功率驱动电路设计
大功率mos管驱动电路
大功率mos管驱动电路大功率MOS管驱动电路是一种常见的电路设计，它能够有效地驱动高功率的MOS管，以实现电路的高效工作。
本文将从电路原理、设计要点和常见问题等方面进行介绍。
一、电路原理大功率MOS管驱动电路主要由信号发生器、驱动电路和MOS管组成。
信号发生器产生所需的驱动信号，驱动电路将信号进行放大和整形，然后通过电流放大器将信号输出给MOS管。
MOS管根据驱动信号的变化，控制其通断状态，从而实现对电路的控制。
二、设计要点1.选择合适的MOS管：在大功率应用中，选择合适的MOS管至关重要。
一方面，要考虑其额定电流和功率，确保能够承受所需的负载；另一方面，还要考虑其开关特性和导通电阻等参数，以提高电路的效率和稳定性。
2.驱动电路的设计：驱动电路应能够提供足够的电流和电压来驱动MOS管。
一般采用放大器和电流放大器的组合来实现。
放大器负责放大信号的幅度，而电流放大器则负责提供足够的电流给MOS管。
同时，还要考虑到驱动电路的响应速度和抗干扰能力。
3.防止过热和电磁干扰：由于大功率MOS管在工作过程中会产生较大的功耗和电磁干扰，因此需要采取相应的措施来防止过热和干扰。
例如，可以在电路中加入散热器和滤波电路，以提高电路的稳定性和抗干扰能力。
4.保护电路的设计：在大功率应用中，由于电流和电压较大，一旦发生故障可能会对电路和设备造成严重损坏。
因此，需要在电路中加入过流、过压和过温等保护电路，以保证电路和设备的安全运行。
三、常见问题1.如何选择合适的MOS管？选择MOS管时，需要考虑所需的电流和功率，以及其开关特性和导通电阻等参数。
同时，还需要考虑其封装形式和散热性能等因素。
2.如何设计驱动电路？驱动电路应能够提供足够的电流和电压来驱动MOS管。
一般采用放大器和电流放大器的组合来实现。
同时，还要考虑到驱动电路的响应速度和抗干扰能力。
3.如何防止过热和电磁干扰？可以在电路中加入散热器和滤波电路，以提高电路的稳定性和抗干扰能力。
AB类功率放大器驱动电路的设计与研究
1 AB类功放驱动电路设计目标在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。
能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。
经典功率放大器有4种类型：A类，AB类，B类和C类，他们的主要差别在于偏置的情况不同。
理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。
A类功率放大器的线性度好，功率传递能力差，效率最大值为50％，导通角为360°；B类功率放大器通过减少一个周期中晶体管工作的时间来提高效率(最好可达78.5％)，保持了实现线性调制的可能性，工作周期为半周期；C类功率放大器提供了接近100％的效率，但同时归一化的功率传递能力和功率增益都趋于零，线性度差；AB类放大器的效率和线性度在A类和B类放大器之间，其最大的特点是导通角的范围为180°～360°，相应的设计目标就是实现他在一个周期的50％和100％之间的某段时间内导通的工作方式，对于单MOS管来说，就是使他的漏极有电流通过的时间多于半个周期。
2 功放驱动电路的具体设计和仿真2.1 镜像电流偏置方式在采用双电源供电的差分放大电路中，两管的静态工作点电流直接由恒流源电路提供。
对恒流源偏置电路的要求，除了提供稳定的静态工作点电流外，还应具有高的输出交流电阻。
镜像恒流源电路是目前应用最广的一种高稳定恒流源电路，他特别适合于用在集成电路中。
图2就是采用镜像电流偏置方式实现的驱动电路结构图。
这个电路是由2个性能上严格匹配的NMOS管和1个电阻、1个电感组成，IM1和IM2分别为电路中两个NMOS管M1和M2的漏极电流。
M1管与M2管的衬底与源短接，不存在体效应。
由于两个NMOS 管宽长比完全一样，因此，改变VDD或R，IM1和IM2相应的也就随之改变。
鉴于IM2犹如I M1的镜像，故将这种恒流源电路称为镜像恒流源电路。
图中的C和L作用跟前面分压偏置方式中论述的一样。
较大功率直流电机驱动电路的设计方案
1 引言直流电机具有优良的调速特性，调速平滑、方便、调速范围广，过载能力强，可以实现频繁的无级快速启动、制动和反转，能满足生产过程中自动化系统各种不同的特殊运行要求，因此在工业控制领域，直流电机得到了广泛的应用。
许多半导体公司推出了直流电机专用驱动芯片，但这些芯片多数只适合小功率直流电机，对于大功率直流电机的驱动，其集成芯片价格昂贵。
基于此，本文详细分析和探讨了较大功率直流电机驱动电路设计中可能出现的各种问题，有针对性设计和实现了一款基于25D60-24A 的直流电机驱动电路。
该电路驱动功率大，抗干扰能力强，具有广泛的应用前景。
2 H 桥功率驱动电路的设计在直流电机中，可以采用GTR 集电极输出型和射极输出性驱动电路实现电机的驱动，但是它们都属于不可逆变速控制，其电流不能反向，无制动能力，也不能反向驱动，电机只能单方向旋转，因此这种驱动电路受到了很大的限制。
对于可逆变速控制， H 桥型互补对称式驱动电路使用最为广泛。
可逆驱动允许电流反向，可以实现直流电机的四象限运行，有效实现电机的正、反转控制。
而电机速度的控制主要有三种，调节电枢电压、减弱励磁磁通、改变电枢回路电阻。
三种方法各有优缺点，改变电枢回路电阻只能实现有级调速，减弱磁通虽然能实现平滑调速，但这种方法的调速范围不大，一般都是配合变压调速使用。
因此在直流调速系统中，都是以变压调速为主，通过PWM(Pulse Width Mo dulation)信号占空比的调节改变电枢电压的大小，从而实现电机的平滑调速。
2.1 H 桥驱动原理要控制电机的正反转，需要给电机提供正反向电压，这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。
当开关S1 和S4 闭合时，电流从电机左端流向电机的右端，电机沿一个方向旋转;当开关S2 和S3 闭合时，电流从电机右端流向电机左端，电机沿另一个方向旋转， H 桥驱动原理等效电路图如图1 所示。
