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三极管原理全总结

三极管原理全总结

1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。

即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。

例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。

总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。

NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。

PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC<VB<VE。

2、三极管的三种工作状态:放大、饱和、截止(1)放大区:发射结正偏,集电结反偏。

对于NPN管来说,发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue,集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。

放大条件:NPN管:Uc>Ub>Ue;PNP管:Ue>Ub>Uc。

(2)饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。

即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc,PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。

饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大,但管压降Uce 却很小,Uce≈0。

这时三极管的c、e 极相当于短路,可看成是一个开关的闭合。

饱和压降,一般在估算小功率管时,对硅管可取0.3V,对锗管取0.1V。

此时的,iC几乎仅决定于Ib,而与Uce无关,表现出Ib对Ic的控制作用。

(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。

由于两个PN 结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce 却很大。

这时的三极管c、e 极相当于开路。

可以看成是一个开关的断开。

3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。

三极管原理全总结

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1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub<=Uce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uon且UCE>=Ube,即Uc>Ub>Ue。
饱和区:Ube>Uon且Uce<Ube
NPN型三极管导通时(饱和状态)ce间电压约为0.3V,PNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,ec间电压也约等于0.3V。NPN型三极管截止时只需发射极反偏即可,PNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。由于两个PN结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于1(通常在几十到几百的范围内),所以Ic>>Ib。由于这个缘故,共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理

三极管基础知识

三极管基础知识

三极管基础知识1.三极管的封装形式和管脚识别方法一:常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,如图对于小功率金属封装三极管,按图示底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。

方法二:测判三极管的口诀四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。

”释吧。

一、三颠倒,找基极二、 PN结,定管型(NPN還是PNP)三、顺箭头,偏转大(1) 对于NPN型三极管,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大(電阻小),此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极f9.8→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c 极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c。

四、测不出,动嘴巴:是一步,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。

具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。

其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。

2.晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。

三极管总结

三极管总结

班级:姓名:学号:日期:内容:4. 1三极管重点与难点:三极管的构成、放大原理和特性。

1.三极管的结构与符号。

2.三极管的放大条件。

内部条件(了解):。

外部条件(掌握):。

根据三极管放大的外部条件,NPN型三极管三个电极的电位应该满足。

PNP型三极管三个电极的电位应该满足。

3.从三极管内部载流子的传输过程。

简明扼要写出三极管的电流关系:。

4.了解三极管的三种连接方式(a)组态(b)组态(c)组态5.共射极接法三极管的V—I特性曲线。

放大区的特点:。

饱和区的特点:。

截止区的特点:。

6.了解三极管的主要参数。

注意关注三极管的极限参数。

7.了解温度对三极管参数及特性的影响。

班级:姓名:学号:日期:内容:4.2基本共射极放大电路重点与难点:放大器的工作过程。

1.放大电路的正常放大的原则:电路外加电压的极性必须保证三极管工作在放大状态,即发射结正向偏置,集电结反向偏置;输入回路应保证输入信号能送进电路,也就是说输入电压的变化能转换成三极管输入电流的变化;输出回路应保证三极管输出电流的变化能够转换成输出电压的变化并能够送至负载。

根据以上原则看下列各放大电路能否正常放大?为什么?若不能放大,请改正。

2.基本共射放大电路的工作原理如何找出放大电路的直流通路和交流通路?静态(直流工作状态)、直流通路(直流电流流通的路径)根据直流通路计算静态工作点。

动态(交流工作状态)、交流通路(交流电流流通的路径)试着画出下面电路对应的直流通路以及交流通路?3.放大的实质是什么?班级:姓名:学号:日期:内容:4. 3放大电路的图解分析法重点与难点:图解分析法。

利用三级管的特性曲线采用作图进行求解的方法。

它形象直观,多用于确定静态工作点和分析波形失真。

电路如上图,回答下面的问题1.如果已知输入输出特性曲线,图解分析法确定静态工作点的步骤是怎样的?什么是直流负载线?2.动态工作情况图解分析的步骤如下:什么是交流负载线?交流负载线和直流负载线有什么区别?3.分析波形失真。

