TVS瞬态抑制二极管阵列SP1003

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瞬态抑制二极管tvs结电容大小

瞬态抑制二极管tvs结电容大小瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，简称TVS）是一种特殊的二极管，被广泛应用于电子电路中，用于保护其他元件免受过压的损害。

TVS的结构与普通二极管相似，但它的参数设计使其能够在它的工作区域内快速响应过压，以便吸收和抑制过压的能量。

TVS的工作原理是利用PN结的反向击穿特性，当电路中出现过压时，TVS的反向击穿电压会被激发，快速将过压传导到地，从而保护其他电子元器件。

所以，TVS的结电容大小是影响其抑制过压能力的重要因素，下面将从电容的角度来探讨和解释。

首先，理解电容的概念是非常重要的。

电容是一种存储电荷的元件，它能够在电场的作用下储存和释放电能。

在电容器中，当电压变化时，电容器会吸收或释放电荷，这种现象被称为电容器的充放电。

在TVS中，结电容的大小反映了电容器贮存电荷的能力。

结电容越大，电容器贮存或释放电荷的能力就越强。

这意味着，当TVS工作时，结电容越大，其能够吸收和抑制更多过压的能力就越强。

因此，在设计和选择TVS时，结电容的大小需要根据具体应用的需求来确定。

一般来说，如果需要保护的电路中有较高的过压脉冲能量，那么较大的结电容将更加适合。

而对于较低的过压能量，较小的结电容也可以实现保护的效果。

此外，结电容的大小还与TVS的响应时间和频率响应有关。

较大的结电容意味着电容需要更长的时间来充放电，从而导致响应时间的增加。

因此，在特定应用中，需要权衡结电容大小和保护响应速度之间的关系。

此外，需要注意的是，TVS的结电容大小还与其封装方式和制造工艺有关。

不同的封装和制造工艺可能会对结电容大小产生不同的影响。

因此，在选择和应用TVS时，还需要考虑这些因素。

总结起来，瞬态抑制二极管（TVS）的结电容大小是影响其抑制过压能力的一个重要因素。

较大的结电容能够提供更强的过压吸收和抑制能力，但也可能导致响应时间的增加。

在实际应用中，需要根据具体需求来确定结电容的大小，同时还需要考虑封装方式和制造工艺等其他因素。

瞬态抑制二极管参数

1.5KE-瞬态抑制二极管型号
瞬态电压抑制二极管参数（TVS）资料Microsemi公司资料封装：DO-201
瞬态抑制二极管的选型
1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。

若选用的VWM太低，器件可
能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。

串行连接分电压，并行连接分电流。

3、TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉
冲功率。

在确定最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。

交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵
列更为有利。

7、温度考虑。

瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。

如果需要TVS在一个变化的温度工作，
由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。

因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。

P6KE TVS瞬态抑制二极管型号
工作温度范围-55-175℃功率消耗- 最低600W
TVS瞬态电压抑制二极管原理
TVS瞬态抑制二极管封装。

TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数

TVS瞬态电压抑制二极管（钳位二极管）原理参数瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。

瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。

双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。

可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。

耐受能力用瓦特(W)表示。

瞬态电压抑制二极管的主要电参数（1）击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。

（2）最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。

使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

瞬态电压抑制二极管的分类瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。

如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。

若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。

瞬态电压抑制二极管的应用目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/ 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、M P3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。

tvs瞬态抑制二极管参数

TVS瞬态抑制二极管参数1. 介绍瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diode，简称TVS二极管）是一种用于保护电子电路免受瞬态电压干扰的器件。

