Materials Studio在材料科学领域的应用案例
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标Байду номын сангаас样式
h-ZnO和c-ZnS的偏态密度图分析
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
O2p 轨道上的电子主要束缚在O的周围；在ZnO的导带底部，O的轨道成分 很少，主要由Zn的s，p轨道构成。
h-ZnO和c-ZnS的Mulliken电荷和键级
模型构建
ZnO和ZnS的结构在Castep的Structures文件夹中可以直接获取。 在菜单中点击File，选择Import，然后在跳出的选框中双击Structures文件 夹，在metal-oxides里导入ZnO，在semiconductors里导入ZnS
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
MD模拟溶剂对α-Al 2O3晶体形态的影响
单击此处编辑母版标题样式
J. Phys. Chem. C 2008, 112, 10145–10152
单击此处编辑母版副标题样式
研究背景及思路
单分散性、各向异性的单晶金属氧化物的形态控制是一个很重要 的研究方向。α-Al2O3是一种重要的金属氧化物，广泛应用于催化、微 电子、光学等领域。
单击此处编辑母版标题样式 研究表明，晶体各个晶面的相对增长速率对晶体最终的形态具有
重要影响，这种增长速率受到晶体结构本身以及外部因素如温度、溶 剂、饱和度、搅拌速度等影响。
本文采用单M击ater此ials 处Stud编io软辑件研母究版了溶副剂标1，4题-丁样二醇式对α-Al2O3
各个晶面增长速率的影响。
类型单壁碳管表单面的击吸附此，发处现编碳管辑的还母原度版(用副吸附标的分题子数样和式电子的转移数表征，
前者由吸附能决定，后者由Mulliken电荷表示)按照 金属性>大直径，半导性>小直径， 半导性的顺序递减。
单击此处编辑母版标题样式
研究人员计算了两种有机分子在不
同电单荷壁，碳平纳衡米距单管离上，击的相此吸应附费处能米，面编M和uL辑lUlikMe母nO 版副标题样式
ZnO
ZnS
模型构建
超胞的构建
在菜单中选择 Build/Symmetry/Supercell
在弹出的对话框中设置超
胞 超的胞大的小对单称性击为P此1，选处择 编辑母版标题样式
想要替换的原子后，在菜 单中选择Modify/Modify
e的le元m素enGt,a然，后完选单成择掺击用杂来此模替型处换 编辑母版副标题样式
的构建。
参数设置
Task: Energy XC Function: GGA-PBE Energy cutoff: 340eV
K me单sh: fin击e 此处编辑母版标题样式
Ultrasoft Pseudopotential (PBE) SCF Tolerance: 1.0×10-6
在引入IIIA元单素击Ga后此，处体系编电辑荷仍母设置版为副0 标题样式
提高，但是单Zn击S则此不然处，编那么辑，原母因版是什副么标呢？题样式
AIST的研究人员针对这个问题，采用Castep对ZnO和ZnS的电子 结构进行了研究。
研究思路
要解决这个问题，我们需要这样一些数据：
1> 相同的施主杂质，相同浓度下，ZnO和ZnS的能带结构和态密度；
2> 由于分析的对象是ZnO和ZnS，所以还需要纯的ZnO和ZnS的能带 结构和态密度；
110 4.06 4.02
111 4.24 4.00
单击此处编辑母版标题样式 Ag
100 4.64 4.22
110 4.52 4.02
111 4.74 4.39
W
100 4.63 4.01
110 5.25 4.79
单击此处编辑母版副标题样1式11 4.47 4.03
113 4.18 3.90
116 4.30 3.96
差单异，击而这此一现处象产编生辑的根母本原版因则标是由题S和样O引式起的电
子结构差异，与ZnS和ZnO的结构差异无关。
单击此处编辑母版副标题样式
• 功函(Workfunction) = 将电子从一个表面移往无穷远处所需要的能量
模型与直接结果
