原子层沉积设备操作方法

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Picosun原子层沉积(ALD)产品手册说明书

Picosun产品手册ALD是未来工业发展趋势的可选方案原子层沉积(ALD)是目前最先进的镀膜和表面处理技术。

ALD可以制备多种材料的超薄薄膜，比如氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、金属甚至聚合物,并在几乎所有类型的衬底表面精确数字化和可重复的控制薄膜厚度、均匀性、成分及保形性。

ALD薄膜本质上是无针孔、无裂纹、无缺陷的。

ALD工艺在真空中相对低温下进行，能够应用于敏感表面。

ALD在现代半导体工业中起到了中流砥柱的作用。

采用ALD工艺制备的功能材料层能使集成电路（IC）组件不断小型化，带来更快、更可靠的计算，移动通信和数据传输和存储。

当今最先进的产品加工过程中都包含ALD工艺智能家庭及智能行业，更安全的汽车及其它交通工具，更快更简便的医疗诊断方式及可穿戴的健康监控器件都可以通过微尺度的传感器。

ALD在这些器件加工中是非常关键的技术。

使用ALD制备的LED照明更亮，寿命更长。

ALD精确的光学层拓展到更多的特殊光学应用中。

在医疗技术中，病人的安全性及人工植入部件的寿命通过ALD的生物兼容层获得提高。

新颖的靶向药物输运技术也用ALD开发出来。

ALD实现可持续发展的未来在可持续发展的未来，ALD薄膜可以提高太阳能电池板和燃料电池的性能。

新颖的高能量密度电池和能量收集装置都已使用ALD做超薄层。

采用ALD涂层的粉末载体展现了在低成本、环境友好型催化剂方面的潜力。

有价值的物品如贵金属首饰和纪念币可以通过ALD工艺起抗老化、抗暗色化、抗变污的作用。

在钟表与珠宝行业，充满活力和金属色调并具有光泽性、色彩性的ALD薄膜在无毒，非过敏性，并节省材料的方式下带来全新的视觉效果。

Picosun提供经生产线验证的ALD解决方案今天，世界上许多最大的微电子和集成电路（IC）制造企业都选择Picosun的ALD来生产他们最先进的产品。

在IC领域之外，我们的工业ALD技术也在全球铸币业、制表业、医疗植入、能源及固态照明行业被广泛使用。

ald设备原理

ALD设备原理概述ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）是一种用于薄膜制备的技术，其基本原理是通过交替地将两种或多种前驱体分子引入反应室中，并在表面上进行逐层地沉积。

ALD技术可以实现高度控制和均匀性的薄膜生长，因此在微电子、光电子、能源储存等领域具有广泛的应用。

基本步骤ALD技术的基本步骤如下： 1. 表面准备：将待沉积材料的衬底放入反应室中，进行表面清洗和处理，以去除杂质和氧化物。

2. 第一前驱体进料：引入第一种前驱体分子A，它与衬底表面发生化学反应，生成一个单分子层（monolayer）的A物种吸附在表面上。

3. 清洗步骤：将反应室中剩余的A分子和副产物排出，并进行清洗处理，确保只有单分子层的A物种存在在表面上。

4. 第二前驱体进料：引入第二种前驱体分子B，它与之前形成的A物种发生反应，生成一个单分子层的AB复合物吸附在表面上。

5. 清洗步骤：将反应室中剩余的B分子和副产物排出，并进行清洗处理，确保只有单分子层的AB复合物存在在表面上。

6. 重复步骤2-5：根据需要，可以循环多次进行前驱体进料和清洗步骤，以增加薄膜的厚度。

7. 结束步骤：完成所需的沉积层数后，进行最后的清洗和处理，以确保薄膜质量。

基本原理ALD技术之所以能够实现高度控制和均匀性的薄膜生长，是因为它基于以下几个基本原理：1. 自限制反应ALD技术利用了一种称为自限制反应（self-limiting reaction）的化学反应。

在ALD过程中，每个前驱体分子与表面发生化学反应后会形成一个单分子层，并且这个反应是自限制的，即当表面上已经存在单分子层时，额外的前驱体分子无法再进一步吸附到表面上。

