铁电薄膜的制备
铁电薄膜的制备课件
铁电薄膜的特性
铁电薄膜具有较高的自发极化强度和 矫顽场强，这使得它们在电容器、存 储器、传感器和驱动器等领域具有广 泛的应用前景。
铁电薄膜还具有良好的热稳定性、化 学稳定性和机械稳定性，能够在恶劣 环境下正常工作。
铁电薄膜的应用
铁电薄膜在信息存储领域具有 广泛的应用，如铁电随机存储 器（FRAM）和铁电存储单元 （FERAM）。
例如，在氧气存在下，某些氧化物材 料可能更容易形成稳定的氧化物薄膜 ；而在氢气存在下，某些金属材料可 能更容易形成氢化物薄膜。
不同气氛下，原子或分子的活动能力 和反应速度不同，因此选择适宜的气 氛对于控制薄膜的生长和组分具有重 要意义。
因此，根据所需的铁电薄膜材料和性 能要求，选择合适的气氛是制备高质 量铁电薄膜的关键。
详细描述
铁电薄膜的电学性能包括电阻、电容、介电常数等参数。这些参数可以通过电学测量技术进行测量，如四探针测 量法、电容-电压测量法等。通过对这些参数的测量和分析，可以了解铁电薄膜的导电性能、介电性能等电学特 性，进而评估其应用潜力。
结构性能表征
总结词
结构性能是铁电薄膜质量的关键因素， 可以通过X射线衍射、电子显微镜等方法 进行表征。
脉冲激光沉积法制备铁电薄膜的步骤包括：将靶材放置在激 光器下，通过激光照射将靶材气化，然后在基底上沉积成膜 。在制备过程中，需要控制激光能量、沉积速率等参数，以 保证薄膜的质量和性能。
金属有机物化学气相沉积法
金属有机物化学气相沉积法是一种利用金属有机物作为前 驱体，通过化学反应在基底上沉积成膜的方法。该方法可 以制备高质量的铁电薄膜，但设备成本较高，且需要严格 控制反应条件。
深入研究铁电机制
深入了解铁电材料的物理机制，为提 高性能和稳定性提供理论支持。
PZT铁电薄膜材料的制备技术
PZT铁电薄膜材料的制各技术1.铁电薄膜材料背景综述薄膜和层状结构工艺的进步对于集成电路和光电子器件的发展是至关重要的臼。
铁电薄膜是指具有铁电性、且厚度在数十纳米至数微米问的薄膜。
铁电材料的研究一般被认为是始于1920年，法国人发现了罗息盐，即酒石酸钾钠(NaKC4H4O6-4H2O),在外电场E作用下，其极化强度P有如图1所示滞后回线关系，表现出特殊的非线性介电行为。
由于图1的P・E 关系曲线有和铁磁体的关系曲线相类似的特点，因而P-E关系被称为电滞回线(Hysteiesisloop)拥有这种特性的晶体被称为“铁电体”，相应的材料被称为“铁电材料”口】。
随后发现了相似结构的KH2P。
4系列；1940〜1958年，发现了第一个不含氢键，具有多个铁电相的铁电体BaPCh; 1959年到上世纪70年代，包括钙钛矿结构的PbPO3系列、铝青铜结构的锯酸盐系列等在内的大量铁电体被发现，也是铁电的软模理论出现并基本完善的时期；上世纪80年代至今，铁电体的研究主要集中于铁电液晶、聚合物复合铁电材料、薄膜材料和异质结构等非均匀系统。
以钻钛酸铅Pb(Zr】_xPx)O3(简称PZT)为代表的一大类铁电压电功能薄膜材料因其具有良好的压电、铁电、热释电、电光及非线性光学等特性，在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景，受到人们的广泛关注和重视几乎所有的铁电体材料均可通过不同的制备技术制成相应的薄膜材料，但迄今为止研究较为集中的铁电薄膜材料主要有两大类，一类是钛酸盐系铁电薄膜; 另一类是锯酸盐系铁电薄膜。
最典型的铁电体是具有钙铁矿结构的铁电体-ABO3(Perovskite)结构，如图2 所示。
佟I 2钙钛矿铁电材料晶胞小意图PZT是典型的ABO3钙钛矿结构，在每个钙钛矿元胞中，铅离子(Pb?与占据8个顶点的位置，氧离子(O')占据6个面心，结或钛粒子亿产m4+)位于八面体的空位。
在现有的铁电薄膜材料中，使用较多的是PZT薄膜系列。
铁电薄膜技术
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其核心流程主要包括以下步骤：**制备工艺流程：**①选材设计：根据应用需求选择合适的铁电材料，如PZT（钛酸铅锆酸盐）、BST（钛酸锶钡）等。
②薄膜沉积：采用多种方法之一沉积薄膜，常见方法有溶胶-凝胶法、磁控溅射法、脉冲激光沉积(PLD)、分子束外延(MBE)等。
这一步骤涉及将材料蒸发或溶解后再沉积到基底上，形成均匀薄层。
③退火处理：沉积后的薄膜需经过退火处理，以提高其结晶度和改善电学性能。
温度和时间的选择对薄膜质量至关重要。
④性能表征：通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等手段，分析薄膜的晶体结构、形貌及电性能，如介电常数、漏电流密度和极化特性。
⑤微结构调控：通过调整工艺参数，如沉积速率、气氛、基底温度等，优化薄膜的微结构，以达到预期的铁电性能。
**应用开发流程：**①器件设计：根据铁电薄膜特性，设计相应的器件结构，如铁电存储器、压电器件、传感器等。
②器件制备：将铁电薄膜集成至器件中，包括图案化、电极制作等微纳加工步骤。
PZT铁电薄膜制备方案
溶胶凝胶法制备PZT铁电薄膜及表征张XX 姚XX 龙XX1．引言1.1 PZT铁电材料的特性铁电材料是一类具有自发极化，且自发极化方向可以随外加电场变化而改变的材料。
从晶体结构类型上，铁电材一料可以分为钙钛矿型和非钙钛矿型两大类，PZT铁电材料就属于典型的钙钛矿型结构[1]。
PZT铁电材料具有一系列优异的性能，如铁电性、压电性、热释电性、介电性，及电光效应、非线性光学效应、光折变效应等各种光学效应。
根据不同的应用要求可以分别制成陶瓷和薄膜。
利用铁电性可以制备非挥发性存储器和动态随机存取存储器等器件。
非挥发性存储器是利用PZT铁电薄膜在一定温度范围内具有自发极化，而且自发极化随外电场反向而反向，形成电滞回线。
压电性就是薄膜在外力作用下发生形变引起薄膜表面荷电的性质，而由于温度变化使薄膜晶体产生电极化的现象称为热释电效应。
1.2 PZT铁电薄膜的制备方法PZT是目前研究最多，应用最广的一类铁电薄膜。
到目前为止，人们已用不同方法成功地制备了铁电性能优良的PZT铁电薄膜。
常用的制备方法有溅射法(包括交流、直流磁控溅射，多离子束溅射等)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、溶胶-凝胶(sol-gel)等。
本研究采用sol-gel方法制备PZT铁电薄膜，sol-gel法是将金属的醇盐或其他有机盐溶解于同一种溶剂中，经过水解、聚合反应形成溶胶。
通过甩胶在基片上形成薄膜，经过干燥和退火处理，形成铁电薄膜。
Sol-gel法工艺中，PZT前体溶胶对制备的薄膜性能影响最大，由于配胶时各组分是在溶液状态下以分子级水平混合、能够精确控制膜的化学计量比和掺杂，所以，只需对溶胶进行控制就能够获得性能良好的铁电薄膜。
2. 实验过程2.1 实验原材料及设备制备铁电前驱体溶液时需要无机盐、有机醇盐及其它化学试剂，其原材料如下表[2]。
实验所用原材料衬底的选择：实验所用的衬底的结构为Pt/Ti/SiO2/Si结构，薄膜的制备方法是MS法。
铁电薄膜的制备及性能分析
铁电薄膜的制备及性能分析随着科技的发展，人们对电子产品的需求不断增加，同时对电子产品的性能也提出了更高的要求。
铁电薄膜作为电子产品的重要材料，其独特的电学、光学和力学性能使其在智能传感、信息存储、可控电磁化器件及光电器件等方面具有广泛应用前景。
本文将介绍铁电薄膜的制备及其性能分析。
一、铁电薄膜的制备技术铁电薄膜的制备技术主要分为物理气相沉积法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、离子束沉积法、分子束外延法和电子束蒸发法等多种方法。
其中，物理气相沉积法是最为常用的方法之一，该方法通过在真空条件下将材料蒸发，在基板表面形成铁电薄膜。
溶胶-凝胶法则是通过化学反应过程将溶液中的材料提取出来，形成凝胶，然后将凝胶涂在基板上，并经过一定的热处理制备铁电薄膜。
离子束沉积法则是将高能离子注入基板表面，使材料原子间发生结合，形成铁电薄膜。
二、铁电薄膜的性能分析铁电薄膜具有许多独特的性质，例如：可选择的饱和极化方向、外场下电学性质的可逆性、高电场容限、非线性介电、高灵敏度、耐高温等。
其中最重要的性能参数是铁电畴极化，铁电畴是铁电性的基本单位，是由一种电偶极子排列形成的。
铁电畴极化是铁电材料的核心特性之一，具有极高的应用价值。
采用极化曲线和压电曲线等方法来研究畴极化和压电性质。
另外，铁电薄膜还具有独特的光学性质，例如：太尔克角（Brewster angle）效应、马赫-曾德勒(Mach-Zehnder)干涉效应和各向异性等。
太尔克角效应是光线以一定角度入射铁电薄膜时，反射率为零，信号传输效果更好。
马赫-曾德勒干涉效应则是将光线传输通过不同材料组成的器件中，利用干涉效应实现光场的调制和控制。
各向异性则是指铁电薄膜的物理性质在不同方向上的差异，可用于光电器件中的光栅等光学元件的制作。
三、结论铁电薄膜作为电子产品的重要材料，具备许多独特的性质和应用前景。
通过不同制备方法和性能分析手段，可以看到铁电薄膜具有许多优异的性能和应用潜力。
PZT铁电薄膜材料的制备技术
PZT铁电薄膜材料的制备技术PZT（铅锆钛）是一种具有铁电和压电性能的材料，因此在传感器、电容器、声波器件等领域有广泛的应用。
PZT铁电薄膜材料的制备技术在近年来得到了大量研究，主要包括溶液法、物理气相沉积（PVD）法和化学气相沉积（CVD）法等多种方法。
下面将对这几种方法进行详细介绍。
1.溶液法溶液法是一种简单、成本低、易于实现的PZT铁电薄膜制备方法。
通常采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，即将Pb（Pb2+）、Zr（Zr4+）、Ti （Ti4+）离子源分别与适量的溶剂混合，形成溶胶溶液，然后通过加热、溶胶凝胶处理和烧结等步骤，得到PZT薄膜。
溶液法制备的PZT铁电薄膜具有较高的结晶度和均匀性，但由于需要多次热处理，制备周期比较长。
2.物理气相沉积（PVD）法PVD法是一种通过蒸发、溅射或离子束轰击等方法在基板表面直接沉积PZT铁电薄膜的技术。
常用的技术包括磁控溅射法、电子束蒸发法和激光沉积法等。
PVD法制备的PZT铁电薄膜具有高纯度、致密度高、晶粒度细等优点，但设备成本高，生产效率低。
3.化学气相沉积（CVD）法CVD法是一种利用气相反应在基板表面生长PZT铁电薄膜的技术。
通常采用金属有机化合物作为前体物质，通过热解反应、气相反应等步骤，使溶液中的Pb、Zr、Ti等元素在基板表面沉积成PZT铁电薄膜。
CVD法制备的PZT铁电薄膜可以精确控制成膜速度、成膜厚度和成膜质量，但是对设备要求高，操作复杂。
除了上述几种主要的制备技术外，还有一些其他方法，如脉冲激光沉积法、微波辅助反应法等。
这些方法都有各自的优缺点，可以根据具体需求选择合适的制备技术。
总的来说，PZT铁电薄膜材料的制备技术在不断发展和完善，未来随着材料工艺的进一步提高，可以实现更高质量、更高性能的PZT铁电薄膜材料。
这将为传感器、电容器、声波器件等领域的应用提供更大的可能性和发展空间。
希望本文能对PZT铁电薄膜材料的制备技术有所帮助。
BST铁电薄膜的制备
E越大，P越大；温度升高，Pr 增大，Ec 减小。
2.4 PZT铁电薄膜的介电性能
Dielectric constant Dissipation factor
1000 800 600 400 200
0 1
(a) 500 0C (b) 550 0C (c) 600 OC
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Voltage (V)
• 综合比较各
温度下PZT铁 电薄膜的铁电、 介电、漏电流 性能，600度的 退火温度效果 最好。
3. PCZT铁电薄膜制备及性能研究
3.1 PCZT薄膜的制备
• 乙酸钴（Co(CH3COO)2·4H2O）
• 工艺流程- as mentioned above
4.4 PCNZT薄膜的介电性能
Dielectric constant
80
(b) 10mol% Co-doped
60
40
20
0
-20
-40
-60
-80 -200 -150 -100 -50 0 50 100 150 200
Electric Field (KV/cm)
80
(c)6000C
60
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100 -200 -150 -100 -50 0 50 100 150 200
Electric Field (KV/cm)
比较PZT与PCZT薄膜的铁电测试图：
1. Co掺杂后的PZT薄膜的剩余极化强度Pr明显 增大, Co=10mol% , Pr=58.6 c/cm2 。这个值 比大多数文献报道的掺杂或不掺杂的PZT薄 膜的剩余极化强度Pr大 。
透明可弯曲的铁电薄膜的制备与表征
透明可弯曲的铁电薄膜的制备与表征随着科学技术的发展，科学家们发现透明可弯曲的铁电薄膜为纳米电子学和纳米光电子学等领域提供了许多发展方向。
这样的铁电薄膜可以应用于太阳能电池、柔性和可穿戴电子器件、传感器等众多领域，对于工业领域和生活中的便捷性和高效性均有很大的意义。
在这里，我们将讨论这种透明可弯曲的铁电薄膜的制备与表征。
第一部分：铁电薄膜制备铁电薄膜的制备一般有浮游法、溶胶法、极化法、紫外光辅助电子束蒸发法等方法。
这些方法有各自的优缺点和适用范围。
1. 浮游法浮游法是在真空环境下通过蒸发转移金属元素来形成薄膜。
这种方法能够在制备各种材料上得到良好的应用。
具体操作步骤为：在真空环境下，将金属材料将至高温后，通过氩气的冲击将金属材料蒸发，蒸汽在低压环境下沉积在基板上，形成铁电薄膜。
这种方法可以制备出高质量的铁电薄膜。
2. 溶胶法溶胶法可以制备出具有优良光学和电学特性的铁电薄膜。
该方法的基本操作步骤为将前驱体材料加入溶剂中，形成胶体溶胶，在基板上通过旋涂、喷涂等方式形成膜层后在高温环境下加热，即得到铁电薄膜。
该方法能够精确地控制薄膜的质量和厚度，并能够形成复杂的薄膜结构。
3. 极化法极化法是通过在高压下施加电场使具有铁电性质的薄膜在基板上极化，形成铁电薄膜。
该方法可以采用真空沉积法、原子层沉积法等方法制备。
这种方法可以在晶体材料上形成高质量的铁电薄膜。
4. 紫外光辅助电子束蒸发法紫外光辅助电子束蒸发法是一种新兴的薄膜制备方法，可以在较低的温度下制备出高质量的铁电薄膜。
该方法是将铁电材料暴露在紫外光和电子束下，强化材料的反应能力，加速沉积速度，从而形成铁电薄膜。
第二部分：铁电薄膜的表征铁电薄膜的表征可以使用多种技术手段，如扫描电镜（SEM）、X射线粉末衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）等。
这些手段可以从不同的角度对薄膜的微观结构和物理性质进行表征。
1. 扫描电镜（SEM）SEM是一种制动电子显微镜，可以对样品进行高分辨率的二维扫描成像。
铁电薄膜制备及其应用研究
铁电薄膜制备及其应用研究一、引言铁电薄膜自上世纪90年代问世以来，便引起了广泛关注。
铁电材料是指具有铁电性质的材料，即具有可逆的电致畸变现象。
铁电材料具有强烈的各向异性、高电场响应度、高容量储能以及快速的响应速度等优异的性能，因此在诸多应用领域中具有广泛的应用前景。
其中，压电材料是铁电材料的一个重要分支，随着科技的不断进步，铁电薄膜在智能材料、传感器、微电子学以及超级电容器等领域中已经显示出广泛的应用前景。
二、铁电薄膜制备技术铁电薄膜的制备技术主要包括溅射法、化学气相沉积法、溶液法、界面修饰法等。
其中，溅射法是制备铁电薄膜的主流工艺之一，具有操作简单、工艺成熟、膜层成分均匀等优势。
化学气相沉积法则更适用于纳米铁电薄膜制备，具有良好的化学均匀性、纯度高等特点。
溶液法则以低成本、易操作等优势被广泛应用于铁电薄膜的制备上，但相较于其他工艺，其制备的铁电薄膜机械强度较低，易导致外界干扰。
三、铁电薄膜应用研究1. 智能材料领域智能材料是指具有感知和响应能力的功能材料，铁电材料在这一领域中拥有巨大潜力。
例如，针对固体物质的数据存储领域，铁电薄膜被应用于非挥发性存储设备中，其具有快速的访问速度、高密度存储和低能耗等优势，从而被广泛应用于智能机场信息化、铁路调度以及数字图书馆等领域。
2. 传感器领域近年来，铁电材料也被广泛应用于传感器领域。
以氧气传感器为例，由于铁电薄膜具有压电效应和电致畸变效应，能够显著提高传感器的灵敏度和可靠性。
铁电薄膜传感器广泛应用于氧气监测、恶劣环境下烟雾探测以及质谱分析等领域。
3. 微电子学领域铁电薄膜也是微电子学领域中重要的研究对象。
随着处理器性能的提升，人们对存储容量和速度的需求也越来越高。
此时，铁电薄膜作为一种非挥发性存储材料成为了新的选择，其可替代传统DRAM和闪存等存储材料。
并且，铁电薄膜还可被应用于压电传感器、智能微电子器件等领域，对于提高微电子器件的可靠性和性能有着非常重要的意义。
铁电薄膜的制备、表征及应用
铁电薄膜的制备、表征及应用一、实验目的铁电薄膜的溶胶凝胶制备法作为一门综合性课程，实验过程中，利用化学、物理知识，通过对铁电薄膜制备方法的设计，了解制备方法的原理；以及通过铁电薄膜的表征，了解铁电薄膜的测试与分析，使学生在铁电薄膜制备与表征的基本技能方面得到训练，进一步了解铁电薄膜的制备方法原理和工艺，表征技术的原理和测试分析方法，巩固和深化学生课堂上学到的知识。
本课程实验部分的主要任务是使学生获得有关铁电薄膜备及表征技术有关实验原理的知识和技能，掌握铁电薄膜的制备参数与材料组分、性能之间的关系和规律，加强学生合理选用制备方法、正确选定制备工艺参数、分析测试结果等方面的能力。
二、实验原理及方法2.1 实验原理溶胶-凝胶法(Sol-gel)作为CSD 法的一种，属于化学溶液沉积法。
Sol-gel 的前驱体是金属有机化合物，有的时候也用无机盐作为前驱体，将前驱体按照一定的比例在有机的溶液中溶解，经过水解缩聚反应，最后生成三维网络状胶体。
按照匀胶、蒸发分解（除去凝胶中的有机成分和水分）、退火处理的步骤，最后得到晶态薄膜。
一般情况，Sol-gel 法的常用到的原料有金属化合物、溶剂（甲醇、乙醇、冰醋酸等）、水、催化剂（酸或弱碱）以及其他添加剂。
其中金属元素的起始原料一般都是易于水解的金属化合物，比如氯化物、硝酸盐、金属醇盐、乙酰丙酮和醋酸盐等等，这些化合物水解生成了氧化物、氢氧化物或者是聚合物，这些物质很容易发生反应，水解过程中的只有醇类物质容易挥发，但是对人体无害，因此这类物质已被广泛的用于Sol-gel 法中，成为Sol-gel 法首选的原料。
在Sol-gel 法中，不论是无机盐还是金属醇盐作为起始原料，它们的反应步骤都是：前驱物溶于水中，或者是溶于有机溶剂中，最后形成均匀溶液。
溶质与溶剂发生水解或是醇解反应，反应生成物聚集成1 nm 左右的粒子，并且形成溶胶，最后经蒸发干燥转变成凝胶。
基本反应原理如下：(1) 溶剂化：金属阳离子M z +(z 为M 离子的价数)吸收水分子，并形成溶剂单元()2M H O ，在这过程中释放H +，用来保持它的配位数：()()()()1221M H O M H O OH H +-++-→+z z n n (1)如果在上述反应中，有别的离子进入，就有可能发生聚合反应，这个反应十分复杂。
铁电薄膜材料的制备工艺及应用研究
铁电薄膜材料的制备工艺及应用研究引言铁电薄膜具有介电性、压电性、热释电性、铁电性、以及电光效应、声光效应、光折变效和非线性光学效应等重要特性[1]，人们可单独利用其中某一性质或综合利用多种特性研制众多的铁电薄膜器件。
随着薄膜制备技术的不断突破和飞速发展，铁电薄膜和铁电集成器件具有很好的应用前景，是目前功能材料与器件的研究热点。
1 铁电薄膜的制备工艺铁电薄膜的制备方法主要有溶胶-凝胶法、磁控溅射法、脉冲激光沉积法、金属有机化学气相法、分子束外延法、金属有机物分解法、化学溶液沉积法等。
1.1 溅射法20 世纪40 年代溅射技术作为一种镀膜方法开始得到应用和发展，60 年代以后随着半导体工业的迅速崛起，这种技术被用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层，80 年代以后得到了迅速发展。
目前，磁控溅射技术已相对成熟，广泛应用于微电子、光电、材料表面处理等领域[1]。
溅射法是一种比较成熟的薄膜制备技术，这种方法是利用电场作用下高速运动的离子轰击靶材，将靶上轰击下来的原子或离子团沉积在衬底上形成薄膜。
溅射法包括射频磁控溅射法反应溅射、多元靶溅射及离子束溅射等。
射频磁控溅射是制备铁电薄膜最成熟的方法，正广泛用于制备各种铁电薄膜材料[2]，Jameo.Im 以Ba0.5Sr0.5TiO3 为靶源，采用磁控溅射技术制备了厚度为80 nm 的薄膜[3]。
陈宏伟[4]等以BaxSr1-xTiO3 陶瓷靶材及射频磁控溅射设备以优化工艺制备出与靶材基本一致的BST 薄膜。
溅射法的优点：由于溅射物流具有高达10 几至几10ev 的能量，在衬底表而能维持较高的表而迁移率，其制备的薄膜结晶性能较好，在适当的溅射参数下可获得单晶薄膜;成膜所需衬底温度较低;与集成工艺的兼容性较好;适用于多种铁电薄膜的制备;制备的铁电薄膜具有较好的铁电性等。
缺点：工艺的重复性，稳定性不好;生长速度慢，溅射时不同材料的溅射率不同，所获薄膜的组份比与靶材有一定差异，膜的微结构与组分均匀性均有待改善，技术上难以实现大而积衬底上生长高质量的铁电薄膜。
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MOCVD
金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法是将反应气体 (N2或Ar等)和气化的金属有机物通入反应室，经 过热分解沉积在加热的衬底上而形成薄膜。 这种 方法自上世纪60 年代被首次用于化合物半导体薄 膜单晶的制备以来，现已被广泛用于超导薄膜和 铁电薄膜的制备。
脉冲激光沉积是指将脉冲激光器所产程
的高功率脉冲激光聚焦作用于靶材表面，由 于高温和烧蚀而产生高温高压等离子体(Ｔ >104K)，然后等离子体定向局域膨胀在基片 上沉积而形成薄膜。
脉冲激 光沉积
脉冲激光沉积法的优点：用其制备的薄膜，其成分几乎与靶材相 同，特别适用于制备含有多种挥发成分的薄膜。这种方法沉积速 率高，常常可以获得外延膜。为了使薄膜具有较好的电学、光学 特性，一般需要较高的衬底温度和一定的氧分压。沉积好的薄膜 一般不需要退火处理，但沉积好薄膜后，当系统冷却时，应增加 氧分压，以减少氧空位，确保薄膜质量，对于某些材料而言，也 可以选择较低的衬底温度。缺点：这种方法难于获得高质量的大 面积铁电薄膜，而且它的工作条件要求过高，需要高真空腔、激 光器、真空泵等相应的设备。所以制备出来的器件花费过高，制 约了其商业应用。
薄膜的制备
虽然有关铁电薄膜制备及应用的研究取得了很大的进步， 但是还有许多问题仍未得到有效解决，主要表现在:
1
2
3
制备、加工 温度较高
铁电薄膜本身的失 效问题（如疲劳， 老化、印记失效等 ）限制了铁电薄膜 的广泛应用
铁电薄膜表面及铁 电薄膜异质结界面 还不能完全人为控 制
溶胶-凝胶法
溅射法
脉冲激光 沉积法
溶胶-凝胶法是60年代发展起来的一种以薄 膜或陶瓷组分的醇盐为主要原料来制备玻璃 、陶瓷以及薄膜等功能材料的新工艺。因为 它不需要任何真空条件和太高的温度就可以 制备出性能优良的薄膜，因而在薄膜制备技 术上被广泛应用。
溶胶-凝胶法
该法是将金属醇盐或无机盐经水解直接形成溶胶，然后使溶质 聚合凝胶化再将凝胶经过热处理去除有成分。溶胶- 凝胶法已 被广泛用于制备BaTiO3 、PbTiO3、(Pb,Zr)TiO3 、 (Ba,Sr)TiO3、Ba(Zr,Ti)O3 等铁电薄膜材料。其比较显著的优 点是工艺过程温度低,而且可严格控制生成物的成分并且工艺纯
金属有机物 分解法
金属有机物分解法具有下述显著优点：(l)各成分可达分子级混
合，非常均匀，这种高度混合使得反应活性高，使薄膜更加致 密；(2)无需真空，溶液不需经过凝胶过程，因此工艺简单，可 制备大面积成分单一的薄膜，成本较低；(3)高纯度；(4)热度处 理温较低
液态源雾化 化学沉积
液态源雾化化学沉积技术是一种新型的制备铁电薄膜技 术，它继承了MOD 和Sol-Gel工艺的优点，并克服了它 们的主要缺点。其主要工艺流程是：(1)将处理好的基 片置于沉积室中，将室内抽真空至3×10-5Torr 以下， 然后充入Ar 气维持室内气压为600~700 Torr。 (2)将 制得的先体溶液以一定比例用溶剂稀释成为初始溶液， 放入雾化容器中，采用超声雾化产生微米级或次微米级 尺寸的微小液滴。每一液滴都具有与初始溶液相同的浓 度与组分。再由载气将微液滴垂直引入沉积室内。气雾 经过扩散装置进入沉积室时，由于内外气压的差异，会 以一定速度首先弥漫在空间中，然后慢慢沉积在基片上 ，使基片以1 ~3 r/min 的速度旋转。(3)沉积几分钟后 ，停止雾化，在沉积室内将湿膜加热至一定温度进行预 处理，保温10 min，然后自然降温到室温。(4)重复此 过程直至膜达到所需厚度。(5)将基片取出进行退火处 理。
铁电薄膜的 制备方法
金属有机 化学气相法
分子束 外延法
化学溶液 沉积法
溅射技术
溅射技术在20世纪40年代作为一种镀膜方法开始 得到应用和发展，60年代以后随着半导体工业的迅速崛 起，这种技术被用于沉积集成电路中晶体管的金属电极 层，80 年代以后得到了迅速发展。目前，磁控溅射技 术已相对成熟，广泛应用于微电子、光电、材料表面处 理等领域。溅射法是一种比较成熟的薄膜制备技术，这 种方法是利用电场作用下高速运动的离子轰击靶材，将 靶上轰击下来的原子或离子团沉积在衬底上形成薄膜。
该法的优点是：能够精确控制薄膜的组分和厚度；衬底温度低 、沉积速率快、薄膜均匀性、重复性好；可制备大面积薄膜， 适合大批量生产。其缺点是：不易获得原材料，且设备昂贵。
金属有机物分解法是一种很方便的薄膜制备 技术，和溶胶-凝胶法一样无需任何真空环境 。把金属有机物按一定的化学计量比混合在 适当的溶剂中配成均匀溶液，然后沉积在衬 底上产生湿膜，加热除去易挥发的溶剂，在 加热分解有机物则得到所需薄膜。
溅射法的优点：由于溅射物流具有高达10 几至几10ev 的能量，在衬底 表而能维持较高的表而迁移率，其制备的薄膜结晶性能较好，在适当的 溅射参数下可获得单晶薄膜;成膜所需衬底温度较低；与集成工艺的兼容 性较好；适用于多种铁电薄膜的制备；制备的铁电薄膜具有较好的铁电 性等。缺点：工艺的重复性，稳定性不好；生长速度慢，溅射时不同材 料的溅射率不同，所获薄膜的组份比与靶材有一定差异，膜的微结构与 组分均匀性均有待改善，技术上难以实现大而积衬底上生长高质量的铁 电薄膜。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
分子束 外延
分子束外延是一种特殊的蒸发技术，成膜材料以分 子束方式在严格可控制条件下和超高真空条件下在 衬底表面生长出原子级厚度和平整度的外延薄膜， 而且膜厚，组分，掺杂等均可精确控制。因此适合 生长优质单晶（极薄）及超晶格薄膜。
该法的主要优点是：(1)真空度高，残余气体污染很少，生长速率 可以很低分子束外延是一种特殊的蒸发技术，成膜材料以分子束方 式在严格可控制条件下和超高真空条件下在衬底表面生长出原子级 厚度和平整度的外延薄膜，而且膜厚，组分，掺杂等均可精确控制 。因此适合生长优质单晶（极薄）及超晶格薄膜。 ，精确控制可获得原子级厚度与平整度的外延层；(2)衬底温度可 降低，减少生长应力，杂质扩散弱，因此外延层界面十分清晰； (3)生长过程是动力学过程，而不是热力学过程；(4)分子束激光源 与衬底相距甚远，适合安装表面分析仪器对薄膜生长过程“实时” 观察