三极管原理全总结

三极管原理全总结

1.三极管的正偏与反偏: 给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏, 否那么就是反偏。

即当P区〔阳极〕电位高于N区电位时就是正偏, 反之就是反偏。

例如NPN型三极管, 位于放大区时, Uc>Ub集电极反偏, Ub>Ue发射极正偏。

总之, 当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时, 那么为正偏, 反之为反偏。

NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

NPN是用B—E的电流〔IB〕控制C—E的电流〔IC〕, E极电位最低, 且正常放大时通常C极电位最高, 即VC>VB>VE。

PNP是用E—B的电流〔IB〕控制E—C的电流〔IC〕, E极电位最高, 且正常放大时通常C极电位最低, 即VC<VB<VE。

2.三极管的三种工作状态: 放大、饱和、截止〔1〕放大区: 发射结正偏, 集电结反偏。

对于NPN管来说, 发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue, 集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。

放大条件: NPN管: Uc>Ub>Ue;PNP管: Ue>Ub>Uc。

〔2〕饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。

即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc, PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。

饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大, 但管压降Uce 却很小, Uce≈0。

这时三极管的c、e 极相当于短路, 可看成是一个开关的闭合。

饱和压降, 一般在估算小功率管时, 对硅管可取0.3V, 对锗管取0.1V。

此时的, iC几乎仅决定于Ib, 而与Uce无关, 表现出Ib对Ic的控制作用。

〔3〕截止区:发射结反偏, 集电结反偏。

由于两个PN 结都反偏, 使三极管的电流很小, Ib≈0, Ic≈0, 而管压降Uce 却很大。

这时的三极管c、e 极相当于开路。

可以看成是一个开关的断开。

关于三极管工作的原理总结(汇总11篇)

关于三极管工作的原理总结(汇总11篇)

1、电流放大三极管的作用之一就是电流放大,这也是其最基本的作用。

以共发射极接法为例,一旦由基极输入一个微小的电流,在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍,β被叫做三极管的电流放大系数。

将输入的微弱信号扩大β倍后输出,这便是三极管的电流放大作用。

2、用作开关三极管的作用之二就是用作开关。

三极管在饱和导通时,其CE极间电压很小,低于PN 结导通电压,CE极间相当于短路,“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时,其CE 极间电流很小,相当于断路,“开关”呈现关的状态。

因此可完成开关的功能,且其开关速度极快,控制灵敏,且不产生电火花。

3、扩流三极管的作用之三就是扩流作用,在某些情况下,可扩大电流限值或电容容量等。

比如:将小功率可控硅与大功率三级管相结合,可以得到大功率可控硅,扩大了最大输出电流值;在长延时电路中,三极管可完成扩大电容容量的作用。

4、代换三极管的作用之四就是代换作用,在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件,完成相应功能。

比如:两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极管;在某些电路中,三极管可以代换8V的稳压管,代换30V的稳压管等等。