这种自限制性质使得ALD可以实现准确的单原子层控制，从而获得高质量和均匀性的薄膜。

2. 交替进料ALD技术通过交替地引入两种或多种前驱体分子来实现逐层生长。

在每个周期中，第一前驱体分子与表面反应形成单分子层，然后通过清洗步骤将剩余的前驱体分子和副产物排出。

原子层沉积系统(ALD)设备安全操作规程

原子层沉积系统(ALD)设备安全操作规程ALD（Atomic Layer Deposition）是一种基于原子分子层沉积的表面处理技术，它可以实现对微小尺寸物体的高精度表面涂层。

ALD设备的使用需要严格遵守安全操作规程，以保护使用者的健康和设备的性能。

本规程旨在确保使用者掌握正确的操作方法，预防意外事故的发生。

环境和人员要求环境要求•ALD设备使用环境应该符合防爆、防静电等标准。

•禁止在有易燃易爆气体、液体或粉尘等物质存在的环境下使用ALD设备。

•ALD设备使用的房间应该有良好的通风系统，确保空气流通畅通。

•在ALD设备使用的房间内，禁止吸烟、喝饮料等操作。

人员要求•ALD设备只能由经过培训、持有相应岗位证书的人员进行操作。

•操作人员应该着戴适合的防静电工作服、手套、口罩、安全鞋等防护用品，以保护自己的健康安全。

•操作人员应该仔细阅读使用手册，并按照手册要求正确操作设备。

•初次使用ALD设备前，操作人员应该接受一定的培训，并由专业技术人员在场指导，确保工作安全。

设备操作要点开机准备•确保ALD设备的冷却水、氮气等供应设备正常工作，确保设备有足够的工作介质和冷却条件。

•开机前，检查氧化物的进气阀、氢气进气阀、真空泵、印记机等设备是否处于正确位置并关闭。

•将气体瓶的散热器与系统左侧临近的夹板上的散热器焊接进行涂层•操作人员应该正确设置ALD设备所需制定的工艺参数，如温度、时间、流量等，确保设备能够正常工作。

•在进行任何设备操作之前，操作人员应当先关闭真空泵进气阀，等待5-10分钟，接着打开进气阀让气体充满反应室。

•将衬底放置相应的工位上，并进行防冷凝夹，防止杂质污染•经过操作台开氧化物前进气阀，至少5s后关闭，使氧化物内置底清扫•经过操作台开氢气前进气阀，至少5s后关闭，使杂质清扫•依照系统上的菜单操作设备进行涂层、印记操作，并在使用过程中及时检查和记录处理结果。

•完成ALD设备的使用后，应当停止设备的加热、真空泵、水冷等操作，关闭设备。

原子层沉积实验报告

原子层沉积实验报告一、实验背景原子层沉积技术是一种利用化学反应在基底表面上逐层沉积原子的方法。

该技术被广泛应用于微电子、光学和磁性材料等领域。

本实验旨在通过原子层沉积技术，制备出具有特殊功能的薄膜。

二、实验原理1. 原子层沉积技术的基本原理原子层沉积技术是一种利用化学反应在基底表面上逐层沉积原子的方法。

该方法主要包括以下几个步骤：首先，在基底表面上形成一个初始单分子层；然后，在初始单分子层上依次沉积其他分子，每个分子都与前一个分子发生化学反应，生成新的单分子层；最后，重复以上步骤，直到达到所需厚度。

