（4）即bU eevB H= 或vBb U H = （5）设载流子浓度为n ，单位时间内体积为v ·d ·b 里的载流子全部通过横截面，则电流强度I H 与载流子平均速度v 的关系为dbneI v vdbne I HH == 或 （6）将（6）式代入（5）式得图1 霍尔效应原理图I Hvd B I ne U H H ⋅=1= R H dBI H （7）(7)式中，R H 即为（1）式中的霍尔系数 R H =ne 1=BI d U H H（8）(8)式中U H 的单位为伏特，d 的单位为厘米，I H 的单位为安培，B 的单位为高斯，霍尔系数R H 的单位为（厘米3/库仑）。
霍尔效应
由中国科学院物理研究所和清华大学物理系的科研人员组成的联合攻关团队，经过数年不懈探索和艰苦攻关， 成功实现了“量子反常霍尔效应”。这是国际上该领域的一项重要科学突破，该物理效应从理论研究到实验观测 的全过程，都是由我国科学家独立完成。
此次中国科学家发现的量子反常霍尔效应也具有极高的应用前景。量子霍尔效应的产生需要用到非常强的磁 场，因此至今没有广泛应用于个人电脑和便携式计算机上——因为要产生所需的磁场不但价格昂贵，而且体积大 概要有衣柜那么大。而反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同，因为这里不存在外磁场对电子的洛伦 兹力而产生的运动轨道偏转，反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的。
由清华大学薛其坤院士领衔，清华大学、中科院物理所和斯坦福大学研究人员联合组成的团队在量子反常霍 尔效应研究中取得重大突破，他们从实验中首次观测到量子反常霍尔效应，这是中国科学家从实验中独立观测到 的一个重要物理现象，也是物理学领域基础研究的一项重要科学发现。
研究前景
中国科学家发 现量子反常
量子反常将为 我们带来什么
本质
本质
固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生 电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一 个稳定的电势差即霍尔电压。 正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度 之比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。
霍尔效应及产生原因
霍尔效应及产生原因一、霍尔效应的定义和原理霍尔效应是指当导体中有电流通过时，垂直于电流方向的磁场作用下，导体内部会产生一种电势差现象。
这种现象是由于磁场对电子的影响，导致电子在导体中发生偏转而产生的。
具体来说，当导体中的电子受到磁场力的作用，沿着导体的一侧聚集，使得该侧电子的浓度增加，而另一侧的电子浓度则减少，从而形成了电势差。
这个电势差就是我们所说的霍尔电势差。
二、霍尔效应的产生原因1. 磁场的作用霍尔效应是由磁场对电子的作用引起的。
当导体中有电流通过时，电流中的电子受到磁场力的作用而发生偏转。
这种偏转导致了电子在导体中的分布不均匀，从而产生了电势差。
2. 电子的荷质比霍尔效应的产生还与电子的荷质比有关。
电子的荷质比是指电子的电荷与质量之比。
由于电子具有电荷，当电子在导体中受到磁场力的作用时，其运动轨迹会发生偏转。
而电子的质量较小，所以在磁场力的作用下，电子的偏转程度较大，从而导致了电子在导体中的分布不均匀，进而产生了电势差。
3. 导体材料的性质导体材料的性质也是导致霍尔效应产生的重要因素。
不同的导体材料对电流和磁场的响应程度不同，从而导致了霍尔效应的差异。
例如，金属是一种常见的导体材料，由于金属中自由电子的存在，使得电子在磁场的作用下更容易发生偏转，因此金属材料产生霍尔效应的可能性更高。
三、霍尔效应的应用1. 磁传感器霍尔效应在磁传感器中有着广泛的应用。
利用霍尔效应，可以测量磁场的强度和方向。
通过将霍尔元件置于磁场中，当磁场对霍尔元件产生作用时，霍尔元件会产生电势差，从而可以测量磁场的特性。
2. 电流传感器霍尔效应还可以用于电流传感器中。
通过将电流通过霍尔元件，当电流通过霍尔元件时，由于电流产生的磁场作用，霍尔元件会产生电势差，从而可以测量电流的大小。
3. 速度传感器霍尔效应还可以用于速度传感器中。
通过将霍尔元件置于旋转的物体上，当旋转物体的磁场对霍尔元件产生作用时，霍尔元件会产生电势差，从而可以测量物体的旋转速度。
霍尔效应高考知识点
霍尔效应高考知识点霍尔效应，是指当将电流通过一块导电材料时，放置在它的一侧垂直于电流方向的位置上，若施加一个垂直于电流方向的磁场，就会在这一侧产生一种电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应被广泛应用于传感器、速度测量仪器等电子设备中。