它可以有效地抑制过电压和过电流，保护电路中的其他元件不受损坏。

本文将重点介绍TVS瞬态抑制二极管的参数，包括其电气参数、封装参数和可靠性参数。

2. 电气参数2.1 额定电压（Vr）额定电压是指TVS二极管能够正常工作的最大电压。

当电压超过额定电压时，TVS二极管将开始导通，以保护电路免受过电压的影响。

2.2 尖峰脉冲功率（Ppp）尖峰脉冲功率是指TVS二极管能够吸收的瞬态脉冲能量。

它表示了TVS二极管在瞬态电压出现时能够承受的最大功率。

通常情况下，尖峰脉冲功率越大，TVS二极管的抑制能力越强。

2.3 最大反向峰值电流（Ipp）最大反向峰值电流是指TVS二极管能够承受的最大反向电流。

当电路中的电压超过额定电压时，TVS二极管将导通，使电流通过，以保护电路。

最大反向峰值电流越大，TVS二极管的抑制能力越强。

2.4 动态电阻（Rd）动态电阻是指TVS二极管在导通状态下的电阻。

动态电阻越小，TVS二极管的抑制能力越强。

因此，低动态电阻是衡量TVS二极管性能好坏的重要指标之一。

3. 封装参数3.1 封装类型TVS瞬态抑制二极管有多种封装类型可供选择，常见的封装类型有DO-214、SMA、SMB等。

不同的封装类型适用于不同的应用场景。

选择合适的封装类型可以提高电路的可靠性和稳定性。

3.2 封装尺寸封装尺寸是指TVS二极管的外部尺寸。

在进行电路设计时，需要考虑TVS二极管的封装尺寸是否符合电路板的布局要求，以确保TVS二极管能够正确安装在电路板上。

3.3 焊接温度焊接温度是指TVS二极管在焊接过程中所能承受的最高温度。

在进行电路组装时，需要控制焊接温度，避免超过TVS二极管的最大焊接温度，以免影响其性能和可靠性。

4. 可靠性参数4.1 工作温度范围工作温度范围是指TVS二极管能够正常工作的温度范围。

TVS瞬态电压抑制二极管钳位二极管原理参数

TVS瞬态电压抑制二极管（钳位二极管）原理参数作者: 日期:TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。

瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA = 250C ,T = 10ms条件下，可达50〜200A。

双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS 一般用于直流电路。

可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。

耐受能力用瓦特(W)表示。

瞬态电压抑制二极管的主要电参数(1 )击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流l(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。

(2 )最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。

使用时应正确选取TVS ,使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

如：各种交流电压保护器、4~200mA 电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。

若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。

瞬态电压抑制二极管的应用目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485 、I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。

瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数

瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。

TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。

TVS允许的正向浪涌电流在T ＝25℃，T＝10ms条件下，可达50～200A 。

双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。

二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。

从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。

2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。

三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。

2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。

使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

瞬态抑制二极管

瞬态抑制二极管一、工作原理瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，简称TVS二极管）是一种特殊的二极管，其工作原理基于反向击穿效应。

当工作电压高于二极管的击穿电压时，电压快速上升，使二极管发生击穿并形成短路，从而将过电压导向地或其他引线。

通过这种方式，它可以将过电压引导到一个安全的电平，从而保护其他部件免受电压过高的损害。

二、特性1. 反应速度快：瞬态抑制二极管响应速度非常快，可以在纳秒级别完成击穿操作，从而能够迅速抑制电路中的过电压。

2. 高击穿电压：瞬态抑制二极管的击穿电压通常较高，能够承受较大的电压冲击而不受损坏。

这使得它成为电路保护的理想选择。

3. 低泄漏电流：瞬态抑制二极管的泄漏电流通常很小，在正常工作条件下几乎可以忽略不计。

这有助于减少功耗并提高电路的效率。

4. 大电流承受能力：瞬态抑制二极管能够承受较大的电流冲击，从而保护电路中的其他元器件免受过电流损害。

5. 长寿命：由于瞬态抑制二极管一般工作在击穿电压以下的电压范围内，因此其寿命较长，可靠性较高。

三、应用案例瞬态抑制二极管在电子行业有着广泛的应用。

以下是几个常见的应用案例：1. 电源保护：在电源电路中，瞬态抑制二极管被用来保护负载设备免受电压突波和瞬态电压的影响。

它能够将高电压引导到地线，从而保护电路中的其他元件。

2. 通信设备保护：瞬态抑制二极管可以用于保护通信设备中的电子元器件免受雷击和电磁干扰的影响。

当突发电压超过设备工作范围时，TVS二极管能迅速击穿，吸收过电压，保护设备正常工作。

3. 汽车电子系统：汽车电子系统需要抵抗来自电磁干扰和电压峰值的损害。

瞬态抑制二极管被广泛应用于汽车电子设备中，以保护各种电子元器件，如发动机控制单元(ECU)、电动机驱动器和GPS设备。

4. 工业控制系统：工业控制系统的稳定性和可靠性对生产过程至关重要。

瞬态抑制二极管可用于保护各种工业控制设备免受电压干扰和突发电压冲击。

瞬态抑制二极管TVS二极管型号汇总

瞬态抑制二极管TVS管型号汇总硕凯电子（Sylvia）1、瞬态抑制二极管产品简述硕凯瞬态电压抑制器（TransientVoltageSuppressor）简称TVS管，也叫瞬态抑制二极管，TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。