2. 原子层沉积实验中的化学反应常见的原子层沉积实验中使用的化学反应有以下几种：（1）气相反应：通过将气体注入反应室中，在表面上形成单分子膜。

（2）液相反应：将溶液注入反应室中，在表面上形成单分子膜。

（3）气液相反应：将气体和溶液同时注入反应室中，在表面上形成单分子膜。

三、实验步骤1. 实验材料准备（1）基底：使用硅片作为基底。

（2）前驱体：使用H2O和AlCl3作为前驱体。

（3）溶剂：使用甲苯作为溶剂。

2. 实验操作步骤（1）清洗基底：将硅片放入去离子水中，超声清洗10分钟，然后用氮气吹干。

（2）放置基底：将清洗后的硅片放置于反应室中，并加热至200℃，保持30分钟，使其表面光滑。

（3）第一次沉积：将AlCl3溶解在甲苯中，然后将甲苯溶液注入反应室中，并加热至100℃。

在此温度下保持10分钟，使其与硅片表面发生化学反应，形成第一层AlCl3单分子层。

然后用氮气吹干。

（4）第二次沉积：将H2O注入反应室中，并加热至100℃。

在此温度下保持10分钟，使其与第一层AlCl3单分子层发生化学反应，形成第二层AlCl3单分子层。

然后用氮气吹干。

（5）重复以上步骤，直到达到所需厚度。

四、实验结果与分析经过多次沉积后，制备出了一种具有特殊功能的薄膜。

通过扫描电子显微镜观察该薄膜的表面形貌，发现其表面平整、均匀。

同时，使用X射线衍射仪对该薄膜进行了测试，并发现其晶体结构较为稳定。

ALD（AtomicLayerDeposition）原子层沉积设备

ALD（AtomicLayerDeposition）原⼦层沉积设备原⼦层沉积ALD（Atomic Layer Deposition）设备介绍本公司原⼦层沉积ALD（Atomic Layer Deposition）设备及沉积技术来源于北京印刷学院陈强教授及其科研团队在ALD⽅⾯研究的多年成果。

该科研团队与多个⾼校和科研院所联合开发多种类型原⼦层沉积设备和镀膜⼯艺研究，并为企业提供原⼦层沉积设备⼯艺调试和样品处理等。

原⼦层沉积系统是制备⾼性能致密薄膜的重要⼿段，具有良好的台阶覆盖率和精确的膜厚控制能⼒，主要⽤于燃料电池催化剂，氮化物，氧化物薄膜等沉积。

⼯作原理:原⼦层沉积通过前驱体A与基体表⾯的饱和化学吸附和反应⽣成第⼀层原⼦层，然后通过吹扫排除剩余前驱体A，之后通⼊前驱体B再次饱和化学吸附到基体表⾯并与前驱体A发⽣化学反应⽣成另⼀层预沉积物质，其副产品与多余前驱体B通过吹扫排出。

此过程依次循环反复获得沉积薄膜，并通过反应循环次数精确控制膜厚。

⽬前原⼦层沉积系统ALD system（Atomic Layer Deposition System）系列设备包括以下4种：●Thermal ALD （Thermal Atomic Layer Deposition System）传统热原⼦层沉积系统；●PE-ALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System）等离⼦增强原⼦层沉积系统；●Roll to Roll ALD （Roll to Roll Atomic Layer Deposition System）辊对辊式原⼦层沉积；●ALD for particle/powder颗粒/粉末样品的原⼦层沉积；Thermal ALD （Thermal Atomic Layer Deposition System）传统热原⼦层沉积系统基⽚尺⼨：6英⼨、8英⼨、12英⼨；加热温度：25℃～400℃（可选配更⾼温度）；薄膜不均匀性：< ± 2 % (1δ)前驱体数：4路（可选配6路）；源瓶加热温度：25℃～200℃，控制精度±0.1℃；ALD阀：Swagelok快速⾼温ALD专⽤阀；本底真空：< 2x10-1Pa，进⼝防腐泵；控制系统：配备控制电脑，全⾃动电脑控制，⾃动⼯艺控制软件；或选择触摸屏系统控制。

ald设备工作手册

ald设备工作手册《ALD设备工作手册》是一本详细介绍ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）设备操作和工作原理的手册。

