模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)——复旦大学课件汇编

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模拟cmos集成电路设计拉扎维MOS器件物理基础PPT课件

模拟cmos集成电路设计拉扎维MOS器件物理基础PPT课件
定义从D流 向S为正 PMOS管电流驱动能力比NMOS管差 0.8 m nwell:p=250cm2/V-s, n=550cm2/Vs 0.5 m nwell:p=100cm2/V-s, n=350cm2/V-
第23页/共61页
跨导gm
VGS对IDS的控制能力 IDS对VGS变化的灵敏度
gm ID VGS VDS cons tant
• 直流关系式-I/V特性 • 交流关系式-小信号电路中的参数
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MOS管简化模型
简化模型——开关 由VG控制的一个开关
第7页/共61页
MOS管的结构
Bulk(body)
源漏在物理结构上是完全对称的,靠什么区分开?
提供载流子的端口为源,收集载流子的端口为漏
最重要的工作区域?
受VG控制的沟道区
• 小信号模型 • 信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算 • 由gm、 gmb、rO等构成低频小信号模型,高频时还需加上 CGS等寄生电容、寄生电阻(接触孔电阻、 导电层电阻等)
沟道电荷的产生
当VG大到一定 程度时,表面势 使电子从源流向 沟道区 VTH定义为表面电 子浓度等于衬底 多子浓度时的VG
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阈值电压
0 栅与衬底功函数差
COX
OX
TOX
常通过沟道注入把VTH0调节到合适值 工艺确定后,VTH0就固定了,设计者无法改变
第13页/共61页
I/V特性-沟道随VDS的变化
第3页/共61页
掌握器件物理知识的必要性
• 数字电路设计师一般不需要进入器件内部,只把它当开关用即可 • AIC设计师必须进入器件内部,具备器件物理知识
• MOS管是AIC的基本元件 • MOS管的电特性与器件内部的物理机制密切相关,设计时需将两者结

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第3章单级放大器(一)

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第3章单级放大器(一)
性度
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路原理
7
第七页,共44页。
放大器的性能参数
参数之间互相
制约,设计时
需要在这些参
数间折衷
AIC设计的
八边形法则
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路原理
8
第八页,共44页。
本讲
放大器基础知识
共源级—电阻做负载
共源级—二极管接法的MOS 管做负载
共源级—电流源做负载
共源级-深线性区MOS管做负载 共源级-带源极负反馈
大信号特性
1
W
n COX ( )1 (Vin
2
L
VTH 1 ) 2
1
W
= C ( n OX ) 2 (VDD Vout
2
L
VTH 2 ) 2
W
W
V = ( )1 (Vin ) TH 1 ( ) 2 (VDD Vout
L
L
VTH 2 )
若VTH2随 Vout变化很 小,则有很 好线性度
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路原理
11
第十一页,共44页。
共源级—电阻做负载
小信号分析
饱和区时大信号关系式
小信号增益
与小信号等效电
路结果一致
增益随Vin的变化而变化,在信号摆幅较大时会引入非线性
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路原理
12
第十二页,共44页。
Av的最大化
共源级—电阻做负载
Av = m RD
Av =
2 C n ox W VRD
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路原理
31
第三十一页,共44页。
共源级-深线性区MOS管做负载
Vb要足够低,使M2工作在深线性区

