西华大学电力电子期末试题集
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角的移相范围为_0-180O_，随的增大，Uo_降低_，功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
电力电子期末考试题库
填空1三相桥式全控整流电路是由一组共 极三只晶闸管和一组共 极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔 换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通 度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有 只晶闸管同时导通，一个是共 极的，另一个是共 极的元件，且要求不是 的两个元件。
2在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差 三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在 半周触发共阴极组的各晶闸管。
3三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 时，电流连续。
4三相全控是整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组，才能保证有效的电流通路，其导通顺序为 。
5晶闸管触发电路中，脉冲具有足够的移相范围，三相全控桥式整流电路电阻负载要求移相范围 ，电感性负载（电流连续） ，三相桥式可逆变线路在势负载下，要求移相范围反电为 。
6三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有 二种方式。
7三相桥式全控整流电路大电感负载时，晶闸管脉冲每隔________度发放一次，每次需要给________只管子发脉冲。
8三相桥式全控变流器处于整流状态时，控制角α____90°，当工作于逆变状态时，控制角α____90° 选择1三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（ ）。
A 、0.45U 2B 、0.9U 2C 、1.17U 2D 、2.34U 22三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（ ）。
A 、00～1800B 、00～1500C 、00～1200D 、00～900 3电阻性负载三相全控桥式整流电路中，控制角的范围是（ ） A 、30°～150° B 、0°～120°专业班级： 姓 名： 学 号：密 封 线C 、15°～125°D 、0°～150°4三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（ ）A 、90°B 、120°C 、150°D 、180°5三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（ ）。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
西华师范大学期末试题
西华师范大学期末试题《电动力学》试题一、判断（20分）1、在绝缘介质或在良导体中传播的电磁波，E 和B 的振幅都是相等的，而位相则有可能不同。
…………………( )2、因为电磁矢势的散度可以任意取值，所以电磁场的规范就有无限多种。
……………………………………..( )3、由库仑规范条件∙∇=0知，推迟势满足0'),'(=-∙∇⎰τd r c r t r j 。
…..( )4、当粒子(带电q)低速(v<<c)运动时，单位时间辐射能为c vq32232，( )而粒子辐射角分布由)1)((4c v c -⨯π决定………( ) 5、微分散射截面表示单位时间内散射掉的入射波强度的倍数（ ）二、填空题（20分）6、对于波长 =2cm 的电磁波。
为使TM 波的最低模式能顺利传播，矩形波导管的截面的长和宽a ，b 必须满足 的关系。
7、在导电介质(δ有限)与空气的分界面上，E 的边值关系是 ，H 的边值关系是 ，的边值关系是 。
8、定态波在导电介质中传播时，介质的复介电常数'ε= ，其中实部描述 电子运动效果，这类电子运动形成的电流的位相 ，而虚部描述 电子运动效果。
它形成的电流的位相与电场的位相 。
9、在Minkowski 空间中的位矢为),(ict r x=μ，仿此形式写出此空间的另外任意四个四维矢量(物理量) 、 、 、 。
10、在某一惯性系S 中，两事件发生在同一地点而时间间隔4秒，而在另一惯性系's 中，此两事件的时间间隔为6秒。
则此两事件在's 系中的空间距离为 米。
三、在自由空间中，有一均匀简谐平面波，电场强度的振幅为：ee ee iz i y zi x E 236643-+=求：1)电磁波的波长和频率，2)磁感强度，3)电磁能量密度),(t z u ； 4)讨论偏振状态。
(10分)四、一K 介子在实验室中行进时分裂为两个π介子，其中一个 π介子处于静止状态。
(完整版)电力电子期末试题.及答案
1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。
5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
电力电子技术期末考试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术期末考试试题及答案(1)电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在 __开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为 __开关损耗 __。
3.电力电子器件组成的系统，普通由 __操纵电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下落 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试卷第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _小于__Ubo 。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT 的开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。
5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
7.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
8.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
10.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子技术 期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
大学电力电子技术期末考试试题与答案详解