ALD是一种薄膜沉积技术，通过逐层沉积原子或分子来形成高质量、均匀厚度的薄膜。

以下是对该手册的多角度全面回答。

首先，该手册可能会包含ALD设备的基本介绍，包括设备的外观、主要组成部分和功能。

它可能会详细描述设备的结构和工作原理，以及其中涉及的关键组件和技术。

这些组件可能包括反应室、前驱体供应系统、载体、真空系统、温度控制系统等。

手册可能会解释这些组件的作用和工作原理，以及它们如何协同工作来实现ALD过程。

其次，手册可能会介绍ALD过程的基本步骤和参数设置。

这些步骤可能包括前驱体吸附、表面反应、后处理等。

手册可能会详细说明每个步骤的操作方法、时间和温度要求，以及如何选择合适的前驱体和反应条件来获得所需的薄膜性质。

此外，手册可能还会讨论如何调整ALD过程中的其他参数，如气体流量、压力、反应时间等，以优化薄膜的生长速率、均匀性和质量。

此外，手册可能会涉及到ALD薄膜的特性和应用。

它可能会介绍不同材料的ALD薄膜的特性，包括其化学、物理和电学性质。

手册可能还会讨论ALD薄膜在不同领域的应用，如微电子器件、太阳能电池、传感器、光学涂层等。

它可能会提供一些实际应用案例，以帮助读者更好地理解ALD技术的潜力和优势。

除了操作和应用方面，手册可能还会涉及到ALD设备的维护和故障排除。

它可能会提供一些常见故障的解决方法和维护建议，以确保设备的正常运行和长寿命。

手册可能会介绍一些常见的维护任务，如清洁反应室、更换耗材等，并提供相应的操作步骤和注意事项。

最后，手册可能会包含一些附录，如常用术语解释、常见问题解答、参考文献等，以帮助读者更好地理解和应用ALD技术。

总结起来，《ALD设备工作手册》可能会包含ALD设备的介绍、工作原理、操作步骤、参数设置、薄膜特性和应用、设备维护等内容。

原子层沉积系统(ALD)操作保养规程

原子层沉积系统(ALD)操作保养规程背景原子层沉积系统(ALD)是一种重要的薄膜沉积技术，可用于电子器件、光学器件、能源材料等领域。

本文旨在介绍ALD系统的操作保养规程，以确保系统正常运行和批量样品的高质量沉积。

操作保养流程1. 系统启动1.1 打开真空泵控制电源，并将压力计V1管道接到真空泵上.1.2 打开系统电源，按下开关，并在电脑上打开ALD程序。

1.3 等待5-10分钟，让系统升温并达到标准工作温度。

2. 样品装载2.1 准备好清洁的样品，并将其放置在样品托盘上，注意不要有杂质和污渍。

2.2 打开气路阀门，通过N2（或Ar）气体将样品传输到ALD反应室中。

2.3 根据需要调整样品位置和数量，将反应室密封。

3. ALD循环沉积3.1 在ALD程序中选择需要的沉积循环次数、薄膜材料和沉积参数。

3.2 打开反应室内对应的气路阀门，并进入ALD循环沉积步骤。

3.3 沉积完毕后，停止反应，断开气路，并用N2（或Ar）气体将样品传输到样品架上。

4. 系统关机4.1 关闭所有气路阀门，打开氮气干燥阀门，排出反应室内残余气体，并关闭干燥阀门。

4.2 从电脑上关闭ALD程序，打开对应的程序退出向导并保存系统日志记录。

4.3 关闭系统电源，并按顺序关闭压力计V1,真空泵。

5. 定期保养5.1 定期检查阀门、管道、接口等部件，清洁积累的杂质和污渍。

5.2 根据使用时间和使用频率，更换使用寿命到期的部件和材料。

5.3 定期进行系统真空密封性测试，确保系统真空度符合标准。

注意事项1.在操作和保养系统时，必须穿戴一次性手套和口罩，并按照操作和保养规程指导进行操作。

2.在样品和反应室内部装置时，要避免有杂质和污渍，并用适当的气体传输和清洁防止交叉污染。

3.在ALD循环沉积时，必须按照程序指导进行操作，并严格控制气体流量和时间，以保证薄膜质量均匀和沉积速度符合标准。

4.在定期保养时，必须仔细检查系统部件和材料，及时更换和修理，以确保系统长期稳定运行和获得高质量薄膜样品。

原子层沉积系统(ALD)安全操作保养规定

原子层沉积系统(ALD)安全操作保养规定前言作为一种重要的纳米技术，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)在半导体、电子器件、光学器件、储能器件、生物医学等领域有广泛应用。