关于三极管工作的原理总结第2篇三极管由两个PN结构成,e–b间的PN结叫发射结,c–b间的PN结叫集电结,b是两个PN结的公共电极。

三极管导电方向由发射结的方向来决定。

三极管有从发射极流入和从发射极流出两种导电形式。

为了区别这两种形式,规定箭头从e极指向b极的三极管表示PNP型。

三极管图形符号如图所示,它有三个引脚电极,用三根短线表示,分别叫发射极e、基极b、集电极c。

发射结上并联有一个电阻。

这表示生产三极管时,也同时制造了一个电阻器,故称为带阻三极管。

上图d所示的图形符号,表示在生产三极管时,也同时制造了一个反方向的二极管,常称为带阻尼三极管。

三极管的输入特性,具体描述了三极管输入电流Ib随输入电压Ube变化的关系。

既可通过测量认识,也可通过分析特性曲线了解。

三极管的基础知识

三极管的基础知识

三極管的基礎知識一﹑極管的結構﹑符號及其分類1. 三極管的結構 發射區 基區集電區 c發射極 e集電極發射結 b 基極 集電結 e PNP 型 PNP 管的符號晶體三極管是由兩個PN 結組成﹐有三個區﹕發射區﹑基區﹑集電區﹐各自引出一個電極稱為發射極﹑基極和集電極﹐分別用字母e ﹑ b ﹑ c 表示﹐每個三極管內部都有兩個PN 結﹐發射區和基區之間的PN 結﹐稱為發射結﹔集電區和基區之間的PN 結﹐稱為集電結。

2. 三極管的分類(1)以材料分﹕硅三極管和鍺三極管(2)以結構分﹕PNP 型三極管和NPN 型三極管(3)以工作頻率分﹕低頻管和高頻管(4)以功率分﹕小功率和大功率管(5)以用途分﹕普通三極管和開關管﹐如(3AK 表示PNP 型開關鍺三極管)二﹑三極管的特性1. 具有放大作用2. I C =βI B (β為直流放大系數)3. I e =I b +I c三﹑三極管的應用可以和其他電子零件構成放大電路及其他電子線路四.三極管的測試1. 硅﹑鍺管的判別如右圖﹐當放大電路處于正常工作狀態時硅管發射結正向壓降為0.6~0.8v ﹐而鍺管只有0.1~0.3 v(即可判別硅管或鍺管)2. NPN 管型和PNP 管型的判別及其基本質量判斷三極管內部有兩個PN 結﹐根據PN 結正向電阻小﹑反向電阻大的特性﹐可以測定管型(1)用數字萬用表打到““檔位。

(2)用紅筆接b極﹐分別用黑筆接c﹑e極﹐如測量值顯示為0.5~0.7 v﹐則該管型為NPN管型﹐質量合格﹔若用黑表接b極﹐則是PNP管型(3)不管NPN管型﹐還是PNP管型﹐c﹑e兩極結的電阻均為無窮大﹐萬用表應顯示為”1”時﹐這時兩種管型都是好的(4)若把黑表筆接b極﹐分別用紅筆接c﹑e極﹐數字表顯示為”1”時﹐此三極管是好的_3.估計比較β的大小kΩ用萬用表撥至R×1kΩ擋來測NPN管型﹐黑表筆接c極﹐紅表筆接e極﹐比較開關s斷開和接通時的電阻值﹐前后兩個讀數相差大﹐表示三極管的β越高。

三极管原理全总结

三极管原理全总结

1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。

即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。

例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。

总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。

NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。

PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC<VB<VE。

2、三极管的三种工作状态:放大、饱和、截止(1)放大区:发射结正偏,集电结反偏。

对于NPN管来说,发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue,集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。

放大条件:NPN管:Uc>Ub>Ue;PNP管:Ue>Ub>Uc。

(2)饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。

即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc,PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。

饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大,但管压降Uce 却很小,Uce≈0。

这时三极管的c、e 极相当于短路,可看成是一个开关的闭合。

饱和压降,一般在估算小功率管时,对硅管可取,对锗管取。

此时的,iC几乎仅决定于Ib,而与Uce无关,表现出Ib对Ic的控制作用。

(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。

由于两个PN 结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce 却很大。

这时的三极管c、e 极相当于开路。

可以看成是一个开关的断开。

3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。

三极管基本知识大全

三极管基本知识大全

三极管基本知识大全半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。

它最主要的功能是电流放大和开关作用。

三极管顾名思义具有三个电极。

二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。

其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。

由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。

三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观如图,大的很大,小的很小。

三极管的电路符号有两种:有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。

实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有9 0××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、901 2(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。