Metal Surface Exp Cleaved
Al
100 4.41 4.15
随直径的变化(单下左击图)。此处编辑母版副标题样式
氧的吸附对单壁碳纳米管场发射性能的影响的密度泛函研究
的位置(上表)。比较了两种有机分子的 吸附能随碳管直径变化的规律(右图)。
单击此处编辑母版标题样式
为了获得最终的结论，研究人员还考察了两种有机分子的吸附能随着其Mulliken电 荷的变化(上左图)， 其Mulliken电荷随着碳管直径的变化(上右图)， 其Mulliken电荷 随着体系LUMO/费米面位置的变化(下右图)以及LUMO(半导性)/费米面(金属性)位置
O-H
O-O
(010)和(111)晶面在最终晶体
形态中并没有出现，原因？
结果分析
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
吸附能越低，较小的能量就会造成溶剂的分子在晶体表面的释放，使得此 晶面具有较高的增长速率，在最终的结构中不容易出现。
结果分析
文献表明：（001）、（110）和（113）晶面是控制形态的主要晶面，但如果伴随 着先驱体含量、搅拌速度以及反应时间的增加，其它的晶面如(012)和(102)也会出现。
O2在Ti表面吸附的第一原理模拟表明，O原子 在Ti上的束缚能远高于其在碳管上的束缚能， 因此O原子更易吸附在金属原子上，因此吸附 金属原子后，可以减少O原子对碳管的攻击， 从而延长碳管的寿命。
单击此处编辑母版标题样式 实验中测得的I-V图(a)表明吸附Ti后，碳管电
子发射的电场临界值由5.5V/μm降低为 3.7V/μm，这证明吸附Ti原子确实降低了电子
单击此处编辑母版标题样式 3> 由于ZnO和ZnS存在结构差异，为了和组成差异(O和S)区分，还需
要做一些假设性的研究，譬如计算ZnO和ZnS具有相同结构时的能带结构 和态密度，以及ZnO或ZnS在不同结构时的能带结构和态密度；
情况4的> 计为算了。把单研究击做此的全处面一编些辑，还母可版以加副上对标不题同浓样度式，不同杂质的
Ga掺杂ZnO的能带结构和态密度图
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
相比于未掺杂的情况，费米面附近没有新增的轨道。 掺杂以后，费米面附近的轨道虽然同样主要由Ga的4s构成，但是此时，Ga 的4s并不体现出较强的定域性。
结论
• Ga在ZnS中与邻近的S相互作用，生成了一个具有较强定 域性的杂质能级(electron trap)，而在ZnO中则没有类似的 能级生成，这种现象决定了Ga掺杂ZnS与ZnO的导电性能
碳管的π轨道杂化时会使得体系的费米面向
单击此处编辑母版标题样式 高能方向移动，从而导致功函数降低。
态密度图(a和b)表明Ti原子吸附在碳纳米管
单击此处编辑母表进面一版后步副，增增加标加了了电题费子米发样面射附的式近效的率电，荷而密HO度M，O这的
空间分布图(c)表明，费米面附近的电子主要 由Ti原子提供，换言之，吸附Ti原子后，碳 管上具备了更多的电子发射点。
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
单击此处编辑母版标题样式 第二步 分析掺杂的ZnO和ZnS的电子结构差异
单击此处编辑母版副标题样式
Ga掺杂ZnS的能带结构和态密度图
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
轨道245#是一个新增的轨道，主要成分为Ga的4s。体现出很强的定域性。 轨道244#发生了一些变化，原来以S的2s和2p为主，现在以Ga的4s和邻近 的S原子和Zn原子轨道为主。
ZnO和ZnS具有这样两个显著的特点： 1> 性能具有很强的设计性Æ可以掺入多种杂质调节其能带结构
单击此处编辑母版标题样式 2> 便于制备加工Æ可以通过多种方法方便地制成薄膜
ZnO和ZnS之间也存在差异。除了结构上的差异外，在进行施主掺 杂时，两者电导率的变化有着明显的不同。 ZnO的电导率有着明显的