ALD 具有沉积致密、厚度控制精度高、界面清晰、可制备多层薄膜等优点。

在实际应用中，保证 ALD 系统的安全操作和规范的保养对于保证 ALD 薄膜质量和设备寿命至关重要。

本文旨在为 ALD 操作人员提供 ALD 系统安全操作和保养规定的指南。

ALD 系统的安全操作规范1. 操作前的准备1.1 首先，将 ALD 系统置于清洁、干燥、无尘、无超声波环境，并确保操作区域处于良好通风状态。

1.2 检查 ALD 系统的内部和外部设备是否符合安全要求，包括各接口、管道、电极、真空泵、压力传感器、温度控制器等部分在运行前是否安装严密，并接地良好。

1.3 确认所有气瓶、药品瓶、溶液瓶、废液瓶等容器的安全封口状态，避免其压力过高或泄漏。

1.4 在操作前，操作人员必须穿戴防护服、安全眼镜、口罩、手套等个人防护装备，并将常用药品、急救箱、喷雾器等设备放置在操作区域附近，以备不时之需。

2. ALD 系统的操作规范2.1 当开始操作ALD 系统时，需要确定使用的化学物品种类和数量、反应所需的温度、真空度、气体流量、气体排放方案等反应参数，并根据设备使用手册操作。

2.2 在反应过程中，尽可能避免打开操作室门，以免污染反应区域。

如果必须打开，则需要关闭 ALD 系统和压力差控制器等设备，并在操作前进行干燥、清洗、防护等处理。

2.3 在遇到不正常状态时，需要停止反应，对要处理的物质进行处置，防止有害物质对人身、环境的影响。

3. ALD 系统的关闭规范3.1 当 ALD 系统运行结束后，需要将反应室的气体排出，并关闭ALD 系统、真空泵、气缸、气体阀门等设备，彻底停止操作。

3.2 清洁和保养 ALD 系统非常重要，操作人员应定期检查系统的运行状态，并采取必要措施，及时修理、清洁和维护 ALD 系统的各个部分。

原子层沉积(ALD)操作说明介绍

4.压力0.2T（可通过调节流量计使其两端的MFCe与其匹配）；
5.可同时进行多样品沉积；
原子层沉积Al2O3配方调控范例：
序号
类型
步数
数值（s）
1
Dose
2
0.020
2
Purge
20.000
3
Dose
7
0.015
4
Reaction
5.000
5
Purge
20.000
6
Goto
1
300.000
7
End
上一个沉积完成后继续做下一个原子层沉积Al2O3配方调控范例：
序号
类型
步数
数值（s）
1
Dose
2
0.040
2
Reaction
5.000
3
Purge
40.000
4
Dose
7
0.025
5
Reaction
5.000
6
Purge
40.000
7
Goto
1
50.000
8
End
3.编辑配方：--读取模式
Dose（0.02S）通入前驱体；沉积前编辑选择配方，读取；
配方编辑程序：
【Dose—Purge—Dose—Reaction—Purge—Goto—End】
注：1.正常只开泵、加热器，不关设备；
2.运行沉积过程中不可调配方页面；
3.看压力实时趋势—前驱体是否吹走来Purge时间；
原子层沉积
操Байду номын сангаас：
1.开机—gy01（不能手动/自动调节）
wh02（可手动/自动调节）
2.进入页面自动模式：打开泵、流量计、加热器—工艺参数配置全部打开—稳定之后—关闭泵、流量计，打开充气阀—关充气—（压力760T左右）—开腔体、放基底—关闭腔体、打开充气—关充气、打开泵、流量计—待稳定，开前驱体源阀，打开沉积【几个circle后，关闭Vg（配置页面）】—完成循环后，打开Vg。