它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。

在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。

我国生产的晶体管有一套命名规则,电子爱好者最好还是了解一下:第一部分的3表示为三极管。

第二部分表示器件的材料和结构,A: PNP型锗材料B: NPN型锗材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料第三部分表竟δ埽琔:光电管 K:开关管 X:低频小功率管 G:高频小功率管 D:低频大功率管 A:高频大功率管。

另外,3 DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。

三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。

当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。

三极管知识点的总结

三极管知识点的总结

晶体三极管晶体三极管一.教学要求:1.了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等:2.理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数:3.掌握三极管的识别和简单测试方法:1.前1、2个属于知识方面的要求2.最后1个属于技能方面的要求二.教学重点、难点分析:1.教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大作用:2.教学难点是三极管的伏-安特性3.技能要求是掌握三极管的识别与简单测试:三.教具:1.晶体三极管:2.万用表:3.晶体管特性测试仪、双踪示波器:四. 教学过程:(一):复习提问,引入新课:1. 二极管具有哪些特性? 2. 常用的电子元器件有哪些?提问3-4位学生回答(二):新课教学:一:三极管的结构、符号和类型:1. 结构:总结:三极管的结构为:三区+两结+三电极:● 三区:指发射区、基区、集电区 ● 两结:指发射结、集电结: ● 三电极:指发射极、基极、集电极: 利用课件进行讲解,然后总结归纳。

2. 符号:3. 三极管具有放大作用的内部条件(结构特点):● 发射区很厚,掺杂浓度最高; ● 基区很薄,掺杂浓度最小; ● 集电区很厚,掺杂浓度比较高。

4. 三极管的型号及其意义:发给不同规格的三极管让学生判别。

二:三极管的电流放大作用: 三极管具有放大作用,必须同时满足内部条件和外部条件,内部条件一般由生产厂家保证。

1. 三极管放大的外部条件:● 发射结正偏; ● 集电结反偏。

用双踪示波器演示输入信号和输出信号的差别,加强学生的感性认识,然后再进行分析。

2. 三极管的电流分配关系:c b e I I I += 3. 三极管电流放大作用的实质:“以小控大”——以基极小电流b I 控制集电极大电流c I 。

因此:双极型三极管属于“电流控制器件”。

三.三极管的连接方式:1. 共发射极:2. 共集电极:3.共基极:三张图进行比较,注意它们之间的特点 四.三极管的伏安特性曲线 (一) 输入特性曲线:三极管的输入特性与二极管的正向特性相似,因此要注意以下几点:1.三极管中的输入特性曲线随U CE的不同有许多条曲线,当VUce1≥时,各条曲线非常接近,所以实际使用时以其中的一条作代表:2.三极管的死区电压与二极管的死区电压基本相同:联系二极管的正向特性,并加以比较分析。

三极管基础知识

三极管基础知识

三极管基础知识一、三极管的基本结构与原理1.1 三极管的构成三极管是由三个区域(P-N-P或者N-P-N型)的半导体材料制成,其中夹在中间的一块称为基区,两侧分别是发射区和集电区。