图1 H 桥驱动原理电路图2.2 开关器件的选择及H 桥电路设计常用的电子开关器件有继电器，三极管， MOS 管， IGBT 等。
基于场效应管的大功率直流电机驱动电路设计
基于场效应管的大功率直流电机驱动电路设计随着工业自动化技术的不断发展，直流电机在现代工业中得到了广泛的应用。
其高效率、高控制精度、低噪声等特点，使得直流电机成为了各种工业设备中的重要部件。
然而，直流电机的驱动电路一直以来都是一个难以解决的问题。
基于场效应管的大功率直流电机驱动电路是解决这一问题的一个有效方法，本文将对其进行详细的介绍和分析。
一、基本原理场效应管是一种基于场效应的半导体器件，其主要特点是输入电阻高、带宽宽、阈值电压低、驱动电压低、体积小等。
这种器件可以在很小的控制电压下，实现大功率的开关控制。
因此，利用场效应管来设计大功率直流电机驱动电路，可以有效地提高电机的效率和控制精度。
二、电路设计基于场效应管的大功率直流电机驱动电路的设计需要根据具体的需求而定。
下面我们以一个C速率驱动电路为例来进行介绍。
1、整体设计整个电路由驱动电源、控制信号处理、驱动电路和电机负载等部分组成。
其中，驱动电路主要由N沟道场效应管和P沟道场效应管组成。
控制信号处理主要是通过单片机控制信号，以控制场效应管的通断和时间控制等。
电机负载部分则由直流电机和机械负载器件组成，直接产生动力。
2、驱动电路部分设计驱动电路是基于场效应管大功率直流电机驱动电路的核心部分。
其设计需要做到以下几个方面：①选择适当的场效应管在设计驱动电路时，需要根据具体的电机负载特点和驱动电路所需的电压电流等参数，选择适当的场效应管。
通常情况下，能承受大电流的MOSFET管具有更好的驱动特性和开关速度，这对于电机的控制非常重要。
②优化电路结构在设计过程中，还需要优化电路的结构，保证电路的稳定性和可靠性。
在本设计中，采用了H桥结构和电流采样电路等。
③加入保护电路在实际应用过程中，直流电机会承受很大的负载，如果没有保护电路，就可能会导致电机的损坏。
因此，在电路设计过程中，需要加入过压保护、过流保护等保护电路，保证电路的安全运行。
3、控制信号处理部分设计控制信号处理部分主要负责将控制信号进行放大和变形，以满足不同的驱动器控制要求。
功率驱动接口电路设计
功率驱动器件与MCU/DSC的接口电路设计技巧由于MCU和DSC的成本大幅下降，目前多数马达控制设计中都使用MCU和数字信号控制器（DSC）来执行马达控制算法。
本文介绍了一些方法和技巧，可将MCU或DSC的逻辑层输入/输出口（I/O）与功率电子驱动电路接口，并讲述了如何正确地进行相关硬件及软件开发的方法。
在进行MCU或DSC的逻辑层输入/输出口（I/O）与功率电子驱动电路的接口设计时，除了性能和价格需要权衡考虑外，还有许多方面要折衷处理。
我们可根据以下问题来选择接口元件：1.本电路需要驱动何种马达？2.该马达采用何种算法进行控制？3.控制器外设可简化哪些接口要求？4.电气安全要求是什么？5.此设计是否用于产品开发？栅极驱动接口电路半桥输出电路结构可用于控制多种马达，包括有刷直流马达、无刷直流马达、交流感应式马达及永磁交流马达。
电源级电路需要一个栅极驱动接口电路，该电路至少应具备以下功能：1.将MCU的逻辑输出电平进行转换，在晶体管的栅极和源极间提供一个10-15V的电平。
2.在晶体管的开通和关断时提供足够大的驱动电流，以克服米勒电容的影响。
高端输出器件向来是栅极驱动接口电路的一个问题。
在电源输出级电路中，无论是高端或低端输出都应该采用N沟道器件。
在裸片尺寸和击穿电压固定的情况下，P沟道器件的导通电阻往往比N沟道器件高。
使用P沟道器件可简化栅极驱动电路，但会增加设计成本。
裸片尺寸越大成本越高，而且P沟道器件往往比同类的N沟道器件成本高。
由于低端器件的电位是相对于电路的接地点而言的，因此在电源级电路中产生一个用于低端器件的栅极电源电压十分容易。
栅极控制电压必须以源极电压为参考，在高端晶体管中它是满幅电压。
因此，电源级电路中的高端器件需要一个栅极电源，该电源基于源极电压上下浮动。
现在有许多便宜的IC可简化栅极驱动电路的设计。
但其中有些只是简单的大电流驱动电路，不具备高端器件所需的电平转换电路。
另一些则包括电平转换电路，可直接与逻辑及功率器件接口。
功率驱动电路
+12V
L 6
D R3
+24V
2 I C2 7 R1
3
M1
E
R4
R2
Vss
4
5 IF
8 I C1
3 6 VF
PWM
Vcc +5V
3.MOS管高端驱动电路
高端驱动集成电路主要用在功率MOS开关管不能直接接地 的电路中，如BUCK降压电路等。典型低端集成驱动电路有 IR公司的IR2117等。
Vcc IN
200
105
180
80
130
40
65
单位 V V V V V
mA mA
V V nS nS nS nS
由单片机控制为IR2117驱动的BUCK降压电路如下所示。 图中IC1为MC9S08SH8单片机，IC2为高端驱动电路，元
件L、D、M1、E构成BUCK降压电路。
+300V
M1
L
Vout
R1
D1
C1
COM
IN0
OUT0
IN1
OUT1
TO MCU
ULN2003
IN6
OUT6
GND
12V VCC
三、功率MOS管驱动电路设计
功率MOS管加驱动电路的主要目的: 改善MOS管栅极驱动波形,缩短MOS管开 通和关断时间,降低开关损耗 实现电平转换 完成故障保护 实现电气隔离
电气隔离又分为： 光耦隔离，用于数十kHz以下 脉冲变压器隔离，最高可达几MHZ
为使只有一个发光管工作时,也能进行合理限流,则R1 的最大限流值取20mA.故全亮时的驱动电流为2.5mA。
R1 VCC VCE VF 5 0.3 1.2 0.175K
大功率IGBT驱动电路的设计与实现
电雜术Electronic Technology电子技术与软件工程Electronic Technology & Software Engineering 大功率IG BT驱动电路的设计与实现孙伟(罗克韦尔自动化控制集成（上海）有限公司上海市201201 )摘要：本文基于当前IGBT驱动电路的繁杂的现象，采用光电隔离，隔离电源和离散元件，研究大功率IGBT驱动电路的设计和实现 方法，同时也简要的与小功率的IGBT驱动电路的差异做了对比。