ald设备工作手册

ald设备工作手册第一章：引言ALD（原子层沉积）是一种在纳米尺度上控制薄膜沉积的技术，在微电子、光电子、纳米材料等领域有着广泛的应用。

本工作手册旨在为使用ALD设备的操作人员提供准确的操作指南，以确保设备的正常工作并获得高质量的薄膜沉积。

第二章：ALD设备概述2.1 设备结构ALD设备由沉积室、预处理室、载气室以及控制系统等部分组成。

沉积室用于薄膜材料的沉积，预处理室用于样品表面的清洗和处理，载气室用于载气。

2.2 设备特点ALD设备具备以下特点：- 可以在低温下进行材料沉积，适用于对温度敏感的材料。

- 可以实现高均匀性和良好控制性，提供高质量的薄膜。

- 可以在复杂结构、高孔隙度的材料上进行沉积。

第三章：操作流程3.1 准备工作在进行ALD沉积之前，需要进行如下准备工作：- 检查设备状态，确保各部分正常工作。

- 准备所需沉积材料和载气。

- 清洁样品，确保表面无污染。

3.2 操作步骤3.2.1 打开预处理室和载气室门，将样品放入预处理室，并关闭门。

3.2.2 打开预处理室通气阀门，将预处理室抽至所需真空度。

3.2.3 打开载气室通气阀门，将载气充入载气室至所需压力。

3.2.4 打开沉积室和预处理室之间的隔离阀门，将样品从预处理室转移到沉积室。

3.2.5 调节沉积室温度和压力至所需数值。

3.2.6 打开沉积气体阀门，开始进行ALD沉积。

3.2.7 沉积结束后，关闭沉积气体阀门，进行后处理（如退火等）。

3.2.8 将样品从沉积室转移至预处理室，并将预处理室和载气室抽至所需真空度。

3.2.9 打开预处理室门，取出样品。

第四章：常见问题与解决方法4.1 ALD沉积速率低解决方法：- 检查沉积室温度和压力，确认是否符合要求。

- 检查沉积气体供应是否正常。

- 检查样品表面是否干净，并进行适当的预处理。

4.2 薄膜质量差解决方法：- 检查沉积气体纯度，确保气体质量达标。

- 调节沉积室温度和压力以获得最佳结果。

原子化学沉积实验报告

一、实验目的1. 理解原子化学沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）的原理和工艺流程。

2. 掌握ALD实验的基本操作步骤和注意事项。

3. 通过实验，了解ALD技术在制备薄膜材料中的应用。

二、实验原理原子化学沉积（ALD）是一种分子层沉积技术，通过反应气体在基底表面交替吸附和反应，实现薄膜的精确控制生长。

ALD具有沉积速率低、生长均匀、可控性好等优点，广泛应用于制备纳米结构薄膜材料。

三、实验材料1. 基底：硅片（p型，100nm）2. 反应气体：三甲基铝（TMAl）、氨气（NH3）、氧气（O2）、氩气（Ar）3. 设备：ALD反应室、真空泵、气体控制系统、温控系统、数据采集系统四、实验步骤1. 准备工作：将硅片用丙酮、乙醇、去离子水清洗，并进行干燥处理。

2. ALD反应：将硅片放入ALD反应室，依次通入Ar、TMAl、NH3、O2气体，进行以下步骤：（1）Ar气体冲洗，排出空气，保持反应室真空度；（2）通入TMAl气体，在基底表面形成吸附层；（3）通入NH3气体，使吸附层发生反应，生成产物；（4）通入O2气体，使反应产物氧化，形成薄膜；（5）重复步骤（2）至（4）N次，完成薄膜的沉积。

3. 实验参数设置：温度30℃，压力2.0×10-3Pa，沉积时间30s，反应气体流量分别为：Ar 100sccm、TMAl 10sccm、NH3 30sccm、O2 30sccm。

