模拟电子电路基础3-1经典
模拟电子技术基础第三章例题习题
rbe
若旁路电容同时使 Re/ ＝0、 Re ＝0，则电压放大倍数为
& = A u
Uo Ui
. .
=−
′ β ⋅ RL
rbe
=−
50 × (6 // 6) × 103 1.85 × 103
≈ −81
由此可见 Re 的存在使放大倍数下降很多。 放大电路的输入电阻为 Ri = Rb1 // Rb 2 //[ rbe + (1 + β ) Re ] = 60 // 20 //[1.85 + (1 + 50) × 0.3] ≈ 8 kΩ 若无 Re，放大电路的输入电阻 Ri = Rb1 // Rb 2 // rbe = 1.65 kΩ，故 Re 的存在提 高了放大电路的输入电阻。放大电路的输出电阻为
& & & 0.66 × 103 & = U o = Uo ⋅ Ui = A & ⋅ Ri = −120 × A ≈ −111.5 us u • 3 & • U Rs + Ri ( 0 . 05 + 0 . 66 ) × 10 i Us Us
若 Rs＝500 Ω，RL＝8.2 kΩ，则该放大器源电压增益为
IC =
U CC U CE 12 U CE − = − 3 3 Rc Rc
iC / mA
4 3 2 1 0
2 4 6 8
100 75
当 UCE＝0 时，IC＝4mA；当 IC＝0 时，UCE＝12V，在如例 3-1 图所示的输 出特性上作出这条直线。 再由直流通路得 U − U BE 12 − 0.7 I B = CC = ≈ 51μA Rb 220 × 103 故直流负载线与 IB＝51μA 相对应的输出特性 的交点即为静态工作点 Q，由图得 IC＝2mA， UCE＝6V。 （2） 当 UCE＝3V 时， 则由直流通路可得集电极 电流为 U − U CE 12 − 3 = I C = CC = 3 mA Rc 3 × 103 U CC − U BE I C 3 I = = = = 75 μA 于是，基极电流为 B Rb β 40 U − U BE 12 − 0.7 Rb = CC = = 150.1 kΩ 故 IB 75 × 10 − 6 可采用 150 kΩ 标称电阻。 （3）若使 IC＝1.5mA，则
模拟电子技术基础简明教程 第三版 第1章
第一章半导体器件1.1半导体的特性1.2半导体二极管1.31.4双极型三极管(BJT)场效应三极管1.1半导体的特性1.导体：电阻率ρ<10-4Ω·cm的物质。
如铜、银、铝等金属材料。
2.绝缘体：电阻率ρ>109Ω·cm物质。
如橡胶、塑料等。
3.半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质。
大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。
硅原子结构最外层电子称价电子锗原子也是4 价元素(a)硅的原子结构图4价元素的原子常常用+4电荷的正离子和周围4个价电子表示。
(b)简化模型图1.1.1硅原子结构1.半导体中两种载流子带负电的自由电子带正电的空穴2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。
3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用ni和pi表示，显然ni=pi。
4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。
在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。
1.1.2杂质半导体杂质半导体有两种N 型半导体P 型半导体一、N 型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。
常用的5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。
杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n>>p。
电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。
3价杂质元素，如3价杂质原子称为空穴浓度多于电子p>>n。
空穴，电子为说明：1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。
2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1_3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处，0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答
模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答（谢红主编）第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤，阻容耦合放⼤电路能放⼤。
(a.直流信号，b.交流信号，c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。
(a.所放⼤的信号不同，b.交流通路不同，c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴，b1.Q 点互相影响，c1.各级Au 互不影响，d1.Au 互相影响)，所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号，c2.放⼤倍数稳定)，但是 (a3.温漂⼤，b3.不能放⼤直流信号，c3.放⼤倍数不稳定)。
⽬的复习概念。
解 (1)a 、b 、c ，b 。
(2)a 、c 。
(3)a1，a2，b3。
3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中，三极管的β均为100，be1 5.3k Ωr =，be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =，b2130k ΩR =，b2291k ΩR =，e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==，230µF C =，e 50µF C =，C C V =12 V 。
图题3-2(a)放⼤电路；(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。
⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路，并利⽤等效电路求电路的交流参数。