最后以600A的大功率IGBT功率模块FF600R12IP4作为例子对所设计的 电路进行了验证，结果证明此电路可以很好的驱动大功率IGBT，此驱动电路也在公司的产品使用中得到了验证。
关键词：绝缘栅双极晶体管；电路设计；光耦；驱动电路I G B T也称为绝缘栅双极晶体管，集场效应管和电力晶体管的优点于一身，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动 电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，产品的用途越来越广泛，驱动方法也是各式各样，可靠的驱动方法尤其重要。
由于I G B T的广泛使用，其产品也越来越多小到几安培，大到几千安培都有。
而且厂家也多，除了国际大厂，越来越多的国 产厂商也在开发I G B T或者I G B T模块。
在工业领域，I G B T主要用做变频器里面的开关器件，而IGBT又是现场损坏最为严重的器件之一，对于大功率的变频产品尤其如 此。
对与变频器应用来说，核心是驱动电路。
驱动电路就是把中央控制器发来的命令，转变成I G B T开关的信号。
因此，驱动电路设 计的好坏直接决定整个设备的稳定性、可靠性和使用寿命。
又因为 I G B T种类繁多，驱动电路也是各式各样，这也增加了 I G B T驱动 电路设计的复杂度。
1IGBT驱动的研究与分析对于I G B T的驱动电路，如果仅仅是对一个I G B T的驱动，那么其驱动电路很简单，只需根据I G B T的特性，提供一个门极驱动电压就行，通常为15V。
一种恒流型DCDC大功率LED驱动电路的设计
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浙江大学电气工程学院硕士学位论文一种恒流型DC-DC大功率LED驱动电路的设计姓名：裴倩申请学位级别：硕士专业：电力电子与电力传动指导教师：陈辉明;王正仕20100127浙江大学硕士学位论文摘要摘要在能源和环境问题日趋严重的今天，以高效、节能、环保以及长寿命为主要特点的大功率照明白光ＬＥＤ获得了人们的重视。
随着其性能的提高以及生产成本的下降，大功率照明白光ＬＥＤ将逐步取代白炽灯和荧光灯，引起人类照明史上又一次革命。
与此同时，大功率从照明白光ＬＥＤ驱动电路的开发也由于大功率ＬＥＤ的应用的逐渐普及得到了长足的发展。
本论文的题目来源于电源公司的合作项目，论文的目的是设计一种市场需求量大的大功率白光ＬＥＤ恒流驱动变换器，要求其在输入电压和负载ＬＥＤ灯串电压（即个数）在一定范围内变化时，仍具有高恒流精度和控制结构简单、成本低、体积小、效率高等特点。
本论文的研究思路和工作内容如下：首先，论文对大功率照明ＬＥＤ的特性及发展和白光ＬＥＤ驱动电路的分类进行了介绍。
接着分析了ＤＣ－ＤＣ转换电路的原理和控制策略，包括ＤＣ－ＤＣ转换电路的三种拓扑结构的原理分析、两种反馈控制模式和三种控制方式。
然后，分析了本论文提出的大功率ＬＥＤ的Ｂｕｃｋ型、Ｂｏｏｓｔ型、Ｂｕｃｋ－Ｂｏｏｓｔ型变换器恒流输出的控制原理和恒流电路实现算法及结构。
最后，论文完成了各个单元电路的分析和设计，设计制作了一台用于驱动３５０ｍＡ、ｌＷ的白光ＬＥＤ－－ＬｕｘｅｏｎＴＭＳｔａｒ的Ｂｕｃｋ型和Ｆｌｙｂａｃｋ型ＬＥＤ恒流ＤＣ－ＤＣ驱动变换器，并进行了调试实验和分析了各变量对恒流精度的影响，实验结果验证了本文理论研究和电路实现结构设计结果的正确性。
关键词：大功率ＬＥＤ；恒流驱动；开关电源；ＤＣ－ＤＣ转换电路浙江大学硕士学位论文摘要ＡｂｓｔｒａｃｔＮｏｗａｄａｙｓｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｓｏｆｅｎｅｒｇｙｓｏｕｒｃｅｓａｎｄｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｂｅｃｏｍｅｍｏｒｅａｎｄｍｏｒｅｓｅｒｉｏｕｓ，ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌｉｇｈｔｉｎｇｈａｓｗｏｎｐｅｏｐｌｅ’Ｓａｔｔｅｎｔｉｏｎｆｏｒｉｔｓｕｎｉｑｕｅａｔｔｒｉｂｕｔｅｓｏｆｌｏｗｅｎｅｒｇｙｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ，ｌｏｗｐｏｌｌｕｔｉｏｎ，ｌｏｎｇｌｉｆｅａｎｄｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ．ＡｓｔｈｅｑｕａｌｉｔｙｏｆｐｏｗｅｒＬＥＤｉｍｐｒｏｖｅｓａｎｄｔｈｅｃｏｓｔｏｆｐｏｗｅｒＬＥＤｒｅｄｕｃｅ，ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌｉｇｈｔｉｎｇｗｉｌｌｒｅｐｌａｃｅｉｎｃａｎｄｅｓｃｅｎｔｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬＥＤ，ｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｉｔｓａｎｄｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔｌｉｇｈｔｉｎｇｇｒａｄｕａｌｌｙ．Ｗｉｔｈｔｈｅｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔｄｒｉｖｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｈａｓａｌｓｏｂｅｅｎｇｒｅａｔｌｙａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ．Ｔｈｅｓｏｕｒｃｅｓｕｂｊｅｃｔｏｆｔｈｅｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎｏｒｉｇｉｎａｔｅｓｆｒｏｍａｃｏｏｐｅｒａｔｉｖｅｐｒｏｊｅｃｔｆｕｎｄｅｄｂｙａｐｏｗｅｒｃｏｍｐａｎｙ．ＴｈｅｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎａｉｍｓｔｏｄｅｓｉｇｎａＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬＥＤｓｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔｄｒｉｖｉｎｇｃｏｎｖｅｒｔｅｒｗｈｉｃｈｉｓｈｉｇｈｌｙｄｅｍａｎｄｅｄｂｙｔｈｅｏｆｍａｒｋｅｔ．ＴｈｅａｉｎｐｕｔｖｏｌｔａｇｅａｎｄｌｏａｄｖｏｌｔａｇｅｏｆＬＥＤｓａｓｔｒｉｎｇｓ（ｉ．ｅ．ｎｕｍｂｅｒｓｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｉｓＬＥＤｓ）ｃｈａｎｇｅｓｗｉｔｈｉｎｃｅｒｔａｉｎｒａｎｇｅ，Ｉｔｉｓｒｅｑｕｉｒｅｄｓｔｉｌｌｈａｖｉｎｇｈｉｇｈ—ｐｒｅｃｉｓｉｏｎｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔ．Ａｎｄｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｓｓｉｍｐｌｅ，ｔｈｅｃｏｓｔｉｓｌｏｗ，ａｎｄｔｈｅｈｉｇｈ．‘ＴｈｅｒｅｓｅａｒｃｈＣａｎｂｅｓｕｍｍａｒｉｚｅｄａｓｆｏｌｌｏｗｓ：Ｆｉｒｓｔ，ｔｈｅｆｅａｔｕｒｅｓａｎｄｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｈｉｇｈｐｏｗｅｒＬＥＤｌｉｇｈｔｉｎｇａｎｄｔｈｅｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｗｈｉｔｅＬＥＤｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔｓｗｅｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．ＴｈｅｎｔｈｅｔｈｅｓｉｓａｎａｌｙｚｅｄｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐｌｅａｎｄｃｏｎｔｒｏｌｓｔｒａｔｅｇｙｏｆｔｈｅＤＣ－ＤＣｃｏｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｔｈｒｅｅｃｉｒｃｕｉｔｔｏｐｏｌｏｇｉｅｓ，ｔｗｏｋｉｎｄｓｏｆｆｅｅｄｂａｃｋｃｏｎｔｒｏｌｍｏｄｅｓｃｏｎｔｒｏｌｐｒｉｎｃｉｐｌｅ，ｃｉｒｃｕｉｔｃｏｎｓｔａｎｔ－ｃｕｒｒｅｎｔｏｕｔｐｕｔｏｆｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｓａｎｄｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｃｏｎｔｒｏｌｍｏｄｅ．Ｔｈｅｎ，ｔｈｅａｌｇｏｒｉｔｈｍａｎｄｃｉｒｃｕｉｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｂｅｅｎｐｒｅｓｅｎｔｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｏｆｔｈｅＢｕｃｋ－ｔｙｐｅ，Ｂｏｏｓｔ－ｔｙｐｅ，ａｎｄＢｕｃｋ－Ｂｏｏｓｔｔｙｐｅｈｉｇｈ?ｐｏｗｅｒＬＥＤａｎｄｄｅｓｉｇｎｏｆｖａｒｉｏｕｓｃｅｌｌｃｉｒｃｕｉｔｉｓｆｉｎｉｓｈｅｄ．Ａａｒｅａｎａｌｙｚｅｄ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅａｎａｌｙｓｉｓａＢｕｃｋ?－ｔｙｐｅａｎｄＦｌｙｂａｃｋ?－ｔｙｐｅＬＥＤｓｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔＤＣ－－ＤＣｄｒｉｖｉｎｇｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓｅｔｕｐｆｏｒｏｆｄｒｉｖｉｎｇｓｅｖｅｒａｌ３５０ｍＡ，１ｖａｒｉａｂｌｅｓｏｎＷＬｕｘｅｏｎＴＭＳｔａｒ．ＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓａｃｃｕｒａｃｙｗｅｒｅｗｅｒｅｃａｒｒｉｅｄＯｕｔａｎｄｔｈｅｉｍｐａｃｔｓａｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔａｎａｌｙｚｅｄ．Ｔｈｅｄｅｓｉｇｎ．ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｈａｖｅｇｏｏｄａｇｒｅｅｍｅｎｔｗｉｔｈｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｎａｌｙｓｉｓａｎｄｃｉｒｃｕｉｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅ浙江大学硕上学位论文摘要Ｋｅｙｗｏｒｄ：ＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬＥＤ；ＤＣ．ＤＣｃｏｎｖｅｒｔｅｒＣｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔｄｒｉｖｅｒ；Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｍｏｄｅｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ；浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
步进电机H桥功率驱动电路设计
步进电机H桥功率驱动电路设计步进电机是一种特殊的直流电机，可以通过一定的控制方式实现精准的角度控制。
步进电机的驱动电路通常采用H桥功率驱动电路，其中H桥电路是通过四个开关元件（通常是MOSFET管或者IGBT管）和两个电源组成的，能够实现电机的正、反向旋转。
H桥电路由四个开关元件组成，其中开关S1和S4连接在一起，共同控制电机的一个端口，开关S2和S3连接在一起，共同控制电机的另一个端口。