1.2 三极管的工作原理三极管根据基区控制电流的大小和方向来调节集电区电流的大小。

当基区的电流为零时,三极管处于截止状态;而当基区的电流为正时,三极管处于放大状态。

三极管的工作原理是基于本征型晶体管理论的基础上发展起来的。

二、三极管的分类与参数2.1 三极管的分类根据不同的工作方式和结构形式,三极管可以分为NPN型和PNP型两种。

NPN型三极管是以N型半导体为基础,P型半导体作为二极管,再以N型半导体作为封装;而PNP型三极管则相反。

2.2 三极管的参数三极管的常见参数包括最大集电极电流(IC)、最大发射极电流(IE)、最大反向电压(VCEO)等。

这些参数决定了三极管的工作范围和性能。

三、三极管的应用领域3.1 放大器电路三极管可以用作放大器电路的关键元件,通过控制输入信号的电流变化,实现对输出信号的放大。

3.2 开关电路三极管的开关特性使其在电路中经常被用作开关元件。

通过控制基极电流的通断,实现对电路的开关控制。

3.3 震荡电路三极管在震荡电路中可以产生正弦波、方波等信号,广泛应用于射频信号发生器、计算机时钟发生器等领域。

3.4 温度传感器三极管的温度特性可以用于温度测量和控制,如温度传感器。

四、三极管的基本特性与参数测量方法4.1 静态特性静态特性包括输入输出特性、直流放大特性等。

通过在不同的输入输出条件下测量电流、电压等参数,可以了解三极管的静态工作状态。

4.2 动态特性动态特性包括频率响应、输入阻抗、输出阻抗等。

通过在不同频率下测量电流和电压的关系,可以了解三极管的动态响应能力。

4.3 参数测量方法常见的参数测量方法包括基极电流测量、集电极电流测量、电压放大倍数测量等。

根据不同的测量需求,选择合适的测量方法来获取所需的三极管参数数据。

三极管基本知识大全

三极管基本知识大全

半导体三极管半导体三极管的分类半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。

按照结构工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz 以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。

按照允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。

常见的半导体三极管外型见图2.5.1。

电子元器件检测方法(一)元器件的检测是家电维修的一项基本功,如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。

特别对初学者来说,熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要,以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。

一、电阻器的检测方法与经验:1 固定电阻器的检测。

A 将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。

为了提高测量精度,应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。

由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20%~80%弧度范围内,以使测量更准确。

根据电阻误差等级不同。

读数与标称阻值之间分别允许有±5%、±10%或±20%的误差。

如不相符,超出误差范围,则说明该电阻值变值了。

B 注意:测试时,特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部分;被检测的电阻从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其他元件对测试产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。

2 水泥电阻的检测。

检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。

3 熔断电阻器的检测。

在电路中,当熔断电阻器熔断开路后,可根据经验作出判断:若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦,可断定是其负荷过重,通过它的电流超过额定值很多倍所致;如果其表面无任何痕迹而开路,则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。

(完整word版)三极管的基本知识讲解

(完整word版)三极管的基本知识讲解

三极管的基本知识讲解三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件,在数字电路和模拟电路中都有大量的应用,常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种,原理相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管应用较少,以下以硅管为例进行讲解。

三极管有2 种类型,分别是PNP 型和NPN 型。

先来认识一下,如下图所示。

三极管一共有3 个极,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极e(emitter),剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。

三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。

放大状态主要应用于模拟电路中,且用法和计算方法也比较复杂,我们暂时用不到。

而数字电路主要使用的是三极管的开关特性,只用到了截止与饱和两种状态,所以我们也只来讲解这两种用法。

三极管的类型和用法有个总结:箭头朝内PNP,箭头朝外NPN,导通电压顺箭头过,电压导通,电流控制。

三极管的用法特点,关键点在于b 极(基极)和e 级(发射极)之间的电压情况,对于PNP 而言,e 极电压只要高于b 级0.7V以上(硅三极管的PN 结道导通电压,如果是锗三极管,这个电压大概为0.3V),这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。

也就是说,控制端在b 和e 之间,被控制端是e 和c 之间。

同理,NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V,总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。

这就是关于“导通电压顺箭头过,电压导通”的解释。

三极管的用法以上图为例介绍一下三极管的用法。

三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上,假定是P1.0,发射极直接接到5V 的电源上,集电极接了一个LED 小灯,并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。

如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1,那么基极b 和发射极e 都是5V,也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降,这个时候,发射极和集电极也就不会导通,那么竖着看这个电路在三极管处是断开的,没有电流通过,LED2 小灯也就不会亮。