模拟cmos集成电路设计拉扎维第1章绪论

模拟cmos集成电路设计拉扎维第1章绪论

总结词
拉扎维模拟方法在CMOS比较器设计中 具有重要作用,可以预测比较器的性能 和行为。
VS
详细描述
CMOS比较器是模拟集成电路中的关键元 件,用于信号的阈值检测和整形。拉扎维 模拟方法可以准确地模拟CMOS比较器的 静态和动态特性,包括响应时间、失调电 压、比较精度等参数,有助于设计者优化 比较器的性能,提高整个电路的稳定性。
应用实例二:模拟CMOS滤波器设计
总结词
利用拉扎维模拟方法,可以高效地设计和优化CMOS滤波器的性能。
详细描述
CMOS滤波器在通信、音频处理等领域有广泛应用。通过拉扎维模拟方法,可以快速设计和优化 CMOS滤波器的性能,包括频率响应、群延迟、线性相位等参数,从而缩短设计周期并提高滤波器的 性能。
应用实例三:模拟CMOS比较器设计
拉扎维模拟方法的优缺点
优点
拉扎维模拟方法基于物理模型,能够精确模拟CMOS集成电路的性能,对于复杂电路和新型器件具有较高的预测 精度。此外,该方法还支持多物理效应和多尺度模拟,能够模拟电路在不同工艺、温度和电压条件下的性能。
缺点
由于拉扎维模拟方法基于物理模型,因此需要较长的计算时间和较大的计算资源,对于大规模电路的模拟可能会 面临性能瓶颈。此外,该方法需要手动设定电路元件的参数,对于不同工艺和不同设计需求需要进行相应的调整 和优化。
04
拉扎维模拟方法的应用实例
应用实例一:模拟CMOS放大器设计
总结词
通过拉扎维模拟方法,可以有效地模拟CMOS放大器的性能,包括增益、带宽、 噪声等参数。
详细描述
CMOS放大器是模拟集成电路中的基本元件,其性能对于整个电路的性能至关 重要。拉扎维模拟方法可以准确地模拟CMOS放大器的直流和交流特性,包括 增益、带宽、噪声等参数,为设计者提供可靠的参考依据。

复旦微电子-模拟集成电路设计-差分放大器-PPT精品文档

复旦微电子-模拟集成电路设计-差分放大器-PPT精品文档

如图是小信号等效电
g V V m 1 in P
V V V in in 1 in 2
V V V V V p in 1 GS 1 in 2 GS 2
V V V V V in in 1 in 2 GS 1 GS 2
V V V TH 1 TH 2 in
2 I D 1


2 I D 2

( 1 )

差动信号增大了可得到的电压摆幅 。
输出摆幅:
VDD Veff
(单端)
V V V DD ef f
(差分) 2 V V DD eff
V V V DD eff
单端和差分工作的特点
差动放大器的偏置电路更简单。 一路尾电流源可以确定差动放大器的偏置。 差动信号具有更高的线性度 差动电路具有“奇对称”的输入输出特性,故由差 动信号驱动的差动电路没有偶次(二次)谐波。呈 现的失真比单端电路小的多。 差动电路的面积较大 差动电路采用对管代替单管以得到和单端相同的增 益。因此,电路的面积增加了。但要达到同样的性 能,如线性度、抑制非理想的影响,使用单端设计 得到的面积可能更大。
单端和差分工作的特点
差动工作相当于单端工作的优点:

对环境噪声具有更强的抗干扰能力 例如:相邻的时钟线对信号线的干扰 。
差分工作
单端工作
L1对L2和L3的干扰幅度大小相等,方向相同。差分信号没有改变。
单端和差分工作的特点
例如:对电源噪声同样具有更强的抗干扰能力 。
电源对Vx和Vy的干扰幅度大小相等,方向相同。差分信号没有改变。
??????????????????????????????????????????????????????????????1112121212121sstsssstssssttgsgsosiviiviivvvvv??xx211121??????????????????????4212sstsstosivivv基本差动对的定量分析llwwlwcoxn????????????假定不变