有了以上4个方面的数据，就可以从组成和结构，杂质的种类和浓度 多个方面分析ZnO和ZnS的性能差异。不过除了能带结构和态密度(包括偏 态密度)，在计算的过程中，还应该附带上Population, orbital 以及electron density，这些数据的获取几乎不花费多余的时间，但分析的时候可以与能 带结构和态密度相互印证，做一些说明。
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版文本样式
第掺二级杂ZnS 和 ZnO 电子结构差异的第一原理研究
第三级 第四级 第五级
AIST, Japan, J MATER SCI-MATER EL 14, 149(2003)
研究背景
ZnO和ZnS是两种广受关注的，具有大的禁带宽度和直接带隙的半 导体材料，通常应用在蓝光以及紫外光学设备中。
模型的建立
α-Al2O3模型的建立
(001)
单击此处编辑母版标题(010样) 式 (012)
α-Al2O3模型+溶剂单分子击层（此200处个1，编4-辑丁二母烯分版子）副标题样(10式2)
(110)
(111)
(113)
结果分析
Al-C
Al-H
A单l-O 击此处编O-辑C 母版标题样式 (010)和(111)晶面相互作用较 强，而且O-O相互作用出现多 重峰，易被溶剂影响 单击此处编辑母版副标题样式
单壁碳纳米管的电传导性能(金属或半导体)与碳管的手性和直径相关。在一定的
单击此处编辑母版标题样式 直径范围内，不同电传导特性的碳管共存，因此如何将它们分离就成为一个影响碳纳
米管应用的关键问题。以往的研究表明，有机分子对碳纳米管的氧化或者还原作用会 因碳管的电传导性能和直径而异，因此选取合适的有机分子就有可能实现不同电传导 性能和直径碳纳米管的分离。此项研究工作正是着眼于这一点，采用CASTEP和DMol3 研究了有机分子tetrakis (dimethylamino) ethylene (TDAE) 和 cobaltocene (CoCp2) 在不同
此项研究工作主要是为了考察将金属原子包覆的碳纳米管用做场发射显示器(FED) 中的电子发射器的可行性。
研究人员以Co, Ti, Pd, W 和Ru为例，利用平面波赝势法研究了金属原子在碳纳米 管(5,5)表面的吸附对于碳管电子结构，特别是功函数(与电子发射效率密切相关)的影 响，发现Ti原子更易吸附在碳管表面，且能更明显的降低功函数；此外，他们还发现 表面吸附的金属原子会对O2产生选择性的吸附，从而减少O原子对碳管的攻击，延长 场发射条件下碳管的寿命。在这项研究工作中，研究人员还将理论计算的结果用于指 导实验，获得了与理论预测相一致的结果。
单击此处编辑发母射的版功副函数标。 题样式 实验中测得的电流密度随时间变化的图(b)表明， 吸附Ti原子后，碳管的使用寿命延长了3.5倍， 这证明了之前关于Ti原子减少O原子对碳管攻 击的理论结果。
吸附供电子有机分子的单壁碳纳米管的还原性能与其电传导类型 和直径的关系
北京大学物理学院. SMALL, 2009,5(2):244-255.
偏态密度图分析
计算设置过程中，在Properties栏选择Density of state，以及Calculate PDOS.
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
单击此处编辑母版标题样式 第一步 分析纯的ZnO和ZnS的电子结构差异
单击此处编辑母版副标题样式
h-ZnO和c-ZnS总的态密度图和能带结构
计算得到的束缚能和功函数数据 表明，Ti原子是一种合适的金属 原子，它可以稳定的吸附在碳管 表面，并有效的降低电子发射的 功函数。
单独的碳管的能带结构(a)与吸附Ti原子后的 能带结构(b)的比较表明，Ti的d轨道与碳管
的π轨道间存在杂化，总的电荷密度图和差
分电荷密度图(c)进一步证实了这一点。
由于Ti的d轨道具有更高的能量，因此在与
NOTE： • 一般10 Å厚度的材料对应于40 Å的真空层厚度 • 为0K时的结果，绝对值有略为低估(算法所致) • 表面层的优化对计算结果几乎没有影响 • 对功函的报道相互之间有大约0.5 eV的差异—与计算结果对比时需要注意
金属原子包覆的碳纳米管的电子结构设计以及选择性吸附的机制
三星电子，电子材料开发小组. NANO LETTERS, 2008,8(1):81-86.
