半导体热敏电阻温度测量的设计

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半导体热敏电阻的电阻—温度特性实验讲义

半导体热敏电阻的电阻—温度特性实验讲义

∞ 半导体热敏‎电阻的电阻‎—温度特性实验原理1. 半导体热敏‎电阻的电阻‎—温度特性某些金属氧‎化物半导体‎(如:Fe3O4‎、MgCr2‎O 4 等)的电阻与温‎度的关系满‎足式(1):B R = R e T (1) T ∞式中 R T 是温度为T ‎ 时的热敏电‎阻阻值,R ∞ 是T 趋于无穷时‎热敏电阻的‎阻值阻的材料常‎数,T 为热力学温‎度。

①,B 是热敏电热敏电阻对‎温度变化反‎应的灵敏度‎一般由电阻‎温度系数α‎来表示。

根据定义,电阻温 度系数可由‎式(2)来决定:α = 1 R T dR TdT (2)由于这类热‎敏电阻的α‎ 值为负,因此被称为‎负温度系数‎(NTC )热敏电阻,这也是最 常见的一类‎热敏电阻。

2. 惠斯通电桥‎的工作原理‎半导体热敏‎电阻的工作‎阻值范围一‎般在 1~106Ω,需要较精确‎测量时常用‎电桥法,惠斯 通电桥是一‎种应用很广‎泛的仪器。

惠斯通电桥‎的原理如图‎ 1 所示。

四个电阻 R 0 、R 1 、R 2 和 R x 组成一个四‎边形,其中 R x就是待测电‎阻。

在四边形的‎一对对角 A 和 C 之间连接电‎源;而在另一对‎对角 B 和D 之间接 入检流计 G 。

当 B 和 D 两点电势相‎等时,G 中无电流通‎过,电桥便达到‎了平衡。

平衡时必CR b 图 1 惠斯通电桥‎原理图 图 2 惠斯通电桥‎面板图① 由于(1)式只在某一‎温度范围内‎才适用,所以更确切‎的说 R 仅是公式的‎一个系数,而并非实际‎ T 趋于无穷时热敏电‎阻的阻值。

R R 1 有 R x = R 2 R 1 R 0 , 2 和 R 0 都已知, R x 即可求出。

R 0 为标准可变‎电阻,由有四个旋‎钮的电R 阻箱组成,最小改变量‎为 1Ω。

1 R2 称电桥的比‎率臂,由一个旋钮‎调节,它采用十进‎制固定值,共分 0.001,0.01,0.1,1,10,100,1000 七挡。

半导体热敏电阻特性研究实验报告

半导体热敏电阻特性研究实验报告

半导体热敏电阻特性研究实验报告半导体热敏电阻特性研究实验报告引言:半导体热敏电阻是一种基于半导体材料的温度敏感性元件,其电阻值随温度的变化而变化。

本实验旨在研究半导体热敏电阻的特性,并探索其在温度测量和控制中的应用。

实验一:热敏电阻与温度关系的测量在本实验中,我们选择了一种常见的热敏电阻材料,并使用了恒流源和数字温度计来测量其电阻值与温度之间的关系。

首先,我们将热敏电阻与恒流源相连,并将电流保持在恒定值。

然后,我们使用数字温度计测量不同温度下的电阻值。

通过多次测量,我们得到了一组电阻-温度数据。

根据实验数据,我们绘制了电阻-温度曲线。

结果显示,热敏电阻的电阻值随温度的升高而下降,呈现出明显的负温度系数特性。

这意味着热敏电阻在高温下具有较低的电阻值,在低温下具有较高的电阻值。

实验二:热敏电阻在温度测量中的应用在实验一的基础上,我们进一步探索了热敏电阻在温度测量中的应用。

我们设计了一个简单的温度测量电路,将热敏电阻与电压源和电压测量仪相连。

通过测量电压测量仪的输出电压,我们可以间接地推算出热敏电阻的电阻值,从而得知温度。

实验结果表明,该方法能够较准确地测量温度,且具有较高的灵敏度和稳定性。

实验三:热敏电阻在温度控制中的应用除了温度测量,热敏电阻还可以应用于温度控制。

我们设计了一个简单的温度控制电路,其中包括热敏电阻、比较器和加热元件。

当温度超过设定阈值时,热敏电阻的电阻值会下降,导致比较器输出高电平信号,进而控制加热元件的工作。

当温度降低到设定阈值以下时,热敏电阻的电阻值上升,比较器输出低电平信号,停止加热。

实验结果表明,该温度控制电路能够实现对温度的自动控制,具有较高的精度和稳定性。

这种基于热敏电阻的温度控制方法在实际应用中具有广泛的潜力。

结论:通过本次实验,我们研究了半导体热敏电阻的特性,并探索了其在温度测量和控制中的应用。

实验结果表明,热敏电阻具有良好的温度敏感性能,可广泛应用于各种温度相关的领域。

半导体温度计的设计和制作实验

半导体温度计的设计和制作实验

半导体温度计的设计和制作实验(非平衡电桥)在温度不太低或不太高(如从-20o C到几百度)的情况下,通常可以用水银温度计来测一定的温度。

由于生产和科学实验的发展,需要精密和快速的温度测量,因而就需要灵敏度较高的温度计。

现在已有各种用途的温度计,半导体温度计就是其中的一种。

本实验的半导体温度计利用热敏电阻为传感器,利用非平衡电桥实现由电学量测量一些变化的非电量,这种思想现在应用范围扩展到很多领域,如长度、位移、应力、应变、温度、光强等转变成电学量,如电阻、电压、电流、电感和电容等,然后用电学仪器来进行测量。

