现代电力电子技术作业

合集下载

现代电力电子及变流技术B82242

现代电力电子及变流技术B82242

东北大学继续教育学院现代电力电子及变流技术试卷(作业考核线下)B 卷(共 4 页)一、单选题(每小题2分,共10分)1. 晶闸管是( A )。

A. 四层三端器件B. 三层四端器件C. 四个PN结的器件D. 电压驱动型器件2. ( C )是双极型全控电力电子器件。

A.P-MOSFETB.TRIACC.GTRD.GTO3. 功率晶体管三个电极分别为( A )。

A.发射极,基极,集电极;B.第一基极,发射极,第二基极;C.源极,栅极,漏极;D.阴极,门极,阳极。

4. 电压型交-直-交变频器中间直流环节是( A )。

A. 电容B. 电感C. 电容加电感D. 电容加电阻5. 三相半波可控整流电路,负载两端分别接( B )。

A. 整流变压器输出端和中性点B. 整流电路输出端和中性点C. 共阴极组整流电路输出端和共阳极组整流电路输出端D. 平波电抗器两端二、问答题(每小题5分,共35分)1. 试分析电力电子器件并联使用时可能出现什么问题及解决方法。

答:电力电子器件并联使用时因静态、动态特性参数的差异而导致电流分配的不均匀,造成电流过大的器件因过载损坏。

因此,必须采取均流措施如加均流电抗器,并选用特性参数尽可能一致的元器件,用门极强脉冲触发也有助于动态均流。

选择正温度系数的器件(MOSFET和IGBT)也能较好的达到均流效果。

2. 简述正弦脉宽调制(SPWM)技术的工作原理。

答:述正弦脉宽调制(SPWM)技术是将每一正弦周期内的多个脉冲作自然或规则的宽度调制,使其依次调制出相当于正弦函数值的相位角和面积等效于正弦波的脉冲序列,形成等幅不等宽的正弦化电流输出。

3. 晶闸管逆变器为什么要有换流电路?逆变器换流有哪几种基本方法?4. 什么是脉冲宽度调制方式?答:脉冲宽度调制(PWM),是英文“Pulse Width Modulation ”的缩写,简称脉宽调制,是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术,广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。

现代电力电子技术参考答案

现代电力电子技术参考答案

现代电力电子技术参考答案(仅供参考)一、解:1、因为该电路为带阻感负载,且所以30=αVU U d 82445302203423422.cos .cos .=⨯⨯== α2、AA R U I d d 582441082445..===所以流过晶闸管的电流的有效值为:A I I d VT742531.≈=3、整理变压器副边相电流的有效值为:A I I d L 43632.==4、晶闸管承受的最大电压为:VU U M 89538220662.≈⨯==5、负载的有用功率P 为:kwR I Pd 87619105824422..=⨯==6、整流电路的功率因数为:82702.cos ==απλ7、负载电压的波形8、绘制晶闸管电压u VT1的波形9、绘制晶闸管电流i VT1的波形10、绘制变压器副边a 相电流i a 的波形ER+-+-VDu DEi Li D i u L+-oI C+-Ci o U u CTG解:设该电路是降压斩波电路1、由题意可得输入电压%1027±=V E 输出电压:VU 150=当V E 32410127.%)(=-⨯=时,占空比620324150..≈==E U D 当VE72910127.%)(=+⨯=时,占空比50729150..≈==E U D 所以占空比D 的变化范围为0.5-0.622、要保证电感电流不断续,应使最小负载电流大于临界负载电流因V U W P 151000==,max且保持不变,所以A U p I 6761510000.max max ≈==因VU W P mxin15100==,所以A U p I o 67015100.min min≈==而临界负载电流)(sD Lf U I oB-=120,其中D 的最小值,即0.5,sf =20KHZ所以mH D I f U L o s 28067010202501151230..).()(min =⨯⨯⨯-⨯=-∙=所以只要电感L 大于mH 280.,即可保证整个工作范围内电感电流连续。

东北大学《现代电力电子及变流技术X》期末考核作业386

东北大学《现代电力电子及变流技术X》期末考核作业386

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院现代电力电子及变流技术X 试 卷(作业考核 线上2) A 卷(共 4 页)一、单选题(每小题2分,共10分) 1. (B )是电流控制型电力电子器件。