(a )晶闸管(b)电力 MOSFET (c) GTR (d)IGBT2•画出单结晶体管的电路符号及伏安特性；说明单结晶体管的导通条件和截止条件。
题号——一——二三四五六七八九十总分得分导通条件：％> U p , i e > I p （ 2分） 截止条件：U e < U v , i e < I v（ 2分）3•在第1题所给的器件中，哪些属于自关断器件?（b ）, （c ）, （d ）得分评卷人一、（共15分）1 •写出下列电路符号的名称或简称。
得分 评卷人(1) (3分) 二、（共18分） 具有续流二极管的单相桥式全控整流电路，对发电机励磁绕组供电。
绕组的电阻为 励磁直流平均电流I d 为30A ，交流电源电压 U 2为220V 。
的电流有效值；电源电流 12、容量S 以及功率因数；（3） 的波形；（4）若电压和电流都考虑 （3）（ 5 Q,电感为0.4H , （1）画出电路图；（2）计算晶闸管和续流二极管 作出整流输出电压 比、输出电流i d 和电源电流i 2 43由 U d =0.9U 21 cos ：解得a=59o兀-a(2) (6 分) I d =17.4A 2 二一二 IdI 2 = 2 I T =24.6A S = |刘2 =5412KVA cos * =吃=• R =0.83S SI DR=17.2A(4) (3 分)1.57 "22A50AI T(AV)U DRM=U RRM 二 2U 2 2 = 622V 800V•••采用KP50 — 8的晶闸管是合理的。
（23. （11分）有源逆变，大于 90°。
逆变失败，小于，太小，根据晶闸管的关断时间、换流重叠角和安全裕量角来确定3min, 一般取30°~35°。
（9分）得分评卷人三、（共25分）变流电路如图所示。
已知：U2=200V, R=2Q, L=s, L B=1mH , a=45°, E M=100V。
西华大学 电机学 半期-期末考试 练习题兼答案
一、填空题1、三相异步电动机在额定电压U（相电压）运行时，从电源吸收的有功功率P=3UI cos(φ)，如果电压U为线电压，从电源吸收的有功功率P=3UI cos(φ)。
2、在三相异步电动机中，___电磁_____功率是气隙旋转磁场的作用从定子经过气隙传递到转子。
这部分是转子通过__电磁感应______作用而获得的，因此称为电磁功率。
3、三相异步电动机运行时电磁功率、转子回路铜耗及机械功率的关系为P M:P cu2:P m=1:s（1-s），从这个表达式中可知，如果电磁功率一定，转差率s越小，机械功率_ 越大 __，_转差率s ____越大，转子铜耗P cu2越大。
4、三相异步电动机中，最大电磁转矩对应得转差率称为___临界_____转差率。
三相异步电动机起动时，n=___0_____，s=___1_____的电磁转矩称为起动转矩。
5、从三相异步电动机的工作特性可知，当三相异步电动机空载时，转子的转速n接近于___同步_____转速n1，假设空载运行时的转子电流约等于零，则定子电流I1等于_ 励磁 __ I0。
6、_功率因数 __是三相异步电动机的主要性能指标之一，我国生产的三相异步电动机cosφ为0.7～0.9。
7、从三相异步电动机固有特性分析可知，如果额定电压下直接起动三相异步电动机，由于最初起动瞬间主磁通约减少到额定值的一半，功率因数很低，造成了_起动电流 __较大而_ 起动转矩 __并不大的结果。
8、一般地三相异步电动机在_ 7.5 __kW以下的小容量鼠笼式异步电动机可直接起动。
9、三相异步电动机的降压起动有定子串电抗器 __、Y-Δ和自耦变压器降压__等起动方法。
10、三相异步电动机的能耗制动是当三相异步电动机在额定转速旋转时，突然切断三相交流电源，同时把_直流电 __通入其定子绕组中。
11、三相同步电机也是有定子和转子两大部分组成，定子上有三相交流 __绕组，转子上有_励磁 __绕组。
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一、填空题（每空1分，共计30分）
1. 电力电子技术是指使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术；电力电子学是由电力学、电子学
和控制理论交叉而形成的学科。
2.
按照电力电子器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
3. 晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为擎住电流。
使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。
4.
晶闸管串联时存在电压分配不均匀的问题，并联时存在电流分配不均匀的问题。
5.
三相桥式全控整流电路在每个时刻均需 2 个晶闸管同时导通，且不能为同一相的晶闸管，形成向负载供电的回路。
整流输出电压一周期脉动 6 次。
6.
电流可逆斩波电路可看作降压斩波电路与升压斩波电路的组合。
7. 逆变时，一旦换相失败，外接直流电源就会通过晶闸管电路短路，或使变流器的输出平均电压和直流电动势变成顺向串联，形成很大的短路电流。
8.
交交变流电路是指把一种形式的交流电变成另一种形式的交流电电路；在进行交交变流时，可以改变相关的电压、电流和频率等。
9. 电力电子器件在一个电源周期中处于通态的电角度称为导通角。
换相过程持续的时间用电角度γ表示，
称为换相重叠角。
10. 无源逆变是指把直流电变成交流电，且交流侧直接和负载连接时的变换，其换流方式有电网换流、器
件换流、负载换流和强迫换流。
二、简答题（每小题6分，共计30分）
1. 要想使变流器工作在有源逆变状态，应该具备什么条件？
条件有二：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使U d 为负值。
2. 简述升压斩波电路的工作原理。
对于升压斩波电路，当V 处于通态时，电源E 向电感L 充电，电流恒定I 1，电容C 向负载R 供电，输出电压U o 恒定。
V 处于断态时，电源E 和电感L 同时向电容C 充电，并向负载提供能量。
设V 通态的时间为t on ，V 断态的时间为t off ，稳态时，一个周期T 中L 积蓄能量与释放能量相等，得到11T U E E t α=
=-o off ，输出电压高于电源电压，故为升压斩波电路。
3. 交流调压电路和交流调功电路有什么异同？
交流调压电路和交流调功电路的电路形式完全相同，二者的区别在于控制方式不同。
交流调压电路是在交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制。
而交流调功电路是将负载与交流电源接通几个周波，再断开几个周波，通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。
5.什么是PWM 控制？什么是SPWM 波形？
PWM 控制：对脉冲的宽度进行调制的技术。
即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
SPWM 波形：脉冲的宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM 波形。
一、填空题（每空1分，共计30分）
1. 按照器件内部电子和空穴参与导电的情况不同，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件和复合
型器件。
2.