一、实验目的1.理解非平衡电桥的工作原理及其在非电量的电测法中的应用。

2.了解半导体温度计的基本原理并设计制作一台半导体温度计二、实验原理1.热敏电阻伏安特性曲线为测量热敏电阻的阻值,需了解热敏电阻的伏安特性。

由图1可知,在V-I 曲线的起始部分,因电流很太小,温度变化微小,曲线接近线性。

此时其阻值主要与外界温度有关。

图1 热敏电阻伏安特性曲线半导体温度计是利用热敏电阻的阻值随温度变化急剧的特性制作的,通过测量热敏电阻的阻值来确定温度的仪器。

应根据待测温度区间和热敏电阻的阻值选用合适电学元件和测温电路。

2.半导体温度计测温电路的原理非平衡电桥的工作原理图如下:图2 半导体温度计测温电路原理图图中G 是微安表, R T 为热敏电阻,当电桥平衡时,表的指示必为零,此时应满足条件:TR R R R 321= (1) 若取R 1 = R 2,则R 3的数值即为R T 的数值。

平衡后的电桥若其中某一臂的电阻又发生改变,则平衡将受到破坏,微安表中将有电流流过,此为非平衡电桥。

由基尔霍夫方程组求出CD T T G T T G V R R R R R R R R R R R R R R R I 23232121232212+++++-+= (2)由此可见微安表中的电流大小直接反映了热敏电阻的阻值的大小程度。

由于热敏电阻的大小与环境温度是一一对应关系,因此可以利用这种“非平衡电桥”的电路原理来实现对温度的测量。

热敏电阻温度特性试验实验数据处理

热敏电阻温度特性试验实验数据处理

热敏电阻温度特性试验实验数据处理一、实验目的了解热敏电阻的电阻—温度特性及测温原理,学习惠斯通电桥的原理及使用方法,学习坐标变换、曲线改直的技巧。

二、实验所用仪器及使用方法直流单臂电桥、检流计、待测热敏电阻和温度计、调压器。

三、实验原理半导体热敏电阻的电阻—温度特性热敏电阻的电阻值与温度的关系为:A,B是与半导体材料有关的常数,T为绝对温度,根据定义,电阻温度系数为:R是在温度为t时的电阻值。

惠斯通电桥的工作原理t如图所示:四个电阻R0,R1,R2,Rx组成一个四边形,即电桥的四个臂,其中Rx就是待测电阻。

在四边形的一对对角A和C之间连接电源,而在另一对对角B和D之间接入检流计G。

当B和D两点电位相等时,G中无电流通过,电桥便达到了平衡。

平衡时必有Rx = (R1/R2)·R0,(R1/R2)和R0都已知,Rx即可求出。

电桥灵敏度的定义为:式中ΔRx指的是在电桥平衡后Rx的微小改变量,Δn越大,说明电桥灵敏度越高。

实验仪器四、实验所测数据•不同T所对应的Rt 值R均值,1 / T,及ln R t的值t五、实验结果:1.热敏电阻的R t-t特性曲线数据点连线作图在图上找到T=50所对应的点做切线,可以求得切线的斜率: K=(500-0)/(0-85)=5.88由此计算出:α=-0.031二次拟合的曲线:在图上找到T=50所对应的点做切线,可以求得切线的斜率:K=(495-0)/(0-84)=5.89由由此计算出:α=--0.0312.ln R t -- (1 / T)曲线仿真实验画出图线如下图所示但计算机仿真实验画出的曲线图中A的值计算有误,正确的A=0.0153.将图修正后如下:A=0.0153,B=3047.5383由此写出R0.0153t=六、思考题1.如何提高电桥的灵敏度?2.答:电桥的灵敏度和电源电压,检流计的灵敏度成正比,因此提高电源电压,检流计的灵敏度能提高电桥灵敏度。

另外,检流计电阻,桥臂总阻值,桥臂电阻比也关系到电桥的灵敏度,因此合适的桥臂总阻值,桥臂电阻比也能提高电桥灵敏度。

热敏电阻和热电偶的温度特性测量

热敏电阻和热电偶的温度特性测量

热敏电阻和热电偶的温度特性研究(FB203型多档恒流智能控温实验仪)热敏电阻是阻值对温度变化非常敏感的一种半导体电阻,它有负温度系数和正温度系数两种,负温度系数它的电阻率随着温度的升高而急剧下降(一般是按指数规律),而正温度系数电阻率随着温度的升高而急剧升高(一般是按指数规律),金属的电阻率则是随温度的升高而缓慢地上升。

热敏电阻对于温度的反应要比金属电阻灵敏得多,热敏电阻的体积也可以做得很小,用它来制成的半导体温度计,已广泛地使用在自动控制和科学仪器中,并在物理、化学和生物学研究等方面得到了广泛的应用。

【实验目的】1.研究热敏电阻、铜电阻;铂电阻、热电偶的温度特性。

2.掌握利用直流单臂电桥与控温实验仪测量热敏元件在不同温度下电阻值的方法。

【实验原理】温度传感器是利用一些金属、半导体等材料与温度相关的特性制成的。

常用的温度传感器的类型、测温范围和特点各不相同,本实验将通过测量几种常用的温度传感器的特征物理量随温度的变化,来了解这些温度传感器的工作原理。

1.热敏电阻温度特性原理:在一定的温度范围内,半导体的电阻率ρ和温度T 之间有如下关系:/1B TAe ρ= (1) 式中1A 和B 是与材料物理性质有关的常数,T 为绝对温度。