、SITH 、GTR 、IGBT 、MCT2. 180°导电型交-直-交电压变频器,任意时刻有( C )导通。

A. 一只开关管 B. 两只开关管 C. 三只开关管 D. 四只开关管3. 三相半波可控整流电路,大电感负载,晶闸管的电流有效值是( D )。

A.d2I B. d 3I C. d 6I D.4. 三相桥式全控整流电路,电阻性负载,脉冲的移相范围是( B )。

A. 90° B. 120° C. 150° D.180°5. 同步信号为锯齿波的触发电路,双窄脉冲中第一个主脉冲由本相触发单元产生,第二个补脉冲( B )。

A.由超前本相60°相位的前一相触发单元产生;B.由滞后本相60°相位的后一相触发单元产生;C.由超前本相120°相位的前一相触发单元产生;D.由滞后本相120°相位的后一相触发单元产生。

二、问答题(每小题5分,共35分)1. 列举出至少三种晶闸管变流装置的过电流保护方法。

答: 用快速熔断器切断过电流; 用直流快速开关切断过电流; 用桥臂电抗器抑制元件过电流;用过电流继电器控制过电流大小。

2. 触发电路中设置控制电压U ct和偏移电压U b各起什么作用如何调整答:控制电压U ct 用来调节输出电压。

一般是U ct=0时,U d=0v。

U ct=U ctm,U d=U dm。

偏移电压U b用来调节输出的零位。

一般是Uct=0v时,调节Ub,使Ud=0v。

偏移电压Ub调好后一般不再动了。

3. 生成SPWM波形有几种软件采样方法各有什么优缺点答:自然采样法:实时计算与控制困难,一般事先计算好,通过查表方式控制。

《现代电力电子技术》离线作业答案

《现代电力电子技术》离线作业答案

现代电力电子技术第1次作业一、单项选择题(只有一个选项正确,共4道小题)1. 在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )(A) 干扰信号(B) 触发电压信号(C) 触发电流信号(D) 干扰信号和触发信号正确答案:A2. 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )(A) 导通状态(B) 关断状态(C) 饱和状态(D) 不定正确答案:B3. 晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以()(A) 阳极电流(B) 门极电流(C) 阳极电流与门极电流之差(D) 阳极电流与门极电流之和正确答案:A4. 电阻性负载三相半波可控整流电路,相电压的有效值为U2,当控制角α=0°时,整流输出电压平均值等于()(A) 1.41U2(B) 2.18U2(C) 1.73U2(D) 1.17U2正确答案:D四、主观题(共14道小题)5. 电力电子技术的研究内容?参考答案:主要包括电力电子器件、功率变换主电路和控制电路。

6. 电力电子技术的分支?参考答案:电力学、电子学、材料学和控制理论等。

7. 电力变换的基本类型?参考答案:包括四种变换类型:(1)整流AC-DC(2)逆变DC-AC(3)斩波DC-DC(4)交交电力变换AC-AC。

8. 电力电子系统的基本结构及特点?参考答案:电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路,功率变换主电路是属于电路变换的强电电路,控制电路是弱电电路,两者在控制理论的支持下实现接口,从而获得期望性能指标的输出电能。

9. 电力电子的发展历史及其特点?参考答案:主要包括史前期、晶闸管时代、全控型器件时代和复合型时代进行介绍,并说明电力电子技术的未来发展趋势。

10. 电力电子技术的典型应用领域?参考答案:介绍一般工业、交通运输、电力系统、家用电器和新能源开发几个方面进行介绍,要说明电力电子技术应用的主要特征。

11. 电力电子器件的分类方式?参考答案:电力电子器件的分类如下(1)从门极驱动特性可以分为:电压型和电流型(2)从载流特性可以分为:单极型、双极型和复合型(3)从门极控制特性可以分为:不可控、半控及全控型。

东大14秋学期《现代电力电子及变流技术》在线作业1答案

东大14秋学期《现代电力电子及变流技术》在线作业1答案
B.
三相电源相电压正半周波形的交点
C.
三相电源相电压负半周波形的交点
D.
三相电源线电压正半周波形的交点
?
正确答案:D
9.单相交流调压电路可以用于
A.电阻性负载
B.电感性负载ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
C.电阻性负载和电感性负载
D.单相负载
?
正确答案:C
10.三相半波可控整流电路,变压器副侧绕组的电流有效值I2是()。
A.
B.
C.
D.
?
正确答案:B
二,判断题
1.缓冲电路的基本设计思路是:在器件开通时,使电流缓升:在器件关断时,使电压缓升。
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
2.交-交变频电路只有方波型交-交变频器。
A.错误
B.正确
?
正确答案:A
3.三相桥式全控整流电路,电阻性负载,最大移相范围是150°。
A.错误
B.正确
?
正确答案:A
4. Cuk直流斩波器,输入电流不连续,输出电流不连续。
A.错误
B.正确
?
正确答案:A
5.晶闸管刚从断态进入通态,当撤掉触发信号后,能维持继续导通所需的最小主电流,叫做擎住电流。
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
6.三相桥式全控整流电路,阻感性负载,最大移相范围是90°。
A.错误
B.正确
?
正确答案:B
7.为了避免IGBT发生锁定现象,必须规定栅极电流的最大值。
3.绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.
发射极,基极,集电极;
B.
发射极,栅极,集电极;
C.