分析第⼀级是共集电路，第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路，1V 、2V 均为NPN 管。
解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。
注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。
第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制，⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关，i U 上正下负，因此b1I 向⾥流，输出电压o1U 与i U 极性相同；第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制，o1U 上正下负，因此b 2I 向⾥流，也与2V 的导电类型⽆关，或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。
孙肖子模拟电子电路及技术基础1-3章答案
uo1
R2 R1
ui1
R2 R3
UM
1
R2 R1 // R3
E1
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图2-4 例2-3的分解电路
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
由图2-4(b)，根据叠加原理，得
uo
R7
// 1
jC
R3
Ua
R7
// 1
jC
R4
uo1
1
R7
//
1
jC
R3 // R4
RL=
Ro 10
。
第一章 绪 论
图P1-1
第一章 绪 论
解
(1)
Ui
Ri Rs
Ri
Us
10Rs Rs 10Rs
Us
10 11
Us
Uo
AuoUi
Ro
RL RL
10
10 11
Us
10Ro Ro 10Ro
10
10 11
10 11
Us
因此 (2)
Aus
Uo Us
1010 10 11 11
8.264
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图2-1 例2-1的电路图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
解 (1) (a)图引入了负反馈，故
Auf
uo ui
R2 R1
(2) (b)图引入了负反馈。因为uo与ui反相，uo经A2、R3、
R2构成的反相比例放大器反相放大，再经R4和R5分压后加到
A1的同相输入端，U+与U－同相相减，所以是负反馈。可根
解 因为uo(t)=－uC(t)，所以uo(0)=uC(0)。该电路为理想 反相积分器，输入输出关系式为
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
《模拟电子技术》电子教案ch31 电子课件
三、放大电路的四端网络表示
１ii
RS +
+ ui
us –
– 1
放大 电路
io 2
+
RL
uo
–
2
us — 信号源电压 Rs — 信号源内阻 RL — 负载电阻
ui — 输入电压 uo — 输出电压 ii — 输入电流 io — 输出电流
第 3 章 放大电路基础
3.1.2 放大电路的主要性能指标
1 ii
60
30 A 1.82 mV
第 3 章 放大电路基础
三、输出电阻
1
2
放大电路的输出相当于 负载的信号源，该信号源的 内阻称为电路的输出电阻。
RS +
+ uiRi Nhomakorabeaus –
–
1
Ru+oot RL
–
+ uo
–
2
计算：
Ro
u i
us RL
0
测量：
1
RS us =0
1
uo
uot RL Ro RL
Ro
第3章 放大电路基础
3.1 放大电路的基础知识
3.1.1 放大电路的组成 3.1.2 放大电路的主要性能指标
第 3 章 放大电路基础
3.1.1 放大电路的组成 一、组成框图
+ RS us
–
信 号 源
放大 电路
负 载 RL
is
RS
直流电源
二、多级放大电路
信号输入
第第第 一 二 三 信号输出 级级级
第 3 章 放大电路基础
io 2
RS +
+ ui
《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解
基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
初级模拟电路：3-1BJT概述
初级模拟电路：3-1BJT概述1. 名称由来BJT的全称是双极性结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），国内俗称三极管。
其实，在英语中，三极管（triode）特指以前的真空电⼦管形式的三极管，⽽不是我们现在普遍使⽤的半导体三极管。
“tri-”的意思是“三”，“ode”的意思是“极”，当年的电⼦管⼀般都封装在⼀个圆柱形的真空玻璃管中，所以中⽂翻译在后⾯加了个“管”。
早在⼆战以前，电⼦技术和电⼦元器件的应⽤就已经很发达了，在1930年代，全球电⼦管的年产量就已经达到1亿⽀以上。
在那个没有集成电路的年代，更复杂的电⼦元器件诸如四极管、五级管等的应⽤也很普遍。
“⼆极管”、“三极管”等名称更是早已深⼊⼈⼼。
⽽我们现在普遍应⽤的固态半导体结构的三极管，是1947年发明出来的，标准学名是：双极性结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），简称“BJT”。
由于最初其功能与管脚跟以前的三极管差不多，所以国内业界沿⽤了“三级管”这个俗称。
但是BJT⽐以前电⼦管结构的三极管，实在优秀太多了：体积⼩巧、结构简单、⽆需预加热、功耗损失⼩、故障率极低。
更为逆天的是，后来⼈们发现，BJT可以做得很微⼩，然后可以将成百上千的微型BJT组成的电路集成安放在⼀⼩块硬币⼤⼩的基⽚上，并将其称为：集成电路（integrated circuit，简称：IC、芯⽚）。
如此，以前整整⼀房间⼤⼩的电⼦管电路，现在缩⼩到了仅仅⼀个芯⽚的⼤⼩（回忆⼀下1946年发明的第⼀台电⼦计算机，才使⽤了18000个电⼦管，占地就要150平⽅⽶，功耗达150千⽡，据说它开机的时候，整个费城的电灯都会变暗）。
正是这个BJT的发明，掀开了由电⼦⼯业主导的第三次产业⾰命。
我们现在再详细解释⼀下BJT（Bipolar Junction Transistor）这个名词：“bipolar”（双极性）的意思指器件中有n型和p型两种极性的半导体掺杂材料注⼊（导电粒⼦分别为电⼦和空⽳）。
模拟电子技术基础简明教程-(第三版)第一章