其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。

TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等。

其特点为反应速度快(为ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。

其10/1000μs 波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。

2、各种型号大全（1）名称：SOD-123封装SMF系列功率：200W电压（VRWM）：1.0-400V电流（IPP）：21.7-0.65A封装：SOD-123产品系列：SMF（2）名称：DO-214AC封装SMAJ系列功率：400W工作电压：5.0－440.0V电流（IPP）：43.5-0.6A封装：DO-214AC产品系列：SMAJ（3）名称：DO-214AA封装SMBJ系列功率：600W工作电压：5.0-440.0V电流：65.3-0.9A封装：DO-214AA产品系列：SMBJ（4）名称：DO-214AB封装SMCJ系列功率：1500W工作电压：5.0-440.0V电流：163.0-2.1A封装：DO-214AB产品系列：SMCJ（5）名称：DO-214AB封装SMDJ系列功率：5000W工作电压：5.0-170.0V电流：326.1-10.9A封装：DO-214AB产品系列：SMDJ（6）名称：DO-15封装SA系列功率：500W工作电压：5.0-180.0V电流：55.4-1.7A封装：DO-15产品系列：SA（7）名称：DO-41封装P4KE系列功率：400W工作电压：5.8-495.0V电流：39.0-0.52A封装：DO-41产品系列：P4KE（8）名称：DO-15封装P6KE系列功率：600W工作电压：5.8-512.0电流：0.75-58.1A封装：DO-15产品系列：P6KE（9）名称：DO-201封装 1.5KE系列功率：1500W工作电压：5.8-495.0V电流：144.8-2.0A封装：DO-201产品系列：1.5KE（10）名称：P600封装3KP系列功率：3000W工作电压：5.0-220.0V电流：326.1-8.1A封装：P600产品系列：3KP（11）瞬态抑制二极管TVS二极管余下型号如下：3、小结有关硕凯瞬态抑制二极管TVS二极管的各种型号主要为以上这些，当然，后期还会有新的型号上市，到时再共享。

瞬态电压抑制二极管参数

瞬态电压抑制二极管参数瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，TVS）是一种用于抑制电路中瞬态电压峰值的重要电子组件。

在电力系统、通信设备、汽车电子以及各种电子设备中起到了至关重要的保护作用。

瞬态电压抑制二极管参数的合理选择对于电路的可靠性和稳定性具有重要意义。

本文将深入探讨瞬态电压抑制二极管参数的相关内容，希望能够对读者进行全面、深刻和灵活的理解。

一、瞬态电压抑制二极管的概述瞬态电压抑制二极管，又称为TVS二极管，主要用于对电路中的瞬态电压进行保护。

它的主要作用是通过提供一个低阻抗的路径，将瞬态电压引导到地或其他低电压点，以保护电路中的敏感元件不受损坏。

瞬态电压抑制二极管的参数主要包括最大峰值电压（Vc），最大峰值电流（Ipp），保护电压（Vr），响应时间（tr），以及功率耗散能力等。

二、瞬态电压抑制二极管参数的影响因素1. 最大峰值电压（Vc）：Vc是瞬态电压抑制二极管能够承受的最大电压，在选择时应考虑电路中可能出现的最高电压，以确保其能够提供有效的保护。