东大19春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业3

东大19春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业3

东大19春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业3------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题)1: 单相桥式半控整流电路一共有()只晶闸管。

A: 1B: 2C: 3D: 4正确答案:(单选题)2: 三相桥式全控整流电路,电阻性负载,脉冲的移相范围是()。

A: 90°B: 120°C: 150°D: 180°正确答案:(单选题)3: 单相全波可控整流电路,大电感负载,晶闸管的电流有效值是()。

A:B:C:D:正确答案:(单选题)4: 三相桥式全控整流电路,大电感负载,变压器副侧绕组的电流有效值I2是()。

A:B:C:D:正确答案:(单选题)5: 120°导电型交-直-交电流变频器,任意时刻有()导通。

A: 一只开关管B: 两只开关管C: 三只开关管D: 四只开关管正确答案:(单选题)6: 180°导电型交-直-交电压变频器,任意时刻有()导通。

A: 一只开关管B: 两只开关管C: 三只开关管D: 四只开关管正确答案:(单选题)7: 全控型电力电子器件有()。

A: Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBTB: P-MOSFET、IGBT、GTR、GTOC: SITH、MCT、Thyristor、GTOD: IGCT、GTO、TRIAC、IPM正确答案:------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题)8: 电流型交-直-交变频器中间直流环节是()。

现代电力电子技术作业

现代电力电子技术作业

第一次作业1、电压型和电流型开关器件的工作原理(1)电压型(MOSFETIGBT):通过在控制端与公共端之间施加一定的电压信号即可实现器件的导通或关断的控制。

实际上是该电压信号在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场,进而来改变流过器件的电流大小和通断状态。

MOSFE X作原理:导通条件:漏源电压为正,栅源电压大于开启电压。

关断条件: 漏源极电压为正,栅源极电压小于开启电压。

IGBT X作原理:导通条件:集射极电压为正,栅射极电压大于开启电压;关断条件:栅射极电压小于开启电压。

(2)电流型(SCR GTO GTR :通过在控制端注入或抽出一定的电流实现器件的导通或关断的控制。

SCR工作原理:导通条件:正向阳极电压,正向门极电压;关断条件:必须使阳极电流降低到某一数值之下 (约几十毫安)。

两种强迫关断方式:电流换流和电压换流。

GTC X作原理:与普通晶闸管相同。

开关速度高于普通晶闸管,di/dt承受能力大于晶闸管。

GTF X作原理:导通条件:集射极加正向电压,基极加正向电流;关断条件:基极加负脉冲。

2、二极管的反向击穿机理反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当反向电压过大,超过一定限度,反向电流就会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态。

反向击穿按照机理不同分为雪崩击穿、齐纳击穿两种形式。

雪崩击穿:反向电压增大,空间电荷区的电场强度增大,使从中性区漂移进入空间电荷区的载流子被加速获取很高动能,这些高能量、高速载流子撞击晶体点阵原子使其电离(碰撞电离) ,产生新的电子空穴对,新产生的电子与空穴被加速获取能量,产生新的碰撞电离,使载流子迅速成倍增加,即雪崩倍增效应,导致载流子浓度迅速增加,反向电流急剧增大,最终PN结反向击穿。

齐纳击穿:重掺杂浓度的PN结,一般空间电荷区很窄,空间电荷区中的电场因其狭窄而很强,反偏又使空间电荷区中的电场强度增加,空间电荷区中的晶体点阵原子直接被电场电离,使价电子脱离共价键束缚,产生电子空穴对,使反向电流急剧增加。