第三讲-三极管要点

第三讲-三极管要点

5/60
bec
基发集 极射电
极极
晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件
(1)发射区掺杂浓度很高,以便有 足够的载流子供“发射”。
发射区N 基区P
集电区N
晶体管芯结构剖面图
(2)为减少载流子在基区的复合机 会,基区做得很薄,一般为几个 微米,且掺杂浓度极低。
(3)集电区体积较大,且为了顺利 收集边缘载流子,掺杂浓度界于 发射极和基极之间。
17/60
1. 发射区向基区扩散电子的过程
由于发射结处正偏,发射区的多数载流子自由电子将不断扩散
到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
2. 电子在基区的扩散和复合过程
由于基区很薄,且多数载流子浓度又很低,所以从发射极扩散过
来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB,剩
下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。
3
80 A
2.3
60 A
2
1.5 1
ΔIC
40 A
ΔIB=40 A 20 A
当IB一定时,从发射区扩散到基区 的电子数大致一定。当UCE超过1V以 后,这些电子的绝大部分被拉入集
电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大,集电极电流IC也不 会再有明显的增加,具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V
一般硅三极管的UCES约为0.3V,锗三极管的 UCES约为0.1V; 三极管的集电极和发射极近似短接, 三极管类似于一个开关导通。
26/60
(3) 截止区 UBE< 死区电压, IB=0 , IC=ICEO 0 ,三极管
的集电极和发射极之间电阻很大,三极管相当于一 个开关断开
三极管作为开关使用时,通常工作在截止和饱和 导通状态;作为放大元件使用时,一般要工作在放大 状态。

三极管完整知识内容

三极管完整知识内容

4.三极管的检测方法(1)三极管类型和基极b的判别。

判断三极管基极如图3-21所示,将指针式万用表置于R×100或R×1k挡,用黑表笔碰触某一极,红表笔分别碰触另外两极,若两次测量的电阻都小(或都大),黑表笔(或红表笔)所接引脚为基极b,且为NPN型(或PNP)。

(a)测PNP型管 (b)测NPN型管图3-21 判断三极管基极(2)发射极e和集电极c的判别。

若已判明基极和类型,任意设另外两个电极为e,c端。

判别c,e时按图3-22所示进行。

以PNP型管为例,将万用表红表笔假设接c端,黑表笔接e端,用手指捏住基极b和假设的集电极c端,但两极不能相碰(即用人体电阻代替R)。

再将假设的c,e电极互换,重复上面步骤,比较两次测得的电阻大小。

测得电阻小(指针偏转角度大)的那次,红表笔所接的引脚是集电极c,另一端是发射极e。

图3-22用万用表判别PNP型三极管的c、e极(3)三极管性能的简易测试①测量极间电阻。

测量三极管的极间电阻如图3-23所示,将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的6种不同接法进行测试。

其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他4种接法测得的电阻值都很高。

质量良好的中、小功率三极管,正向电阻一般为几百欧~几千欧,其余的极间电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大。

②测量穿透电流ICEO 。

测量三极管ICEO如图3-24所示。

其中,图3-24(a)为测PNP型管的接法,图3-24(b)为测NPN型管的接法。

万用表电阻挡量程一般选用R×100或R×1k挡,若e、c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。

—般说来,中、小功率硅管、锗材料高频管及锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上。

如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO 很大,管子的性能不稳定。

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晶体三极管
晶体三极管
一.教学要求:
1 .了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等: 1 .前 1 、
2 个属
2 .理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数:于知识方面
3 .掌握三极管的识别和简单测试方法:的要求
2.最后 1 个属
于技能方面
的要求二.教学重点、难点分析:
1.教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大
作用:
2.教学难点是三极管的伏-安特性
3.技能要求是掌握三极管的识别与简单测试:
三.教具:
1.晶体三极管:
2.万用表:
3.晶体管特性测试仪、双踪示波器:
四.教学过程:
(一):复习提问,引入新课:
提问3-4位
学生回答1.二极管具有哪些特性?
2.常用的电子元器件有哪些?
(二):新课教学:
一:三极管的结构、符号和类型:
1.结构:利用课件进行
C(集电极)C(集电极)讲解,然后总结归纳。

