单晶生讲义长操作规程讲解
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单晶生长操作规程讲解
单晶生长操作规程讲解
2.抽真空，检漏： a.各处密封圈务必清理洁净. b.真空泵正确的关闭与开启. c.炉子漏气率的关键性.
Q=(P1-P2)XV/TR 3.拉晶的实践过程：
早先： 真空拉晶--常压拉晶--减压拉晶 对目前的炉内拉晶压力要求在8-15turo<2700
单晶生长操作规程讲解
单晶生长操作规程讲解
⑧加热部分恢复时，停电时间较长且结晶大于10分钟 或坩埚破裂，就快速提升晶体或籽晶距液面150mm。
⑨在熔体结晶15分钟时，快速升坩埚并顶起导流筒 100mm。
⑩停炉，冷却后拆炉。
b 若炉子工作时，加热电源、控制电源同时断电
①立即关闭抽空阀门，关闭所有升降转动开关， ②手动摇手柄降低埚位到熔料埚位， ③同时将氩气流量调大充至-0.05MPa左右关闭氩气， ④电源恢复时开真空泵使氩气流量恢复正常，
④熔化结晶面，在此期间应密切炉内有无严重
单晶生长操作规程讲解
氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严 重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并报告。
⑤晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后， 手动调节功率为引晶功率，温度稳定后开始引晶。
c 停水后水压无法恢复，或恢复时结晶大于10分钟
①快速提升晶体或籽晶，距液面150mm。 ②待熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚并顶起 导流筒100mm。 ③停炉，充分冷却后拆炉。
The end
观感 看谢
单晶生长操作规程讲解
⑤ 若恢复且时间较短（如停水）则升功率熔料， ⑥ 启动埚转为2转/分并确保电位器处于零位，若晶体或 籽晶与液面结晶在一起需等其结晶面熔化脱离， ⑦ 熔化结晶面时应密切注意液面情况，有问题及时上报 ⑧ 晶体处理同晶变单晶一样，全熔后降温引晶， ⑨ 停电时间较长且结晶大于10分钟或坩埚破裂，就快速 提升晶体或籽晶距液面150mm. ⑩ 在熔体结晶15分钟时，快速升坩埚并顶起导流筒 100mm并停炉，待冷却后拆炉.
单晶生长操作规程讲解
B 停电
a 若炉子工作时，加热部分停电：
①把复位控制柜面板上的单晶生长控制器调到手动， ②降低埚位到熔料埚位， ③关闭埚转， ④加热部分恢复且时间较短（如停水）则升功率熔料， ⑤启动埚转为2转/分并确保电位器处于零位， ⑥熔化结晶面时应密切注意液面情况，有问题及时上报 ⑦晶体处理同晶变单晶一样，全熔后降温引晶，
单晶生长操作规程讲解
b 停水后水压恢复
①冷却水恢复供应时，立即检查（自动打开的） 或关闭事故水阀门，监控水压，有异常及时报告。
②水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未 结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚 未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。
③启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确 保埚转电位器处于零位。
7.Dash缩颈（无位错单晶生长技术） 位错的特性：位错是一种线性缺陷，是由几个原子大小 的线性管道，位错线附近原子发生严重错排和畸变。 位错分为：棱位错 螺行位错 混合位错
单晶生长操作规程讲解
8.缩颈的要点： ①下降过程中不要急于接触到高温（分段下降）.
②籽晶与熔体要在合适的温度下充分良好的接触.
V 生长速度
d 硅的密度
A 固液界面的截面积
KL 液体热传导系数 dTL /dx 临近界面 KS 固体热传导系数
10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ②恒定降温方式 .
单晶生长操作规程讲解
11.转肩与等径： ①转肩时的大小与拉速（2--4mm/min). ②降低拉速，跟进埚跟比和随动. ③确认等径参数，投入自动. ④断棱和回熔
③细颈（Ф4--5mm， L=150mm）
9.能量守恒方程式：
®
Qn+Ql=Qm+Qc
Qn：加热器提供的系统热量 Ql：晶体结晶时释放的潜热
Qm：熔体表面损失的热量
Qc：晶棒表面通过热辐射与对流将热量损失到外围
单晶生长操作规程讲解
源自文库
® LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx)
L 结晶潜热
12.收尾与停炉： ①根据埚底料的多少判断是否要收尾. ②控制温度和拉速. ③降功率、停炉冷却. ④整个拉晶过程的记录。
单晶生长操作规程讲解
拉晶过程中常见事故和处理
A 停水
a 发生停水时，立即检查（自动打开的）或打 开停水炉子的事故水进水阀。
① 关闭加热功率， ② 复位控制柜面板上单晶生长控制器，使 其处于手动状态， ③降低埚位到熔料埚位， ④关闭埚转。
4.热量传递的三种方式： ① 传导 ② 对流 ③ 辐射
5.熔料： ①加热与保温 ②正确的使用加热功率，不破坏石英坩埚与石墨坩埚的
使用寿命，不破坏其结构。 ③在化料过程中，坩埚的位置放置的重要性。 ④拉晶的时间越长，拉晶的困难就越大。
单晶生长操作规程讲解
6.熔体的对流： ①自然对流. ②强迫对流---旋流. ③强迫对流---逆流. ④表面张力对流.