现代电力电子技术第1次作业

现代电力电子技术第1次作业

一、单项选择题(只有一个选项正确,共10道小题)1. 在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )(A) 干扰信号(B) 触发电压信号(C) 触发电流信号(D) 干扰信号和触发信号正确答案:A解答参考:2. 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )(A) 导通状态(B) 关断状态(C) 饱和状态(D) 不定正确答案:B解答参考:3. 晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以()(A) 阳极电流(B) 门极电流(C) 阳极电流与门极电流之差(D) 阳极电流与门极电流之和正确答案:A解答参考:4. 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )(A) 90°(B) 120°(C) 150°(D) 180°你选择的答案: D [正确]正确答案:D解答参考:5. 单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( )(A) U2(B) U2(C) 2U2(D) U2你选择的答案: B [正确]正确答案:B解答参考:6. 单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( )(A) U2(B) 2U2(C) U2(D) U2你选择的答案: C [正确]正确答案:C解答参考:7. 单相半控桥式整流大电感负载电路中,为了避免出现一个晶闸管一直导通,另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生,采取的措施是在负载两端并联一个()(A) 电容(B) 电感(C) 电阻(D) 二极管你选择的答案: D [正确]正确答案:D解答参考:8. 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是( )(A) 0°~90°(B) 0°~180°(C) 90°~180°(D) 180°~360°正确答案:A解答参考:9. 单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ=( )(A) π-α(B) π+α(C) π-δ-α(D) π+δ-α正确答案:C解答参考:10. 三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时,输出电流波形会出现零点。

西南交《现代电力电子技术》在线作业一【满分答案】

西南交《现代电力电子技术》在线作业一【满分答案】

西南交《现代电力电子技术》在线作业一---------------------------单选题1.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D. 不定正确答案:B2.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后30度正确答案:B3.对于电力MOSFET,栅极不加电压时,电流()A.一定导通B.可能导通C.不能导通D.不确定正确答案:C4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止正确答案:B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是()A.功率晶体管B. IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管正确答案:D6.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角的最大移相范围是()A. 90oB. 120oD. 180o正确答案:D7.三相半波带电阻性负载时,α为()度时,可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态A. 0B. 60C. 30D. 120正确答案:C8.一般可逆电路中的βmin选()合理A.30o-35oB.10o-25oC.0o-10oD. 0o正确答案:A9.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A. 电容B. 电感D.电动机正确答案:B10.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A.减小输出幅值B.增大输出幅值C.减小输出谐波D.减小输出功率正确答案:C---------------------------多选题1.变频电路可分为()A.交交变频B.交直变频C.交值交变频D.直交变频正确答案:A2.相控整流电路实现有源逆变的条件有()A.负载侧存在直流电势B.直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值C.晶闸管触发角大于90度D.晶闸管触发角小于90度正确答案:A3.IGBT具有以下哪三种极性?()A. 门极KB. 栅极GC.集电极CD.发射极E正确答案:B4.相控整流电路的负载大致可以分为()A.电阻性负载B.电感性负载C.电容性负载D.反电势负载正确答案:A5.电力变换的类型有()A.交流变直流B.直流变交流C.直流变直流D.交流变交流正确答案:A6.下列元器件中,半控型有()A.普通晶闸管B.整流二极管C.逆导晶闸管D.双向晶闸管正确答案:A7.开关管的驱动电路采用的隔离技术有()A.磁隔离B.电容隔离C.电感隔离D.光耦隔离正确答案:A8.无源逆变电路可以输出()A.三角波B. 斜波C.矩形波D.脉宽调制波正确答案:C9.电压逆变电路的特点()A.直流侧接大电感B.交流侧电流接正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流无脉动正确答案:B10.按照开关控制能力,电力电子器件可分为()A.不可控器件B.半空型器件C.电压控制型器件D.全控型器件正确答案:A---------------------------判断题1.单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些A. 错误B. 正确2.三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比,要输出相同的Ud,晶闸管承受的正、反向峰值电压较低A. 错误B. 正确正确答案:A3.换相压降消耗有功功率A. 错误B. 正确正确答案:A4.在三相交流调压电路中,至少有一相正向晶闸管与另一相反向晶闸管同时导通A. 错误B. 正确正确答案:B5.变频调速装置属于无源逆变的范畴A. 错误B. 正确6.直流斩波器属于隔离型直直变换器A. 错误B. 正确正确答案:A7.脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点A. 错误B. 正确正确答案:B8.带阻性负载的单相桥式全控整流电路中,触发角为0时,功率因数也为0A. 错误B. 正确正确答案:A9.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。

