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模拟电路课件PPT-第2章作业解答

模拟电路课件PPT-第2章作业解答

C2
RL
Re1
+
C3
Uo
U Rb22
Re2
o1
-
-
RL1=Ri2
Au1
(1 1)(Re1 / / Ri2 ) rbe1 (1 1)(Re1 / / Ri2 )
共集组态的输入电阻和负载有关
Aus1
uo1 us
ui
uo1 Ri1 Rs
Ri1
Rs Ri1 Rs
Au1
需计算第二级电路的输入电阻Ri2
解: (1) 求静态工作点:
IBQ Rb U BEQ (1 )IBQ Re Vcc
IBQ
Vcc UBEQ
Rb (1 )Re
IEQ (1 )IBQ ICQ
UCEQ Vcc I EQ RE
Vcc
Rb
C1 +
Ui
-
C2 +
Re
RL
Uo
-
第二章,习题2-16(P106)
解: (2) 做出微变等效电路:
纵轴交点IC=1mA
iC /mA
6
直流负载线与IBQ的
5
交点为Q点
4
Q点横坐标为UCEQ=1V
3
Q点纵坐标为ICQ=1mA
2
1
0
Q点 24
120 µA
100 µA
调整后Q’点
80 µA
60 µA
直流负载线 6 8 10
40 µA
20 µA
M iB = 0 µA
12
uCE /V
第二章,习题2-8(P104)
-
Ui2C2 -
Re2
C4 + Uo
RL
-
Au 2

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模拟电路课件PPT-第6章作业解答

模拟电路课件PPT-第6章作业解答

第六章,习题6-1并习题6-4(P268)
Vcc
解:(3)满足深度负反馈,计算电压放大倍数: Rb Rc1
在深度负反馈条件下:
Re2
Ce
Rc3
VT2
C2
Ub1 Ue1
-虚短
Ib1 0, Ie1 0 -虚断
Ie1 0
I1 IF
Ub1 Ui Ue1
C1 + Ui -
UiVT1 Ie1 RF Ui
Rb
+ C1
+ Ui -
Re2
Ce
Rc1
Rc3
- VT2
C2
VT1
+ VT3
+
RF
+
Re1 Rc2
+
Uo
Re3
-
因此反馈信号的极性也为+。
反馈信号:射极
c.反馈信号和输入信号异点(三极管不同极)相遇,极性相同,因此为负反馈。
正/负反馈判断三方极法管:各端口信号极性判断(NPN
(2)反馈组态判断:
反馈信号和输和入P信NP号一在样同):点相遇时,两者极性
R5
解:
(a)
反馈类型判断
一、反馈极性判断
R1
1、找反馈支路
+
R2
2、设输入+,反馈为:- ui
3、同点相遇,极性相反:负反馈
+ A1
-
R3
-
- R4 - +A2
R6
-
uo
二、反馈组态判断
1、同点相遇:并联反馈 2、Uo短接:
反馈消失,
电压反馈
反馈类型为电压并联负反馈
第六章,习题6-2并习题6-5(P268)

模拟电路简明教程7-8章习题答案 ppt

模拟电路简明教程7-8章习题答案 ppt
uI/V
15 6.8 0 -4.8
t
-15
解:滞回比较器
RF R2 uT U REF uZ 6.8V R2 +RF R2 +RF
uo/V
7
0 -7
t
RF R2 uT U REF uZ 4.8V R2 +RF R2 +RF
RF R2 U REF U Z 7.3V 解:U T+ R2 RF R2 RF RF R2 U T- U REF U Z 3.3V R2 RF R2 RF
D U T U T+ U T 4V
uo/V
6
0
-6
3.3
7.3
uI/V
传输特性
8-10 图示的正向输入端滞回比较器电路,试估算其两 个门限电平UT+和UT-以及门限宽度DUT的值,并
(b) R R 1 4 0.8
4 4 4 uo uI1 + uI2 uI3 1 4 1 4uI1 uI2 4uI3
7-16 在图中,设A1、A2、A3、A4均为理想运放; ① A1、A2、A3、A4各组成何种基本运算电路?
② 分别列出uo1、uo2、uo3和uo4与输入电压uI1、uI2、
0 -7
t
②稳压管的稳压值UZ=±7V ,且参考电压UREF=6V,
R1=R2=10k;
uI/V
15 0 -6 –15
t
uo/V
解:单限比较器
R1 UT U REF 6V R2
7
0 –7
t
③稳压管的稳压值UZ=±7V ,且参考电压UREF=6V,
R1=8.2k,R2=50k, RF=10k 。