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第2章MOS器件物理基础PPT课件

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第2章MOS器件物理基础PPT课件

Q d ( x ) W o ( V x G C V S ( x ) V T )H
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I/V特性—推导I(VDS,VGS)
I D W o [ V G x C V S ( x ) V T ] v H
Givv E ea nn E (x d ) d(x V ) dx d(x V )
数字电路设计师一般不需要进入器件内 部,只把它当开关用即可
AIC设计师必须进入器件内部,具备器 件物理知识
❖MOS管是AIC的基本元件 ❖MOS管的电特性与器件内部的物理机制密
切相关,设计时需将两者结合起来考虑
器件级与电路级联系的桥梁?
❖器件的电路模型
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5
本讲
基本概念
I D n C o W L ( x V G V T S ) V D H , V D S 2 S ( V G V T S )
等效为一个线性电阻
RONnCoxW L(V 1GSVTH)
在AIC设计中会用到
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深三极管区
19
I/V特性—当VDS>VGS-VTH时?
与电源无关、与温度无关、PTAT电流、 恒Gm、速度与噪声
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2
上一讲
研究模拟电路的重要性 模拟电路设计的难点 研究AIC的重要性 研究CMOS AIC的重要性 电路设计一般概念
❖抽象级别 ❖健壮性设计 ❖符号
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3
上一讲
数字电路无法完全取代模拟电路,模拟 电路是现代电路系统中必不可少的一部 分
提供载流子的端口为源,收集载流子的端口为漏

CMOS模拟集成电路设计ch绪论实用PPT课件

CMOS模拟集成电路设计ch绪论实用PPT课件
• 模拟电路的建模和仿真难度大,对设计者经验和7直觉 第7页/共16页
模 拟 集 成 电 路 的 设 计 开 发 流 程
8
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电路 设计
版图 设计
封装 测试
电路设计
9
第9页/共16页
版图设计
10
第10页/共16页
Why CMOS?
与双极工艺(BJT)相比 • 优点
• 输入阻抗大,加工成本低,低功耗,易于按比例缩小,易于实现数模混合电 路(是SOC较佳选择),设计自由度大(小信号特性依赖于器件尺寸和直 流偏量,双极只依赖于直流偏量)
15
第15页/共16页
感谢您的欣赏!
16
第16页/共16页
— 模拟电路的重要性和应用领域
自然界信号 (模拟量)
信号太小 时需要先 放大
4
滤除信号频带外的干扰
第4页/共16页
高速度、 高精度、 低功耗的 模数转换器
模拟集成电路的应用
5
第5页/共16页
结论
• 模拟电路是现代电路系统中必不可少的部分 • 数字电路无法完全取代模拟电路 • 电子产业需要大量优秀的模拟电路设计师
6
第6页/共16页
模拟电路设计的难点
• 设计关注点多:包括速度、功耗、增益、精度、电源 电压等;数字电路主要是速度、功耗
• 高精度模拟电路对低噪声、低串扰、抗干扰等要求很 高;数字电路在这方面要求低很多
• 器件的二阶效应对电路性能影响大;对工艺参数变化 的敏感度比数字电路高很多
• 设计的自动化程度低,很多靠手工设计;数字电路设 计自动化程度高
• 缺点 • 低增益,速度慢(在改善,几十GHz),噪声大(也在改善)
11

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第1章绪论

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第1章绪论

自然界信号的处理
自然界信号是模拟量
声音、光、震动等
速度、精度、功耗 信号处理
探测器输出信号太小 时需要先 放大滤除信 号频带 外的干 扰
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
16
数字通信
电缆数据传输
长距离、高速时
有限带宽,大衰减,不适于高速远距离传输
解决办法?
信号衰减、 失真
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数字电路的信号处理能力不断增强 再强大也无法完全取代模拟电路在电路系统中的角 色
RF、ESD、ADC、DAC、PLL
应用实例
自然界信号的处理 数字通信 磁盘驱动电路 无线接收器 光接收器 传感器 微处理器和存储器
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 15
24
微处理器和存储器
微处理器
典型的数字电路 高端CPU的设计离不开资深AIC设计师的参 与
寄生电容/电阻/电感、封装等对电路性能指标 (速度等)的影响 高速数据线、时钟线的时序正确
必须把很多数字信号当作模拟信号来考虑、 处理
存储器
存储单元、灵敏放大器等都必须由AIC设计 师设计。高速、大规模存储器更是如此
逆向电路提取
解剖照相 拼图
版图编辑
dracula DRC和LVS dracula 寄生提取LPE 后仿真 GDSII
电路提取
分析与仿真
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
7
集成电路制造过程
集成电路设计 制版 流水加工 划片 封装
版图 layout 掩膜版 MASK 硅圆片 Wafer 裸片die
抽象级别 健壮性设计 符号
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计