现代电力电子技术第1次作业

现代电力电子技术第1次作业

现代电力电子技术第1次作业1.电力电子器件一般工作在()。

通断状态(开关状态)(正确答案)放大状态截止状态常开状态2.二极管属于()。

半控型器件全控型器件不可控器件(正确答案)GTR3.按受控方式分,普通晶闸管属于()。

全控型器件半控型器件(正确答案)不可控器件不确定4.交流电变直流电的过程可用文字符号表示为()。

AC-DC(正确答案)AC-ACDC-DCDC-AC5.晶闸管的三个电极分别是()。

阴极、阳极、控制极(正确答案)发射极、集电极、基极阳极、基极、集电极一级、二级、三级6.晶闸管具有3个PN结。

对(正确答案)错7.晶闸管的电极分别为发射极、集电极和控制极。

对错(正确答案)8.晶闸管的三个电极分别用阳极A、阴极K、控制极G表示。

对(正确答案)错9.从公用电网直接得到的是交流电。

对(正确答案)错10.从蓄电池和干电池得到的是直流电。

对(正确答案)错11.整流电路按输出波形分可分为单相整流和三相整流。

对错(正确答案)12.把交流电变为大小可调的直流电叫整流。

对(正确答案)错13.交流调压是把交流变交流,把一种交流电变成输出值适合需要的交流电。

对(正确答案)错14.逆变是把直流电变为交流电。

对(正确答案)错15.触发脉冲丢失会导致逆变失败。

对(正确答案)错16.电力中的电源有()和()两种。

交流(正确答案)直流(正确答案)单相三相17.电力电子器件按受控方式分为()、()和()。

不可控器件(正确答案)半可控器件(正确答案)全控器件(正确答案)电力电子器件18.该图形符号是什么器件的?_________________________________(答案:晶闸管)19.HL指的是现实生活中的什么物件?_________________________________(答案:灯泡)20.观察日常生活中的调光灯会发现,其输入是交流多少的电压?_________________________________(答案:220V)21.工频交流电或直流电变换成频率可调的交流电供给负载是什么电路?_________________________________(答案:变频电路)22.该图形符号是什么器件的?_________________________________(答案:双向晶闸管)23.如图所示的交流调压电路,此交流调压电路中使用的控制元件是什么?_________________________________(答案:单向晶闸管)。

现代电力电子技术作业

现代电力电子技术作业

5、说明电力MOSFET栅极电压U GS控制漏极电流iD的基本原理。

答:当UGS<UGSth时,功率MOSFET处于截止区III。

此时若UDS超过击穿电压Ubr时,期间将被击穿,使iD急剧增大而进入雪崩击穿。

而当UGS >UGSth时输出特性在线性导电区,由于UDS它对导电沟道宽度和一点的漏-源电阻RDS,则iD=UDS/RDS将随UDS而线性增大;这就形成了线性到点去I(可调电阻区)。

对于一定的UGS,当UDS较大时,尽管UDS增大,但因iD已经达到饱和值,不能再增大多少,此时恒流饱和区II,这相当于漏源电阻RDS随UDS而加大,iD保持不变。

6.说明电力MOSFET的分类及其结构分类:N沟道增强型,P沟道增强型,N沟道耗尽型,P沟道耗尽型结构:N沟道增强型7.作为开关使用时电力MOSFET器件主要的优缺点是什么?优点:①开关速度高,②开关时间短,③工作频率高。

缺点:①电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

②由于存在极间电容,使得输入栅极电压信号和漏极电流的波形上升和下降都应该呈指数曲线规律。

9.对于电力MOSFET来说,试说明N沟道、P沟道、增强型及耗尽型等名词术语的含义。

答:场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与的半导体器件。

从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。

增强型:V GS=0时,漏源之间没有导电沟道,在V DS作用下无i D。

耗尽型:V GS=0时,漏源之间有导电沟道,在V DS作用下有i D。

10. 电力MOSFET输出特性曲线可分为哪几个区?各有什么特点?作为开关使用时MOSFET一般工作在什么区?可分为线性导电区、饱和恒流区和截止区三个区域。

当u GS < u GSth(开启电压)时,功率MOSFET处于截止区。

此时若u DS超过击穿转折电压u BR时,器件将被击穿,使i D急剧增大而进入雪崩击穿。

现代电力电子技术大作业

现代电力电子技术大作业

VCCT Q D1C RN1 N2 ip isVO**不为零,与此相反即为电流断续。

如果,在t=T时刻,I smin=0表示导通期间储存的磁场能量刚好释放完毕;也就是临界状态。

,I smin >0表示导通期间储存的磁场能量还没有释放完,电路工作在连续状态;Ismin<0表示导通期间储存的磁场能量还没有到时刻就已经释放完毕,即电路工作在断续状态下。

电流连续下的理论波形:图1-3 理论输出波形3、实验步骤1)根据实验设计指标选择所需器件输入直流电源:Vin 200V;变压器T的参数,L p:10uH, ,L s:5uH,变压器初级线圈匝数:200匝,次级线圈匝数:10匝,变压器励磁电感L m:1m;滤波电容C:110uF,初始电压10V;触发频率:100k,占空比0.8;负载为阻性负载:5Ω。