单击此处编辑母版副标Байду номын сангаас样式
h-ZnO和c-ZnS的偏态密度图分析
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
O2p 轨道上的电子主要束缚在O的周围；在ZnO的导带底部，O的轨道成分 很少，主要由Zn的s，p轨道构成。
h-ZnO和c-ZnS的Mulliken电荷和键级
模型构建
ZnO和ZnS的结构在Castep的Structures文件夹中可以直接获取。 在菜单中点击File，选择Import，然后在跳出的选框中双击Structures文件 夹，在metal-oxides里导入ZnO，在semiconductors里导入ZnS
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
MD模拟溶剂对α-Al 2O3晶体形态的影响
单击此处编辑母版标题样式
J. Phys. Chem. C 2008, 112, 10145–10152
单击此处编辑母版副标题样式
研究背景及思路
单分散性、各向异性的单晶金属氧化物的形态控制是一个很重要 的研究方向。α-Al2O3是一种重要的金属氧化物，广泛应用于催化、微 电子、光学等领域。
单击此处编辑母版标题样式 研究表明，晶体各个晶面的相对增长速率对晶体最终的形态具有
重要影响，这种增长速率受到晶体结构本身以及外部因素如温度、溶 剂、饱和度、搅拌速度等影响。
本文采用单M击ater此ials 处Stud编io软辑件研母究版了溶副剂标1，4题-丁样二醇式对α-Al2O3
各个晶面增长速率的影响。
类型单壁碳管表单面的击吸附此，发处现编碳管辑的还母原度版(用副吸附标的分题子数样和式电子的转移数表征，
前者由吸附能决定，后者由Mulliken电荷表示)按照 金属性>大直径，半导性>小直径， 半导性的顺序递减。
单击此处编辑母版标题样式
研究人员计算了两种有机分子在不
同电单荷壁，碳平纳衡米距单管离上，击的相此吸应附费处能米，面编M和uL辑lUlikMe母nO 版副标题样式
ZnO
ZnS
模型构建
超胞的构建
在菜单中选择 Build/Symmetry/Supercell
在弹出的对话框中设置超
胞 超的胞大的小对单称性击为P此1，选处择 编辑母版标题样式
想要替换的原子后，在菜 单中选择Modify/Modify
e的le元m素enGt,a然，后完选单成择掺击用杂来此模替型处换 编辑母版副标题样式
的构建。
参数设置
Task: Energy XC Function: GGA-PBE Energy cutoff: 340eV
K me单sh: fin击e 此处编辑母版标题样式
Ultrasoft Pseudopotential (PBE) SCF Tolerance: 1.0×10-6
在引入IIIA元单素击Ga后此，处体系编电辑荷仍母设置版为副0 标题样式
提高，但是单Zn击S则此不然处，编那么辑，原母因版是什副么标呢？题样式
AIST的研究人员针对这个问题，采用Castep对ZnO和ZnS的电子 结构进行了研究。
研究思路
要解决这个问题，我们需要这样一些数据：
1> 相同的施主杂质，相同浓度下，ZnO和ZnS的能带结构和态密度；
2> 由于分析的对象是ZnO和ZnS，所以还需要纯的ZnO和ZnS的能带 结构和态密度；
110 4.06 4.02
111 4.24 4.00
单击此处编辑母版标题样式 Ag
100 4.64 4.22
110 4.52 4.02
111 4.74 4.39
W
100 4.63 4.01
110 5.25 4.79
单击此处编辑母版副标题样1式11 4.47 4.03
113 4.18 3.90
116 4.30 3.96
差单异，击而这此一现处象产编生辑的根母本原版因则标是由题S和样O引式起的电
子结构差异，与ZnS和ZnO的结构差异无关。
单击此处编辑母版副标题样式
• 功函(Workfunction) = 将电子从一个表面移往无穷远处所需要的能量
模型与直接结果
Metal Surface Exp Cleaved
Al
100 4.41 4.15