对于截面均匀的热敏电阻,其阻值T R 可用下式表示:T lR Sρ= (2) 式中T R 的单位为Ω,ρ的单位为cm Ω,l 为两电极间的距离,单位为cm ,S 为电阻的横截面积,单位为2cm 。

将(1)式代入(2)式,令1l A A S=,于是可得:/B TT R Ae = (3)对一定的电阻而言,A 和B 均为常数。

对(3)式两边取对数,则有:1l n l n T R B A T=+ (4)T R ln 与T1成线性关系,在实验中测得各个温度T 的T R 值后,即可通过作图求出B 和A 值,代入(3)式,即可得到T R 的表达式。

式中T R 为在温度)K (T 时的电阻值)(Ω,A 为在某温度时的电阻值)(Ω,B 为常数)K (,其值与半导体材料的成分和制造方法有关。

电学的设计性实验 ——的设计制做半导体热敏电阻温度计-PPT精选文档

电学的设计性实验 ——的设计制做半导体热敏电阻温度计-PPT精选文档

参数的选择和计算
• 1,R1,R2 最好相等[电桥简单] • 2,电桥的四个电阻阻值要基本接近; • [R25=5000欧姆,R75=850欧姆],{R1,2000 或3000欧姆} • 3,Rs, E,的确定!
R R R R R R R R R R R R 1 2 S 1 2 T 1 S T 2 S T
• 在测量的低温端【室温】Ig=0uA,利用室 温RT=R0, 确定Rs;
• 在温度表的高温端【75度】,Ig=200uA [满偏],和R75的阻值,利用上面公式计算 出电源电压 E。
实验过程
按图连接电路,按照实验预估值调节仪器, 在室温下调好Rs;75度下调好E. 在RS、E 均保持恒定不变条件下,测绘 Ig ~ T 曲线,亦即为热敏电阻温度表定标; 利用自制的半导体热敏电阻温度计测量自己 手的温度; ◎电源电压E的调节最难,最关键!!!
电学设计性实验
——设计制做半导体热敏电阻温度计
——设计制做半导体热敏电阻温度计
• 一、实验目的 • 1,设计测温度范围“室温-75度”的温度 计。 • 2,了解热敏电阻的特性,掌握用热敏 电阻测量温度的基本原理和方法。 • 3,熟悉非平衡电桥的输出特性。
• 热敏电阻是材料的电阻值随温度的变化而 变化的电阻。 • 根据温度系数可以分为: • 正温度系数热敏电阻【PTC】:dR/dT>0 • 负温度系数热敏电阻【NTC】: dR/dT<0
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ验报告的要求
• 1,实验的目的和意义 • 2,实验涉及的基本原理 • 3,实验的设计思路、设计过程,实验电路 中涉及到的电阻、电压、电流等数值的提 前预定。 • 4,测量数据、绘制热敏电阻的定标曲线。 • 5,实验中遇到的问题及解决的办法。 • 6,实验的收获和体会。

热敏电阻温度计的设计与标定

热敏电阻温度计的设计与标定

热敏电阻温度计的设计与标定一、实验内容与实验要求1.电阻温度计包括金属电阻温度计和半导体温度计,本实验要求利用半导体材料制备的热敏电阻设计出能够测量常温的温度计,测温范围“实验室室温-75℃”2.对温度计进行定标,绘制T-I(温度-电流)定标曲线。

3.用标定后的温度计,测量人体手心的温度,并与标准温度计所测量结果进行比较。

二、实验前应考虑并回答的问题1. 金属、半导体电阻随温度变化大致有怎么样的规律?2. 金属或半导体材料制成的热敏电阻随温度变化是线性的吗?3. 传感器为什么要定标?4. 非平衡电桥有什么用途?三、实验室可以提供的主要仪器1. 负温度系数半导体热敏电阻一支[25℃时电阻约5KΩ,B值3950/℃]2. 可调温压电源、微安表、万用表(不能当电压表用)。

3. 电加热水壶、金属水杯。

4. 玻璃温度计一支(0~100℃,准确度1℃)。

5. 电阻箱3个、塑料清洗瓶1个、开关和导线等。

四、实验设计报告和实验报告的要求(1). 实验设计报告的要求:1.实验目的;2.实验仪器[含仪器参数];3.实验原理[热敏电阻、非平衡电桥测温原理,有电流-电阻关系公式,实验设计思路解释];4. 电路中仪器的可调物理量数值预先选定和计算[电桥上三个电阻阻值、电源总电压等],5. 实验步骤[结合预先选择和计算的的数据,准确写出“把电阻箱阻值调到xxΩ,电源电压调到x.xxV”],6. 数据表[结合测量量和自变量,此外,电路中所用仪器的数值量都要记录;7. 实验注意事项。

(2) 实验报告的要求:在实验设计报告的基础上,增加实验中测量到的数据,完成数据处理和分析,实验总结和感受。

五、实验原理:1. 半导体热敏电阻半导体热敏电阻随温度变化典型特性可分为三种类型:负温度系数热敏电阻(NTC );正温度系数热敏电阻(PTC )和特定温度下电阻值发生突变电阻器(CTR )。

具有负温度系数的热敏电阻,电阻值随温度升高而迅速下降,这是因为热敏电阻由一些金属氧化物如Fe 3O 4、MgCr 2O 4等半导体制成,在这些半导体内部,自由电子数目随温度的升高增加得很快,导电能力很快增强;虽然原子振动也会加剧并阻碍电子的运动,但这种作用对导电性能的影响远小于电子被释放而改变导电性能的作用,所以温度上升会使电阻值迅速下降。