2)利用所选的元器件,搭建原理图,并按已知参数设置各元件参数,设定仿真控制时间。

保存原理图。

将MOSFET和二极管D1参数选项中的current flag设置为1,这样可以将电流表缺省直接测得电流波形。

3)点击仿真按钮,双击要观察波形的参数值,点击确定,观察仿真波形。

4、仿真电路图电路原理图如下:图1-4 仿真电路图4、仿真结果1)电流连续输出波形按照顺序,图中的I(D1)为变压器次级电流大小,在图中的大致形状是呈线性下降的直线;I(MOS1)是变压器初级电流大小,在图中的大致形状是呈线性增长的直线;图中的Vp1是输出电压,近似为一条平行于时间轴的一条直线,但略有脉动。

图 1-5 电流连续下仿真结果2)电流断续输出波形降低触发电路的占空比,电流将断续,将占空比变为0.5,输出初、次级电流波形如下图1-6所示。

图1-6 电流连续下仿真结果6、仿真结果分析观察图1-5的仿真结果,按照所选参数构建的电路,电流连续时,输出电压40V达到了预期制定指标。

在开关管MOSFET导通的时间段内,变压器初级电流I(MOSFET)线性上升,此时变压器次级电压为下正上负,使得二极管反偏截止,即I(D)为零,此时负载电流由滤波电容提供。

电力电子技术作业(含答案)

电力电子技术作业(含答案)

第2章 电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或:u AK >0且u GK >0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

4. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。

π4π4π25π4a)b)c)图1-43图1 晶闸管导电波形解:a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2mI (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b)I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =2mI π2123+≈0.898 I m c)I d3=π21⎰2)(πωt d I m =0.25I mI 3 =⎰202)(21πωπt d I m =0.5I m5. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,d u/d t或过电流和d i/d t,减小器件的开关损耗。

6. 试分析全控型器件的RCD缓冲电路中各元件的作用。

答:RCD缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,C s经R s放电,R s起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VD s从C s分流,使d u/d t减小,抑制过电压。