本文将介绍霍尔效应在高考中的重要知识点，帮助同学们更好地理解和掌握相关概念。
一、霍尔效应的原理霍尔效应的原理主要包括洛伦兹力和霍尔电压的形成。
当电流通过导体时，会受到垂直于电流方向的磁场力的作用，即洛伦兹力。
这个力会使得在导体的一侧产生电子的积聚，从而形成一个电势差，即霍尔电压。
二、霍尔效应的公式霍尔效应的公式可以用来计算霍尔电压的大小。
公式如下：VH = B × I × RH其中，VH表示霍尔电压，B表示磁感应强度，I表示电流，RH表示霍尔系数。
通过这个公式，我们可以计算出霍尔电压的数值，并进一步分析霍尔效应的特性。
三、霍尔效应的应用1. 传感器：霍尔效应被广泛应用于传感器领域，例如磁场传感器、电流传感器等。
通过测量霍尔电压的大小，可以准确地感知和测量磁场的强度和方向、电流的大小等信息。
2. 速度测量仪器：由于霍尔效应对磁场的敏感性，可以用来测量物体的速度。
将一个磁体，如磁铁，固定在要测量速度的物体上，当物体运动时，产生的霍尔电压与速度成正比。
3. 磁存储技术：霍尔效应也被广泛用于磁存储技术中。
通过控制外部电场和磁场，可以改变材料的电阻率和霍尔电压，从而实现对数据的存储与读取。
四、霍尔效应的特点和影响因素1. 特点：霍尔效应具有非接触、高精度、高灵敏度等特点，可以满足不同应用场景的需求。
2. 影响因素：影响霍尔效应的因素主要包括磁场强度、电流大小、材料特性等。
磁场强度的增加会增大霍尔电压的大小；电流的增大会增加洛伦兹力的大小，从而增大霍尔电压；不同材料的霍尔系数也会影响霍尔电压的数值。
五、高考试题解析1. 选择题：（1）霍尔效应是指电导体中的自由电子在垂直于电流方向的磁场作用下，产生的以下哪种现象？A. 发热B. 发光C. 电势差D. 吸附答案：C（2）在霍尔效应实验中，若电流方向与磁场方向垂直，则在电流所在的平面上，以下哪个方向是霍尔电压的方向？A. 电流方向的右边B. 电流方向的左边C. 磁场方向的右边D. 磁场方向的左边答案：B2. 计算题：已知电流为2A，磁感应强度为3T，霍尔系数为5×10-4 V/A·T，求霍尔电压的大小。
霍尔效应简述
霍尔效应简述
霍尔效应是一种电学现象,描述了在金属表面形成的电场和磁场之间的相互作用。
根据霍尔效应,可以通过检测磁场来测量金属表面的电动势,从而实现对电子的测量和自动控制。
霍尔效应的基本原理是:当金属表面被磁场穿过时,会产生一个电动势,这个电动势的大小与金属表面的磁导率成反比。
如果有一个电流通过金属表面,那么金属表面的磁导率越高,产生的电动势就越大,产生的电流也就越大。
霍尔效应有多种应用,包括传感器、开关、控制器、磁盘驱动器等。
例如,在磁盘驱动器中,霍尔效应可以用来检测磁盘的旋转和读写操作。
在传感器中,霍尔效应可以用来检测物体的距离、形状和运动状态等。
在控制器中,霍尔效应可以用来实现开关功能,以及控制电流和电压等。
除了用于电子领域外,霍尔效应还可以应用于其他领域,例如农业、医疗和天文学等。
在农业中,霍尔效应可以用来检测农作物的生长状态和害虫的数量,从而进行有效的种植管理和病虫害防治。
在医疗中,霍尔效应可以用来检测医疗器械的状态和故障,从而提高医疗器械的可靠性和治疗效果。
在天文学中,霍尔效应可以用来检测天体的距离和位置,从而进行天体观测和分析。
霍尔效应是一种非常重要的电学现象,它在电子、机械、自动化等领域都有广泛的应用。
随着科技的不断进步,霍尔效应的应用前景将越来越广泛,将为人类带来更多的便利和效益。
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霍尔效应一、简介霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall ，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
二、理论知识1． 1． 霍尔效应将一块半导体或导体材料，沿Z 方向加以磁场B，沿X 方向通以工作电流I ，则在Y 方向产生出电动势H V ，如图1所示，这现象称为霍尔效应。
H V 称为霍尔电压。
(a) (b)图1 霍尔效应原理图实验表明，在磁场不太强时，电位差H V 与电流强度I 和磁感应强度B 成正比，与板的厚度d 成反比，即d IB R V HH =(1)或 IB K V H H =(2)式（1）中H R 称为霍尔系数，式（2）中H K 称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv / (mA ·T)。
产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N 型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P 型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。