用热敏电阻测量温度-实验报告

用热敏电阻测量温度-实验报告

实验题目:用热敏电阻测量温度实验目的:了解热敏电阻的电阻-温度特性和测温原理,掌握惠斯通电桥的原理和使用方法,学习坐标、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。

实验原理:1、半导体热敏电阻的电阻-温度特性某些金属氧化物半导体(如:Fe 3O 4、MgCr 2O 4等)的电阻与 温度关系满足式(1):TBT e R R ∞= (1) 金属的电阻与温度的关系满足(2):)](1[1212t t a R R t t -+= (2)根据定义,电阻的温度系数可由式(3)来决定:dtdR R a tt 1=(3)两种情况的电阻温度曲线如又图(1)图(2)所示。

热敏电阻的电阻-温度特性与金属的电阻-温度特性比较,有 三个特点:(1) 热敏电阻的电阻-温度特性是非线性的(呈指数下降),而金属的电阻-温度特性是线性的。

(2) 热敏电阻的阻值随温度的增加而减小,因此温度系数是负的(2TB a ∝)。

金属的温度系数是正的(dt dR a /∝)。

(3) 半导体电阻对温度变化的反应比金属电阻灵敏得多。

这些差异的产生是因为当温度升高时,原子运动加剧,对金属中自由电子的运动有阻碍作用,故金属的电阻随温度的升高而呈线性缓慢增加;而在半导体中是靠空穴导电,当温度升高时,电子运动更频繁,产生更多的空穴,从而促进导电。

2、惠斯通电桥的工作原理原理图如右图所示:若G 中检流为0,则B 和D 等势,故此时021R R R R x =,在检流计的灵敏度范围内得到R x 的值。

当B 和D 两点电位相等时,G 中无电流通过,电桥便达到了平衡。

平衡时必有021R R R R x =,R 1/R 2和R 0都已知,R x 即可求出。

R 1/R 2称电桥的比例臂。

021R R R R x =是在电桥平衡的条件下推导出来的。

电桥是否平衡是由检流计有无偏转来判断的,而检流计的灵敏度总是有限的。

引入电桥灵敏度S ,定义为:xx R R nS /∆∆=(4)式中ΔR x 指的是在电桥平衡后R x 的微小改变量(实际上待测电阻R x 若不能改变,可通过改变标准电阻R 0来测电桥灵敏度),Δn 越大,说明电桥灵敏度越高,带来的测量误差就越小。

计算机仿真实验半导体热敏电阻的电阻—温度特性实验报告

计算机仿真实验半导体热敏电阻的电阻—温度特性实验报告

半导体热敏电阻的电阻—温度特性实验原理 1. 半导体热敏电阻的电阻—温度特性:某些金属氧化物半导体(如:Fe3O4、MgCr2O4 等)的电阻与温度的关系满足式(1)RT = R∞ eB T(1)式中 RT 是温度为 T 时的热敏电阻阻值,R∞ 是 T 趋于无穷时热敏电阻的阻值①,B 是热敏电阻的材料常数, T 为热力学温度。

热敏电阻对温度变化反应的灵敏度一般由电阻温度系数α来表示。

根据定义,电阻温度系数可由式(2)来决定:α=1 dRT RT dT(2)由于这类热敏电阻的α值为负,因此被称为负温度系数(NTC)热敏电阻,这也是最常见的一类热敏电阻。

2. 惠斯通电桥的工作原理半导体热敏电阻的工作阻值范围一般在 1~106Ω,需要较精确测量时常用电桥法,惠斯通电桥是一种应用很广泛的仪器。

惠斯通电桥的原理如图 1 所示。

四个电阻 R0 、 R1 、R2 和 R x 组成一个四边形,其中 R x 就是待测电阻。

在四边形的一对对角 A 和C 之间连接电源;而在另一对对角 B 和 D 之间接入检流计 G。

当 B 和 D 两点电势相等时,G 中无电流通过,电桥便达到了平衡。

平衡时必D R1 RxSGAGCR2 R B ER0Sb图 1 惠斯通电桥原理图图 2 惠斯通电桥面板图①由于(1)式只在某一温度范围内才适用,所以更确切的说R∞ 仅是公式的一个系数,而并非实际 T 趋于无穷时热敏电阻的阻值。

有 Rx =R1 R R0 , 1 和 R0 都已知, R x 即可求出。

R0 为标准可变电阻,由有四个旋钮的电 R2 R2阻箱组成,最小改变量为 1Ω。

R1 称电桥的比率臂,由一个旋钮调节,它采用十进制固定 R2值,共分 0.001,0.01,0.1,1,10,100,1000 七挡。

测量时应选择合适的挡位,保证测量值有 4 位有效数。

电桥一般自带检流计,如图 2 所示,如果有特殊的精度要求也可外接检流计,本实验采用外接的检流计来判断电桥的平衡。

实验17 半导体热敏电阻的温度

实验17   半导体热敏电阻的温度

实验17 半导体热敏电阻的温度特性研究一、【实验目的】1.研究半导体热敏电阻的温度特性。

2.了解半导体热敏电阻的结构和使用方法。

3.学习用最小二乘法或作图法处理数据的方法二、【实验仪器】DHT -1型多功能恒温控制仪、DHQJ -1型两用非平衡电桥、NTC 半导体热敏电阻三、[实验原理]物体的电阻与温度有关。