4. 数据采集：记录实验过程中各气体流量、温度、压力等参数。

5. 实验结束：关闭气体阀门，释放压力，取出硅片。

五、实验结果与分析1. 实验结果：通过ALD实验，在硅片表面成功沉积了一层厚度约为100nm的AlN薄膜。

2. 结果分析：实验结果表明，在设定的实验参数下，ALD技术能够制备出均匀、高质量的AlN薄膜。

通过调整反应气体流量、沉积时间等参数，可以实现薄膜厚度、成分、结构等性能的精确控制。

六、实验结论1. 原子化学沉积（ALD）技术是一种制备高质量薄膜材料的有效方法。

原子层沉积操作步骤

原子层沉积操作步骤1、开机：开普氮（压力0.4-0.6MPa）、高纯氮气瓶（压力小于0.1MPa）；开总电源；开水冷机。

2、放样品：点击“进气”，待压强升至1个大气压后，打开腔体，放入样品。

点击“设置”，将流量重新设置为：20。

3、开机械泵：先打开机械泵电源开关，然后点击“泵阀开”。

4、设置温度参数：点击“设置”，开始设置温度参数，例如1：200度；2：230度；11（水）：50度，或者11（臭氧）：0度；10（Al 源）：0度。

循环次数根据需要设置。

流量：20 。

点击“确定”，开始加热，加热时间不少于45min。

5、排水：加热45min后，若之前用过水，而本次实验用臭氧，则需排水。

点击“模式1”，将前驱体4的脉冲时间设为：1000ms，清洗时间设为：5s，关闭小窗，点击“开始”，n个循环后，点击“结束”，排水完成。

6、设置沉积模式参数：点击“模式1”或者“模式2”，设置前驱体和水（或者臭氧）的脉冲时间和清洗时间。

以沉积氧化铝为例，前驱体3为铝源，前驱体4为水（或者臭氧），其他为空置，设置前驱体3的脉冲时间为：60ms，清洗时间设为：10s；设置前驱体4的脉冲时间为：50ms，清洗时间设为：30s。

7、设置载气流量和循环次数：点击“设置”，流量设置为：20；循环次数根据所需样品厚度而定。

8、开始实验：打开相应前驱体的手动阀，如果使用臭氧作为反应源，则需打开臭氧的截止阀。

（如果使用臭氧作为反应源，请参考臭氧发生器操作说明）。

点击“开始”，开始镀膜。

9、取样品：当所设置的循环次数完成后，循环次数自动清零。

点击“设置”将流量重新设置为：0。

关闭源的手动阀（若用臭氧，还需关闭臭氧的截止阀），点击“泵阀关”，点击“进气”，大约5min后气压达到1个大气压，开腔体，取出样品。

10、抽真空：点击“泵阀开”，气压下降后，点击“进气”，关闭高纯氮的减压阀，流量下降至1位数时，点“设置”，将将流量重新设置为：0。

（若下次实验换另外的源，则需排空，具体操作：点击“泵阀开”，气压下降后，点击“进气”，点击“模式1”，将前驱体3的脉冲时间设为：500ms，清洗时间设为：5s，将前驱体4的脉冲时间设为：1000ms，清洗时间设为：10s，关闭小窗，点击“开始”，100个循环后，点击“结束”，排空完成。

原子层沉积系统系列安全操作及保养规程

原子层沉积系统系列安全操作及保养规程1. 引言原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）系统是一种用于薄膜沉积的关键设备。

为了确保ALD系统的正常运行和操作人员的安全，本文档将介绍ALD系统的安全操作及保养规程。

2. 系统安全操作规程2.1 个人防护在操作ALD系统之前，操作人员应正确佩戴以下个人防护设备：•安全眼镜或护目镜•防护手套•防护服•口罩此外，操作人员应保持清洁，并定期更换防护设备，以确保其有效性。