根据电路的需求，Vc的值应略高于电路中最高电压值。

2. 最大峰值电流（Ipp）：Ipp是瞬态电压抑制二极管能够承受的最大电流，也是保护电路的重要参数。

在电路中发生瞬态电压过冲时，瞬态电流会通过二极管，因此选择具有足够大的Ipp值的二极管可以确保其正常工作。

3. 保护电压（Vr）：Vr是指瞬态电压抑制二极管对于保护电路中敏感元件的保护电压。

当瞬态电压超过Vr时，二极管将开始导通，将瞬态电压引导到地或其他低电压点。

根据电路中敏感元件的额定工作电压，选择合适的Vr值非常重要。

4. 响应时间（tr）：响应时间是瞬态电压抑制二极管从正常工作状态到完全导通所需的时间。

较短的响应时间可以更快地保护电路中的敏感元件，因此在选择二极管时需要注意其响应时间。

5. 功率耗散能力：功率耗散能力是指瞬态电压抑制二极管在正常工作状态下能够耗散的最大功率。

瞬态电压抑制二极管参数

瞬态电压抑制二极管参数瞬态电压抑制二极管（TVS二极管）是一种特殊设计的二极管，用于保护电子电路免受瞬时高压冲击的损害。

它是一种用于限制电路中瞬时高电压的特殊元件，主要用于保护电子元件、器件和系统。

TVS二极管可以快速响应潜在的过压或ESD（静电放电）事件，通过将过压转移到接地，以稳定电路工作。

下面将详细介绍TVS二极管的参数。

一、工作原理TVS二极管是利用其结构特性来实现对瞬态电压的抑制。

当电路中发生瞬态过压时，TVS二极管的电压会迅速上升，形成导通通道，使得过电压的能量通过TVS二极管分流到地。

这样可以将瞬态过压的能量耗散在TVS二极管中，从而保护其他电子器件不受损害。

TVS二极管对于电子电路的保护起着非常重要的作用。

二、参数及性能指标1. 额定工作电压（VRM）额定工作电压是TVS二极管在正常工作条件下允许通过的最大电压。

在选型时需要根据电路的工作电压来选择合适的TVS二极管，通常应该确保额定工作电压大于最大工作电压，以保证TVS二极管的可靠性和稳定性。

一般而言，额定工作电压越高，TVS二极管的耐压能力越强。

2. 峰值脉冲功率（PPM）峰值脉冲功率表示TVS二极管在瞬态电压下能够吸收的能量，通常以瓦特（W）为单位。

PPM越大，表示TVS二极管在瞬态过压时具有更好的能量吸收能力，在保护电路时具有更高的效果。

3. 反向漏电流（IRM）TVS二极管在反向电压下的漏电流，通常以微安（μA）级别计算。

IRM越小，表示TVS 二极管在不导通时的耗散功率较低，可以减小对电路的影响。

4. 反向峰值脉冲电压（VRM）反向峰值脉冲电压表示TVS二极管在正向电压超过额定工作电压时的最大反向电压。

选型时应确保电路的最大反向峰值电压小于TVS二极管的额定反向峰值脉冲电压，以确保TVS二极管能够有效保护电路。

5. 响应时间（RESPONSE TIME）TVS二极管的响应时间是指当工作电压超过额定电压时，TVS二极管开始工作的时间。

TVS(瞬变抑制)二极管参数与选型

TVS（瞬变抑制）二极管参数与选型TVS管的英文名是TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR，中文名叫瞬变抑制二极管。

它在承受瞬间高能量脉冲时，能在极短的内由原来的高阻抗状态变为低阻抗，并把电压箝制到特定的水平，从而有效的保护用户的设备和元器件不受损坏。

由于其具有箝位电压低、动作时间快等特点；因此比较适合于多级保护电路的末级保护。

此外也能和其它保护元件配合使用，组成专用的防雷装置。

目录TVS的参数特性TVS的应用TVS和其它浪涌保护元件的区别TVS的选用方法TVS管TVS的参数特性１.TVS特性TVS管是典型的PN结雪崩器件，和普通稳压管的击穿特性差不多。

但这条曲线只反映了TVS特性的一个部分，还必须补充下图所示的特性曲线，才能反映TVS的全部特性。

这是在双踪示波器上观察到的TVS管承受大电流冲击时的电流及电压波形。

图中曲线1是TVS管中的电流波形，它表示流过TVS管的电流由1mA突然上升到峰值，然后按指数规律下降，造成这种电流冲击的原因可能是雷击、过压等。

曲线2是TVS管两端电压的波形，它表示TVS中的电流突然上升时，TVS两端电压也随之上升，但最大只上升到VC值，这个值比击穿电压VBR略大，从而对后面的电路元件起到保护作用。