在通常温度下,多数纯金属的电阻与温度成线性关系:R=R 0(1+αt ) (17-1)式中:R 是温度为t ℃时的电阻;R 0为0℃时的电阻;α称为电阻温度系数,单位为1/℃。

由半导体材料制成的热敏电阻,根据自身的特性可分为负温度系数(NTC )和正温度系数(PTC )两种,它的导电机理取决于材料的特性。

对于负温度系数的热敏电阻,其阻值随着温度的升高而按指数规律减小。

NTC 热敏电阻和金属的阻值随温度变化的曲线如图 17-1 所示。

图 17-1 NTC 热敏电阻和金属的阻值随温度变化的曲线实验表明,在一定的温度范围内,NTC 热敏电阻的阻值T R 和热力学温度T 之间的关系为T B T Ae R /= (17-2)其中A ,B 为常数,由材料的物理性质决定,常数A ,B 可用实验的方法求得,对(17-2)两边取对数得T B A R T /ln ln += (17-3)由(17-3)式可看出, lnR T 与1/T 成线形关系。

通过实验测得的n 组数据(T R , T ),然后用最小二乘法(或用作图法)得出A 、B , 得出所研究的半导体的电阻随温度变化规律关系式。

四、实验内容1.将热敏电阻和多功能恒温控制仪(见附录5)按图17-2连接好,热敏电阻接到惠斯登电桥被测电阻二接线柱上。

恒温控制仪(左) 热敏电阻(右)图17-2 实验线路连接图2.温度由常温开始,测t(=27℃,28℃,29℃,30℃,31℃,32℃,33℃,34℃)下R。

测量时,取工作电压E=3伏,电桥倍率(×1)。

的热敏电阻阻值T表17-13.将测量的数据记录在表17-1中,用计算器作两个变量(ln ,1/T)统计运算,用最小二乘法或作图法求出A,B,得出关系式。

大学物理 实验6-8半导体温度计设计

大学物理 实验6-8半导体温度计设计

实验6-8 半导体温度计的设计一、 实验目的(1)、了解半导体温度计的基本原理并设计半导体温度计。

(2)、了解非平衡电桥的工作原理及其在非电量电测量中的应用。

二、实验原理半导体温度计是利用半导体的电阻随温度的变化而发生急剧变化的特性而制作的。

因而测量半导体温度计的阻值就可以确定其温度,这种测量方法通常叫做非电量电测法。

半导体热敏电阻的阻值与温度的关系为exp(/)Rt A B T ,其中,A 、B 为与半导体热敏电阻有关的常数,T 为绝对温度。

半导体热敏电阻的电阻温度特性曲线为图6-25所示。

图6-25 半导体热敏电阻的电阻-温度曲线 图6-26 半导体热敏电阻的伏安特性曲线 由于采用非电量的电测法测量半导体材料的阻值,因此还需要了解半导体热敏电阻的伏安特性,其伏安特性曲线如图6-26所示。

其中在刚开始的一段特性曲线a 是线性的。

这是因为电流小时,在半导体材料上消耗的功率不足以显著的改变热敏电阻的温度,因而,这一段符合欧姆定律,当电流增加到使热敏电阻的温度高于周围介质的温度时,其阻值就下降,于是伏安特性曲线是bc 段。

要使热敏电阻用于温度测量,必须要求其阻值只随外界温度的改变而变化,与通过它的电流无关。

因此,其工作区域必须在伏安曲线的直线部分。

实验电路如图6-27所示。

图6-27 实验电路原理图图中G为微安计,R t为热敏电阻。

当电桥平衡时,微安计读数为零,此时满足R1/R2=R3/R t.。

若取R1=R2,则R3的数值就等于R t的数值。

电桥平衡后,其中若某一臂的电阻发生变化(如R t),则平衡将受到破坏,微安计中将会有电流通过。

若电桥电压、微安计的内阻R g、电桥各臂电阻(R1、R2、R3)固定,则可以根据微安计的读数I g的大小计算出R t,再根据热敏电阻的电阻-温度特性曲线测量其对应的温度值,实现对温度的测量。

因此,为使半导体热敏电阻阻值标志温度值,试验中首先要选定电路中E、R1、R2、R3各量,选定方法如下:根据所设计的半导体温度计的测温范围t1~t2,由热敏电阻-温度曲线,查出对应的热敏电阻阻值的下限值R t1和上限值R t2,当热敏电阻阻值为R T1时,使电桥处于平衡状态(I g=0);若取R1=R2、R3=R T1,则R3就是热敏电阻处于测温量程下限温度的电阻值。

(完整版)热敏电阻温度特性的测量

(完整版)热敏电阻温度特性的测量

实验十二 热敏电阻温度特性的测量[实验目的]1。

测量热敏电阻的温度特性2.掌握箱式电桥的使用3。

学习用曲线改直的方法处理数据[教学方法]采用讨论式,提案式教学方法[实验原理]半导体热敏电阻与热电阻相比具有灵敏度高、体积小、反应快等优点。

大多数热敏电阻具有负的温度特性,称为NTC 型热敏电阻,其阻值与温度的关系可表示为 ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=0011T T B T T eR R (1) 式中,0T R 和T R 分别是温度)(0K T 和)(K T 时的阻值;T 和0T 是开尔文温标;B 是材料常数,单位是K 。