《模拟电路》练习册及答案

《模拟电路》练习册及答案

《模拟电子电路》练习册(答案)第一讲练习题填空1.半导体中的载流子有两种导电运动,一种称为(扩散)运动,另一种称为(漂移)运动。

2.半导体中有两种载流子:一种是(自由电子)、另一种是(空穴)。

3.半导体中的扩散运动是由于载流子(浓度的不均匀)而引起的。

4.半导体中的漂移运动是由于载流子(在电场的作用下)而引起的。

5.本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目(少)。

6.在本征半导体中加入五价元素后,将形成(N )型半导体。

7.在本征半导体中加入三价元素后, 将形成(P )型半导体。

8.N型半导体中空穴是(少数)载流子。

9.P型半导体中空穴是(多数)载流子。

10.P型半导体中自由电子是(少数)载流子。

11.N型半导体中自由电子是( 多数)载流子。

12.PN结中的电流当温度升高时将会(增加)。

13.二极管的主要特性是它的(单向导电性)。

14.二极管的正向电阻比反向电阻(小)得多。

15.二极管的伏安特性是I = Is(e x p V / Vt —1 )。

16.硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。

17.锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。

18.稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。

选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体)。

22.半导体中的扩散运动是由于(载流子浓度的不均匀)而形成。

23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。

24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。

25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。

26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽),流过PN结的电流(很小)。

27. P型半导体中空穴是(多数载流子)。

28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。

29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴),形成(P ) 型半导体。

30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。

31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。

《模电》经典习题详解26页PPT

《模电》经典习题详解26页PPT
来造就一个人,显然比用法律来约束他更有价值。—— 希腊
12、法律是无私的,对谁都一视同仁。在每件事上,她都不徇私情。—— 托马斯
13、公正的法律限制不了好的自由,因为好人不会去做法律不允许的事 情。——弗劳德
14、法律是为了保护无辜而制定的。——爱略特 15、像房子一样,法律和法律都是相互依存的。——伯克
谢谢
11、越是没有本领的就越加自命不凡。——邓拓 12、越是无能的人,越喜欢挑剔别人的错儿。——爱尔兰 13、知人者智,自知者明。胜人者有力,自胜者强。——老子 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。——歌德 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。——迈克尔·F·斯特利

模拟电路习题解答

模拟电路习题解答

模拟电路(童诗白第四版)习题解答(总135页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥1263第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

4A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

模拟电路课件PPT-第10章作业解答

模拟电路课件PPT-第10章作业解答

O
(2) UO(AV) 28V 2U2
ωt
输出直流电压为u2电压的峰值,因此考虑可能为负载RL开路。
(3)UO(AV) 9V 0.45U 2
输出直流电压与单相半波整流输出直流电压一致,没有滤波效果 因此考虑整流桥中某个二极管开路,同时滤波电容C也开路。
第十章,习题10-12(P447)
解:
u2
VD1 + io
-
VD2
VD3 uo RL
-
3.如果VD1接反: u2取负半周期时,u2+和u2-直接短接,电流过大可能烧坏元件。
第十章,习题10-1(P444)
解:
4.如果四个二极管全部接反:
+ u1
-
u2取正半周期时,正常滤波,不过uo反相;
u2取负半周期时,正常滤波,不过uo反相。
因此:UO(AV) 0.9U2 9V
R1 Rw R3 Rw R3
10V
R'w R1 R"w Rw
R3
+ RL Uo
-
第十章,习题10-12(P447) 解: 3. Ui应该大于Uo最大值加上3V的Uce:
UI UOmax UCE 15V 3V 18V
+ Uce -
VT +
Iz R
UI +
A - UF +
Uz --
VDZ
+
VD4
u2
-
VD2
VD1
+ io VD3 uo RL
-
第十章,习题10-5(P445)
解:
+
1.首先验算电容滤波的时间常数是否满足大 u1
于3~5倍T/2的条件:

模拟电路课后习题答案

模拟电路课后习题答案

模拟电路课后习题答案◆◆习题3-2 若某一放大电路的电压放大倍数为100倍,则其对数电压增益是多少分贝?另一放大电路的对数电压增益为80dB ,则其电压放大倍数是多少?解:解:如如100||=uA ,则40||lg 20=u A ;如80||lg 20=u A ,则10000||=u A 。