20秋学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业1

20秋学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业1

20秋学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业1晶闸管变流电路逆变工作时,()。

A:ormulasB:C:D:答案:B180&deg;导电型交-直-交电压变频器,任意时刻有()导通。

A:一只开关管B:两只开关管C:三只开关管D:四只开关管答案:C自然换流点在相电压波形正半周轮廓线交点的电路是()。

A:三相零式共阴极组整流电路B:三相零式共阳极组整流电路C:三相桥式全控整流电路D:三相桥式全控逆变电路答案:A()是电压控制型电力电子器件。

A:P-MOSFET、MCTB:TRIAC、GTRC:GTO、IGBTD:PowerDiode、SITH答案:A功率晶体管三个电极分别为()。

A:发射极,基极,集电极;B:第一基极,发射极,第二基极;C:源极,栅极,漏极;D:阴极,门极,阳极。

答案:A两组晶闸管反并联电路,一共有()。

A:两种工作状态B:三种工作状态C:四种工作状态D:以上各种状态答案:C晶闸管的额定电压是()。

A:断态重复峰值电压B:反向重复峰值电压C:A和B中较大者D:A和B中较小者答案:D单相桥式全控整流电路一共有()只晶闸管。

A:1B:2C:3D:4答案:D单相半波可控整流电路一共有()只晶闸管。

A:1B:2C:3D:4答案:A单相全波可控整流电路,大电感负载,晶闸管的电流有效值是()。

西南交《现代电力电子技术》在线作业二【满分答案】

西南交《现代电力电子技术》在线作业二【满分答案】

西南交《现代电力电子技术》在线作业二---------------------------单选题1.相控交交变频电路的输出最高频率必须小于输入频率的()A. 1/3B. 1/4C. 1/5D. 1/6正确答案:A2.下列自关断器件中,属于电流控制型器件的是()A.电力场效应晶体管B.达林顿晶体管C.电力晶体管D.绝缘栅极双极型晶体管正确答案:B3.对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB.α以及负载电流IdC.α和U2D.α、U2以及变压器漏抗XC正确答案:A4.单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角的移相范围是()A. 0-90B. 0-180C.90-180D.180-360正确答案:A5.单相半控桥式整流大电感负载电路中,为了避免出现一个晶闸管一直导通,另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生,采取的措施是在负载两端并联一个( )A. 电容B. 电感C. 电阻D.二极管正确答案:D6.对同一个晶闸管来说,通常其擎住电流要()维持电流A. 小于B. 大于C. 等于D.小于或等于正确答案:B7.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在已给管芯上而成()A.大功率三极管B.逆阻性晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管正确答案:B8.下列描述中不属于IGBT的特点有()A.开关速度快B.耐高压C.耐大电流D.输入阻抗小正确答案:D9.三相半波整流电路带阻性负载时触发脉冲的移相范围为()A.0o-90oB.0o-180oC.0o-150oD.0o-120o正确答案:C10.下列器件中,属于电流控制型的电力电子器件有()A.电力MOSFETB. IGBTC. IGCTD. GTO正确答案:D---------------------------多选题1.下列电路中不可能实现有源逆变的有()A.三相半波可控整流电路B.三相侨式半控整流电路C.单相桥式整流电路D.单相双半波整流电路外接续流二极管正确答案:B2.相控整流电路实现有源逆变的条件有()A.负载侧存在直流电势B.直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值C.晶闸管触发角大于90度D.晶闸管触发角小于90度正确答案:A3.下列描述中属于电力MOSFET的特点有()A.驱动功率小B.开关速度快C.工作频率高D.耐压高正确答案:A4.按照开关控制能力,电力电子器件可分为()A.不可控器件B.半空型器件C.电压控制型器件D.全控型器件正确答案:A5.下列可控整流电路中输出电压谐波含量最少的是()电路A.三相半波B.单相双半波C.三相桥式D.十二相整流正确答案:D6.下列元器件中,可控型有()A.普通晶闸管B.整流二极管C.逆导晶闸管D.大功率晶体管正确答案:B7.直流斩波器的控制方式有()A.定频调宽控制B.定宽调频控制C.调频调宽混合控制D.定频定宽控制正确答案:A8.关于PWM控制的特点下列描述正确的是()A.谐波分量少B.同时调节输出电压与频率C.开关次数低D.动态响应好正确答案:A9.以下描述中,哪几项不是电流型逆变器中间直流环节贮能元件?()A. 电容B. 电感C.蓄电池D.电动机正确答案:A10.下列电路中,输入整流变压器不存在直流磁化的是()A.单相桥式整流电路B.单相半波整流电路C.单相双半波整流电路D.单相双半波整流电路外接续流二极管正确答案:A---------------------------判断题1.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质,无直接关系A. 错误正确答案:B2.三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比,要输出相同的Ud,晶闸管承受的正、反向峰值电压较低A. 错误B. 正确正确答案:A3.对于三相半波整流电路,电阻性负载,当I一定时,流过晶闸管的电流有效值I会随着控制角的增加而增加。

西南交通大学《现代电力电子技术》_在线作业一

西南交通大学《现代电力电子技术》_在线作业一
A:错误
B:正确
参考选项:A
三相桥式全控整流电路在任何时刻必须保证共阴极组和共阳极组各有一个晶闸管导通,才能构成导电回路
A:错误
B:正确
参考选项:B
IGCT的关断损耗低
A:错误
B:正确
参考选项:B
换相压降消耗有功功率
A:错误
B:正确
参考选项:A
达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅型双极型晶体管则属于电压驱动型开关管。
A:错误
B:正确
参考选项:B
相控整流电路在控制角较大时,功率因素较高,网侧电流谐波含量较小
A:错误
B:正确
参考选项:A
三相半波可控整流电路才能实现有源逆变
A:错误
B:正确
参考选项:B
单相全控桥式整流电路能实现有源逆变电路。
A:错误
B:正确
参考选项:B
A:电力场效应晶体管
B:达林顿晶体管
C:电力晶体管
D:绝缘栅极双极型晶体管
参考选项:C
使IGBT开通的驱动电压一般为( )V
A:0-5
B:5-10
C:10-15
D:15-20
参考选项:D
升压斩波电路中,已知电源电压Ud=12V,导通比Kt=1/3,则负载电压U0=( )
A:4V
B:18V
C:36V
D:48V
A:错误
B:正确
参考选项:A
电力MOSFET是双极性晶体管
A:错误
B:正确
参考选项:A
为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是一个较大的正电流。
A:错误
B:正确
参考选项:A
IGCT在导通期间发挥晶闸管的性能,在关断阶段则呈现类似晶体管的特性