模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件

模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件

模拟CMOS集成电路设计教材n模拟CMOS集成电路设计,毕查德.拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社参考资料n半导体集成电路,朱正涌,清华大学出版杜n CMOS模拟电路设计(英文),P.E.Allen,D.R.Holberg,电子工业出版社n模拟集成电路的分析与设计,P.R.Gray等著,高等教育出版社半导体集成电路发展历史n1947年BELL实验室发明了世界上第一个点接触式晶体管(Ge NPN)半导体集成电路发展历史n1948年BELL 实验室的肖克利发明结型晶体管n1956年肖克利、布拉顿和巴丁一起荣获诺贝尔物理学奖n50年代晶体管得到大发展(材料由Ge→Si)半导体集成电路发展历史n1958年TI公司基尔比发明第一块简单IC。

n在Ge晶片上集成了12个器件。

n基尔比也因此与赫伯特·克勒默和俄罗斯的泽罗斯·阿尔费罗夫一起荣获2000年度诺贝尔物理学奖。

半导体集成电路发展历史n19世纪60年代美国仙童公司的诺依斯开发出用于IC的平面工艺技术,从而推动了IC制造业的大发展。

半导体集成电路发展历史n60年代TTL、ECL出现并得到广泛应用n1966年MOS LSI发明(集成度高,功耗低)n70年代MOS LSI得到大发展(出现集成化微处理器,存储器)n80年代VLSI出现,使IC进入了崭新的阶段。

n90年代ASIC、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术水平的IC 不断涌现,并成为IC应用的主流产品。

n21世纪SOC、纳米器件与电路等领域的研究已展开n展望可望突破一些先前认为的IC发展极限,对集成电路IC的涵义也将有新的诠释。

集成电路用半导体工艺,或薄膜、厚膜工艺(或这些工艺的组合),把电路的有源器件、无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝缘材料基片上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统或系统。

模拟集成电路n1967年国际电工委员会(IEC)正式提出模拟集成电路的概念,它包括了除逻辑集成电路以外的所有半导体集成电路。

CMOS集成电路设计-拉扎维4 差分放大器PPT课件

CMOS集成电路设计-拉扎维4 差分放大器PPT课件

差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
RD1=RD2=RD gm1=gm2=gm
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,先求VX
这是带负反馈电 阻RS的CS放大器
差分对的小信号特性(2)
差分对的小信号特性(2)
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,再求VY
运放差模(共模)信号、差模(共模)增益的关系
如果两个差动对的输入信号不是全差动的,对于任意的输入信号 Vin+、Vin-,均可写作:
根据线性系统的叠加定理, 运放总的输出电压V0即是 图(A)、 (B)两个输出的叠 加, 即:V0=V01+V02
图(A)
图(B)
4.3 差分放大器的共模响应
差动电路对共模扰动影响具有抑制作用,理想差动电路的 共模增益为0;但是实际上有以下一些非理想的因素
• 当Vin1和Vin2存在很大的 共模干扰
• 各自的直流电平设置的 不好时, 随着共模电平 VinCM变化, M1 和M2的 偏置电流会变化
简单差动电路
共模电平VinCM变化, M1 和 M2的偏置电流会变化, 导致 跨导和输出共模电平变化
跨导变化会改变小信号增益, 输出共模电平偏离会降低最 大允许输出摆幅, 导致输出端 出现严重失真
非理想性包括: •尾电流源ISS的内阻RSS不是无穷大 •电路不对称 •RD1和RD2之间有失配 •M1和M2之间有失配(W/L、VTH等)
小信号共模特性—RSS对共模响应的影响
假设电路完全对称,VP随Vin,CM的变化而 变化。若Rss为有限大小,则尾电流随VP 增加而增加, Vout1和Vout2会随之减小。 但Vout1和Vout2仍然相等,不引入差分增 益