随直径的变化(单下左击图)。此处编辑母版副标题样式
氧的吸附对单壁碳纳米管场发射性能的影响的密度泛函研究
的位置(上表)。比较了两种有机分子的 吸附能随碳管直径变化的规律(右图)。
单击此处编辑母版标题样式
为了获得最终的结论，研究人员还考察了两种有机分子的吸附能随着其Mulliken电 荷的变化(上左图)， 其Mulliken电荷随着碳管直径的变化(上右图)， 其Mulliken电荷 随着体系LUMO/费米面位置的变化(下右图)以及LUMO(半导性)/费米面(金属性)位置
O-H
O-O
(010)和(111)晶面在最终晶体
形态中并没有出现，原因？
结果分析
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
吸附能越低，较小的能量就会造成溶剂的分子在晶体表面的释放，使得此 晶面具有较高的增长速率，在最终的结构中不容易出现。
结果分析
文献表明：（001）、（110）和（113）晶面是控制形态的主要晶面，但如果伴随 着先驱体含量、搅拌速度以及反应时间的增加，其它的晶面如(012)和(102)也会出现。
O2在Ti表面吸附的第一原理模拟表明，O原子 在Ti上的束缚能远高于其在碳管上的束缚能， 因此O原子更易吸附在金属原子上，因此吸附 金属原子后，可以减少O原子对碳管的攻击， 从而延长碳管的寿命。
单击此处编辑母版标题样式 实验中测得的I-V图(a)表明吸附Ti后，碳管电
子发射的电场临界值由5.5V/μm降低为 3.7V/μm，这证明吸附Ti原子确实降低了电子
单击此处编辑母版标题样式 3> 由于ZnO和ZnS存在结构差异，为了和组成差异(O和S)区分，还需
要做一些假设性的研究，譬如计算ZnO和ZnS具有相同结构时的能带结构 和态密度，以及ZnO或ZnS在不同结构时的能带结构和态密度；
情况4的> 计为算了。把单研究击做此的全处面一编些辑，还母可版以加副上对标不题同浓样度式，不同杂质的
Ga掺杂ZnO的能带结构和态密度图
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
相比于未掺杂的情况，费米面附近没有新增的轨道。 掺杂以后，费米面附近的轨道虽然同样主要由Ga的4s构成，但是此时，Ga 的4s并不体现出较强的定域性。
结论
• Ga在ZnS中与邻近的S相互作用，生成了一个具有较强定 域性的杂质能级(electron trap)，而在ZnO中则没有类似的 能级生成，这种现象决定了Ga掺杂ZnS与ZnO的导电性能
碳管的π轨道杂化时会使得体系的费米面向
单击此处编辑母版标题样式 高能方向移动，从而导致功函数降低。
态密度图(a和b)表明Ti原子吸附在碳纳米管
单击此处编辑母表进面一版后步副，增增加标加了了电题费子米发样面射附的式近效的率电，荷而密HO度M，O这的
空间分布图(c)表明，费米面附近的电子主要 由Ti原子提供，换言之，吸附Ti原子后，碳 管上具备了更多的电子发射点。
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
单击此处编辑母版标题样式 第二步 分析掺杂的ZnO和ZnS的电子结构差异
单击此处编辑母版副标题样式
Ga掺杂ZnS的能带结构和态密度图
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
轨道245#是一个新增的轨道，主要成分为Ga的4s。体现出很强的定域性。 轨道244#发生了一些变化，原来以S的2s和2p为主，现在以Ga的4s和邻近 的S原子和Zn原子轨道为主。
ZnO和ZnS具有这样两个显著的特点： 1> 性能具有很强的设计性Æ可以掺入多种杂质调节其能带结构
单击此处编辑母版标题样式 2> 便于制备加工Æ可以通过多种方法方便地制成薄膜
ZnO和ZnS之间也存在差异。除了结构上的差异外，在进行施主掺 杂时，两者电导率的变化有着明显的不同。 ZnO的电导率有着明显的