本题的意图是了解电压放大倍数与对数电压增益之间的关系。

◆◆习题4-2 在图P4-1所示的电路中:①三极管的最大功耗等于多少?②流过三极管的最大集电极电流等于多少?③三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少?解:解:①①WW P Pom CM45.025.22.02.0=⨯=>②AA R V I LCC CM 75.086==>③VV V UCC CEOBR 12622)(=⨯=>④因为互补对称电路中无论哪个三极管导电,电路均工作在射极跟随器状态,1≈uA ,而略小于1,故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。

本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。

◆◆习题4-3 在图P4-3所示互补对称电路中,已知V CC 为6V ,R L 为8Ω,假设三极管的饱和管压降U CES =1V ,①估算电路的最大输出功率P om ;②估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。

将本题的估算结果与习题4-1进行比较。

解:解:①①WW R U VP Lcem CCom 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ,则WW R V P LCC om 5625.0886822=⨯=≈② W W R VP L CCV 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==Vom P P η如忽略U CES ,则%56.78716.05625.0≈==Vom P P η可见,在同样的VCC 和RL 之下,OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多(大约为4倍)。

模拟电路例题及习题.ppt

模拟电路例题及习题.ppt
解:1、如果调幅收音机的工作波段与调频广播波段相同, 用调幅收音机接收调频广播是可能的。这时只要将接收机 的本振频率调高(或调低)一些,使中频落到中频放大器 谐振曲线的倾斜部分,这样,中频放大器和其后的包络检 波器一起起着鉴频作用。
2、由已知条件知:fc=1000KHz,fI=455KHz,带宽9KHz, 所以实际信号频率fL=fc+ fI =1000+455=1455KHz,接收效果 较好的频点为452KHz或458KHz。要想使接收效果更好一些, 收音机电路应调整未变频之前的高频放大器的选频特性,使 其中心频率为1003KHz或997KHz。
答:回路电感为0.317mH,有载品质因数为1.546
例2-1:用电容部分接入方式设计一个窄带阻抗变换网络,仅 使用LC并联谐振电容部分接入形式电路即可。工作 频换率后1输G入Hz阻,抗带为宽R5in0=M5H0Ωz,。负载阻抗RL=30Ω。要求变
C1
C1
L
L
Rin
C2 RL
Rin
C2 R’L
(a)电阻部分接入
2-3 图示为一电容抽头的并联振荡回路。谐振频率f0=1MHz, C1=400 pf,C2=100 pF 求回路电感L。若 Q0=100, RL=2kΩ,求回路有载 QL值。
解2-3
C C1C2 40000 80 pF , C1 C2 500 1
L (2 f0 )2 C
1
(2 106 )2 80 1012 0.317mH
工作区(线性区)
L
C
Rp
工作区(线性区)
U
U
i
i
fL- fc= fI
0
10fc00
f 0
1000
f