CMOS模拟集成电路设计 拉扎维课件

CMOS模拟集成电路设计 拉扎维课件
种类
1st 代:MOS1,MOS2,MOS3; 2nd代:BSIM,HSPICE level=28,BSIM2 3rd代:BSIM3,MOS model9,EKV(Enz-Krummenacher-Vittoz)
目前工艺厂家最常提供的MOS SPICE模型为BSIM3v3 (UC Berkeley)
CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center
2009-1-16
提纲
2
提纲
1、绪论 2、MOS器件物理基础
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
2.3.1体效应
对于NMOS,当VB<VS时,随VB下降,在没反型前, 耗尽区的电荷Qd增加,造成VTH增加,也称为“背栅 效应”
其中,γ为体效应系数
HIT Microelectronics
VTH 0
VTH
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
15
2.3.2 沟道长度调制效应
当沟道夹断后,当VDS增大时,沟道长度逐渐减小, 即有效沟道长度L’是VDS的函数。
定义L’=L-ΔL, ΔL/L=λVDS
λ为沟道长度调制系数。
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
16
2.3.3亚阈值导电性
当VGS≈VTH时和略小于VTH ,“弱”反型层依然存在, 与VGS呈现指数关系。当VDS大于200mV时,
这里ζ>1,VT=kT/q

模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第5章无源和有源电流镜PPT课件

模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第5章无源和有源电流镜PPT课件
基于IREF,“复制”产生所需各电流
常转用换复为制电方流法是先把IREF转换为电压,在由该电压
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
77
基本电流镜-等量复制
镜面
基本电流镜
I REF
=
n C ox
W (VGS
VTH ) 2
2L
I out = ff 1( I REF ) = I REF
I REF = f (VGS )
模拟集成电路原理
第5章 无源与有源电流镜
11
本讲 电流镜
基本电流镜
共源共栅电流镜
有源电流镜
电流镜做负载的差分放大器
大信号特性 小信号特性 共模特性
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22
明确几个概念
电流源
Current source
电流沉
Current sink
电流镜
Current Mirror
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55
基于电阻分压的电流源
电流值对工艺、电源、温度等变 化敏感
不同芯片阈值偏差可达100mV n 、VTH随温度变化
输出电压范围
大于M1管的VOV即可
为了输出电压范围较大,VOV取 典型值200mV
若VTH改变50mV,则IOUT改变44%
I OUT n Cox W ( R2 VDD
L L eff 2
drawn2
2LD= Ldrawn1 Leff 1= Ldrawn1 2LD Ldrawn1 2LD L L drawn2 eff 2 Ldrawn2 2LD Ldrawn2
结论: 取L1=L2,便于 获得期望的精确
电流值
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模拟CMOS集成电路设计 拉扎维 ——复旦大学课件

模拟CMOS集成电路设计 拉扎维 ——复旦大学课件

参数化模块/单元 layout
宏模型 Matlab…
器件
器件特性
版图描述 design rule
器件模型 spice model
模拟集成电路的应用
• 模拟电路本质上是不可替代的
– 自然界是“模拟”的
• 集成传感器、显示驱动 • 模数和数模转换
– 数字信号经过传输后à模拟信号
• 无线和有线通讯 • 磁盘驱动
参杂半导体
• 掺入三家获五价原子,提供一个载流子。
• N型:掺入五价元素,如磷(P)、砷(As),
提供一个电子,电子导电。
若:ND 是参杂浓度,D代表施主浓度 多子(电子)浓度: nn = ND
少子(空穴)浓度:
Pn
=
n
2 i
/
ND
• P型:掺入三价元素,如硼(B),
提供一个空穴,空穴导电。
若:NA 是参杂浓度,A代表施主浓度 多子(空穴)浓度: Pp = NA
=
kT q
ln
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
NAND
n
2 i
例: NA = 1019 cm−3
ΦF(p) =
kT ln q
NA ni
=
26(mv)
ln
1019 1.45 ×1010
= 0.53V
ND = 1016 cm−3
ΦF(n) =

kT ln q
ND ni
=
1016 26(mv) ln 1.45 ×1010
= 0.35V
ΦB = ΦF (p) − ΦF (n) = 0.53 − (− 0.35) = 0.88V
( ) ③
加反偏电压
xn
=
2ε0ε si ΦB qND