于扩散电流，漂移电流也称反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随
着温度升高，
IS
将急剧增大。 19
总结：
第二节 半导体二极管
当 PN 结正向偏置时，耗尽层变窄，回路
中产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通
状态；当 PN 结反向偏置时，耗尽层变宽，回
+4
+4
+4
电子 – 空穴对
+4
+4
+4
在一定温度下电子 – 空穴对的
产生和复合达到动态平衡。
本征载流子的浓度对温度十分敏感
6
第一节 半导体的特性
二、 杂质半导体
在本征半导体中掺入某种特定的杂质，就成为杂质半导体。
1. N型（或电子型）半导体 (N-type semiconductor) 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素，
29
（b) PN 结加反向电压
第二节 半导体二极管
空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电 容的放电和充电过程。
势垒电容的大小可用下式表示：
Cb
dQ dU
S l
：半导体材料的介电比系数；
S ：结面积； l ：耗尽层宽度。
由于 PN 结 宽度 l 随外
Cb
加电压 U 而变化，因此势垒
电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。
第1章 半导体器件
1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管(BJT) 1.4 场效应三极管
1
第一节 半导体的特性
本征半导体 杂质半导体
2
(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答
PTER半导伸二嘏管及其基市应用电路3. 1判断下列说法的正、误，在相应的括号内蔺表示正确・画“X”衣示错谋.(1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( )(2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( )(3)P®半导体帯正电( ),N®半导体带负电( ).(4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z )(5)二极管所加正向电压增大时，其动态电限增大.( )(6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( )解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X3.2选择正确的答案填空.(1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ » P51半导体是在本征半导体中掺人 _______ ・A.三价元索，如硼導B.四价元索，如错铮C.五价元素•如磷等(2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流，其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流，其耗斥煨__________ ・A.扩散运动B.漂移运动C.变龙D.变牢(3) 当温度升高时•二极管的反向饱和电流___________ ・A.增大.B.不变C.减小(4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ，反向饱和电流比緒二极管的 _______ ・A.大B.小C.相等(5) 稳压暂工作在槍压区时，其丁•作状态为_________ .A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解 (1) Cl A (2) Al D» B ； C (3) A (4) A» B (5> C 3.3填空(1) PN 结的导电特性定 __________ ・(2) 徃外加直流电压时，理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ，反向截止阻抗为 ________ 。
(3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。
电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)
du(t ) p(t ) = u (t )i (t ) = Cu(t ) dt
(3―6)
对上式从-∞到 进行积分 可得t时刻电容上的储能为 进行积分， 对上式从 到t进行积分，可得 时刻电容上的储能为 计算过程中认为u(-∞)=0。 。 计算过程中认为
ωC (t ) = ∫
t
−∞
p (ξ )d ξ
（3-7）
1 1 1 = + C C1 C2
或写为
C1C2 C= C1 + C2
(3―18)
上式中C为电容 相串联时的等效电容。由式(3―17)画出 上式中 为电容C1与C2相串联时的等效电容。由式 为电容 画出 其等效电路如图3.6(b)所示。同理可得，若有 个电容 k(k=1,2,…,n) 所示。同理可得，若有n个电容 个电容C 其等效电路如图 所示 相串联， 相串联，其等效电容为
第3章 动态电路分析
电容元件及电容电流波形分别如图3.2（ ）、 例3-1 电容元件及电容电流波形分别如图 （a）、 （b）所示，已知 ）所示，已知u(0)=0，试求 ，试求t=1s、t=2s、t=4s时的电 、 、 时的电 容电压u以及 以及t=2s时电容的储能。 时电容的储能。 容电压 以及 时电容的储能
第3章 动态电路分析
电感串并联： 电感串并联：
是电感L 相串联的电路， 图 3.8(a)是电感 1 与 L2 相串联的电路 ， 流过两电感的电流是同一电 是电感 的微分形式和KVL，有 流i。根据电感 。根据电感VAR的微分形式和 的微分形式和 ，
L = L1 + L2
(3―25)
称为电感L1与 L2串联时的等效 称为电感 与 串联时的等效 电感。 由式(3―26)画出相应的等效 电感 。 由式 画出相应的等效 电路如图3.8(b)所示 。 同理 ， 若有 所示。 同理， 若有n 电路如图 所示 个 电感 Lk(k=1,2,…,n) 相 串联 ， 可 推 导其等效电感为
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O 的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
模拟电子电路教材课件.