也有些热敏电阻具有正的温度特性,称为PTC 型热敏电阻,其阻值与温度的关系可表示为)(00T T B T T e R R -=,热敏电阻的主要性能指标是:(1)标称值H R 是指25℃时的阻值.(2)温度系数T α.定义为温度变化一度时阻值的变化量与该温度下阻值之比dTdR R T T ⋅=1α (3) 将式(2)代入式(3),得2TB T -=α (4) T α不仅与材料常数有关,还与温度有关,低温段比高温段更灵敏。

如果不作特殊说明,是指K T 293=时的T α。

材质不同,T α也有很大差别,大约为(-3~-6)×10—2/K ,它比热电阻的T α高出10倍左右。

图1是CU 电阻和某一负温度系数热敏电阻的温度特性曲线。

热敏电阻的缺点是非线性严重,元件的稳定性较差。

(3)材料常数B 是与材质有关的常数,对NTC 型热敏电阻来说,B 值约为1500—6000K.(2)式两边取对数,得⎪⎪⎭⎫⎝⎛-+=011ln ln 0T T B R R T T (5) 令x T A T B R y R T T ==-=1,ln ,ln 00则(5)式变为Bx A y +=(6)[实验任务]1。

测绘NTC 热敏电阻的温度特性曲线2.绘制T R T 1ln -图,由图求出材料常数B3。

计算温度系数T α[数据处理]中值点(094.7,1097.23-⨯))000.6,1069.2(31-⨯M)333.8,1027.3(32-⨯M)(1002.410)69.227.3(000.6333.8331212K x x y y B ⨯=⨯--=--=-由于不作特殊说明,T α指293K 时的温度系数 所以)(1069.42931002.412232--⨯-=⨯-=-=K T B T α[预习思考题]1。

·半导体温度计的设计实验报告

·半导体温度计的设计实验报告

开放性实验实验报告半导体温度计的设计学院:浙江农林大学天目学院专业:工程技术系班级:汽车服务081班姓名:吴仲虎学号: 200808310225摘要:本文讨论了通过测量半导体热敏电阻的实验,测得实验数据用Origin 软件分析相关数据画出I-T 图像,了解热敏电阻的电阻——温度特性及测温原理,学习惠斯通电桥的原理及使用方法,学习坐标变换、曲线改直的技巧的问题,同时完成半导体温度计的设计。

关键词:origin 软件 热敏电阻 惠斯通电桥 温度电流前言 热敏电阻是由对温度非常敏感的半导体陶瓷质工作体构成的元件。

与一般常用的金属电阻相比,它有大得多的电阻温度系数值。

热敏电阻作为温度传感器具有用料省、成本低、体积小等的优点,它可以简便灵敏地测量微小温度的变化,在很多科学研究领域都有广泛的应用。

本实验的目的是:了解热敏电阻的电阻----温度特性及测温原理,学习惠斯通电桥的原理及使用方法,学习坐标变换、曲线改直的技巧。

一 实验仪器:二 实验原理热敏电阻的电阻值与温度的关系为TBAeR =其中,A 、B 是与半导体材料有关的常数;T 为绝对温度。

根据定义,电阻温度系数为dT dR R t 1=α其中,t R 是在温度为t 时的电阻值。

半导体材料做成的热敏电阻的基本特性是它的温度特性, 这种特性与半导体材料的导电机制密切相关。

温度越高, 载流子的数目越多, 导电能力越强, 电阻率也就越小。

由于半导体中载流子数目随温度升高而按指数规律迅速增加, 因此随着温度的升高, 热敏电阻的阻值将按指数规律迅速减小。

半导体温度计是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的,以半导体热敏电阻为传感器,通过测量其电阻值来确定温度的仪器。

这种测量方法称为非电量的电测法,为了实现这种方法,采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值,还需要了解热敏电阻的伏安特性。

半导体温度计测温电路的原理图如右:图中G 是微安表, RT 为热敏电阻,当电桥平衡时,表的指示必为零,此时应满足条件:r321R R R R若取R 1 = R 2,则R 3的数值即为R T 的数值。

ntc热敏电阻电路设计

ntc热敏电阻电路设计

ntc热敏电阻电路设计
【实用版】
目录
一、NTC 热敏电阻的概念与特性
二、NTC 热敏电阻电路设计原理
三、NTC 热敏电阻电路应用实例
四、NTC 热敏电阻电路的优点与局限性
正文
一、NTC 热敏电阻的概念与特性
TC(Negative Temperature Coefficient)热敏电阻是一种具有负温度系数的半导体陶瓷材料,其电阻值随温度的升高而呈指数关系减小。

NTC 热敏电阻器广泛应用于测温、控温、温度补偿等方面,具有精度高、感温时间短等优点。

二、NTC 热敏电阻电路设计原理
TC 热敏电阻电路设计主要依据其特性,通过电阻的变化实现对温度的测量与控制。

常见的 NTC 热敏电阻电路设计包括电桥平衡电路、分压电路等。

1.电桥平衡电路:在电桥平衡电路中,NTC 热敏电阻作为温度传感器,其阻值随温度变化而变化,使得电桥平衡电阻也随温度变化而变化,从而实现对温度的测量。

2.分压电路:在分压电路中,NTC 热敏电阻与固定电阻共同组成分压电阻,其阻值随温度变化而变化,从而改变分压电阻的电压,实现对温度的测量与控制。

三、NTC 热敏电阻电路应用实例
TC 热敏电阻电路广泛应用于各种测温、控温场景,如粮仓测温仪、食品储存、医药卫生、科学种田、海洋、深井、高空、冰川等领域的温度测量。