模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器ppt课件

模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器ppt课件

16
差分放大器
优点
抗干扰能力强,高线性度等 和单端电路相比,差分电路规模加倍
与获得的性能提高相比,这个不算做缺点
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
17
本讲
差分放大器简介 简单差分放大器 基本差分对放大器
大信号差分特性 大信号共模特性 小信号差分特性 小信号共模特性
MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用-Gilbert单元
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12
本讲
差分放大器简介 简单差分放大器 基本差分对放大器
大信号差分特性 大信号共模特性 小信号差分特性 小信号共模特性
MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用-Gilbert单元
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
13
差分放大器简介
AIC中非常重要的电路模块 对两个信号的差值进行放大
(V X V )Y Vin 2引起的 = g m RDVin 2
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
36
小信号差分特性-用叠加法求全差分时的 差模增益
(VX V ) = Y Vin1引起的 gm RDVin1 (VX VY )Vin 2引起的 = gm RDVin2
(VX V ) = Y Vin1和Vin2共同引起的 gmRD (Vin1 Vin2 )
Rout
=
g
1 m+ g
mb
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10
上一章
共栅级
Rin小,Rout大
Av = gm(1+ )RD
Rin = 1/[gm (1+ )]
Rin =
RD + rO
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模拟集成电路设计
参考书
1. P.R.Gray “Analysis and Design of Analog Integrated Circuits”
2. Behzad Razavi “模拟CMOS集成电路设计” 3. Phillip E. Allen “CMOS 模拟集成电路设计”
课程摘要
• 采用当今流行的CMOS工艺,讨论模拟集成电路 的分析和设计。
– 高速的数字信号à模拟信号
• SRAM、DRAM
2002年世界模拟IC市场
模拟信号带宽的关系
集成电路工艺的趋势
对模拟电路而言,不同的应用对于不同的信号带宽
MOS和BIPOLAR器件性能
模拟信号处理
• 首先确定系统中的模拟和数字部分的划分 • 系统分成三个模块
– 预处理模块:将模拟信号转变为数字信号 – 数字处理模块:数字信号处理(DSP) – 后加工模块:将数字信号转换为模拟信号
• 预处理模块:
– 输入信号:传感器输出、语音信号、射频信号等 – 滤波器(filter):根据采样原理,限制输入模数转换器的信
号带宽。 – 自动增益控制电路(AGC):控制模数转换器的输入信号的
幅度,是一个可控增益放大器。 – 模数转换器(ADC或 A/D):将模拟信号转换为数字信号。 – 频率综合器或锁相环(PLL):提供信号采样的精确时钟。
物理版图设计
根据工艺版图设计规则设计器件、器件之间的互联、 电源和时钟线的分布、与外部的连接。
电路测试
电路制备后对电路功能和性能参数的测试验证。
层次设计
描述格式 电路层次
设计
系统
系统说明/仿真 Matlab、ADMS…
物理
版图布局 layout
模型 行为模型
电路
电路性能 netlist /simulation
– Gm-C滤波器,具有2零点7极点。 – 零极点的相对位置可编程。 – 具有高频下增益提升功能。
低通滤波器的频率响应
• 调节Gm-C滤波器频率响应的方法
– 对电容值C进行数字控制——可编程 – 对跨导Gm进行调节:
低通滤波器的频率响应
• 利用PLL得到精确的控制电压
– PLL可得到精确的频率。 – PLL的频率和振荡器(VCO)的特征时间常数成反比。~C/Gm – 低通滤波器中的电路和VCO的电路是匹配的。
单极点低通Gm-C滤波器
Gm由偏置电流或电压确定,易受工艺、温度和电源 电压变化的影响
磁盘驱动器中的模块电路(2)
• 模数转换器(ADC)
– 6位ADC, – 由VCO提供采样时钟。采样频率由数字时钟恢复电路控
制。 – 偏移控制:采集63个比较器的失调电压,反馈到输入
端,抵消由此引起的失真。
• 数字信号处理
– 有限脉冲响应(FIR)滤波器或均衡器。峰值检测、定时 控制和增益控制。
– 设计层次
• 电路级—系统级
– 设计方法
• 全定制—标准单元
– 器件参数的影响
• 器件参数的连续性—固定;精确的模型—时序模型; • 设计优化(trade-off / robusting)— 软件编程 • Dynamic range 受电源电压和噪声的限制—没有限制
– CAD
• 难以利用自动设计工具
• 器件的品种和参数的限制
– 无源器件的面积大、参数的范围小、精度差。 – MOS工艺中的Bipolar晶体管的品种少、性能差。
• 采用计算机仿真验证
– 无法用电路试验板验证。 – 计算机验证的直观性差,受仿真方法和器件参数的影
响大。
模拟和数字集成电路的区别
– 电路的不同
• 模拟信号—数字信号;不规则的形状—规则的形状
参数化模块/单元 layout
宏模型 Matlab…
器件
器件特性
版图描述 design rule
器件模型 spice model
模拟集成电路的应用
• 模拟电路本质上是不可替代的
– 自然界是“模拟”的
• 集成传感器、显示驱动 • 模数和数模转换
– 数字信号经过传输后à模拟信号
• 无线和有线通讯 • 磁盘驱动
• 建立模拟集成电路设计的基础----工艺和器件模型 • 讨论模拟集成电路分析、设计和仿真的原理
– 层次化、自下而上的分析方法。 – 直观的、基于简单分析模型的分析方法。 – 电路设计步骤 – 模拟工具的正确使用
绪论
1.1 模拟集成电路设计的特点 1.2 模拟集成电路应用 1.3 模拟信号处理 1.4 混合信号电路举例
模拟集成电路设计的特点
• 直观的设计
– 模拟设计的复杂性
• 在速度、功耗、增益、精度、电源电压、线性度等因素间折中 • 噪声、串扰、电源电压下降、温度对性能的影响大 • 模拟电路二级效益的建模和仿真存在难题。仿真不能发现所有
设计问题。
– 解决方法:直观和经验设计
• 鲁棒设计
– 电路性能随工艺、电源电压、温度而变化, – 计算机模拟易于仿真在最坏条件下的电路性能
模拟集成电路设计步骤
层次设计
系统
开关电容电路、*VCO和PLL、 *A/D D/A、
复杂电路
运算放大器、带隙基准、*比较器
简单电路
单级放大器、差动放大器、电路偏置、电流镜电路
器件
CMOS工艺、器件物理、器件Spice参 数、*版图设计、*电路模拟
模拟集成电路的“蛋壳”模型
模拟集成电路设计步骤
电路设计
• 后处理模块:
– 数模转换器:将数字信号转换为模拟信号。 – 放大:功率放大,提高驱动能力。 – 滤波器:平滑输出波形。
磁盘驱动器中的模块电路(1)
• 输入信号:
– 信号由磁感应转换得到,经片外预放大器放大,为全 差分模拟信号。
• 可变增益放大器(VGA):
– 数字增益控制回路进行实时控制
• 低通滤波器(low-pass filter):
模拟集成电路的一般概念
• 什么是Байду номын сангаас拟电路?
– 模拟信号 – 模拟信号的采样信号
一般概念(续)
• 什么是模拟集成电路设计?
特定模拟电路、或系 统的功能和性能
选择合适的集成电路 工艺
设计
成功的设计结果
集成和分立模拟电路的区别
• 器件制备在同一衬底上
– 器件具有相似的性能参数,易于匹配。 – 器件参数由几何尺寸决定。
举例—磁盘驱动器数字读/写通道
工艺进化对模拟电路的影响
• 优势
– 面积更小、寄生电容更小 – 阻抗更大、速度更快
• 劣势
– 沟道电阻下降、跨导下降 – 阈值电压下降速度低于电源电压、信号幅度下降 – 噪声上升、动态幅度下降 – 更加非线性 – 更加偏离MOS的平方律电流特性、建模更难
系统中的模拟电路
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