聊城大学 物理科学与信息工程学院
杨少卿
1
《模拟电子技术基础》是电子信息科学与技术专业、通信 工程专业、电子信息工程专业以及物理学专业本、专科的一 门重要的专业核心课，具有很强的综合性、技术性和实用性。 该课程的研究对象是电子元器件及其组成的电路（包括分立、 集成电路）。主要研究常用半导体器件、基本放大电路、多 级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放 大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的 变换、功率放大电路、直流电源和模拟电子电路读图等内容。 模拟电路已经广泛地应用于国防和国民经济的各个领域并极 大地促进了相关领域的迅速发展，特别是模拟电路中的新器 件、新技术、新方法的广泛应用，使得电子测量和探索自然 规律的实验方法进入了一个新阶段，因此《模拟电子技术基 础》具有重要的地位和作用。
1.载流子、自由电子和空穴 空穴
在绝对0度（T=0K）和没
束缚电子 自由 电子
有外界激发时,价电子完全被
共价键束缚着，本征半导体中
+4
+4
没有可以运动的带电粒子（即
载流子），它的导电能力为 0，
相当于绝缘体。
+4
+4
在常温下，由于热激发,
使一些价电子获得足够的能量
而脱离共价键的束缚，成为自 本征半导体中自由电子和空穴
PN 结具有单向导电性
常用电子仪器的使用方法
电子电路的测试方法
故障的判断与排除方法
EDA软件的应用方法
11
第一章 常用半导体器件
§ 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3 双极型晶体管 § 1.4 场效应管 § 1.5 单结晶体管和晶闸管（了解） § 1.6 集成电路中的元件（了解） 重点掌握：基本概念，晶体二极管的伏安特性及主要参 数、晶体三极管和场效应管输入、输出特性及主要参数。 不要将注意力过多放在管子内部，而以理解外特性为主。
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则有: IBRb+UBE+2ReeIE=Ee
IE1
ui1 2IE
IE2 ui2
-Ee EC
而
IB = IE ／（1＋β ）
所以有：
IC
I E
IE
Ee U BE
2 Ree
Rb
1
1 Ee U BE 2 Ree
-Ee 返回
3.3.1差放的偏置，输入和输出信号及连接方式 休息1 休息2
（3） 电流源偏置的差动放大器
在差分放大电路中发射极电阻 Ree 具有重要的作用：
提高电路的温度稳定性；
减少零点漂移； 一般 Ree 越大电路性能越好
克服两管的不对称性；
EC
提高电路的共模抑制比。
但随着 Ree 加大，IC 减少，放大倍 数下降，因此大多采用恒流源作为
ui
+ EC uCE2 ic1 +
uo -
RL’=rce2 // RL
rbb‘1
++
ui
_
u1 rb‘e1⚀ u1gm rce1
-
+ rce2 uo
_
Ri
Ro
rbb‘2
+
rbe3 R
u2
-
rb‘e2⚀
u2gm
rce2
rbb‘1
+
+
+
ui
_
u1 rb‘e1⚀ u1gm rce1
uo
_
-
返回
3.2.2有源负载共集电极电路 1．电路结构
差分放大的发射极的偏置电路。
ui1
Iee
ui2
-Ee 返回
(3) 电流源偏置的差动放大器 i：电路结构：
T3 和 T4：偏置电流源
（1）R3＝R4 镜像电流源
IC uo1
（2）R3＝nR4 比例电流源 (3) R4≠0，R3＝0 微电流源
IC3=Iee=2IE≈2IC
§3.2 带电流源（恒流源）的放大电路
3.2 .1 有源负载共射放大电路的分析 3.2.2 有源负载共集电极电路（射随器)
返回
u3O .2 .1 有源负载共射放ic1=大- ic2电路的分析
·① ·②
·④ ·③ ·②
、 1 电路·③结构：UCE2(sat)
T1 为共发·④射极放大器 ui
·①
ic2
当 ui↑↑→T1 饱合→uCE1=UCE1(sat)
uCE2↓→T2 饱合
∴u∴omuaxo=mEin≈c-UC-EE1(es+atU) CE2(sat)