有了以上4个方面的数据，就可以从组成和结构，杂质的种类和浓度 多个方面分析ZnO和ZnS的性能差异。不过除了能带结构和态密度(包括偏 态密度)，在计算的过程中，还应该附带上Population, orbital 以及electron density，这些数据的获取几乎不花费多余的时间，但分析的时候可以与能 带结构和态密度相互印证，做一些说明。
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版文本样式
第掺二级杂ZnS 和 ZnO 电子结构差异的第一原理研究
第三级 第四级 第五级
AIST, Japan, J MATER SCI-MATER EL 14, 149(2003)
研究背景
ZnO和ZnS是两种广受关注的，具有大的禁带宽度和直接带隙的半 导体材料，通常应用在蓝光以及紫外光学设备中。
模型的建立
α-Al2O3模型的建立
(001)
单击此处编辑母版标题(010样) 式 (012)
α-Al2O3模型+溶剂单分子击层（此200处个1，编4-辑丁二母烯分版子）副标题样(10式2)
(110)
(111)
(113)
结果分析
Al-C
Al-H
A单l-O 击此处编O-辑C 母版标题样式 (010)和(111)晶面相互作用较 强，而且O-O相互作用出现多 重峰，易被溶剂影响 单击此处编辑母版副标题样式
单壁碳纳米管的电传导性能(金属或半导体)与碳管的手性和直径相关。在一定的
单击此处编辑母版标题样式 直径范围内，不同电传导特性的碳管共存，因此如何将它们分离就成为一个影响碳纳
米管应用的关键问题。以往的研究表明，有机分子对碳纳米管的氧化或者还原作用会 因碳管的电传导性能和直径而异，因此选取合适的有机分子就有可能实现不同电传导 性能和直径碳纳米管的分离。此项研究工作正是着眼于这一点，采用CASTEP和DMol3 研究了有机分子tetrakis (dimethylamino) ethylene (TDAE) 和 cobaltocene (CoCp2) 在不同
此项研究工作主要是为了考察将金属原子包覆的碳纳米管用做场发射显示器(FED) 中的电子发射器的可行性。
研究人员以Co, Ti, Pd, W 和Ru为例，利用平面波赝势法研究了金属原子在碳纳米 管(5,5)表面的吸附对于碳管电子结构，特别是功函数(与电子发射效率密切相关)的影 响，发现Ti原子更易吸附在碳管表面，且能更明显的降低功函数；此外，他们还发现 表面吸附的金属原子会对O2产生选择性的吸附，从而减少O原子对碳管的攻击，延长 场发射条件下碳管的寿命。在这项研究工作中，研究人员还将理论计算的结果用于指 导实验，获得了与理论预测相一致的结果。
单击此处编辑发母射的版功副函数标。 题样式 实验中测得的电流密度随时间变化的图(b)表明， 吸附Ti原子后，碳管的使用寿命延长了3.5倍， 这证明了之前关于Ti原子减少O原子对碳管攻 击的理论结果。
吸附供电子有机分子的单壁碳纳米管的还原性能与其电传导类型 和直径的关系
北京大学物理学院. SMALL, 2009,5(2):244-255.
偏态密度图分析
计算设置过程中，在Properties栏选择Density of state，以及Calculate PDOS.
单击此处编辑母版标题样式
单击此处编辑母版副标题样式
单击此处编辑母版标题样式 第一步 分析纯的ZnO和ZnS的电子结构差异
单击此处编辑母版副标题样式
h-ZnO和c-ZnS总的态密度图和能带结构
计算得到的束缚能和功函数数据 表明，Ti原子是一种合适的金属 原子，它可以稳定的吸附在碳管 表面，并有效的降低电子发射的 功函数。
单独的碳管的能带结构(a)与吸附Ti原子后的 能带结构(b)的比较表明，Ti的d轨道与碳管
的π轨道间存在杂化，总的电荷密度图和差
分电荷密度图(c)进一步证实了这一点。
由于Ti的d轨道具有更高的能量，因此在与
NOTE： • 一般10 Å厚度的材料对应于40 Å的真空层厚度 • 为0K时的结果，绝对值有略为低估(算法所致) • 表面层的优化对计算结果几乎没有影响 • 对功函的报道相互之间有大约0.5 eV的差异—与计算结果对比时需要注意
金属原子包覆的碳纳米管的电子结构设计以及选择性吸附的机制
三星电子，电子材料开发小组. NANO LETTERS, 2008,8(1):81-86.