四、NTC 热敏电阻电路的优点与局限性
TC 热敏电阻电路具有精度高、感温时间短、结构简单等优点,适用于各种温度测量与控制场景。

铜电阻和半导体热敏电阻温度特性测量实验设计与实现

铜电阻和半导体热敏电阻温度特性测量实验设计与实现

中图分类号:O4-33 文献标志码:A D0l:10.14139/22-1228.2021.பைடு நூலகம்3.015
1原理简述
1.1半导体热敏电阻原理 在一定的温度范围内半导体热敏电阻随温度
升高电阻率下降称为负温度系数热敏电阻(简称
“NTC”元件),其电阻率Pt随热力学温度T的关
系为:几=A0eB/T,式中A°与B为常数。热敏电阻 在温度升高到某特定范围时电阻率会急剧上升称 为正温度系数热敏电阻(简称“PTC”元件)o其 电阻率的温度特性为:Pt = A'eBp",式中A'、Bp为 常数,由材料物理性质决定。对于截面均匀的 “NTC”元件,阻值&由下式表示:«t = Pt S =
[J].大学物理实验,2013,26(2) :45-47. [4] 孙庆龙.NTC热敏电阻温度特性研究[J].大学物理
实验,2013,26(4):16-17.
Design and Realization of Copper and Resistance Semiconductor Thermistor Temperature Characteristic Measurement Experiment
测量赋值正禳
阳’=[电压,通道兰伏仍] [电流,通道触毫安mA)]
图8 Ncu、Nptc和Nntc在850数据采集器测量赋值
图7铜电阻、正、负温度系数热敏电阻与温度特性曲线以及 外加正负热敏电阻上的2 mA电流图
4误差分析
实验过程中出现的误差也是一个要考虑的重 要因素,我们在相同室温27 C下打开11台 FB203型恒流智能控温实验仪,它们开机时仪器 显示温度分别为:28 °C、28.5 °C、28.7 °C、28.3 °C、 27.7 C ,28.5 C、27.3 C ,26.9 C ,28.4 C ,28.2 C、 28.1 C,不完全相同,在相同温度下每台设备测得 的铜电阻、正温度系数电阻、负温度系数电阻也不 相同,控温仪显示的温度与计算机屏幕上电阻与 温度曲线的温度相差2 C左右,我们测得铂电阻 与温度的关系式为Tbo = 2.6Rbo-260,相同加热条 件下铂电阻温度高于控温仪显示温度5C左右, 在精度为5%〜10%的情况下是可以接受的。但 是误差还是存在,可以考虑在控温仪放铜电阻、铂 电阻、负温度系数和正温度系数热敏电阻的罐子 中加一个高精度温度传感器保障温度相对正确。 实验促使学生去分析思考问题,加深学生对误差 的认识理解和分析。

半导体热敏电阻的电压-温度曲线实验报告

半导体热敏电阻的电压-温度曲线实验报告

实验名称:半导体热电特性综合实验姓名学号班级桌号教室第一实验楼609实验日期 20 年月日节一、实验目的:(实验前,必须要熟悉EXCEL计算功能!否则,难以实验。

)1.了解半导体热敏电阻的微观机制。

2.测量半导体热敏电阻的电压-温度曲线。

3.学习用最小二乘法拟合热敏电阻的温度系数(热敏指数)4.了解计算机实时采集、应用EXCEL处理实验数据(自己提前学习)二、实验仪器1 通讯线接口2 温度显示窗口3 电压显示窗口4 制冷电流表5 按键6 测量线接口7 温控线接口8 指示灯9 样品池 10 档位选择开关注1. 正常开机后进入空闲状态,温度显示屏显示测量室的温度t (单位:℃),电压显示屏显示当前被测样品在该温度下的电压降U(单位:mV),被测样品的电阻值可用R=U/I求出,I是被测样品通过的恒定电流,实验用仪器已经调整在20μA。

注2. 档位选择开关选为“V” 时电压窗口显示样品(硅热敏电阻)两端电压值。

三、实验原理1 半导体热敏电阻的热电特性(1)半导体材料的热电特性:其热电特性非常显著,因此,常用作温度传感器的材料。

在较大的温度范围内,半导体都具有负的电阻温度系数。

半导体的导电机制比较复杂,载流子的浓度受温度的影响很大,因此半导体的电阻率受温度影响也很大。

随着温度的升高,热激发的载流子数量增加,导致电阻率减小,因此呈现负的温度系数的关系。

但是实际应用的半导体,往往通过搀杂工艺来提高半导体的性质,这些杂质原子的激发,同样对半导体的电输运性能产生很大的影响。

同时在半导体中还存在晶格散射、电离杂质散射等多种散射机制存在,因此半导体具有非常复杂的电阻温度关系,往往不能用一些简单的函数概括,但在某些温度区间,其电阻温度关系可以用经验公式来概括,如本实验中用的半导体热敏电阻,它的阻值与温度关系近似满足下式:(1)式中R0为T0时的电阻(初值), R是温度为T时的电阻,T为绝对温度,B 为温度系数(热敏指数)。