如图1（a ）所示，一快长为l 、宽为b 、厚为d 的N 型单晶薄片，置于沿Z 轴方向的磁场B中，在X 轴方向通以电流I ，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为j eVB B V e B V q F m -=⨯-=⨯=(3)式中V为电子的漂移运动速度，其方向沿X 轴的负方向。
e 为电子的电荷量。
m F 指向Y轴的负方向。
自由电子受力偏转的结果，向A 侧面积聚，同时在B 侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y 轴负方向上的横向电场H E （即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y 轴正方向的电场力e F，A 、B 面之间的电位差为H V （即霍尔电压），则 jb V e j eE E e E q F H H H H e ==-==(4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有0=+e m F F=+-j b V e j eVB H即b V eeVB H= 得 VBb V H =(5)此时B 端电位高于A 端电位。
若N 型单晶中的电子浓度为n ，则流过样片横截面的电流 I =nebdV得nebd IV =(6)将(6)式代入(5)式得IB K d IB R IB ned V H H H ===1(7) 式中ne R H 1=称为霍尔系数，它表示材料产生霍尔效应的本领大小；ned K H 1=称为霍尔元件的灵敏度，一般地说，H K 愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压H V 。
因H K 和载流子浓度n 成反比，而半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。
又因H K 和样品厚度d 成反比，所以霍尔片都切得很薄，一般d ≈0.2mm 。
上面讨论的是N 型半导体样品产生的霍尔效应，B 侧面电位比A 侧面高；对于P 型半导体样品，由于形成电流的载流子是带正电荷的空穴，与N 型半导体的情况相反，A 侧面积累正电荷，B 侧面积累负电荷，如图1（b ）所示，此时，A 侧面电位比B 侧面高。
由此可知，根据A 、B 两端电位的高低，就可以判断半导体材料的导电类型是P 型还是N 型。
由（7）式可知，如果霍尔元件的灵敏度H R 已知，测得了控制电流I 和产生的霍尔电压H V ，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为H HIK V B =。
高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B 值的仪器。
它是选定霍尔元件，即H K 已确定，保持控制电流I 不变，则霍尔电压H V 与被测磁感应强度B 成正比。
如按照霍尔电压的大小，预先在仪器面板上标定出高斯刻度，则使用时由指针示值就可直接读出磁感应强度B 值。
由（7）式知IB dV R H H =因此将待测的厚度为d 的半导体样品，放在均匀磁场中，通以控制电流I ，测出霍尔电压H V ，再用高斯计测出磁感应强度B 值，就可测定样品的霍尔系数H R 。
又因ne R H 1=（或pe 1），故可以通过测定霍尔系数来确定半导体材料的载流子浓度n （或p ）（n 和p 分别为电子浓度和空穴浓度）。
严格地说，在半导体中载流子的漂移运动速度并不完全相同，考虑到载流子速度的统计分布，并认为多数载流子的浓度与迁移率之积远大于少数载流子的浓度与迁移率之积，可得半导体霍尔系数的公式中还应引入一个霍尔因子H r ，即)(pe rne r R H H H 或=普通物理实验中常用N 型Si 、N 型Ge 、InSb 和InAs 等半导体材料的霍尔元件在室温下测量，霍尔因子18.183≈=πH r ，所以ne R H 183π=式中，1910602.1-⨯=e 库仑2． 2． 霍尔效应的副效应上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多，在产生霍尔电压H V 的同时，还伴生有四种副效应，副效应产生的电压叠加在霍尔电压上，造成系统误差。
为便于说明，画一简图如图2所示。
（1）厄廷豪森（Eting hausen ）效应引起的电势差E V 。
由于电子实际上并非以同一速度v 沿X 轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能 较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子，结果3、4侧面出现 温差，产生温差电动势E V 。
可以证明IB V E ∝。
容易理解E V 的正负与I 和B 的方向有关。