集电区集电区
集电结
P 集电结
N
b(基极)集区b(基极)集区
P N
N发射结P发射结
发射区发射区e(发射极)e(发射极)NPN型PNP型
总结:三极管的结构为:三区+ 两结 + 三电极:
三区:指发射区、基区、集电区
两结:指发射结、集电结:
三电极:指发射极、基极、集电极:
2.符号:
C C
B B
E E
NPN型PNP型
3.三极管具有放大作用的内部条件(结构特点):
发射区很厚,掺杂浓度最高;
基区很薄,掺杂浓度最小;
集电区很厚,掺杂浓度比较高。

4.三极管的型号及其意义:发给不同规格
的三极管让学生
判别。

区别代号(用大字母表示)
半导体的序号(用数字表示)
半导体的类型(用字母表示)
半导体的材料(用字母表示)
电极数目
二:三极管的电流放大作用:用双踪示波三极管具有放大作用,必须同时满足内部条件和外部条件,内部条件器演示输入信号一般由生产厂家保证。

和输出信号的差1.三极管放大的外部条件:别,加强学生的发射结正偏;感性认识,然后
集电结反偏。

再进行分析。

2.三极管的电流分配关系:I e I b I c
3.三极管电流放大作用的实质:
“以小控大”——以基极小电流I b控制集电极大电流I c。


此:双极型三极管属于“电流控制器件”。

三.三极管的连接方式:
1 .共发射极:
2 .共集电极:3.共基极:
三张图进行
比较,注意它们输出端输出端输入端输出端
输入端输入端
之间的特点四.三极管的伏安特性曲线
(一)输入特性曲线:
三极管的输入特性与二极管的正向特性联系二极管
相似,因此要注意以下几点:的正向特性,并I B1.三极管中的输入特性曲线随U CE的不同加以比较分析。

有许多条曲线,当U ce1V 时,各条曲
0U
BE (二)输出特性曲线:
线非常接近,所以实际使用时以其中的一条作代表:
2.三极管的死区电压与二极管的死区电压基本相同:
I c先用晶体管
特性测试仪测试
放大区
饱和区三极管的输出特
性,然后进行分
析、归纳和总结。

0U BE
截止区
1.三极管的输出特性曲线分为三个区:
①.截止区:
特点: I b 0 ,Ic0 ,三极管不具有放大作用。

②.放大区:
特点: Ic I b,三极管具有放大作用。

③.饱和区:
特点: I c不受 I b控制。

U ce0 。

2.三极管的三种工作状态的比较:
放大区饱和区截止区
发射结正偏发射结正偏发射结反偏
条件
集电结反偏集电结正偏集电结反偏
1 . I c不受 I b控制1.I b0,
特点1.
IcI b
2.
U ce 02.Ic 0,
2 .三极管具有放大作用
3 .三极管不具有放大3.三极管不具有放大
作用作用
在电路中的相当于线性电阻相当于开关闭合。

相当于开关断开
等效作用
应用范围放大器脉冲和数字电路脉冲和数字电路五.三极管的主要参数:
1.电流放大系数:
I c
①.直流放大系数:
I b
I c
②.交流放大系数:
I b
2.极间反向饱和电流:
①.集电极 - 基极反向饱和电流I CBO;
②.集电极 - 发射极反向饱和电流I CEO。

3.极限参数:
①.集电极最大允许电流I CM:三极管正常工作时:集电结允许通过
的最大电流
②.集电极——发射极击穿电压BU CEO:基极开路时,集电极与
发射极之间所能承受的最大反向电压。

③.集电极最大允许功率损耗P CM:在保证管子不损坏的情况下,
允许消耗的最大功率。

P CM U CE I C
六.三极管的识别与检测:
1 .直观法:
①.根据封装形式:
②.根据管脚的排列形式:
③.根据色点的位置:
2 .万用表测量法:
①.基极的判断:
以黑笔为准,红笔分别接另外两个脚,如果测量的阻值均较小,则黑笔所接为基极,该管为 NPN 型;如果阻值均较大,则为 PNP 型。