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1.2.2 模数转换器
A/D转换器的转换精度对测量电路及其重要,它的参数关系到测量性能。本设计采用C8051F410内部12位SAR ADC作为A/D转换部件,它的性能比较稳定,转换速度较高,抗干扰能力较强。由于本系统测量的是温度信号,响应时间长,滞后大,不要求太高的精度,因此选择C8051F410内部的A/D转换器不仅可以很好的满足设计的基本要求还可以简化系统电路,使测量系统简洁化,实用化。
NTC热敏电阻器的电阻与温度的关系为:
热敏电阻测温仪表具体设计指标:
1.输入信号:热敏电阻;
2.显示方法:LED数码管;
3.供电电源:220VAC;
4.测温误差:≤1℃。
四、设计时间及进度安排
设计时间共三周(2011.03.7~2011.03.25),具体安排如下表:
周次
设计内容
设计时间
第一周
1.学习C8051F410单片机体系结构及程序开发;
1.2.3 显示模块
本设计采用传统的共阳极七段数码LED显示器,虽然LED能简单的显示出测量温度,但是与单片机相连的时候线路比较复杂。
1.2.4 电源模块
220V交流电源经1K的电阻(充当保险丝的作用)和变压器相连接,变压器再与桥式整流模块相连接,桥式整流模块再经1000uF的滤波电容后和7805稳压模块相连接经100uF的滤波电容后获得VCC+5V的电压。用以给所需要的地方提供电源。C8051F410单片机内部还有电源为其提供所需要的电。
摘要:在生产过程中,为了高效地进行生产,必须对其主要参数,如温度、压力、流量等进行有效的控制。温度控制在生产过程中占有相当大的比例。在日常生活及工业生产过程中,经常要用到温度的检测及控制,温度是生产程和科学实验中普遍而且重要的物理参数之一。温度测量是温度控制的基础,技术已经比较成熟。该设计介绍了一种利用单片机C8051F410组成的温度控制系统,从硬件和软件两方面介绍了单片机温度控制系统的设计思路。着重介绍了硬件原理图和程序框图。阐述了系统的工作原理、设计及实现。由热敏电阻测量当前的温度,并将结果送入单片机。然后通过C8051F410单片机对送来的温度进行计算和转换,并将此结果送入显示模块。最后,由LED数码管将温度显示出来。它可以实时的显示和设定温度,实现对温度的控制,同时系统结构简单、性能可靠、具有扩展性好,分辨率高,测量范围宽,抗干扰性强等特点。
2.设计半导体热敏电阻测温电路,并应用Protel画出其电路原理图。
第二周
1.完成半导体热敏电阻测温系统的焊装和硬件调试;
2.编写实验程序。
第三周
1.整机调试;
2.撰写设计说明书;
3.答辩。
五、指导教师评语及学生成绩
指导教师评语:
年 月 日
成绩
指导教师(签字):
摘 要
(题目):半导体热敏电阻测温仪表的设计
信息与控制工程学院硬件课程设计说明书
设计题目
半导体热敏电阻测温仪表的设计
学生学号:
学生姓名:
专业班级:
指导教师:
职称:
起止日期:
课程设计任务书
一、设计题目:半导体热敏电阻测温仪表的设计
二、设计目的
1、掌握对电路板的设计流程及焊接技巧;
2、掌握C8051F410单片机体系结构及C语言程序设计方法;
3、掌握半导体热敏电阻的测温及热敏电阻测温过程的标定方法;
第2章 硬件设计及元件介绍
2.1 热敏电阻元件介绍
2.1.1 热敏电阻工作原理
NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件,所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料, 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质,因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时,这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少,所以其电阻值较高;随着温度的升高,载流子数目增加,所以电阻值降低。
图 1-1 整体设计框图
1.2.1 单片机
C8051F410器件是完全集成的低功耗混合信号片上系统型MCU。具有高速、流水线结构的8051兼容的为控制器核(可达50MIPS),真12位200ksps的24通道ADC,全速、非侵入式的在系统调试接口,带模拟多路器、高进度可编程的24.5MHz内部振荡器,达32KB的片内FLASH存储器,4个通用的16位定时器,多达24个端口I/O等,具有片内上电复位、VDD监视器、看门狗定时器和时钟振荡器的C8051F410器件是真正能独立工作的片上系统。FLASH存储器还具有在系统重新编程能力,可用于非易失性数据存储,并允许现场更新8051固件。用户软件对所有外设具有完全的控制,可以关断任一个或所有外设以节省功耗。
关键字:C8051F410单片机;热敏电阻;温度测量
第1章
1.1 课题的设计目的
课程设计是学生理论联系实际的重要实践教学环节,是对学生进行的一次综合性专业设计训练。通过课程设计使学生获得以下几方面能力,为毕业设计(论文)奠定基础。
1)进一步巩固和加深学生所学一门或几门相关专业课(或专业基础课)理论知识,培养学生设计、计算、绘图、计算机应用、文献查阅、报告撰写等基本技能。
2)培养学生实践动手能力及独立分析和解决工程实际问题的能力。
3)培养学生的团队协作精神、创新意识、严肃认真的治学态度和严谨求实的工作作风。
1.2 总体设计框图
本方案以C8051F410单片机系统为核心,对单点的温度进行实时测量。并采用热敏电阻作为温度传感器,C8051F410内部12位SAR ADC作为A/D转换部件作为温度信号的采集,具有大范围、高精度的特点。最后通过LED数码管显示结果。本方案在功能、性能、可操作性等方面都有较大的提升,具有更高的性价比。整体设计框图如图1-1所示:
4、掌握利用Keil进行软件仿真及对可编程逻辑器件进行硬件下载的方法;
5、用Protel 软件进行电路图的绘制, 译码器及LED动态扫描显示驱动电路设计的方法。
三、设计任务及要求
要求学生设计出能够采集R25=10K的热敏电阻测温仪表,分析热敏电阻测温原理,能够通过软件将热敏电阻的阻值-温度特性转换出来,掌握热敏电阻测温过程的标定方法。
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