TVS在电路中和稳压管一样，是反向使用的。

2.参数说明A.击穿电压（VBR）：TVS在此时阻抗骤然降低，处于雪崩击穿状态。

B.测试电流（IT）：TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得。

一般情况下IT取１mA。

C.反向变位电压（VRWM）：TVS的最大额定直流工作电压,当TVS两端电压继续上升，TVS将处于高阻状态。

此参数也可被认为是所保护电路的工作电压。

D.最大反向漏电流（IR）：在工作电压下测得的流过TVS的最大电流。

E.最大峰值脉冲电流（IPP）：TVS允许流过的最大浪涌电流，它反映了TVS的浪涌抑制能力。

F.最大箝位电压（VC）：当TVS管承受瞬态高能量冲击时，管子中流过大电流，峰值为IPP，端电压由VRWM值上升到VC值就不再上升了，从而实现了保护作用。

双向tvs瞬态抑制二极管的工作原理

双向tvs瞬态抑制二极管的工作原理双向TVS瞬态抑制二极管的工作原理大家好，今天我给大家讲解一下双向TVS瞬态抑制二极管的工作原理。

我们要明白什么是双向TVS瞬态抑制二极管，它有什么作用。

双向TVS瞬态抑制二极管是一种电子元件，它可以实现正反向电压的瞬态抑制，保护其他元器件免受过电压的影响。

接下来，我将从三个方面来详细讲解它的工作原理。

一、正向电压抑制1.1 原理当正向电压加在双向TVS瞬态抑制二极管上时，由于二极管的正向导通特性，电流会从源端流向负载端，同时二极管的反向击穿电压会使得反向电流很小，从而达到抑制过电压的目的。

1.2 结构双向TVS瞬态抑制二极管的结构主要由阳极、阴极和两个PN结组成。

阳极是P型半导体，阴极是N型半导体，两个PN结分别连接在阳极和阴极上。

当正向电压作用在阳极上时，阳极上的P型半导体会发生载流子扩散，形成大量的自由电子，这些电子会从阳极流向阴极，同时阴极上的N型半导体也会发生载流子扩散，形成大量的空穴，这些空穴会从阴极流向阳极。

这样，就形成了一个从源端到负载端的电流路径。

1.3 应用双向TVS瞬态抑制二极管广泛应用于电源线路、信号线路、汽车电子、照明电路等领域，用于保护其他元器件免受过电压的影响。

二、反向电压抑制2.1 原理当反向电压加在双向TVS瞬态抑制二极管上时，由于二极管的反向击穿电压，会导致反向电流急剧增大，从而消耗掉反向电压，保护其他元器件免受过电压的影响。

2.2 结构双向TVS瞬态抑制二极管的结构与正向电压抑制时的相反，阳极和阴极的位置互换。

为了提高反向击穿电压，通常会在阴极上添加一个电容，这样在反向电压作用下，电容会充电，使得阴极上的电压逐渐升高，直到达到击穿电压为止。

2.3 应用双向TVS瞬态抑制二极管同样广泛应用于电源线路、信号线路、汽车电子、照明电路等领域，用于保护其他元器件免受过电压的影响。

三、总结通过以上介绍，我们可以看出双向TVS瞬态抑制二极管具有正反向电压抑制的功能，可以有效地保护其他元器件免受过电压的影响。

TVS 即瞬态抑制二极管

TVS 即瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）2007-12-01 14:411、概述：TVS管是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）的简称。

它的特点是：响应速度特别快（为ns级）；耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差，其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。

2、特性：TVS管有单向与双向之分，单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联，其主要特性参数有：①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。

②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压。

③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs 波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成永久性损坏。

在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。

④最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。

⑤脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP 与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。

⑥稳态功率P0：TVS管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功率。

⑦极间电容Cj：与压敏电阻一样，TVS管的极间电容Cj也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大。

ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。

本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时，最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向关断电压等参数对电路的影响及选择准则，并针对便携消费电子设备、机顶盒、以及个人电脑中的视频线路保护、USB保护和RJ-45接口等介绍了一些典型应用随着移动产品、打印机、PC，DVD、机顶盒(STB)等产品的迅速发展，消费者正要求越来越先进的性能。

瞬态抑制二极管的详细介绍和使用指导

瞬态抑制二极管的详细介绍和使用指导
一、瞬态抑制二极管介绍
瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，TVS）是一种用于抑制和减少设备内部电路的偶然突发电压及峰值电压传播的继电器器件。