3 uim传ax=输Ec特-U性CE1方(sat)程+U：BE1
uo
ui
UBE1
ui
UT
ln
IQ
u0 RL
IS1
返回 休息1 休息2
§3.3 差动（差分）放大电路的特性与分析：
ui
-
vi
UBE R
EC
+
ic1
uCE1
-
io
ic2 +
uo RL
-
R1
R2
-Ee
（（1）2：）： ui 的ui 正的向负界向限界：限：
当ui↓ ui↑→→ic2i=c1I=Qie不1 在变I→Q(IiCQ1=↓Ic→ 2)的|-i基0|↑础→上↑→uCioE↑1↑→→uoT=1io截RL至↑→uCE1↓
ui2 -Ee
电路仿真
返回 休息1 休息2
3.3.1差放的偏置，输入和输出信号及连接方式
（2） 静态工作点的计算
由于电路对称:IC1= IC2= IC IE1= IE2= IE
IC2
IB1= IB2= IB 故只需讨论 T1 的静态工作点。
休息1 休息2 EC
IC1
由于 Ree 上流过的电流为什么 2IE ，故
两个输出端 uo1 和 uo2
ⅴ 差分放大器具有四种不同的工作状态： uo1
EC
uo2
双端输入，双端输出
单端输入，双端输出
双端输入，单端输出
ui1
单端输入，单端输出 ⅵ 信号的输入方式：
差模输入：输入信号 ui1 和 ui2 大小相等，极性相反 共模输入：输入信号 ui1 和 ui2 大小相等，极性相同
经过 Q，D 两点的一条直线 ，
Rs
斜率接近 1。
us
休息1 休息2 返回
EC
UBE RR
uo RL
RR11
RR22
-Ee
uo
电E路C 仿真
Rb
· · +
Q
DUBE
ui
-
C2 ui
+
uo
Re
RL
-
3.2.2有源负载共集电极电路
uo
uomin Ee UCE( sat )
·Q ·D
+ uomax Ecc UCE( sat ) ui
T1 为共集电极放大器
ui
T2，T3 为 NPN 型基本比例电流源电路
作为 T1 的发射极负载，代替 Re 的作用。
2 传输特性
（1） 当 ui=UBE1 时，使 iE1=iC2=IQ
∴ io=0,uo=0 确定 Q 点
（2） 当 ui=0 时，uo= - UBE1 , 确定 D 点
所以传输特性：
C1
ui
(2) 当 ui↑→iB1→uBE1 ↑→uCE1↓ T1 和 T2 工作在放大区。
+ EC uCE2 ic1 +
uo -
EC
返回
二 有源负载共射放大电路的分析
3 小信号等效电路
Ri= rbb’1+rπ1 , Ro=rce1// rce2
Av=-β(rce1//rce2)/hie
有载时：Av=-β(rce1// RL’)/ hie
3.3.1 差放的偏置，输入和输出信号及连接方式 3.3.2 共射差放理想对称时的大信号特性 3.3.3 基本共射差放理想对称时的微变等效分析 3.3.4 有源负载共射差放
返回
3.3.1差放的偏置，输入和输出信号及连接方式 休息1 休息2
差动放大器是 IC 中应用广泛的核心单元电路
（1） 电路结构
uCE1
uCE2
T2，T3 为 PNP 型基本镜象电流源电路
作为 T1 的集电极负载，代替 RC 的作用。 UCE2(sat)
ui
2 空载大信号特性：
可以看出 T2 的输出特性曲线就是 T1的负载线。 放大器应工作在负载线上，
(1) 当 ui=0 时，T1 截至，iC1=0 , 而 T2 饱合
uO=uCE1=Ec-|UCE2(sat)|
U E UBE
UB UE
IB
IC
1
IC2
对共模输入有强负反馈作用
IC1↓↑
IB1↓
↑
IC1↑
IB2↓
UBE1
UE
UBE2
IE1 ↑ IE2 ↑
ui1 IEE↑
ui2
-Ee
返回
3.3.1差放的偏置，输入和输出信号及连接方式
iii 双电源供电 EC 和 －Ee iv 两个输入端 ui1 和 ui2
i T1 和 T2 为差分对Rb1= Rb2= Rb
β1=β2=β ,hie1= hie2= hie
EC
ii Ree 为发射极共用的负反馈 偏置电阻
作用：稳定静态工作点
T
I
C
1
IC2
IE1 IE2
I EE I E1 I E2