H桥电路有四种状态：S1和S4为导通状态，S2和S3为截止状态；S2和S3为导通状态，S1和S4为截止状态；S1和S3为导通状态，S2和S4为截止状态；S2和S4为导通状态，S1和S3为截止状态。
步进电机的驱动原理是通过控制H桥电路的四种状态，使得电机在施加电源电压的不同方向上旋转。
控制步进电机的一个重要参数是步距角，即电机每转一圈所走过的角度。
根据步距角的大小，步进电机可以分为全角步进电机和半角步进电机。
全角步进电机的步距角为360度/步数，控制方式可以是单相驱动方式或者双相驱动方式。
单相驱动方式只需要两个驱动电路，一个控制电机的一个端口，另一个端口通过调整S1和S4的导通时间来实现，通过调整导通的时间长短，可以控制电机的速度。
双相驱动方式需要四个驱动电路，分别控制电机的两个端口，通过交替切换四种状态来实现控制。
半角步进电机的步距角为360度/（2×步数）。
控制半角步进电机通常采用四相驱动方式，需要八个驱动电路，通过交替切换八种状态来实现控制。
四相驱动方式的原理是将步进电机的一个端口分成四段，通过施加电源电压的不同顺序，使得电机在不同的相邻段上产生磁场，并完成旋转。
步进电机的驱动电路设计需要考虑以下几个问题：1.驱动电路的工作电压范围，要能适应电机的额定电压以及工作电压波动范围。
2.驱动电路的开关元件的选型，要能够满足电流和功率的要求，并具有足够的开关速度。
3.驱动电路的保护措施，要考虑过流、过热等异常情况的保护。
大功率SiCMOSFET驱动电路设计
第40卷第3期 2020年5月核电子学与探测技术Nuclear Electronics Detection TechnologyVol.40 No. 3May.2020大功率Si C M O S F E T驱动电路设计吴凯铭i2,高大庆1#，高杰\李明睿\申万增1(1.中国科学院近代物理研究所，兰州730000;2.中国科学院大学，北京100049)摘要•.为了使强流重离子加速器装置（H IAF)碳化硅功率开关器件SiC M O SFET工作在理想状态，设计了基于SIC1182K驱动芯片的SiC M O SFET驱动电路。
对该驱动电路的输出电压、响应时间、脉宽 连续可调性、稳定性和可靠性进行实验测试，测试结果表明：该驱动电路能够长时间、稳定可靠工作，满 足SiC M O SF E T的工作需求。
关键词：加速器电源；SIC1182K;SiC M O SFET;驱动电路中图分类号：T L56 文献标志码：A文章编号：0258 —0934(2020)3 —0412 —05强流重离子加速器装置（H IA F)[1’2]是“十 二五”国家重大科学工程项目。
硅功率器件是现阶段兰州加速器电源常用的开关器件，与传 统硅器件相比，第三代半导体开关器件SiC M O SFE T有着更加卓越的高温高压工作性能。
并且SiC M O S F E T上升下降时间短、通态损耗 小等特点[3]，决定了 SiC M O SF E T在达成更高 开关频率的同时，还兼备更小的功率损耗。
在 相同功率等级下，与硅器件开关电源相比，SiC M O SF E T开关电源能够凭借更高的开关频率，减小电路中电容电感体积，降低滤波成本，提高 功率密度。
器件材料的差异导致驱动电路不可 通用，驱动电路就成为SiC M O SFE T理想工作 所需解决的技术难点。
收稿日期：2020_03—02基金项目：国家自然科学基金项目（11805248)资助。
作者简介：吴凯铭（1995 —），男，福建南靖人，在读硕士生，攻读方向为加速器工程设计研究。
电子设计中的功率电路设计
03
常见功率电路设计
直流电源电路设计
总结词
为电子设备提供稳定的直流电压
详细描述
直流电源电路设计是电子设计中最为基础和重要的部分，其主要功能是为电子设备提供稳定的直流电压。在设计 过程中，需要考虑电源的效率、稳定性、安全性和可靠性等方面。
05
功率电路设计案例研究
案例一：电动车的直流电源设计
要点一
总结词
要点二
详细描述
电动车的直流电源设计是一个典型的功率电路设计案例， 涉及到电池管理、充电控制和电机驱动等多个方面。
在电动车的直流电源设计中，需要考虑电池的特性、充电 方式和安全控制等多个因素。同时，为了满足电机的驱动 需求，还需要对电源进行适当的转换和控制。这个案例中 ，功率电路的设计需要考虑到效率、可靠性和安全性等方 面。
安全保障
功率电路的安全性对电子设备和人 身安全具有重要意义，如过载保护 、短路保护等安全措施。
功率电路的类型与分类
整流电路
将交流电转换为直流电 的电路，广泛应用于电 源供应、电机控制等领
域。
逆变电路
将直流电转换为交流电 的电路，常见于无刷电 机控制、并网发电等领
域。
放大电路
将小信号放大为大信号 的电路，用于驱动各种 负载或进行信号传输。
特点
功率电路通常具有大电流、高电压的 特点，其性能直接影响整个电子设备 的运行效果和安全性。
功率电路的重要性
能量转换
功率电路是实现电能与其他形式 能量转换的关键环节，对于各种 电动设备和能源转换系统至关重
要。
设备性能
功率电路的效率、稳定性等性能指 标直接决定了电子设备的整体性能 ，如输出功率、效率、稳定性等。
案例三：服务器电源的开关电源设计
大功率驱动电路(1)
直流电动机驱动接口电路（1）
本部分主要内容
1、小功率直流电动机调速原理 2、开环脉冲宽度调速系统 3、脉冲宽度调速系统设计 4、闭环脉冲宽度调速系统 5、交流电动机控制接口技术
直流电动机驱动接口电路（2）
图3-7-2给出达林顿阵列驱动器MC1416 的结构图与每对复合管的内部结构， MC1416内含7对达林顿复合管，每个复合管 的集电极电流可达500mA，截止时能承受 100V电压，其输入输出端均有箝位二极管， 输出箝位二极管D2抑制高电位上发生的正 向过冲，D1、D3可抑制低电平上的负向过 冲。
1B
7406
+24V 负荷线圈 1C 达林顿复合管 GND
图 4-8 达林顿阵列驱动电路
继电器驱动电路
电磁继电器主要由线圈、铁心、衔铁和触 点等部件组成，简称为继电器，它分为电压继 电器、电流继电器、中间继电器等几种类型。 继电器方式的开关量输出是一种最常用的输出 方式，通过弱电控制外界交流或直流的高电压、 大电流设备。