2.2 设备安全检查在操作ALD系统之前，操作人员应进行以下设备安全检查：•检查ALD系统的各部件是否完好，如反应室、气缸、阀门等。

•检查仪器连接是否紧固，并确保密封良好，以防止泄漏。

•确保供气系统、抽气系统等外部设备工作正常，并开启相应主机。

如果在安全检查过程中发现任何问题或异常，操作人员应立即停止操作，并通知负责人进行维修和调试。

2.3 操作规程•严禁在没有经过培训的情况下操作ALD系统。

•在操作过程中，操作人员应遵循设备操作指南，并按照所需程序正确操作。

•操作人员应注意观察仪器运行状态，一旦发生异常，应立即停止操作，并及时报告。

•在操作过程中，操作人员应定期检查关键部件的状况，如密封性能、气缸的工作状况等。

•操作结束后，操作人员应及时清理设备，并遵守规定的设备停机及封盖程序。

3. 系统保养规程3.1 日常保养ALD系统的日常保养对于其正常运行非常重要。

以下是ALD系统日常保养的步骤：•定期清理设备内外表面的灰尘和污渍。

•检查仪器的密封性能，如有损坏或老化现象，及时更换。

•清理气缸和阀门，确保其正常工作。

3.2 定期维护除了日常保养外，ALD系统还需要进行定期维护，以确保其长期稳定运行。

以下是ALD系统定期维护的步骤：•按照设备说明书进行定期润滑，保持设备的顺畅运行。

•进行设备的定期维修和校准，以确保其稳定性和准确性。

•定期更换关键部件，如气缸密封圈、阀门等。

原子层沉积设备介绍

原子层沉积设备介绍朋友！今天咱来说说那高深莫测的原子层沉积设备。

唉，一提到这设备，我这心情可是复杂得很，有种既敬畏又好奇的感觉。

我第一次真正接触到原子层沉积设备，是在大学实验室里。

我们实验室那台设备，呦，简直就是科技的结晶。

当时我就想，这设备咋就这么精密呢？就像那钟表匠打造出的绝世好表，每个零件都配合得天衣无缝。

你知道吗？操作这设备，那感觉简直像是在驾驶一架微型宇宙飞船。

按钮、显示屏、数字指标，全都充满了未来科技感。

有一次，我忍不住想碰碰那吸引人的按钮，我的导师就在一旁大声喊：“你这小子，别乱动，小心搞坏了！”我当时那个紧张啊，手心都冒汗了。

不过呢，等到我们真的操作它的时候，那结果，啧啧啧，简直美如画。

你看，那原子层一层层地精准沉积，细致得就像用画笔轻轻描绘出的杰作。

每一个层次都那么不可思议，完美无瑕。

要是这设备能说话，它一定会骄傲地说：“看我多厉害！”在行业里，有个传闻。

说是一位物理学家，就靠研究这玩意儿拿下了诺贝尔奖。

我也想啊，不过这水平嘛，我心里有数。

我做科研总是这想那想的，就像我写这设备，一会儿想到实验室，一会儿又想到那些传奇故事。

我这又扯远啦。

刚开始研究这设备那会啊，我可迷茫了。

就像面对复杂的操作界面，不知道从哪儿下手。

我总想探究所有关于这设备的原理，什么化学反应啦，真空技术啦。

后来才明白，有时候简单点才好，知道怎样用它就行，不用钻得太深。

市面上的原子层沉积设备，花样可多了。

有些高端得令人咋舌，我就琢磨，这是不是用了啥黑科技啊？唉，有些厂家为了赚钱，还真是什么事儿都能干出来。

不过，也有那些真正讲究技术的，就像我们实验室的设备，才是真正的艺术品。

我还听说啊，有些国际大公司，用这设备做出各种高精尖的器件呢。

什么半导体芯片啦，高性能电池啦。

我就在想，这效果能有多好？我还是更佩服那朴实而精准的传统操作。

朋友，你呢？你是喜欢直观灵活的操作，还是那些复杂高端的应用呀？我觉得原子层沉积设备就像是科技世界的一束光。

原子层沉积工艺流程

原子层沉积工艺流程原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）是一种先进的薄膜制备技术，其工艺流程包括多个步骤。

本文将以人类视角为读者介绍原子层沉积的工艺流程。

我们需要准备所需的基片和前驱体材料。

基片是我们要在其上沉积薄膜的材料，可以是硅片、玻璃片等。

前驱体材料则是沉积薄膜所需要的化学物质，如金属有机化合物、金属氨基化合物等。

接下来，我们需要对基片进行表面处理。

这一步骤旨在清洁基片表面，去除表面的杂质和氧化物。

常见的表面处理方法包括溶剂清洗、酸洗和高温退火等。

然后，我们将基片放入原子层沉积设备中。

设备内部有两个或多个反应室，每个反应室中都有相应的前驱体材料。

基片通过机械手臂在不同的反应室之间移动，沉积薄膜的过程在每个反应室中进行。

在每个反应室中，前驱体材料会与基片表面的化学官能团发生反应，形成一层薄膜。

这一反应过程是以气相前驱体为基础的，通过精确控制前驱体的供应和基片表面的反应时间来实现。

在每一层薄膜沉积完毕后，我们需要对基片进行清洗和退火处理，以去除残留的前驱体和杂质，并提高薄膜的结晶度和致密性。

在完成所有的沉积步骤后，我们可以对薄膜进行表征和测试。

常用的表征手段包括扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射等。

这些测试可以评估薄膜的厚度、结晶性、成分等特性。

我们可以根据实际需求对薄膜进行后续处理，如光刻、蚀刻等，以满足特定应用的要求。

通过以上步骤，我们可以获得具有高质量、均匀性和控制性的薄膜。

原子层沉积技术在微电子、光电子、能源等领域具有广泛的应用前景，为实现更多新型器件和应用提供了可靠的薄膜制备方法。