模拟电路习题解答

模拟电路习题解答
2—11电压负反馈型偏置电路如图P2—11所示。若晶体管的β、UBE已知。
(1)试导出计算工作点的表达式。
(2)简述稳定工作点的原理。
2—12电路如图P2—12所示。已知晶体管的β=50, UBE=一0.2V,试求:
3—13试判别回P2—13各电路是否具有正常放大作用?若无放大作用则说明理由,并将错误处加以改正。
(2)若V3开路,则u2的为负半周时,uo=0,即uo变为半波整流波形,如图Pl—3’(b)所示。
(3)若V3短路,则u2为正半周时,将V1短路烧坏。
1—4在图P1—4所示各电路中,设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通,并求Uo的值。
解:(1)在图(a)中,V2导通,V1截止,Uo=5V。
2—15对于图P2—l 5所示的四种放大器模型,为了使负载RL上获得的信号大,试分别说明应对Ri和Ro提出什么要求。
解:对图(a)所示电压放大器,要求Ri大,Ro小;对图(b)所示电流放大器,要求Ri小,Ro大;对图(c)所示互导放大器,要求Ri大,Ro大;对图(d)所示互阻放大器,要求Ri小,Ro小
图(c)所示电路为共集一共基组合电路。输出与输入同相。
图(d)所示电路由于V1管集电极端具有恒流特性,因而V2管组成以恒流管为负载的共射放大器。输出与输入反相。
第三章场效应管及其基本电路
3—1已知场效应管的特性如图P3—l所示,试指出它们分别属于哪种类型场效应
管,并画出相应的电路符号,指出每只管子的UGSoff或UGSth和IDSS的大小。
3—4图P3—4所示的4个场效应管电路中,哪个电路工作在恒流区,哪个电路工作在可变电阻区,哪个电路工作在截止区?
第四彦集成运算放大器电路
第五童频率响应
第六章反馈
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3
书山有 路
1 利用图解法可以方便地求出二极管的 Q 点。在动态信号为零时,二极管导通, 电阻 R 中电流与二极管电流相等。因此,二极管的端电压可写为
uD V iDR ,在二极管的伏安特性坐标系中作直线,与伏安特性曲线的交点就是 Q
点,如图所示。读出 Q 点的坐标值,即为二极管的直流电流和电压,约为
d. 根据前面分析方法,可知D1、D3 截止,D2、D4 导通。
2-5.电路如题 2-11 图所示,稳压管的稳定电压 UZ=8V,设输入信号为峰值 15V 三角 波,试画出输出 uo 的波形。
解:如图所示。三角波正半周时,当电压幅值小于稳压管的稳压值时,稳压管截止, 当等于大于稳压值时,稳压管反向击穿,输出电压为稳压管稳压值;三角波负半周时,稳压 管正向导通,假设正向电阻为 0,则输出电压为零。
如题 3-9 图 b 所示。
iC(mA)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 0.5
ICQ 0.25
Q Uo,max1 Uo,max2
iB=60μA iB=50μA iB=40μA iB=30μA iB=20μA iB=10μA iB=0μA
0.5
1 UCE1Q.5
2
2.5
3
uCE(V)
题3-9图c 题3-9交流负载线
d 不能。 C2 电容使集电极交流接地,从而使输出电压交流部分为零。
e 能。有合适的直流偏置电路,输入能加到三极管上,输出也能够送到负载上。
3-3 放大电路如题 3-9 图所示。已知 VCC=3V,UB=0.7V,RC=3 kΩ,RB=150 kΩ,晶体管 VT
的输出特性曲线如题 3-9 图 a 所示。试求:
输入电压 ui 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
U o,max min U o,max1 ,U o,max2
如果三极管VT的饱和压降Uces 0.3V,则
Uo,max1 UCEQ Uces 1.25 0.3 0.95V
Uo,max 2 1 ICQ
ICQ RC// R L 0.38 3 1.14V
RC // RL
Uo,max 0.95V
3.若 RL=7kΩ,交流负载线斜率为 1 1 1
RC // RL 3k // 7k 2.1k 输入电压 ui 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
Uo,max min Uo,ma1,Uo,max 2
Uo,max1 UCEQ uces 1.25 0.3 0.95V
0.53μA
ICQ IB 53mA
UCEQ VCC 1 IBQ RE ICQ RC
12 101 0.53μA1.3k 53mA 2k
11.82V
2.若偏置电阻RB1 开路,管子的静态工作电流为
I BQ
VCC UEB
1. 放大电路的静态工作点 ICQ 和 UCEQ; 2. 若 RL=∞,求输入电压 ui 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值; 3. 若 RL=7kΩ,输出最大不失真电压的幅值。
5
书山有 路
VCC
iC(mA)
3.0
RC RB
2.5
C2
2.0
iB=60μA iB=50μA
Ci
RS
+
+
uo
us -
-
其中静态工作电流 IB、IC 的实际方向如图中箭头所示,静态电压 UBE<-0.7V、UCE<-0.3V。
用 NPN 型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题 3-4 图(b)所示。
其中静态工作电流 IB、IC 的实际方向如图中箭头所示,静态电压 UBE>0.7V、UCE>0.3V。
-VEE
VCC
2-7、2-8、2-9 略 2-10.电路及二极管伏安特性如图所示,常温下 UT≈26mV,电容 C 对交流信号可视为短路, ui 为正弦波,有效值为 10mV,问
1 二极管在输入电压为零时的电流和电压各为多少? 2 二极管中流过的交流电流有效值为多少?
解:在分析这类电路时,应首先分析静态电流和电压,即静态工作点 Q,然后求出在 Q 点下的动态电阻,再分析动态信号的作用。
7
书山有 路
RB1 15kΩ
VCC RE 12v
1.3kΩ
VT
RB2 470kΩ
+
RC 2kΩ
uo
-
题3-12图
解:
1.直流工作点ICQ 和 UCEQ 估算。
U B
RB2 RB1 RB2
VCC
470 15 470
12
11.63V
I BQ
VCC UB UEB
1 RE
12 11.63 0.3 1011.3k
三极管是否工作在放大区。但是如果电路没有给出电路参数,该步骤可以省略。默 认 电路参数取值合适。
解: a 不能。没有直流偏置,不能提供合适的静态工作点。 b 不能。电源 VCC 使发射结反偏,不能提供合适的静态工作点。 c 不能。基极电压 VBB 使发射结满足正偏条件,但是集电结不是反偏,电路不具备合适的 静态工作点。
书山有路
模拟电路部分习题答案
第二章 晶体二极管及应用电路 2-1.填空 (1)N 型半导体是在本征半导体中掺入五价元素;P 型半导体是在本征半导体中掺入 三价元素 。
2 当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 增大 。
3 PN 结的结电容包括势垒电容和扩散电容。
4晶体管的三个工作区分别是 放大区、截止区和饱和区。在放大电路中,晶体 管
RGS 大的特点。()
4 只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。()
5 晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。()
6 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其在无光照、无外加电压时,结电流为零。()
8若耗尽型N 沟道MOS 场效应管的UGS 大于零,则其输入电阻会明显减小。() 答案:
流相等。
8错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2 绝缘层而使栅源间电阻非常 大。
因此耗尽型 N 沟道 MOS 场效应管的UGS 大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3
.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏?
答:可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻,正向时电阻很小,反向时电阻很 大。 2-4.二极管电路如题 2-4 图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止?输出电压为 多少?
(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和 空穴
的数量始终是相等的。
2
错;对于 P 型半导体或 N 型半导体在没有形成 PN 结时,处于电中性的 状态