A
G K
T2
G T1
双向晶闸管也叫三端双向可控硅，在结构上相 当于两个单向晶闸管的反向并联，但共享一个控制 极，结构如图（b）所示。当两个电极T1、T2之间 的电压大于1.5V时，不论极性如何，便可利用控制 极G触发电流控制其导通。双向晶闸管具有双向导 通功能，因此特别适用于交流大电流场合。
+5V 180Ω
过零型交流 SSR是指当输入端加入控制信号后， 需等待负载电源电压过零时，SSR才为导通状态； 而断开控制信号后，也要等待交流电压过零时， SSR才为断开状态。移相型交流 SSR的断开条件同 过零型交流 SSR，但其导通条件简单，只要加入 控制信号，不管负载电流相位如何，立即导通。
MOSFET驱动电路的设计与仿真
MOSFET驱动电路的设计与仿真摘要：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种常见的功率开关元件，广泛应用于电路的开关和驱动控制中。
本文将介绍MOSFET驱动电路的设计与仿真过程，包括驱动电路的选型、电路的设计和电路的性能分析等。
一、驱动电路的选型在选择驱动电路时，需要考虑以下几个因素：1. 驱动电路的电压要能满足MOSFET的驱动要求。
通常，MOSFET的门极电压（Vgs）需要在规定的范围内才能正常工作。
2.驱动电路的电流要能满足MOSFET的驱动要求。
MOSFET的门极电流（Ig）需要足够大才能迅速充放电。
3.驱动电路的速度要能满足应用场景的需求。
驱动电路的响应速度需要足够快以确保MOSFET的正常开关操作。
4.驱动电路的成本要能够接受。
驱动电路的成本包括电路的制作、元件的购买等。
二、电路的设计根据选型的结果，可以开始设计驱动电路。
以下是驱动电路设计的几个关键步骤：1.选择适合的驱动电源。
电源的选择需要根据电路的工作电压和电流要求来确定。
一般来说，可以选择开关电源或者稳压电源。
2.选择合适的驱动电路拓扑结构。
驱动电路常见的拓扑结构包括共射极、共集极和共基极。
选择适合的拓扑结构需要考虑MOSFET的特性，如集电极功率损耗、输出电压的放大倍数等。
3.选择合适的驱动电路元件。
驱动电路元件包括电阻、电容和三极管等。
选取合适的元件需要考虑电压和电流的要求、响应速度和成本等因素。
4.进行电路的原理图设计。
根据选取的驱动电源、拓扑结构和元件，绘制驱动电路的原理图。
5.进行电路的PCB布局设计。
根据原理图，将电路元件进行布局，保证电路的稳定性和可靠性。
三、电路的仿真在完成电路设计后，可以利用电路仿真软件进行电路的性能分析和验证。
通过仿真可以评估电路的各种性能参数，如频率响应、电压和电流波形、功率损耗等。
在进行仿真前，需要建立电路的仿真模型。
根据电路的原理图和元件参数，建立仿真模型。
利用仿真软件进行电路性能分析。
大功率LED恒流驱动电路的设计分析与实例
大功率LED恒流驱动电路的设计分析与实例大功率LED恒流驱动电路是一种用于供电给高功率LED灯的电路，其主要功能是保证LED灯的亮度和寿命稳定，并提供可靠的电流供应。
在设计和分析大功率LED恒流驱动电路时，需要考虑电路的功率、效率、稳定性、保护措施等方面的因素。
本文将介绍大功率LED恒流驱动电路设计的分析与实例，并探讨其重要考虑因素。
首先，大功率LED恒流驱动电路的设计要考虑电源的选择。
由于大功率LED需要较高的电流和电压供应，常见的电源如开关电源或恒流电源可满足要求。
开关电源具有调节和保护功能，但也存在噪音和电磁干扰等问题。
而恒流电源具有稳定的电流输出，但需要进行功率调节以适应不同的照明需求。
其次，大功率LED恒流驱动电路的设计还需考虑恒流源的选择。
恒流源可采用电流源或电压源，其中电流源更常用。
电流源可采用电流反馈调节的方式，通过采样和比较输入和输出电流来实现恒流输出。
电流反馈调节可采用稳压二极管或运放等方式，实现电流控制。
此外，大功率LED恒流驱动电路的保护措施也需要考虑。
由于LED灯具的亮度和寿命对电流的稳定性要求较高，因此需加入过流保护、过压保护和短路保护等功能。
过流保护可通过采用电阻、保险丝或电流检测电路来实现；过压保护可通过电压检测电路实现；短路保护可通过故障检测电路实现。
这些保护措施可提高电路的稳定性和可靠性。
最后，以一款具体的大功率LED恒流驱动电路为例进行分析。
该电路采用开关电源作为电源，并使用电压型恒流源。
电流反馈调节采用稳压二极管。
保护措施包括过流保护、过压保护和短路保护。
采用超级二极管进行过压保护，电源采用恒定输出电压的可调模式。
过流保护采用电流检测电路，通过检测电流超过一定值时，自动切断电源。
短路保护采用故障检测电路，通过检测负载端是否接通来实现。
在实际应用中，大功率LED恒流驱动电路的设计还需考虑效率问题。
高效率的恒流驱动电路可以减少能源消耗和热量产生，提高整个LED照明系统的效率。
较大功率直流电机驱动电路的设计方案
1 引言直流电机具有优良的调速特性，调速平滑、方便、调速范围广，过载能力强，可以实现频繁的无级快速启动、制动和反转，能满足生产过程中自动化系统各种不同的特殊运行要求，因此在工业领域，直流电机得到了广泛的应用。
许多公司推出了直流电机专用驱动芯片，但这些芯片多数只适合小功率直流电机，对于大功率直流电机的驱动，其集成芯片价格昂贵。
基于此，本文详细分析和探讨了较大功率直流电机驱动电路设计中可能出现的各种问题，有针对性设计和实现了一款基于25D60-24A 的直流电机驱动电路。
该电路驱动功率大，抗干扰能力强，具有广泛的应用前景。
2 H 桥功率驱动电路的设计在直流电机中，可以采用GTR 集电极输出型和射极输出性驱动电路实现电机的驱动，但是它们都属于不可逆变速，其电流不能反向，无制动能力，也不能反向驱动，电机只能单方向旋转，因此这种驱动电路受到了很大的限制。
对于可逆变速， H 桥型互补对称式驱动电路使用最为广泛。
可逆驱动允许电流反向，可以实现直流电机的四象限运行，有效实现电机的正、反转。
而电机速度的主要有三种，调节电枢、减弱励磁磁通、改变电枢回路电阻。
三种方法各有优缺点，改变电枢回路电阻只能实现有级调速，减弱磁通虽然能实现平滑调速，但这种方法的调速范围不大，一般都是配合变压调速使用。
