BAS40W-04(SOT-323)肖特基二极管规格

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SOT323封装二极管

SOT323封装二极管

NC
K
K
NC
A A
BAT54W
K2
A
K2
A
K1 K1
BAT54AW
A2
K
A2
K
A1 A1
BAT54CW
K2
A2
K1
A2
K2
K1
A1
A1
BAT54SW
SOT-323
A 86 K
BAT54J SOD-323
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
Parameter
C(pF) 10
5
2
1
1
2
VR(V)
5
10
F=1MHz Tj=25°C
20 30
Zth(j-a)/Rth(j-a) 1.00
δ = 0.5
0.10
δ = 0.2 δ = 0.1
Single pulse
0.01 1E-3
1E-2
T
tp(s) 1E-1 1E+0
δ=tp/T 1E+1
tp
1E+2
Fig. 6: Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under each lead (Epoxy printedcircuit board FR4, copper thickness: 35µm.)
Tj(°C)
1E-2
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75 100 125 150
Fig. 4: Junction capacitance versus reverse voltage applied (typical values).

BAS40W-05(SOT-323)肖特基二极管规格书

BAS40W-05(SOT-323)肖特基二极管规格书

Symbol
Test conditions
Min
V(BR)
IR= 10μA
40
IR
VR=30V
VF
IF=1mA
IF=40mA
CD
VR=0,f=1MHz
t rr
Irr=1mA, IR=IF=10mA
RL=100Ω
Max
Unit
V
200
nA
380 mV
1000
5
pF
5
ns
B,Jul,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
回访记录
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1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写,可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送,并请客户将此单打印盖章后 邮件至:Service@nsc。 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况,及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后,南京公司有现货24小时内发出,如需订货,交期3-4周,非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费,运费到付(一般选择顺丰快递);样品数量规定:单个型号5~20pcs, 或按单机数量2~5套。 6、特别说明:由于体制约束等不确定因素,我们并不保证样品数量和型号完全符合要求,也不承诺一定按期 交出。
FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching

贴片二极管封装

贴片二极管封装

贴片二极管封装贴片二极管封装图:贴片二极管封装图一贴片二极管封装图二贴片二极管封装:电子元件技术网相信有些网友在画AVR开发板的PCB时会遇到一个这样的问题,板子上有两个贴片二极管的封装无法确定,分别是1N4001和4148的。

元件上周我已经出去买回来了,我是第一次用贴片二极管,第一次见的时候居然分不清到底哪个是4001,哪个是4148,不得不问卖片子的那家,老板说,大的标着M1的是 4001,小的标着W2的是4148。

其实吧,要是想简单的话,直接拿个尺子量一量,直接在protel上画封装就行了,不过我没有尺子,手头上的直尺还是借对门的,件太小,不好动手量,我认真的劲又犯了,就是想找到这种贴片二极管的标准封装名称及相关数据手册,然后根据标准来画自己的封装库,可以先查了一下花了一个小时时间,确定与贴片二极管有关的封装信息如下,前面几个我可以确定,后边的详细资料我没查:SMA / SMB / SMC / MELF / MINI-MELF / DFS / MINI-DFS /SKY / SF / HER / FR / STD / TVS / SWITCH / ZEMER / DIACES标准封装:SMA <---------------->2010SMB <---------------->2114SMC <---------------->3220SOD123 <---------------->1206SOD323 <---------------->0805SOD523 <---------------->0603还有四种封装名称:DO-214AADO-214ABDO-214ACDO-213AB<-------------->MELF现在IN4007插件(DO-41 DIP)、贴片(DO-214AC也就是SMA)都有。

各式贴片二极管基本参数

各式贴片二极管基本参数

各式贴片二极管基本参数TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) PD(mW) Package 1N4148W 150mA 75 1.25 1.0 350 SOD-123 1N4448W 250mA 75 1.25 2.5 350 SOD-123 BAV16W 150mA 75 1.25 1.0 400 SOD-123 BAV19W 200mA 100 1.25 0.1 250 SOD-123 BAV20W 200mA 150 1.25 0.1 250 SOD-123 BAV21W 200mA 200 1.25 0.1 250 SOD-123 1N4148WS 150mA 75 1.25 1.0 350 SOD-323 1N4448WS 250mA 75 1.25 2.5 350 SOD-323 BAV16WS 150mA 75 1.25 1.0 400 SOD-323 BAV19WS 200mA 100 1.25 0.1 250 SOD-323 BAV20WS 200mA 150 1.25 0.1 250 SOD-323 BAV21WS 200mA 200 1.25 0.1 250 SOD-323 1SS387 100mA 80 1.2 0.5 150 SOD-523 1SS388 100mA 40 0.6 5.0 150 SOD-523 1SS400 100mA 90 1.2 0.1 150 SOD-523 1SS422 150mA 85 1.2 0.1 150 SOD-523 BAS16X 150mA 75 1.25 1.0 150 SOD-523 BAS516 200mA 75 1.25 1.0 200 SOD-523 1SS400G 100mA 90 1.2 0.1 100 SOD-723 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) Trr(nS) Package BAT42W - 30 0.65 0.2 - SOD-123 BAT43W - 30 0.45 0.2 - SOD-123 BAT46W - 30 0.45 0.2 - SOD-123 SD101AW - 60 1.0 0.2 - SOD-123 SD101BW - 50 0.95 0.2 - SOD-123 SD101CW - 40 0.9 0.2 - SOD-123 1N5711W - 70 1.0 0.2 - SOD-123 1N6263W - 60 1.0 0.2 - SOD-123 B0520W 0.5 20 0.385 250 - SOD-123 B0530W 0.5 30 0.43 130 - SOD-123 B0540W 0.5 40 0.62 20 - SOD-123 B5817W 1.0 20 0.75 1000 - SOD-123 B5819W 1.0 40 0.9 1000 - SOD-123 FM120-M-FM1100-M 1.0 20-100 0.5-0.85 1000 - SOD-123 FM220-M-FM2100-M 2.0 20-100 0.5-0.85 1000 - SOD-123 BAT42WS - 30 0.65 0.5 - SOD-323 BAT43WS - 30 0.45 0.5 - SOD-323 BAT54WS - 30 1.0 2.0 - SOD-323BAS40WS - 40 1.0 0.2 - SOD-323 BAS70WS - 70 1.0 0.1 - SOD-323 SD101AWS - 60 1.0 0.2 - SOD-323 SD101BWS - 50 0.95 0.2 - SOD-323 SD101CWS - 40 0.9 0.2 - SOD-323 SD103AWS - 40 0.37 5.0 - SOD-323 SD103BWS - 30 0.6 5.0 - SOD-323 SD103CWS - 20 0.6 5.0 - SOD-323 MBR0520WS - 20 0.31 0.1 - SOD-323 MBR0530WS - 30 0.36 0.03 - SOD-323 MBR0540WS - 40 0.36 0.03 - SOD-323 1N5711WS - 70 1.0 0.2 - SOD-323 BAT54X 200mA 30 0.8 2.0 - SOD-523 RB520S-30 200mA 30 0.45 0.5 - SOD-523 RB521S-30 200mA 30 0.35 10 - SOD-523 RB751S-40 30mA 40 0.37 0.5 - SOD-523 RB520G-30 100mA 30 0.345 0.5 - SOD-723 RB521G-30 100mA 30 0.35 10 - SOD-723 RB751G-40 30mA 40 0.37 0.5 - SOD-723 FM4001-M-FM4007-M 1.0 50-1000 1.10 5.0 - SOD-123 FFM-101-M-FFM107-M 1.0 50-1000 1.3 5.0 150-500 SOD-123 MURX0505-MURX0560 0.5 50-600 1.35 5.0 75 SOD-123 HFM101-M-HFM107-M 1.0 50-1000 1.0-1.7 5.0 50-75 SOD-123 BB910 a a a a a SOD-123 BZT52C2V4-BZT52C51 1/2W a a a a SOD-123 BZT52C2V0S-BZT52C39S 1/4W a a a a SOD-323 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) PD(mW) Package 1SS181 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS184 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS187 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS190 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS193 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS196 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 1SS226 - 80 1.2 0.5 150 SOT-23 BAL99LT1 - 70 1.25 2.5 350 SOT-23 BAS116LT1 - 75 1.25 5.0 300 SOT-23 BAS16LT1 - 75 1.25 1.0 225 SOT-23 BAS19LT1 - 120 1.25 0.1 225 SOT-23 BAS21LT1 - 250 1.25 1.0 225 SOT-23 BAV70LT1 - 70 1.0 5.0 350 SOT-23BAW56LT1 - 70 1.0 2.5 350 SOT-23 BAV74LT1 - 50 1.0 0.1 225 SOT-23 BAV99LT1 - 70 1.25 2.5 225 SOT-23 DAN202K - 70 1.25 2.5 225 SOT-23 DAP202K - 70 1.25 2.5 225 SOT-23 MA147 - 80 1.2 100 - SOT-23 MA153 - 40 1.2 0.1 - SOT-23 MA153A - 80 1.2 0.1 - SOT-23 MA157A - 80 1.2 0.1 - SOT-23 MMBD914LT1 - 75 1.25 2.5 225 SOT-23 MMBD2836LT1 - 75 1.0 0.1 225 SOT-23 MMBD2838LT1 - 75 1.2 0.1 225 SOT-23 MMBD6050LT1 - 70 1.1 0.1 225 SOT-23 MMBD7000LT1 - 100 1.1 5.0 225 SOT-23 SDS7000 - 100 1.1 5.0 225 SOT-23 BAS16W - 75 1.25 1.0 200 SOT-323 BAS19W - 100 1.25 0.1 200 SOT-323 BAS20W - 150 1.25 0.1 200 SOT-323 BAS21W - 200 1.25 0.1 200 SOT-323 BAV70W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 BAV99W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 BAW56W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 MMBD4148W - 75 1.25 1.0 200 SOT-323 MMBD4448W - 75 1.25 2.5 200 SOT-323 BAS16T - 85 1.25 2.0 150 SOT-523 BAW56T - 85 1.25 2.0 150 SOT-523 BAV70T - 85 1.25 2.0 150 SOT-523 BAV99T - 85 1.0 2.0 150 SOT-523 DAN222 - 80 1.2 0.1 100 SOT-523 DAP222 - 80 1.2 0.1 100 SOT-523 BAV70DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAV756DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAV99BRW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAV99DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 BAW56DW - 75 1.25 2.5 200 SOT-363 MMBD4148TW - 75 1.25 1.0 200 SOT-363 BAS16TW - 75 1.25 1.0 200 SOT-363 MMBD4448HADW-HTW - 80 1.25 0.1 200 SOT-363 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) Trr(nS) Package BAS40LT1 - 40 1.0 100 - SOT-23BAS70LT1 - 30 0.45 100 - SOT-23BAS70LT1-04 - 70 1.0 100 - SOT-23BAS70LT1-05 - 70 1.0 100 - SOT-23BAS70LT1-06 - 70 1.0 100 - SOT-23 BAT54A - 30 1.0 2.0 - SOT-23BAT54C - 30 1.0 2.0 - SOT-23BAT54S - 30 1.0 2.0 - SOT-231N5817 - 20 0.75 1.0 - SOT-23-3L1N5819 - 40 0.9 1.0 - SOT-23-3LRB400D - 40 0.55 0.5 - SOT-23-3LRB420D - 40 0.45 0.01 - SOT-23-3LRB421D - 40 0.34 0.01 - SOT-23-3LRB425D - 40 0.34 0.01 - SOT-23-3LRB491D - 25 0.45 1.0 - SOT-23-3LRB495D - 25 0.5 0.2 - SOT-23-3LBAS40W - 40 1.0 0.2 - SOT-323BAS40W-04 - 40 1.0 0.2 - SOT-323BAS40W-05 - 40 1.0 0.2 - SOT-323BAS40W-06 - 40 1.0 0.2 - SOT-323BAS70W - 70 1.0 0.1 - SOT-323BAS70W-04 - 30 1.0 0.1 - SOT-323BAS70W-05 - 30 1.0 0.1 - SOT-323BAS70W-06 - 30 1.0 0.1 - SOT-323BAT54W - 30 1.0 2.0 - SOT-323BAT54AW - 30 1.0 2.0 - SOT-323BAT54CW - 30 1.0 2.0 - SOT-323BAT54SW - 30 1.0 2.0 - SOT-323RB706F-40 - 30 1.0 1.0 - SOT-323RB715F - 30 1.0 1.0 - SOT-323RB715W - 40 0.37 1.0 - SOT-523 BAT54TW-SDW - 30 1.0 2.0 - SOT-363 BZX84C2V4-BZX84C75 a a a a a SOT-23 AZ23C2V7-C51 aaaaaa a a a a SOT-23 BZX84C2V4W-BZX84C39W a a a a a SOT-323 TYPE Io(A) VR(V) VF(V) IR(μA) Trr Package DL4001-DL4007 1.0 50-1000 1.1 5.0 - MELF DL120-DL160 1.0 20-60 0.55-0.70 1000 - MELF DL5817-DL5819 1.0 20-40 0.45-0.60 100 - MELF DLF101-DLF106 1.0 50-800 1.3 5.0 150-500 MELF DL4933-DL4937 1.0 50-600 1.3 5.0 200 MELF。

肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释

肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释

肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名:肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,完整的叫法是:肖特基整流二极管(Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR),也有人叫做:肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD)的简称。

肖特基:Schottky整流:RectifierSR:即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管,简称:SR,比如:SR107,SR10100CT......肖特基:Schottky势垒:BarrierSB:即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管,简称:SB,比如:SB107,SB1045CT......Schottky Barrier Diode:也有简写为:SBD 来命名产品型号前缀的。

但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成PN 结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

因此,SBD 也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名?因为最早是世界著名半导体公司-摩托罗拉半导体命名的产品型号M:是以最早 MOTOROLA 的命名,取 MB:Bridge 桥;Barrier:势垒R:Rectifier,整流器“MBR”意为整流器件SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二极管。

例如:MBR10200CT M:MOTOROLA 缩写 MB:Barrier1 缩写 BR:Rectifier 缩写 R10:电流 10A200:电压 200VC:表示 TO-220AB 封装,常指半塑封。

BAS40WX资料

BAS40WX资料

l Fast Switching Speed l Low Turn-on Voltagel Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertionl PN Junction Guard Ring for Transient and ESD ProtectionMechanical Datal Marking: 43l Polarity: Indicated by Cathode Bandl Case Material: Molded Plastic. UL FlammabilityClassification Rating 94V-0Maximum Ratings @ 25o C Unless Otherwise SpecifiedCharacteristicSymbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse VoltageDC Blocking Voltage V RRM V RWM V R 40V RMS Reverse Voltage V R(RMS)28V Forward Continuous Current(Note1)I FM 200mA Forward Surge Current @ t<1.0s I FSM 600mA Power Dissipation(Note 1)P d 350mWThermal Resistance(Note 1)R 357o C/W Operation Temp. Range T j -55 to +125o C Storage Temp. RangeT STG-65 to +150oCElectrical Characteristics @ 25o C Unless Otherwise SpecifiedCharateristic Symbol Min Typ Max Unit Test Cond.Forward Voltage V F ----------0.381V t p <300us I F =1.0mA t p <300us I F =40mA Reverse LeakageCurrent I R -----20200nA t p <300us V R =30V Junction Capacitance C j -----45pF V R =0V, f=1.0MHz Reverse RecoveryTimet rr----------5nsI F =I R =10mA I R =1.0mA,R L =100OHMNote : 1. Valid provided that terminals are kept atambient temperature.omp onents 20736 Marilla Street Chatsworth! "# $ % ! "#www.mccsemi .comRevision: 4 2006/05/13Micro Commercial Components1 of 2Revision: 4 2006/05/13Micro Commercial Componentswww.mccsemi .com2 of 2products are represented on our website, harmless against all damages.***APPLICATIONS DISCLAIMER******IMPORTANT NOTICE***Aerospace or Military Applications.Products offer by Micro Commercial Components Corp .are not intended for use in Medical,Micro Commercial Components Corp . reserve s the right to make changes without further notice to any product herein to make corrections, modifications , enhancements , improvements , or other changes .Micro Commercial Components Corp .does not assume any liability arising out of the application or use of any product described herein; neither does it convey any license under its patent rights ,nor the rights of others . The user of products in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Micro Commercial Components Corp .and all the companies whose。

二极管封装大全

二极管封装大全

二极管封装大全篇一:贴片二极管型号、参数贴片二极管型号.参数查询1、肖特基二极管SMA(DO214AC)2010-2-2 16:39:35标准封装:SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206篇二:常见贴片二极管三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装二极管:名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称SMCSMBSMA SOD-106SC-77ASC-76/SC-90ASC-79三极管:LDPAKDPAK SC-63SOT-223 SC-73TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAKSOT-723SOT-923 VMT3篇三:常用二极管的识别及ic封装技术常用晶体二极管的识别晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。

1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。

2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。

发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。

肖特基二极管的几中封装-概述说明以及解释

肖特基二极管的几中封装-概述说明以及解释

肖特基二极管的几中封装-概述说明以及解释1.引言1.1 概述肖特基二极管广泛应用于电子电路中,其性能优越且具有多种封装类型。

本文将重点探讨肖特基二极管的几种封装类型及其特点。

在开始介绍各种封装类型之前,我们先对肖特基二极管进行简要概述。

肖特基二极管是一种特殊结构的二极管,它由金属与半导体形成的异质结构组成。

相较于普通的二极管,肖特基二极管具有更快的开关速度、较低的开启电压和较小的开启电流等优点。

这些特性使得肖特基二极管在嵌入式系统、功率管理、高频电路以及模拟电路等领域得到广泛应用。

对于肖特基二极管的封装类型,本文将着重介绍TO-92和SOT-23两种常见的封装形式。

这两种封装形式具有各自的特点和适用场景,并在实际应用中得到广泛使用。

除了封装类型外,本文还将讨论封装材料的选择和封装形式的设计对于肖特基二极管性能的影响。

这些因素直接影响着器件的散热性能、电气特性以及机械可靠性等方面。

最后,我们将总结肖特基二极管的各种封装类型,并强调封装对器件性能的重要影响。

深入了解肖特基二极管封装类型的优缺点,对于正确选择合适的封装类型,提升电路性能,具有重要意义。

通过本文的阐述,我们希望读者能够全面了解肖特基二极管的封装类型及其特点,从而在实际应用中能够做出明智的选择。

1.2 文章结构本文将围绕肖特基二极管的封装类型展开论述。

首先在引言部分概述肖特基二极管的基本知识,并介绍本文的目的。

接下来在正文部分,将详细介绍肖特基二极管的封装类型,包括TO-92封装和SOT-23封装。

对于每种封装类型,将讨论其特点,包括封装材料选择和封装形式设计。

在结论部分,将总结肖特基二极管的封装类型,并强调封装对器件性能的影响。

通过本文,读者将能够全面了解肖特基二极管的几种封装类型及其特点,从而对肖特基二极管的应用和选择有更深入的认识。

希望本文能为读者提供有价值的信息,并在实际应用中起到指导作用。

1.3 目的目的部分的内容可以按照以下方式编写:目的:肖特基二极管是一种重要的电子器件,具有快速开关、低功耗和高工作频率等特点,被广泛应用于各个领域。

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名:肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,完整的叫法是:肖特基整流二极管(Schottky Rectifier Diode缩写成SR),也有人叫做:肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode缩写成SBD)的简称。

肖特基:Schottky整流:RectifierSR:即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管,简称:SR,比如:SR107,SR10100CT......肖特基:Schottky势垒:BarrierSB:即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管,简称:SB,比如:SB107,SB1045CT......Schottky Barrier Diode:也有简写为:SBD来命名产品型号前缀的。

但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名?因为最早是世界著名半导体公司-摩托罗拉半导体命名的产品型号M:是以最早MOTOROLA的命名,取MB:Bridge 桥;Barrier:势垒R:Rectifier,整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二极管。

例如:MBR10200CTM:MOTOROLA 缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier 缩写R10:电流10A200:电压200VC:表示TO-220AB封装,常指半塑封。

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BAS40W/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching
BAS40W MARKING: 43• BAS40W-06 MARKING: 46 BAS40W-05 MARKING :45 BAS40W-04 MARKING :44
Maximum Ratings @T a =25℃
Parameter Symbol
Limit Unit
Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC b locking v oltage V RRM V RWM V R 40 V
Forward continuous c urrent I FM 200 mA Power d issipation
P D
150
mW
Thermal r esistance j unction to a mbient R θJA 667 ℃/W Junction temperature T J 125 ℃ Storage temperature range
T STG -55~+150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions M in
M ax
U nit
Reverse breakdown voltage V (BR)
I R = 10μA
40 V
Reverse voltage leakage current I R
V R
=30V 200
nA Forward voltage V F
I F =1mA I F =40mA
380 1000
mV
Diode capacitance C D V R =0,f =1MHz 5 pF
Reverse r ecovery time
t r r
I rr =1mA, I R =I F =10mA R L =100Ω
5 n s
B,Jul,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
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表格不够填写,可自行复制。

2、请以附件的形式将该文档通过E-mail 发送,并请客户将此单打印盖章后。

3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况,及时确定该样品申请是否执行及如何执行。

4、收到样品申请单并经审核通过后,南京公司有现货24小时内发出,如需订货,交期3-4周,非常规品顺延1-2周。

5、样品免费,运费到付(一般选择顺丰快递);样品数量规定:单个型号5~20pcs,或按单机数量2~5套。

6、特别说明:由于体制约束等不确定因素,我们并不保证样品数量和型号完全符合要求,也不承诺一定按期交出。

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