（2）能斯特（Nernst ）效应引起的电势差N V发热程度不同，故1、2两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。
与霍尔效应类似，该热流也会在3、4点间形成电势差N V 。
若只考虑接触电阻的差异，则N V 的方向仅与B 的方向有关。
（3）里纪——勒杜克（Righi —Leduc ）效应产生的电势差R V 。
在能斯特效应的热扩散电流的载流子由于速度不同，一样具有厄廷豪森效应，又会在3、4点间形成温差电动势R V 。
R V 的正负仅与B 的方向有关，而与I 的方向无关。
（4）不等电势效应引起的电势差0V 。
由于制造上困难及材料的不均匀性，3、4两点实际上不可能在同一条等势线上。
因此，即使未加磁场，当I 流过时，3、4两点也会出现电势差0V 。
0V 的正负只与电流方向I 有关，而与B 的方向无关。
3． 3． 副效应引起的系统误差的消除综上所述，在确定的磁场B 和电流I 下，实际测出的电压是H V 、E V 、N V 、R V 和0V 这5种电压的代数和。
应根据副效应的性质，改变实验条件，尽量消减它们的影响。
上述5种电势差与B 和I 方向的关系列表如下：x根据以上分析，这些副效应引起的附加电压的正负与电流或磁场的方向有关，我们可以通过改变电流和磁场的方向，来消除N V 、R V 、0V ，具体做法如下：① ① 给样品加（＋B 、＋I ）时，测得3、4两端横向电压为1V ＝H V ＋E V ＋N V ＋R V ＋0V② ② 给样品加（＋B 、－I ）时，测得3、4两端横向电压为 2V ＝－H V －E V ＋N V ＋R V －0V ③ ③ 给样品加（－B 、－I ）时，测得3、4两端横向电压为 3V ＝H V ＋E V －N V －R V －0V④ ④ 给样品加（－B 、＋I ）时，测得3、4两端横向电压为 4V ＝－H V －E V －N V －R V ＋0V由以上四式可得1V —2V ＋3V －4V ＝４H V ＋４E VH V ＝41（1V —2V ＋3V －4V ）－E V通常E V 比H V 小得多，可以略去不计，因此霍尔电压为H V ＝41（1V —2V ＋3V －4V ）若要消除E V 的影响，可将霍尔片置于恒温槽中，也可将工作电流改为交流电。
因为E V 的建立需要一定的时间，而交变电流来回换向，使E V 始终来不及建立。
三、仪器简介1． 1． HL —IV 型霍尔效应实验仪⑴仪器结构A ．霍尔元件霍尔元件是由N 型硅单晶经过平面工艺制成的磁电转换元件，元件尺寸为4×2×0.2mm ，元件胶合在白色绝缘衬板上，有4条引出导线，其中2条导线为工作电流极（1、2），2条导线为霍尔电压输出极（3、4），同时将这4条引线焊接在玻璃丝布板上，然后引到仪器换向开关上，并以1、2、3、4表示，能方便进行实验。
工作电流需用稳定电源供电，适当减小工作电流，以减少热磁效应引起的误差，最大电流15.0mA 。
霍尔元件的灵敏度已给出，一般在10.0mv /（mA ·T ）左右，温度变化时，灵敏度也略有变化，这主要是由于不同温度下半导体的载流子浓度不同造成的。
B ．调节装置两螺钉分别调节霍尔元件上下、左右移动，两标尺标明霍尔元件在x 、y 上的位置。
C ．电磁铁根据电源变压器使用带状铁芯具有体积小和电磁性能高的特点，采用冷轧电工钢带制成，线圈用高强度漆包线多层密绕，层间绝缘，导线绕向即磁化电流的方向已标明在线圈上，可确定磁场方向。
线圈的两端引线已连接到仪器的换向开关上，便于实验操作。
D ．换向开关仪器上装有三只换向开关，可以很方便地改变H I 、B 、H V 的方向。
⑵原理图及工作电路（如图3所示）图3 霍尔效应的实验电路图Ａ.产生磁路部分一个有1500匝线包的小型电磁铁T ，直流稳压电源提供励磁电流，通过换向开关2K 来K E E 11改变励磁电流方向，从而改变磁场B 的方向。
B ．供给工作电流部分提供霍尔元件工作电流，通过换向开关Ｋ4 改变工作电流方向。
C ．测量霍尔电压部分mV 表测量3、4点间的电位差，即霍尔电压。
⑶注意事项A ．霍尔片工作电流H I 的最大值为：直流15mA ；交流有效值为11mA 。
B ．电磁铁励磁电流M I 的最大值为直流1A 。
C ．本霍尔效应装置，当从“1—2”通入H I 时，宜令换向开关拨向上方作为H I 、H V 、M I 的正向，当从“3—4”通入H I 时，宜选换向开关拨向下方作为正向。
2． 2． QS —HB 型霍尔效应测试仪（1）仪器组成由励磁恒流源M I 、样品工作恒流源S I 、数字电流表、数字电压表等单元组成。
（2）仪器面板图4所示：MVMAA调零I S 调节I S 输出I M 输出I M 调节电源指示V H 电压输出Q S 型霍尔效应测试仪图4 QS 型霍尔效应测试仪面板图A ．M I 恒流源在面板的右侧，接线柱红、黑分别为该电源的输入和输出。
“M I 调节”采用16周多圈电位器，右数显窗显示M I 电流值。