由于它能抑制来自外部扰动源的瞬变电压，它又被称为瞬变电压抑制器（Transient Voltage Suppressors，TVS）。

它的工作原理是，当外部突发电压超过预先设定的电压，就会导致TVS二极管突然导通，迅速把外部扰动源的传入电压引入到地系统或接地系统。

它主要有三种：一极式瞬态抑制二极管、双极式瞬态抑制二极管和三极式瞬态抑制二极管，可以用来保护单极系统、双极系统和三极系统。

二、瞬态抑制二极管的使用指导
1、正确安装
一般来说，TVS二极管需要通过焊接来安装，然而它们的焊接零件较小，相对较脆，因此安装时需要注意它们的焊接零件是否正确。

安装完成后，应检查TVS的外壳是否紧贴系统板的基板。

2、安装位置
TVS除了需要安置在可能受到外部扰动源影响的部位外，需要进行正确安。

瞬态抑制二极管的参数

瞬态抑制二极管的参数简介瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，简称TVS二极管）是一种用于保护电子设备免受瞬态电压冲击的特殊二极管。

它能够快速响应并吸收过电压，从而保护其他元件免受损坏。

本文将详细介绍TVS二极管的参数。

参数1. 额定反向工作电压（Rated Standoff Voltage）额定反向工作电压（Vrwm）是指TVS二极管在正常工作状态下可以承受的最大反向电压。

超过这个值，TVS二极管就可能被击穿，无法正常工作。

因此，在选择TVS二极管时，需要根据应用场景中可能遇到的最大反向电压来确定合适的额定反向工作电压。

2. 尖顶脉冲功率（Peak Pulse Power）尖顶脉冲功率（Ppp）是指TVS二极管能够吸收并耗散的最大瞬态功率。

当遇到过电压时，TVS二极管会迅速导通，并将过电压转化为热量进行耗散。

尖顶脉冲功率决定了TVS二极管能够承受的最大瞬态功率，过大的功率可能导致TVS二极管损坏。

3. 尖顶脉冲电流（Peak Pulse Current）尖顶脉冲电流（Ipp）是指TVS二极管能够吸收并耗散的最大瞬态电流。

当遇到过电压时，TVS二极管会迅速导通，并将过电流通过自身进行耗散。

尖顶脉冲电流决定了TVS二极管能够承受的最大瞬态电流，过大的电流可能导致TVS二极管损坏。

4. 尖顶脉冲重复频率（Peak Pulse Repetition Frequency）尖顶脉冲重复频率（Frep）是指TVS二极管能够连续吸收和耗散尖顶脉冲的频率。

在一些应用场景中，可能会出现高频率的瞬态电压或电流，因此需要选择具有足够高尖顶脉冲重复频率的TVS二极管。

5. 动态电阻（Dynamic Resistance）动态电阻（Rd）是指在正向偏置状态下，TVS二极管的电压和电流之间的变化率。

动态电阻越小，表示TVS二极管在正常工作状态下具有更好的导通特性。

因此，较低的动态电阻是选择合适TVS二极管的重要考虑因素。

瞬态电压抑制二极管TVS

什么是TVS瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管（Transient V oltage Suppressor）简称TVS 管，TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。

其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。

当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

TVS管工作原理：器件并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。

TVS允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。

双向TVS 可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。

可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。

耐受能力用瓦特(W)表示。

TVS二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI过滤和RFI 防护等功能与TVS管集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。

瞬态电压抑制二极管的选用原则在选用瞬态电压抑制二极管(TVS)时，必须考虑电路的具体条件，一般应遵循以下原则：1) 箝位电压Vc(MAX)不大于电路的最大允许安全电压。

2) 最大反向工作电压(变位电压)VRWM不低于电路的最大工作电压，一般可以选VRWM等于或略高于电路最大工作电压。

3) 额定的最大脉冲功率，必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率。

下面是TVS在电路应用中的典型例子:TVS用于交流电路图2-1是一个双向TVS在交流电路中的应用，可以有效地抑制电网带来的过载脉冲，从而起到保护整流桥及负载中所有元器件的作用。