②.发射极和集电极的判断:
对于 NPN 型的管子,先假设一极为 c 极,将黑笔接 c,红笔接e,用手捏住基极和集电极,观察指针的偏转情况,然后两表笔交
换,重复测量一次,则偏转大的一次黑笔所接为集电极,另一极为发
型的管子测试相似。

(三):课堂提问:
1.三极管按结构分为几种?提问3-4位学生2.三极管的具有放大作用的外部条件和内部条件是什么?
3.三极管的工作状态分为几个区?
(四):课堂小结:
1.三极管按结构分为NPN 型和 PNP 型两种。

2.三极管具有放大作用的条件是:
①.内部条件:
基区很薄,掺杂浓度很小;
发射区很厚,掺杂浓度很高。

②.外部条件:
发射结正偏:
集电结反偏。

3.三极管的按工作状态分为三个区:
①.截止区:
特点: I b0 ,Ic0 ,三极管不具有放大作用。

②.放大区:
特点: Ic I b,三极管具有放大作用。

③.饱和区:
特点: Ic 不受 I b控制。

U ce0 。

(五).布置作业:
略。

(六):板书设计:
晶体三极管
一:三极管的结构和分类:
1.结构:三区 + 两结 + 三电极:
2.符号:
C C
B B
E E
NPN型PNP型
3.三极管具有放大作用的内部条件(结构特点):
发射区很厚,掺杂浓度最高;
基区很薄,掺杂浓度最小;
集电区很厚,掺杂浓度比较高
4.三极管的型号及其意义:
二:三极管的放大原理
1.三极管放大的外部条件:
发射结正偏;
集电结反偏。

2 .三极管的电流分配关系:I e I b I c
3 .三极管电流放大作用的实质:“以小控大”
三.三极管的连接方式:
1.共发射极: 2 .共集电极:3.共基极:
输出端输出端输入端输出端输入端输入端
四.三极管的伏安特性曲线
实用标准文案
1 .输入特性曲线:
2 .输出特性曲线:
I I B
I c
饱和区
放大区
U BE
U
截止区BE 3 .三极管的三种工作状态的比较:
放大区饱和区截止区
发射结正偏发射结正偏发射结反偏条件
集电结反偏集电结正偏集电结反偏
1.
IcI b 1 . I c不受 I b控制1.I b0 ,2.
U ce 02.Ic0

特点 2 .三极管具有放大
3 .三极管不具有放大3.三极管不具有放大
作用
作用作用
在电路中的
相当于线性电阻相当于开关闭合。

相当于开关断开等效作用
应用范围放大器脉冲和数字电路脉冲和数字电路
五.三极管的主要参数:
1 .电流放大系数:
①.直流放大系数:I c
I b
②.交流放大系数:I c
I b
2 .极间反向饱和电流:
①.集电极 - 基极反向饱和电流I
cb0

②.集电极 - 发射极反向饱和电流I ce0。

3.极限参数:
①.集电极最大允许电流I CM。

②.集电极——发射极击穿电压BU CEO。

③.集电极最大允许功率损耗P CM。

P CM U CE I C 六.三极管的识别与检测:
1 .直观法:
实用标准文案
①.根据封装形式:
②.根据管脚的排列形式:
③.根据色点的位置:
2 .万用表测量法:
①.基极的判断:
②.发射极和集电极的判断:
五.说明:
1.三极管是电子技术中最重要、应用最广泛的半导体器件。

2.本课的讲解顺序为三极管的结构、外形、符号和类型;三极管的伏 - 安特性;三极管的主要参数、三极管的识别与检测。

3.三极管的主要作用是电流放大,学生在学习时往往会忽视三个电流的方向,从而给后续学习带来困难,因此在讲解时要给予重视。

4.特性曲线是分析三极管工作的重要依据,是管子内部性能的外部表现,这部分内容既是教学的重点又是教学的难点。

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