因此在直流调速系统中，都是以变压调速为主，通过PWM(Pulse Widthdulation)信号占空比的调节改变电枢的大小，从而实现电机的平滑调速。
H 桥驱动原理要电机的正反转，需要给电机提供正反向，这就需要四路开关去控制电机两个输入端的。
当开关S1 和S4 闭合时，电流从电机左端流向电机的右端，电机沿一个方向旋转;当开关S2 和S3 闭合时，电流从电机右端流向电机左端，电机沿另一个方向旋转， H 桥驱动原理等效电路图如图1 所示。
图1 H 桥驱动原理电路图开关器件的选择及H 桥电路设计常用的电子开关器件有继电器，三极管， MOS 管， IGBT 等。
IGBT驱动电路设计
IGBT驱动电路设计————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：一种IGBT驱动电路的设计IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。
IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。
IGBT已经成为功率半导体器件的主流。
在10～100 kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。
IGBT进一步简化了功率器件的驱动电路和减小驱动功率。
1 IGBT的工作特性。
IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。
当栅极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。
此时从N+区注入到N-区的空穴（少子）对N-区进行电导调制，减小Ⅳ区的电阻R dr ，使阻断电压高的IGBT也具有低的通态压降。
当栅极上施以负电压时。
MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即被关断。
在IGBT导通之后。
若将栅极电压突然降至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使集电极电流有所下降，但由于N-区中注入了大量的电子和空穴对，因而集电极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。
2 驱动电路的设计2.1 IGBT器件型号选择1）IGBT承受的正反向峰值电压考虑到2-2.5倍的安全系数，可选IGBT的电压为1 200 V。
2）IGBT导通时承受的峰值电流。
额定电流按380 V供电电压、额定功率30 kVA容量算。
选用的IGBT型号为SEMIKRON公司的SKM400GA128D。
2.2 IGBT驱动电路的设计要求对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。
门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv／dt电流等参数有不同程度的影响。
门极驱动条件与器件特性的关系见表1。
无刷直流电动机功率驱动电路设计
无刷直流电动机功率驱动电路设计
一、概述
无刷直流电动机(BLDC)是一种特殊的直流电动机，其转子上没有刷子
起到对电压的分割作用，主要依靠逆变器来模拟驱动直流电动机的三相交
流电压和频率，从而实现电动机的驱动，相比于直流电动机，BLDC电动
机具有更高的效率、更高的扭矩，更小的体积和更高的转速，由此成为伺
服控制应用的优先考虑的电动机之一
因此，本文关注如何设计一款以BLDC为驱动的电动机功率驱动电路，以达到BLDC电动机的最佳工作效果，下面将首先介绍BLDC电动机的工作
原理，然后介绍功率驱动电路的设计，最后讨论功率驱动电路的原理和特点。
二、BLDC驱动电机工作原理
BLDC驱动电机的工作原理是，逆变器将交流电源的输入转换为正弦
波形的三相电流，经过逆变器的每个通道的低频调制和半桥可控整流组件
输出，将可控直流电压的正弦波输出给无刷直流电机，实现无刷直流电机
的控制以及调速和位置控制。
BLDC驱动电机的驱动电路能够调整电流的强度和相位，以便控制电
机的状态，如转速、加速度和位置，并能够提高电机的效率和功率。
无刷
直流电机在低速下具有较大的转矩，在高速下具有较高的功率。
1000W大功率电源方案分享之驱动电路设计
1000W 大功率电源方案分享之驱动电路设计
在昨天的大功率电源方案分享过程中，我们为大家详细介绍了这一电源设计方案中的AC-DC 电路设计以及机箱的散热设计情况。
这一大功率电源由于需要满足1000W 的设计需要，因此在本方案中，DC-DC 驱动电路的设计情况就显的尤为重要。
在今天的分享过程中，本文将会为大家详细分析这一大功率电源系统中的驱动电路设计情况。
DC-DC 驱动电路设计
在本方案中，这一大功率电源需要满足1000W 的输出功率设计需要，同时，还需要符合体积小、耐高温、可靠性强等特点，这样才能够适应工业系统的应用要求。
因此，在选取DC-DC 器件时，需要首先考虑选取具有过流、过压、过热保护功能的耐高温的电源模块来完成驱动系统设计。
在本方案中，这一DC-DC 驱动电路由六组电源模块组成，每一组有两个模块。
在这两个模块中，一个是功率为250W 的驱动器，一个是功率为
250W 的倍增器，每一组电源模块的输出额定电压为5V，可以在4-5V 之间用电阻调整得出所需要的电压值。
此模块每组需要输出4.5V 直流电压，六组串联共输出直流电压27V。
因此，这样的设计可以保障功率达到上千瓦，从而实现30A 的电源输出。
其DC-DC 驱动电路的设计情况如下图所示。
大功率电源DC-DC 驱动电路设计图
在本方案中，这一大功率电源DC-DC 驱动电路所选择的DC-DC 模块，主要包括零电流开关变换器、基准电路、遥测电路、保护电路、输出滤波电路、逻辑控制电路等。
在实际测试中，DC-DC 模块的工作频率高达2MHz。
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2.MOS管主要技术参数
漏源电压BVDS