3
对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅- 源间
的耗尽层承受反向电压,才能保证 RGS 大的特点。
UD 0.7V , ID 2.6mA
2 根据二极管动态电阻的定义,Q 点小信号情况下的动态电阻为
r D
UT ID
2 62.6
10
根据已知条件,二极管上的交流电压有效值为 10mV,故流过的交流电流有效值为
I d
Ui rd
1010m A
1mA
第三章 晶体三极管及其应用电路
3-1 试画出用 PNP、NPN 型三极管组成的单管共射放大电路的原理图,标出电源电压的极 性,静态工作电流IB、IC 的实际方向及静态电压UBE、UCE 的实际极性。 解:用 PNP 型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题 3-4 图(a)所示。
3 0.7 150k
15.3μA
直流负载线 MN 与 iB=IB=15.3μA 的输出特性曲线的交点 Q 就是静态工作点。Q 点坐标

I BQ 15.3μA
I CQ 0.38mA
U CEQ 1.25V
2. RL=∞时,输入电压 ui 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
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书山有 路
1 1 1 若 RL=∞,交流负载线斜率与直流负载线斜率相同,为 RC // RL RC 3k
1.5
VT
+
1.0
u RL
0.5 o
0.25
-
iB=40μA iB=30μA iB=20μA iB=10μA iB=0μA
0.5
1
1.5
2
2.5
3
uCE(V)
题3-9图
题3-9图a
解: 1. 放大电路的静态工作点 ICQ 和 UCEQ 计算如下。
根据题 3-9 图所示电路列写直流负载线方程如下:
U CEQ VCC ICQ RC 3 3ICQ 分别令 IC=0,UCE=0,代入直流负载线方程,得到负载线上两个坐标点,M(3,0),N (0,1),连接 M、N 得到直流负载线。
1
书山有 路
本题可以通过二极管端电压的极性判断其工作状态。一般方法是断开二极管,并以它 的两个极作为端口,利用戴维南定理求解端口电压,若该电压是二极管正偏,则导通,若 反 偏则截止。 a. 图将二极管断开,从二极管的两个极为端口向外看,如题 2-1 解(a)图所示, 则 AB 间电压为 12-6=6V,二极管处于正偏,导通。 b. 图将二极管断开,从二极管的两个极为端口向外看,如题 2-1 解(b)图所示, 则 A-B 间电压为 3-2=1V,二极管处于正偏,导通。 c. 当有两只二极管时,应用以上方法分别判断每只管子的状态。如题 2-1 解(c)图 所示首先断开上面二极管 D1,则下面二极管 D2 截止,所以 D1 两端电压为正偏导通;然后 再断开下面二极管D2,如题 2-1 解(d)图则 D1 两端电压为正偏导通,则 D2 两端电压为负 截止,综上所述,D1 导通、D2 截止。
4 错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
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