通态平均电流I T(A V)指的是在环境温度为40°C 和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值，使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。
3.
三相全控桥器件的触发脉冲按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序，相位依次差60︒。
同一极组，如VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120︒。
同一相的上下两个桥臂，如VT1与VT4，脉冲相差180︒。
4.
有源逆变电路交流侧和电网连结，无源逆变电路的交流侧直接接到负载。
5.
直流斩波6种基本斩波电路：降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路。
6.
交流调功电路与交流调压电路的电路形式完全相同，但控制方式不同。
7.
换流是指电流从一个支路向另一个支路转移的过程，也称为换相。
8. PWM 控制技术的重要理论基础是面积（冲量）等效原理。
PWM 波形的生成方法有计算法、调制法和
跟踪控制法。
9. 将几种基本的变流电路组合起来，以实现一定的新功能，即构成组合变流电路。
其中间接交流变流电路是先整流后逆变的组合。
二、简答题（每小题6分，共计30分）
1. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2. 什么是触发延迟角？
在可控整流电路中，可控元件从开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲时止，其间的电角度叫触发延迟角，用α表示，简称触发角，也叫控制角或移相角。
3. 什么叫逆变失败？
晶闸管变流器在逆变运行时，一旦不能正常换相，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器输出的平均电压和直流电动势变成顺向串联，形成很大的短路电流，这种情况叫逆变失败，或叫逆变颠覆
3.（1）有源逆变失败的原因有哪些？
（1）触发电路工作不可靠，不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相。
（2）晶闸管发生故障，该断时不断，或该通时不通。
（3）交流电源缺相或突然消失。
（4）换相的裕量角不足，引起换相失败。
4. 简述直流降压斩波器的工作原理。
V 导通时电源E 向负载供电，负载电压uo=E ，负载电流io 按指数曲线上升。
V 关断时二极管VD 续流，负载电压uo 近似为零，负载电流呈指数曲线下降。
所以输出负载电压平均值：t t U E E E t t T α=
==+on on o on off
5. 电压型逆变电路有什么特点？什么是电压型逆变电路？
直流为电压源，或并联大电容；交流侧输出电压为矩形波，并且与负载阻抗角无关；当交流侧为阻感
负载时需要提供无功功率。
直流侧为电压源的逆变电路
一、填空题
2、电力电子器件的功率损耗有通态损耗、断态损耗、开关损耗三种。
其中开关损耗又可分为关断损耗、开通损耗两种。
3、在电气设备或电力系统中，主电路是指直接承担电能的变换或控制任务的电路。
5、电力电子驱动电路通常采用的隔离技术有磁隔离和光隔离。
6、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTO、GTR、MOSFET、IGBT。
7、PWM控制技术是指对脉冲的宽度进行调制的技术。
二，简答题
1、缓冲电路的作用及其种类？
抑制器件的内因过电压、d u/d t、过电流和d i/d t，减小器件的开关损耗。
关断缓冲电路、开通缓冲电路、复合缓冲电路。
3、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？
斩波电路三种控制方式：（1）T不变，变t on —脉冲宽度调制（PWM）；（2）t on不变，变T —频率调制；（3）t on和T都可调，改变占空比—混合型
4、什么是开关电源？与相控电源相比，开关电源的优点有哪些？
间接直流变流电路输入端的直流电源是由交流电网整流得来，构成的交－直－交－直电路。
变压器和滤波器都大大减小，体积和重量都远小于相控整流电源；
工作频率的提高还有利于控制性能的提高。
1、晶闸管的额定电流I T(AV)、维持电流I H和擎住电流I L是如何定义的？
1、额定电流：即通态平均电流，条件为环境温度400C和规定的冷却条件，稳定结温不超过额定结温
时所允许流过的最大的工频正弦半波电流的平均值。
维持电流：晶闸管维持导通状态所必需的最小阳极电流。
擎住电流：晶闸管又断态进入导通过程中，如果撤掉触发脉冲，能继续维持晶闸管导通的最小阳极电流。