MOSFET的工作电压主要由MOS管的漏极击 穿电压BVDS决定，而BVDS又是J1结的反偏电压极 限值。BVDS随温度而变化，在一定的范围内大约 结温度每升高10℃，BVDS增加1%，也就是说结 温上升，耐压值也上升。（而双极型晶体管则相 反）。
最大漏极电流IDmax
管，多子是电子） 功率MOSFET是一种集成器件，也就是说一个功 率MOS管通常有许多元细胞并联而成。（一个40A 的管子由上万个单元并联而成）。
栅极与基片之间用SiO2隔离，因此它同其它两个
极之间是绝缘的，故MOS管输入阻抗非常高。
MOS管的极间电容比较大，尤其它的输入电容可
达几百PF。
目前普通LED发光管的最大驱动电流为20MA， 故可取每段发光管的最大驱动电流为IF=2.5mA。
VCC VCE VL 5 0.3 1.2 R1 0.175K IT 20 IT 20 Ib 0.2mA 100
VCC VBE 5 0.7 R2 21.5K Ib 0.20
4
C
8
VT4
1
8
VT3
7
4
5
0
0
0
5
5
u
0
0
F
8
2.2K
R
3
2.2K
R
6
MCU_PWM0
采用上述分立元件电路的优点是成本低,缺 点是驱动电路自身功耗大，波形上升沿和下降 沿都不够陡。解决驱动电路自身功耗大的方法 是用小功率MOS管如2N7000（60V/0.2A,N)代 替S8050,用NTK3142(-20V/0.28A,P)代替 S8550。改善MOS管栅极驱动波形的办法只能 是加大它栅极驱动电流。
五、步进电机驱动
名称: 额定电压 相数 减速比 步距角 直流电阻 空载牵入频率 空载牵出频率
24BYJ48-01 12VDC 4 1/64 5.625° /64 50Ω±7%(25℃) >600Hz >1000Hz
控制极
1
2
3
4
5
6
7
8
5
4 3 2 1
+
-
+
-
+
+
+
+
+
+
-
-
-
脉冲时序图：
极间电容 • 功率场效应管极间电 容是影响器件开关频 率的主要因素。三个 极间电容如图1-14所 示。 • 输入电容： Ciss=CGS+CGD
• 输出电容： Coss=CDS+CGD
图 1－ 2
二、LED及继电器驱动
1、LED显示器驱动 A、动态显示
LED显示可选择动态扫描显示，或选74LS164移位寄存 器作静态显示。
节拍： 1 5： 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
一、功率场效应晶体管（MOSFET）
1、功率场效应晶体管结构特点
S G N+ P N+ N+ P N+ NG
D
D
沟道 N+ D a)
G S N沟道 S P沟道 b)
图1-19
图1-1 电力MOSFET的结构和电气图形符号
功率MOSFET是一种单极性器件，导通时只有一
种极性的载流子（多子）参与导电。（如N型MOS
标称MOS管电流额定参数。MOS管的额定 电流主要由沟道宽度决定，提高IDmax主要靠增 加单位管芯面积的沟道宽度。
阈值电压VGS（th）（开启电压） 当外加栅极电压>VGS（th）时，漏区和源区的表 面反型层形成了连接的沟道。一般MOS管的开启 电压为2-4V。 导通电阻（Ron） 相当于双极型器件的饱和电阻，它主要有沟道 电阻Rc和漂移区电阻Rd所决定。 最高工作频率fm 在漏极电压VDS的作用下，电子从源区出发， 通过沟道到达漏区需要一定的时间。当控制信号的 周期与此时间相当时，电子就来不及跟随信号变化， 这个信号的频率就是VMOS管的最高工作频率fm。
VCC IN0 IN1 OUT0 OUT1 12V VCC
IN6
OUT6
三、功率MOS管驱动电路设计
驱动电路——主电路与控制电路之间的桥梁。 性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作 在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损 耗，对提高装置的运行效率、可靠性和安全性都有 重要意义。 功率MOS管驱动电路的主要作用有： 电平转移 电流放大 电气隔离 故障保护
VCC 12V
50 Ib 0.5mA 100
P1.0
IC
K1 D1
Q1 R1
VCC VbE 5 0.7 R1 8.6 K Ib 0.5
B、用达林顿集成电路驱动
如果系统中有多个信号继电器需要驱动,可考虑 用ULN2000系列达林顿驱动集成电路。
8路达林顿驱动芯片ULN2800系列:
DC 300V R1 R6 D1 D2
M1 VB VCC HIN VS VH C2 LOAD
M3
R2
R4 C3
VB VH VCC HIN VS
M4 M2 LIN VL C1 GND R3 R5 VL GND C4 LIN
F、自带振荡电路的全桥驱动芯片
G、D类功放驱动电路
四、直流电机驱动
传统小功率直流电机控制采用线性集成电路如LB298，但功耗 太大，为此可采用开关集成电路。
B、低端MOS管的驱动
采用IR4427的双路低端驱动
VCC2
VCC1
15V
Rload
Rload
M1 P1.0 R1 / 15 R2 /15
M2
IR4427
P1.1
C、高端MOS管驱动电路
D、MOS管半桥驱动电路
E、MOS管全桥驱动电路
全桥驱动可用2片半桥驱动集成电路（IR2110）：
MCU_PWM4
2.2K
R
5
8
VT5
2.2K
R
0
1
5
0
Drive-a
8
VT2
8
VT1
5
0
R
5
5
0
2 0
4
C
1
7
3
0
0
4
u
7
F
0
IRFZ44N
u
H
L
Q
Q
2
2
1
Motor
+
D
IRF9540
2
A
7.2V
-
D
Q
Q
A、用分立元件构成的驱动电路
3
4
3
IRFZ44N
IRF9540
4
7
0
u
H
L
R
3 4
Drive-b
B、静态显示 用74LS164，
LED1
5V VCC
R1
D7 Din
D0
CLK
74LS164每路输出端最大灌电流为8mA,(但电 源端最大工作电流为54mA).故取:
VCC VCE VL 5 0.3 1.2 R1 0.51K IT 6.75
2、继电器驱动
A、用分立元件 可取继电器工作电流50mA, 三极管放大倍数为100 则: