《模拟电子技术》任务1-1三极管
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模拟电子技术第2章1半导体三极管及放大电路基础
电流增益
输出电流与输入电流的比值， 表示电流放大的倍数。
通频带
放大电路能够正常工作的频率 范围，通常用下限截止频率和 上限截止频率来表示。
电压增益
输出电压与输入电压的比值， 表示电压放大的倍数。
功率增益
输出功率与输入功率的比值， 表示功率放大的倍数。
失真度
由于放大电路的非线性特性， 导致输出信号失真，通常用谐 波失真系数来表示。
半导体三极管的结构特点是电流放大 作用，通过基极控制集电极和发射极 的电流。
PNP型半导体三极管
与NPN型类似，但两个P型半导体和 一个N型半导体组成，基极（B）位于 中间，集电极（C）和发射极（E）位 于两侧。
半导体三极管的电流分配关系
电流分配关系
在三极管中，基极电流、集电极 电流和发射极电流之间有一定的 比例关系，这种关系取决于三极
改善电源和接地
电源和接地的设计对放大电路的稳定性也有影响，应尽量 减小电源和接地电阻，降低电源和接地噪声。
增加温度补偿
温度变化对放大电路的性能有较大影响，可以通过增加温 度补偿元件或采用温度传感器等方法，减小温度对放大电 路稳定性的影响。
05
模拟电子技术实验
实验一：半导体三极管特性的测试
总结词
了解半导体三极管的工作原理和特性
模拟电子技术第2章1半导体 三极管及放大电路基础
• 半导体三极管 • 放大电路基础 • 放大电路的分析方法 • 放大电路的稳定性 • 模拟电子技术实验
01
半导体三极管
半导体三极管的结构
NPN型半导体三极管
结构特点
由三个半导体元件组成，包括两个N 型和一个P型半导体，中间是基极 （B），两边分别是集电极（C）和发 射极（E）。
输出电流与输入电流的比值， 表示电流放大的倍数。
通频带
放大电路能够正常工作的频率 范围，通常用下限截止频率和 上限截止频率来表示。
电压增益
输出电压与输入电压的比值， 表示电压放大的倍数。
功率增益
输出功率与输入功率的比值， 表示功率放大的倍数。
失真度
由于放大电路的非线性特性， 导致输出信号失真，通常用谐 波失真系数来表示。
半导体三极管的结构特点是电流放大 作用，通过基极控制集电极和发射极 的电流。
PNP型半导体三极管
与NPN型类似，但两个P型半导体和 一个N型半导体组成，基极（B）位于 中间，集电极（C）和发射极（E）位 于两侧。
半导体三极管的电流分配关系
电流分配关系
在三极管中，基极电流、集电极 电流和发射极电流之间有一定的 比例关系，这种关系取决于三极
改善电源和接地
电源和接地的设计对放大电路的稳定性也有影响，应尽量 减小电源和接地电阻，降低电源和接地噪声。
增加温度补偿
温度变化对放大电路的性能有较大影响，可以通过增加温 度补偿元件或采用温度传感器等方法，减小温度对放大电 路稳定性的影响。
05
模拟电子技术实验
实验一：半导体三极管特性的测试
总结词
了解半导体三极管的工作原理和特性
模拟电子技术第2章1半导体 三极管及放大电路基础
• 半导体三极管 • 放大电路基础 • 放大电路的分析方法 • 放大电路的稳定性 • 模拟电子技术实验
01
半导体三极管
半导体三极管的结构
NPN型半导体三极管
结构特点
由三个半导体元件组成，包括两个N 型和一个P型半导体，中间是基极 （B），两边分别是集电极（C）和发 射极（E）。
《模拟电子技术》课件晶体三极管1-1.
问题
1、如何根据三极管三个管脚的电位来判别 来判别管脚。（举例）
2、如何根据三极管流过三个管脚的电流来 判别来判别管脚。（举例）
3、如何用万用表来判别三极管的极性？
用数字万用表测量三极管 （1）用数字万用表的二极管档位测量三 极管的类型和基极b 判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结 ，按照判断二极管的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公 共负极，此极即为基极b。对NPN型管，基极是公共正极；对PNP 型管则是公共负极。因此，判断出基极是公共正极还是公共负极 ，即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。 （2）发射极e和 集电极c的判断 利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e 和集电极c。将档位旋至HFE基极插入所对应类型的孔中，把其于 管脚分别插入c、e孔观察数据，再将c、e孔中的管脚对调再看数 据，数值大的说明管脚插对了。 （3）判别三极管的好坏 测试时 用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、
2.1 BJT的结构简介
1、结构和符号
c
c
2、工作原理
b
b
由结构展开联想…
集电极
Collector c
基极 N
Base
bP
N
发射极
Emitter e
NPN e PNP e 3、实现条件
集电结(Jc)
外部条件 内部条件
Jc反偏
集电区ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
结构特点：
收集载流子(电子) 基区
复合部分电子 控制传送比例 发射区 发射载流子(电子)
掺杂浓度低于发射 区且面积大
掺杂浓度远低于发 射区且很薄
掺杂浓度最高
发射结(Je) Je正偏
c ICBO IB b
模拟电路-三极管
转移特性
转移特性描述的是基极电流与集电极 电流之间的关系。在一定基极电流下， 集电极电流随着基极电流的增大而增 大，表现出一定的线性关系。
放大系数：描述三极管放大能力的一 个参数，表示集电极电流变化量与基 极电流变化量之比。
频率特性
频率响应
描述三极管在不同频率信号下的响应能力。三极管的频率响 应受其内部结构影响，存在一个截止频率和最大可用频率。
继电器的吸合和断开，实现电气设备的自动控制。
振荡器
总结词
三极管作为振荡器中的核心元件，能够产生 高频振荡信号，常用于无线通信、电子测量 等领域。
详细描述
三极管作为振荡器中的核心元件，其工作原 理是利用三极管的放大和正反馈作用，形成 一个自激振荡回路，从而产生高频振荡信号 。在无线通信中，三极管可以产生高频载波 信号，用于调制和解调无线电波。在电子测 量领域，三极管可以产生高频脉冲信号，用
于测量电子元件的响应特性和频率特性。
04
三极管的特性
输入与输出特性
输入特性
描述三极管输入端电压与电流的关系。随着输入电压的增加，基极电流逐渐增大 ，表现出非线性特性。
输出特性
描述三极管输出端电压与电流的关系。根据三极管类型（NPN或PNP），输出特性 曲线分为三个区域，分别是截止区、放大区和饱和区。
详细描述
随着温度的升高，三极管的放大倍数可能会减小，导致其性能不稳定。为了解决这一问题，可以采取散热措施， 如安装散热片或风扇，以降低三极管的温度。此外，选用具有高热稳定性的三极管型号也是解决方案之一。
噪声问题
总结词
噪声问题是指三极管在工作过程中产生 的噪声干扰，可能影响信号的传输质量 。
VS
详细描述
根据电路需求选择合适的三极管型号，如 直流参数、交流参数、功率参数等。
模拟电子技术第2章三极管放大电路
优点 可以详细研究三极管放大电路在 不同时刻的工作状态，对于深入 理解其工作原理非常有帮助。
04
三极管放大电路的应用
音频放大器
总结词
音频放大器是三极管放大电路的重要应用之一，用于将微弱的音频信号放大，以 便在扬声器或其他音频设备上播放。
详细描述
音频放大器通常采用音频功率放大器电路，利用三极管的高放大系数特性，将微 弱的音频信号进行电压和电流放大，以驱动较大的负载，如扬声器。音频放大器 广泛应用于音响设备、电视、收音机、录音机等电子产品中。
03
三极管放大电路的分析方法
图解分析法
定义
应用
图解分析法是通过图形直观地分析三极管 放大电路的工作原理和性能的方法。
通过图解分析法，可以清晰地看到输入信 号、输出信号以及三极管内部电流的变化 过程，有助于理解放大原理。
优点
缺点
直观易懂，可以清晰地看到信号的动态变 化过程。
对于复杂的三极管放大电路，图解分析法 可能会变得复杂且不易处理。
偏置电路的设计
总结词
偏置电路用于为三极管提供合适的静态 工作点，以保证放大电路的性能稳定。
VS
详细描述
根据三极管的特性，设计适当的偏置电路 ，使得三极管工作在合适的静态工作点上 。偏置电路一般由电阻、电容等元件组成 ，通过调节电阻和电容的参数，可以改变 偏置电流的大小和方向，从而优化放大电 路的性能。
应的重要参数。
02
三极管放大电路的分类
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是最常用的三极管放大电路，具有电压放大能力强、输出电压与输入电压反相的特 性。
详细描述
共发射极放大电路由三极管、集电极电源、基极电源、输入信号源和输出负载等部分组成。在电路中 ，输入信号加在基极和发射极之间，通过三极管的放大作用，将信号放大并传输到集电极和发射极之 间，最终输出到负载上。由于输出电压与输入电压反相，因此常用于电压放大。
04
三极管放大电路的应用
音频放大器
总结词
音频放大器是三极管放大电路的重要应用之一，用于将微弱的音频信号放大，以 便在扬声器或其他音频设备上播放。
详细描述
音频放大器通常采用音频功率放大器电路，利用三极管的高放大系数特性，将微 弱的音频信号进行电压和电流放大，以驱动较大的负载，如扬声器。音频放大器 广泛应用于音响设备、电视、收音机、录音机等电子产品中。
03
三极管放大电路的分析方法
图解分析法
定义
应用
图解分析法是通过图形直观地分析三极管 放大电路的工作原理和性能的方法。
通过图解分析法，可以清晰地看到输入信 号、输出信号以及三极管内部电流的变化 过程，有助于理解放大原理。
优点
缺点
直观易懂，可以清晰地看到信号的动态变 化过程。
对于复杂的三极管放大电路，图解分析法 可能会变得复杂且不易处理。
偏置电路的设计
总结词
偏置电路用于为三极管提供合适的静态 工作点，以保证放大电路的性能稳定。
VS
详细描述
根据三极管的特性，设计适当的偏置电路 ，使得三极管工作在合适的静态工作点上 。偏置电路一般由电阻、电容等元件组成 ，通过调节电阻和电容的参数，可以改变 偏置电流的大小和方向，从而优化放大电 路的性能。
应的重要参数。
02
三极管放大电路的分类
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是最常用的三极管放大电路，具有电压放大能力强、输出电压与输入电压反相的特 性。
详细描述
共发射极放大电路由三极管、集电极电源、基极电源、输入信号源和输出负载等部分组成。在电路中 ，输入信号加在基极和发射极之间，通过三极管的放大作用，将信号放大并传输到集电极和发射极之 间，最终输出到负载上。由于输出电压与输入电压反相，因此常用于电压放大。
模拟电子技术三极管详解共56页文档
过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
模拟电子技术三极管详解
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ；权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊，可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
拉
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
模拟电子技术三极管详解
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ；权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊，可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
拉
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
模拟电子技术三极管详解
GS
uGS iD = IDO( −1)2 UGS(th)
uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 ( )
半导体三极管 第 2 章 半导体三极管
二、耗尽型 N 沟道 MOSFET
Sio2 绝缘层中掺入正离子 D 时已形成沟道； 在 uGS = 0 时已形成沟道； B 在 DS 间加正电压时形成 iD， uGS ≤ UGS(off) 时，全夹断。 全夹断。 ( ) S
ICEO O
U(BR)CEO
1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 β 值明显降低。 集电极最大允许电流， 值明显降低。 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC × uCE。 3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO ) ) )
半导体三极管 第 2 章 半导体三极管
2.2.1 MOS 场效应管 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) ) 1. 结构与符号
S
N+
MOSFET结构 结构
G
D
N+
耗尽层
(掺杂浓度低) 掺杂浓度在硅片表面生一 用金属铝引出 用扩散的方法 在绝缘层上喷金 G — 栅极 Gate 层薄 SiO2 绝缘层 G 属铝引出栅极 G 源极 S 和漏极 D 制作两个 N 区 D — 漏极 Drain
半导体三极管 第 2 章 半导体三极管
模拟电子技术第三章 场效应三极管
+
d g s
源 极
上页 下页 首页
栅 极
N沟道结型场效应管的结构和符号
3
s
2. 工作原理
⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。
ID=0 ID=0
d
P+
d
N 型 沟 道
P+ P+
d
P+ P+ P+
g
g
N 型 沟 道
g
s uGS = 0
s uGS < 0
4
预夹断轨迹
恒流区
IDO O
UGS(th) 2UGS(th) uGS/V
O
截止区
uDS/V
转移特性曲线可近似用以下公式表示：
iD I DO ( uGS U GS(th) )
2
当uGS ≥ UGS(th)时
12
上页
下页
首页
2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子，
使uGS = 0 时，
形成一个N型导电沟道。
又称之为反型层 开启电压，用uGS(th)表示
导电沟道随uGS 增大而增宽。
10
B uGS > UGS(th)时 形成导电沟道
上页 下页 首页
uDS对导电沟道的影响
uGS为某一个大于UGS(th)的固定值， 在漏极和源极之间加正电压，且 s uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生，
在制造时就具有 原始导电沟道
31
3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS： MOS管的参数
d g s
源 极
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栅 极
N沟道结型场效应管的结构和符号
3
s
2. 工作原理
⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。
ID=0 ID=0
d
P+
d
N 型 沟 道
P+ P+
d
P+ P+ P+
g
g
N 型 沟 道
g
s uGS = 0
s uGS < 0
4
预夹断轨迹
恒流区
IDO O
UGS(th) 2UGS(th) uGS/V
O
截止区
uDS/V
转移特性曲线可近似用以下公式表示：
iD I DO ( uGS U GS(th) )
2
当uGS ≥ UGS(th)时
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2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子，
使uGS = 0 时，
形成一个N型导电沟道。
又称之为反型层 开启电压，用uGS(th)表示
导电沟道随uGS 增大而增宽。
10
B uGS > UGS(th)时 形成导电沟道
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uDS对导电沟道的影响
uGS为某一个大于UGS(th)的固定值， 在漏极和源极之间加正电压，且 s uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生，
在制造时就具有 原始导电沟道
31
3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS： MOS管的参数
第三章1(三极管)西北工业大学模拟电子技术基础
IT
– 已知
Ro
第二章 半导体三3极.管4 共射极放大电路
1. 电路组成
A.核心器件BJT B.偏置电路—提供放大外部条件 C.输入、输出电路—ui 的引入，uo 引出
1第.二章电半路导体组三成极管
放大元件iC=iB，工作在放 大区，要保证集电结反偏， 发射结正偏。
C1
输入 ui
RC
C2
Rb UBB
第二3章.2半性导体能三极指管标
2）输入电阻测量
在信号源和放大电路之间接入R。 测量电压U和Ui
有
Ii
U
Ui R
已知
信+ 号 源–
A RB
+
+
U
Ui
’– i
–
A’
B’
Ii
放
大
Ri 电
路
Ri
Ui Ii
Ui U Ui
R
第二3章.2半性导体能三极指管标
三、 输出电阻 Ro
•输出电阻是表明放大电路带负载的能力，
请注意电路中IB和IC的数量级
第二章 半导体三极管
2、 固定偏流电路存在的问题
－－温度对静态工作点的影响
静态工作点由UBE、 和ICEO决定，这三个参 数随温度而变化。
T变
UBE 变
IC变
Q变
ICEO
失真
常采用射极偏置电路来稳定静态工作点。
第 3.二6章.2半、导体电三流极管反馈型偏置
UCC=IBRb+ UBE +IERe
集电极电阻，
将变化的电流
转变为变化的
RC
电压。
C2
T
+UCC
Rb
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示，设二极管为理想的，试判断下列情况下，电路中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压AO U 。
（1）V V DD 61=，V V DD 122=；（2）V V DD 61=、V V DD 122-=；（3）V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解：1、当V V DD 61=、V V DD 122=时，假设二极管是截止的，则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压，所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的，则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压VU D 7.0)on (=，试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时，电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解：1、当Ω=k R 1时，假设二极管是截止的，则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知，二极管承受正偏电压导通（假设不成立）故可得其等效电路如图P1.2b所示：根据KCL 、 KVL ：⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之：mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时，假设二极管是截止的，则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知，二极管承受反偏电压截止（假设成立）01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的，试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压AO U解：（a ）假设21V V 、均截止，则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=， 21V V 、均承受正偏电压，但2V 管的正向偏值电压更大，故它首先导通。
模拟电子技术3.1半导体三极管(BJT)
BJT由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集 电区，通过外部电压和电流控制其工作状态。
BJT的参数和性能指标对电路设计和应用具有重要影响， 需要根据具体需求进行选择和优化。
对未来的展望
01 02 03 04
随着电子技术的不断发展，BJT的应用领域将更加广泛，特别是在物 联网、智能家居和电动汽车等领域。
半导体三极管(bjt)的特性曲线
输入特性曲线
转移特性曲线
描述基极-发射极电压与基极电流之间 的关系。
描述基极-发射极电压与集电极电流之 间的关系。
输出特性曲线
描述集电极-发射极电压与集电极电流 之间的关系。
03
半导体三极管(bjt)的类型和结构
npn型bjt
01
02
03
04
NPN型双极结型晶体管 （Bipolar Junction
漂移运动
在电场的作用下，载流子 会沿着电场方向运动，称 为漂移运动。
电流放大效应
电流放大效应是指三极管能够 控制较大电流的能力，从而实 现信号的放大。
当基极电流发生变化时，集电 极电流会发生更大的变化，从 而实现电流的放大。
电流放大倍数：描述三极管放 大能力的一个参数，其值等于 集电极电流与基极电流之比。
电流放大器
将变化的输入电流转换为相应的输 出电流，用于测量和控制电路。
开关电路
逻辑门电路
利用三极管的开关特性， 实现逻辑门的功能，如与 门、或门、非门等。
继电器
利用三极管作为控制开关， 实现对大电流或高电压电 路的通断控制。
开关电源
利用三极管的开关特性， 将输入电压转换为稳定的 输出电压，用于各种电子 设备。
振荡器
1 2 3
模拟电子技术-三极管
4.集电极最大电流ICM
三极管工作电流IC允许的最大极限，若IC超 过ICM值，则三极管可能会损坏。
5.集-射极反向击穿电压UCEO
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值 时，三极管就会被击穿。
6. 集电极最大允许功耗PCM
• 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为：
IC ICM
IB
+ UBE
—
+
UBE
—
UCE
—
UCE
—
+VCC
Rb 150KΩ IC
(+12V)
Rc 4KΩ + Rb 150KΩ +VBB I + b B (+6V) 0.7V UBE
—
+VCC (+12V) IC Rc 4KΩ c + βIB UCE
+ +VBB I (+6V) B UBE
—
UCE
—
e
—
解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。 UBE=0.7V
iC iB
+
iB=f(uBE) uCE=const
iB (uA)
T
+
+
80
+
u BE +
u CE +
uCE =0V
40
u CE ＞ 1V
0.2 0.40.6 0.8
uBE (V)
（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 硅 0.5V 硅 0.7V （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以进入基区 死区电压 导通压降 的电子减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 锗 0.3V 锗 0.1V （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。直到uCE >2V后，特性曲线基 本不变而趋于重合。
模拟电子技术模电之三极管和基本放大电路课件
电路组成
共集电极放大电路由三极管、 电阻、电容和电源等组成。
工作原理
通过改变三极管的基极电压，控 制发射极电流，实现信号的放大 。
放大倍数
输出信号电压与输入信号电压的比 值，反映了放大电路的放大能力。
04
放大电路的动态特性
电压放大倍数与频率响应
电压放大倍数
放大电路的输出电压与输入电压之比，反映了放大电路的放大能力。电压放大倍数通常用dB（分贝） 表示，其值越大，说明电路的放大能力越强。
振荡器等类型。
06
课程总结与展望
课程总结
1 2 3
重要概念
掌握三极管的基本工作原理、放大电路的种类 与性能指标、反馈电路的原理及应用等核心概 念。
重点电路分析
学会对基本放大电路、功率放大电路、反馈电 路等进行定性和定量分析，掌握电路设计的基 本方法和步骤。
实践操作能力
通过实验和课程设计，具备对模拟电子电路进 行调试、性能测试与优化，以及设计简单实际 应用电路的能力。
课程目标
掌握三极管的基本 原理和特性
学习如何分析和设 计放大电路
理解基本放大电路 的组成和工作原理
课程内容
三极管的基本结构和 类型
三极管的电流放大原 理和特性曲线
基本放大电路的组成 和工作原理
放大电路的分析方法 和设计步骤
放大电路的性能指标 和测试方法
02
三极管基本知识
三极管的结构与类型
结构
展望未来发展与新技术应用
新技术发展
了解新型电子器件如MOS管、CMOS等的发展趋势，以 及新型放大电路如直接耦合放大电路、差分放大电路等在 高性能电子设备中的应用。
学科交叉融合
关注模拟电子技术与数字电子技术、微机原理与应用、信 号与系统等课程的交叉融合，形成综合应用能力。
共集电极放大电路由三极管、 电阻、电容和电源等组成。
工作原理
通过改变三极管的基极电压，控 制发射极电流，实现信号的放大 。
放大倍数
输出信号电压与输入信号电压的比 值，反映了放大电路的放大能力。
04
放大电路的动态特性
电压放大倍数与频率响应
电压放大倍数
放大电路的输出电压与输入电压之比，反映了放大电路的放大能力。电压放大倍数通常用dB（分贝） 表示，其值越大，说明电路的放大能力越强。
振荡器等类型。
06
课程总结与展望
课程总结
1 2 3
重要概念
掌握三极管的基本工作原理、放大电路的种类 与性能指标、反馈电路的原理及应用等核心概 念。
重点电路分析
学会对基本放大电路、功率放大电路、反馈电 路等进行定性和定量分析，掌握电路设计的基 本方法和步骤。
实践操作能力
通过实验和课程设计，具备对模拟电子电路进 行调试、性能测试与优化，以及设计简单实际 应用电路的能力。
课程目标
掌握三极管的基本 原理和特性
学习如何分析和设 计放大电路
理解基本放大电路 的组成和工作原理
课程内容
三极管的基本结构和 类型
三极管的电流放大原 理和特性曲线
基本放大电路的组成 和工作原理
放大电路的分析方法 和设计步骤
放大电路的性能指标 和测试方法
02
三极管基本知识
三极管的结构与类型
结构
展望未来发展与新技术应用
新技术发展
了解新型电子器件如MOS管、CMOS等的发展趋势，以 及新型放大电路如直接耦合放大电路、差分放大电路等在 高性能电子设备中的应用。
学科交叉融合
关注模拟电子技术与数字电子技术、微机原理与应用、信 号与系统等课程的交叉融合，形成综合应用能力。
模拟电子技术三极管详解
成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。
第 2 章 半导体三极管
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th))
MOS工作原理
DS 间的电位差使 沟 道 呈 楔 形 ， uDS ， 靠近漏极端的沟道厚
度变薄。
预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管 2.2 单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数
第 2 章 半导体三极管
第 2 章 半导体三极管
二、耗尽型 N 沟道 MOSFET
Sio2 绝缘层中掺入正离子
D 在 uGS = 0 时已形成沟道；
B 在 DS 间加正电压时形成 iD，
G S
uGS UGS(off) 时，全夹断。
iD /mA
2V
0V
2V
uGS = 4 V
O
uDS /V
输出特性
当 uGS UGS(off) 时，
O
iiiBBB===
00 0uCE
第 2 章 半导体三极管
2.1.3 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
4 iC / mA
1. 共发射极电流放大系数
3
— 直流电流放大系数
Q
II23CB.40NN5110II0CB63AA
IC8B2O ICBO
IC IB
2 1
— 交流电流放大系数
第 2 章 半导体三极管
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th))
MOS工作原理
DS 间的电位差使 沟 道 呈 楔 形 ， uDS ， 靠近漏极端的沟道厚
度变薄。
预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管 2.2 单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数
第 2 章 半导体三极管
第 2 章 半导体三极管
二、耗尽型 N 沟道 MOSFET
Sio2 绝缘层中掺入正离子
D 在 uGS = 0 时已形成沟道；
B 在 DS 间加正电压时形成 iD，
G S
uGS UGS(off) 时，全夹断。
iD /mA
2V
0V
2V
uGS = 4 V
O
uDS /V
输出特性
当 uGS UGS(off) 时，
O
iiiBBB===
00 0uCE
第 2 章 半导体三极管
2.1.3 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
4 iC / mA
1. 共发射极电流放大系数
3
— 直流电流放大系数
Q
II23CB.40NN5110II0CB63AA
IC8B2O ICBO
IC IB
2 1
— 交流电流放大系数
模拟电子技术三极管详解
振荡电路
振荡电路的基本原理 三极管在振荡电路中的应用 振荡电路的设计和调试 振荡电路在实际中的应用案例
调制与解调电路
调制：将信号转换为适合传输的形式
解调：将接收到的信号还原为原始信号
三极管在调制与解调电路中的应用：放大信号、控制信号、实现信号 转换
调制与解调电路中的三极管类型：双极型三极管、场效应三极管等
流变化
应用领域：广 泛应用于电子 技术、通信、 计算机等领域
三极管的工作原理
基本结构：由两 个PN结组成分为 发射极、基极和 集电极
工作状态：分为 截止区、放大区 和饱和区
电流关系：基极电 流IB、集电极电流 IC和发射极电流IE 之间的关系
放大作用：通过改 变基极电流IB来控 制集电极电流IC实 现信号放大
负载
放大电路的工 作原理：通过 改变三极管的 工作状态实现
信号的放大
放大电路的分 类：共射放大 电路、共集放 大电路、共基
放大电路
放大电路的应 用：音频放大、 视频放大、射
频放大等
开关电路
开关电路是三极管最常用的应用之一 三极管在开关电路中起到控制电流的作用 开关电路可以分为NPN型和PNP型两种类型 三极管在开关电路中的工作状态可以分为饱和区和截止区两种
03 三极管的种类和特性
NPN型和PNP型三极管
NPN型三极管：电流从基极流入从发射极 流出
PNP型三极管：电流从发射极流入从基极 流出
NPN型三极管：基极电流控制发射极电流
PNP型三极管：基极电流控制集电极电流
NPN型三极管：基极电流与发射极电流成 正比
PNP型三极管：基极电流与集电极电流成 正比
三极管型号的识别与代换
型号识别：根据三极管的外观、尺 寸、引脚数量等特征进行识别
模拟电子技术项目教程 2.1晶体三极管的基本特性
1.1.3 用万用表判断晶体管的类型
万用表hFE档测量法
把万用表打到hFE档（测量晶体 管电流放大倍数）上； 晶体管插入到NPN的小孔上，B极 对上面的B字母。读数，再把它的 另二脚反转，再读数。读数较大 的那次极性就对上表上所标的字 母，这时就对着字母去认晶体管 的C，E极
1.2 晶体管的特性曲线
IB/A
O
UCE = 1 V
UBE / V
只要UBE 保持不变，从发射区注入到基区的载流 子数不变，而电极所加的反向电压量足够把扩散的
载流子拉到集电区，因此UCE再增加， IB也不会有 明显减少。
1.2.2 晶体管的特性曲线
一、输入特性曲线的应用
如图所示，三极管处于放大状态。试问： Rb=50kΩ时，IB=?
1.2.2 晶体管的特性曲线
输出特性曲线的应用
如图所示，VCC=15V， β=100。试问： Rb=50kΩ时，UO=?
例3：三极管工作状态的判断
例：测量某硅材料NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工 作在什么区域？
-
VCC
UCE = 1 V
-UBE
O
UBE / V U三三极C极E管≥管的共1输射时入特特的性性曲输线入测试特电性路具有实用意义。
1.2.2 晶体管的特性曲线
一、输入特性
①UCE=0V时，IB 与UBE 的关系曲线与二极管的正向伏安特性相似，（此时，相 当于两个二极管正向并联接在b、e 间）；
②UCE从0增加到1V时，曲线右移显著；当UCE>1V后，IB 与UBE 的关系曲线几乎 重叠在一起，故输入特性通常用UCE=1V 时的一条曲线来表示即可。
1.1.1 晶体管的结构类型
双极型结型三极管(BJT)
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② 集电极--基极反向饱和电流ICBO和穿透电流ICEO：
IC E O ＝ （ 1＋ ） IC B O
③温度对三极管参数的影响：
(5) 三极管的识别（P17)
自学
(6) 三极管的测量和判断
1）判断基极B及三极管管型； 2）区分集电极C和发射极E； 3）判断三极管性能好坏。
练习
1. 判断三极管的管脚及类型； 2. 检测三极管性能好坏。
电子电路基础与实践 （模拟部分）
保定电力职业技术学院 电子教研室
任务1 常用元器件检测及焊接技能训练
电阻和电容的标识与检测
二极管、三极管的性能与检测
任务目标：
常用电子仪器设备的使用 电子元器件和简单电子线路 的焊接技术
4 半导体三极管
三极管：由两个PN结、三根电极引线以及外壳封装构成。
(1) 三极管的基本结构
40
IB=20 µA
IB=0
UCE
特点：不满足IC＝βIB关系，这时IC＝ICS，失去电流放大特性。 条件：发射结正偏，集电结正偏。
③ 截止区：
特点：IB≤0，IC＝ICS≈0，无电流放大特性。 条件：发射结反偏，集电结反偏。
(4) 三极管的主要参数
① 电流放大系数：
β＝ IC IB
β%＝ ΔIC ΔIB
1. 输入特性曲线
IB/ µA UCE=0V
IBf(UBE)U CE常 数
UCE≥1V
0
UBE/ V
IC
2. 输出特性曲线
饱
和
ICf(UCE)IB常 数
区
ห้องสมุดไป่ตู้
① 放大区：
特点：满足 IC＝ IB 关系，与UCE无
关， 表现出电流放大特性。
条件：发射结正偏，集电结反偏。
② 饱和区：
放大区 截止区
80
60
集电区
基区
N 集电结
C
B
P
N
发射区
E
B 发射结
E
NPN型三极管
集电区 C
C
基区
P 集电结
B
B
N
发射结
E 发射区
P
E
PNP型三极管
2. 三极管内电流分配关系
① IE＝IC＋IB
② β ＝ IC IB
③ IC＝βIB
β ＝ Δ IC Δ IB
~
→
β 称为电流放大系数
四、 三极管输入、输出特性曲线