TVS瞬态抑制二极管

P6KE6.8A P6KE：瞬态功率：600W 封装类型：DO-15； 6.8：击穿电压 6.8V； A：表示单向；
HFA-030L HFA 表示 3KA 系列，HFB:6KA, HFC:10KA, HFD:16KA, HFE:20KA 030 表示截止电压为 30V； L 表示结构类型；
8. 应用
3. 特点
限压型过压保护器件；反应速度快，1pS，是所有防雷保护器件中最快的；电容值高，相同功率规格下，截止电压越大电容越小；相同电压规格下，功率越大电容越大；低电容系列：B6A B6C 35pF，SAC 50pF，LCE 100pF；电压规格 5V-600V，电压偏差±5%；漏电流低，一般为几个 µA。低电压规格（一般 10V 以下）下，漏电流大，可以达到几十甚至几百 µA；抑制电压能力强，限制电压能力是所有限压型保护器件中最强的；性能可靠，使用寿命长；有单双向之分，单向有色环，标有色环的是二极管的阴极，使用时接高电压端。瞬态功率 400W-30KW（10/1000µs 波形），HF 系列 HFA、HFB、HFC、HFD、 HFE 的通流量分别为 3KA、6KA、10KA、16KA、20KPA（8/20µs 波形）；封装多样化，有贴片式的 SMA、SMB、SMC 封装和直插式 DO-41、DO-15、 DO-201、P600 封装；
并联在电路中的限压型过压保护器件，限压能力强。通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电。
用于 5V 电源保护
9. 选型规则
1.截止电压大于电路正常工作电压； 2.击穿电压小于电路安全电压； 3.产品功率要大于电路中可能出现的浪涌最大功率； 4.钳位电压要小于后级被保护电路所承受的最大瞬态峰值电压；
DO-201
/ P600

TVS瞬态抑制二极管阵列SP1003

DescriptionApplications Zener diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repetitive ESD strikes at ±30kV (contact discharge, IEC 61000-4-2) without performance degradation. Additionally, each diode can safely dissipate 7A of 8/20µs surge current (IEC61000-4-5) with very low clamping voltages. Features• ESD, IEC61000-4-2,±30kV contact, ±30kV air• EFT , IEC61000-4-4, 40A (5/50ns)• Lightning, IEC61000-4-5, 7A (8/20µs)• Low leakage current of 100nA (MAX) at 5V • Tiny SOD723/ SOD882 (JEDEC MO-236) package saves board space • Fits solder footprint of industry standard 0402 (1005) devices • A EC-Q101 qualified (SOD882 package)• Mobile phones • Smart phones• PDAs• Portable navigation devices• Digital cameras• Portable medical devicesPinoutFunctional Block DiagramLife Support Note:Not Intended for Use in Life Support or Life Saving ApplicationsThe products shown herein are not designed for use in life sustaining or life saving applications unless otherwise expressly indicated.Application ExampleSignal I/O port B1GroundB2B3B412SOD882(AEC-Q101 qualified)CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may causepermanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.Absolute Maximum RatingsThermal InformationElectrical Characteristics (T OP =25ºC)Note: 1 Parameter is guaranteed by design and/or device characterization.Capacitance vs. Reverse BiasClamping Voltage vs. I PP0.05.010.015.020.025.030.035.040.00.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0DC Bias (V)C a p a c i t a n c e (p F )T ransmission Line Pulsing (TLP) PlotSoldering ParametersLeakage vs. T emperaturePulse Waveform0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%110%0.0 5.0 10.0 15.0 20.0 25.0 30.0Time (μs)P e r c e n t o f I P PPackage Dimensions — SOD723Recommended Solder Pad Layout]Millimeters (Inches)Package Dimensions — SOD882Recommended Soldering Pad LayoutOrdering InformationProduct CharacteristicsNotes :1. All dimensions are in millimeters2. Dimensions include solder plating.3. Dimensions are exclusive of mold flash & metal burr.4. Blo is facing up for mold and facing down for trim/form, i.e. reverse trim/form.5. Package surface matte finish VDI 11-13.Part Numbering System Part Marking SystemSP 1003 *T GSeriesPackage D: SOD723T= Tape & Reel G= Green –TVS Diode Arrays (SPA ® Diodes)E: SOD882Number of Channels-01 = 1 Channel01 SOD723SOD882or CCEmbossed Carrier Tape & Reel Specification — SOD723KEmbossed Carrier T ape & Reel Specification — SOD882。