单晶生长操作规程讲解
2.抽真空，检漏： a.各处密封圈务必清理洁净. b.真空泵正确的关闭与开启. c.炉子漏气率的关键性.
Q=(P1-P2)XV/TR 3.拉晶的实践过程：
早先： 真空拉晶--常压拉晶--减压拉晶 对目前的炉内拉晶压力要求在8-15turo<2700
单晶生长操作规程讲解
单晶生长操作规程讲解
⑧加热部分恢复时，停电时间较长且结晶大于10分钟 或坩埚破裂，就快速提升晶体或籽晶距液面150mm。
⑨在熔体结晶15分钟时，快速升坩埚并顶起导流筒 100mm。
⑩停炉，冷却后拆炉。
b 若炉子工作时，加热电源、控制电源同时断电
①立即关闭抽空阀门，关闭所有升降转动开关， ②手动摇手柄降低埚位到熔料埚位， ③同时将氩气流量调大充至-0.05MPa左右关闭氩气， ④电源恢复时开真空泵使氩气流量恢复正常，
④熔化结晶面，在此期间应密切炉内有无严重
单晶生长操作规程讲解
氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严 重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并报告。
⑤晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后， 手动调节功率为引晶功率，温度稳定后开始引晶。
c 停水后水压无法恢复，或恢复时结晶大于10分钟
①快速提升晶体或籽晶，距液面150mm。 ②待熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚并顶起 导流筒100mm。 ③停炉，充分冷却后拆炉。
The end
观感 看谢
单晶生长操作规程讲解
⑤ 若恢复且时间较短（如停水）则升功率熔料， ⑥ 启动埚转为2转/分并确保电位器处于零位，若晶体或 籽晶与液面结晶在一起需等其结晶面熔化脱离， ⑦ 熔化结晶面时应密切注意液面情况，有问题及时上报 ⑧ 晶体处理同晶变单晶一样，全熔后降温引晶， ⑨ 停电时间较长且结晶大于10分钟或坩埚破裂，就快速 提升晶体或籽晶距液面150mm. ⑩ 在熔体结晶15分钟时，快速升坩埚并顶起导流筒 100mm并停炉，待冷却后拆炉.
单晶生长操作规程讲解
B 停电
a 若炉子工作时，加热部分停电：
①把复位控制柜面板上的单晶生长控制器调到手动， ②降低埚位到熔料埚位， ③关闭埚转， ④加热部分恢复且时间较短（如停水）则升功率熔料， ⑤启动埚转为2转/分并确保电位器处于零位， ⑥熔化结晶面时应密切注意液面情况，有问题及时上报 ⑦晶体处理同晶变单晶一样，全熔后降温引晶，
单晶生长操作规程讲解
b 停水后水压恢复
①冷却水恢复供应时，立即检查（自动打开的） 或关闭事故水阀门，监控水压，有异常及时报告。
②水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未 结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚 未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。
③启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确 保埚转电位器处于零位。
7.Dash缩颈（无位错单晶生长技术） 位错的特性：位错是一种线性缺陷，是由几个原子大小 的线性管道，位错线附近原子发生严重错排和畸变。 位错分为：棱位错 螺行位错 混合位错
单晶生长操作规程讲解
8.缩颈的要点： ①下降过程中不要急于接触到高温（分段下降）.
②籽晶与熔体要在合适的温度下充分良好的接触.
V 生长速度
d 硅的密度
A 固液界面的截面积
KL 液体热传导系数 dTL /dx 临近界面 KS 固体热传导系数
10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ②恒定降温方式 .
单晶生长操作规程讲解
11.转肩与等径： ①转肩时的大小与拉速（2--4mm/min). ②降低拉速，跟进埚跟比和随动. ③确认等径参数，投入自动. ④断棱和回熔
③细颈（Ф4--5mm， L=150mm）
9.能量守恒方程式：
®
Qn+Ql=Qm+Qc
Qn：加热器提供的系统热量 Ql：晶体结晶时释放的潜热
Qm：熔体表面损失的热量
Qc：晶棒表面通过热辐射与对流将热量损失到外围
单晶生长操作规程讲解
源自文库
® LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx)
L 结晶潜热
12.收尾与停炉： ①根据埚底料的多少判断是否要收尾. ②控制温度和拉速. ③降功率、停炉冷却. ④整个拉晶过程的记录。
单晶生长操作规程讲解
拉晶过程中常见事故和处理
A 停水
a 发生停水时，立即检查（自动打开的）或打 开停水炉子的事故水进水阀。
① 关闭加热功率， ② 复位控制柜面板上单晶生长控制器，使 其处于手动状态， ③降低埚位到熔料埚位， ④关闭埚转。
4.热量传递的三种方式： ① 传导 ② 对流 ③ 辐射
5.熔料： ①加热与保温 ②正确的使用加热功率，不破坏石英坩埚与石墨坩埚的
使用寿命，不破坏其结构。 ③在化料过程中，坩埚的位置放置的重要性。 ④拉晶的时间越长，拉晶的困难就越大。
单晶生长操作规程讲解
6.熔体的对流： ①自然对流. ②强迫对流---旋流. ③强迫对流---逆流. ④表面张力对流.