现代电子技术课后作业

现代电子技术课后作业

1.5 求220V、40W 灯泡灯丝的电阻(假定为线型电阻)为多少?如果每天用电5小时,一个月(30)天消耗电能多少度?解: P=U 2/R =>R=U2/P=(2202)/40=1210W =Pt=40×5×30=6000Wh=6KW h 1.7 试计算题图1.7所示各电路中的U 或I.ΩI )(a 3)(b )(c题图1.7解:(a)I =10/(8//2)=5A (b)u=2V (c)I=2A1.8 求题图1.8所示各电路中电流源的端电压U 和它发出的功率.)(b )(c )(dV3Ω)(a Ω23v题图1.8解: (a )U=10V P=UI=50W (b)U=50V P=UI=250W (c )U =-3V P=U I=15W (d )U=3V P =U 2/R=9W1.17 试计算题图1.17所示各电路中a 、b 、c、d、e 各点的电位值,f为参考点.)(bΩΩV题图1.17解: (a)I=(U 1+U2)/(2+6+4+6)=18/18=1AU a =U1=10VUb=Ua-IR 1=10-1*2=8(V) Uc=Ub+U2=8+8=16(V) Ud =Uc-IR2=16-1*6=10(V) Ue=Ud-IR 3=10-1*4=6(V ) Uf =Ue-IR4=6-1*6=0 (b) U a =4*16/(12+4)=4VU b ==Uc=Uf=0(V) U c=0VUd =9*10/(11+9)=4.5(V) Ud=4.5VEe =0-11*10/(11+9)=-5.5(V) U e =-5.5V 1.18在题图1.18所示的电路中,求开关S在断开和闭合两种情况下A 点得电位VA .V12题图1.18 解:断开时:I=U A =12-24R 3/(R1+R 2+R3)闭合时:U a =R3*12/(R2+R3)2.1 求题图2.1中各电路得等效电阻Rab .)(b )(c )(d )(ab22ΩΩ题图2.1 解:(a)Rab=10//10//10//10=2.5(Ω)(b)Rab =R+R//(R+R//3R)=18/11R(Ω) (c)R ab=2+2//4=10/3(Ω) (d)Rab=6//6+6//3=5(Ω)2.3 题图2.3电路,除R 外其它电阻均为已知,外加电压U=200V,电路总消耗功率400W,求R 值及个支路电流.Ω题图2.3解:R 并=(50+50//50)//25=18.75Ω I=P/U=2A所以 R总=R+R 并=U/I=200/2=100 R=R总-R 并=100-18.75=81.25Ω通过三条支路的电流分别为I 1=0.5A I 2=1.5A I 3=0.25A2.7 用支路电流法求题图2.7所示各电路的支路电流I.)(bV )(a V 12题图2.7解;(a)利用网孔电流分析法,通过两个网孔的电流(取顺时针为正)分别为: I1*R 1+I3*R 2-U1=0 I2*R3+I3*R2-U2=0 I1+I 2-I3=0I1=2.4A I2=1.6A I3=4.0A(b)根据叠加定律,电流源单独作用时产生的 I 1=IS*R3/(R 2+R 3)=40/50=0.8A 电压源单独作用时产生的电流 I 2=U 1/(R2+R3)=40/50=0.8A 所以,总电流I=I 1+I 2=1.6A2.13 试用叠加定理计算题图2.13(a)中的电压U 和图(b)中的电流I.)(b )(a V 15题图2.13解:(a )U =-14V U1=I*R 2=6*5/3=10VU2=IS*R 总=-3*8=-24 U =U1+U2=10-24=14V(b)设 US2=0I 总1=US1/R总1=18/6=3A I1=I 总1*R2/(R2+R3)=2A设US 1=0R 总2=R1//R2+R 3=5.4 I2=US2/R 总2=-27/5.4=-5AI=I1+I2 = 2-5=-3AI =-3A4.1 已知tVu A314cos 200=, Vt u o B)120314cos(2100-=.求:(1) 写出它们的有效值、初相、频率和周期; (2) u A 与u B 与相位差;(3) 在同一坐标平面上画出uA 与u B 的波形图.答:(1)U A 的有效值为200/√2=141.4V 初相ΦA =0,频率F A =50Hz ,周期T A =1/FA =0.02s UB 的有效值为100V , ΦB =-120ο,F B =F A =50Hz,T B =1/FB =0.02s(2) ΦA -ΦB =120ο(3) 略.(波形相同,U B滞后UA 1/3个周期.)4.6 某线圈电阻可以忽略,其电感为0.1H,接于电压为220V 、频率为50Hz 的电源上.求电路中电流的有效值;若电源频率改为100H z,重求电流的有效值.4.9 日光灯电源电压为220V,频率为50Hz ,灯管相当于300Ω的电阻,与灯管串联的镇流器的感抗为500Ω (电阻忽略不计).试求灯管两端电压与工作电流的有效值.4.10 题图4.10电路中,若A t i os)452cos(22+=,tV u 2cos 10=,试确定R 和C 的值.题图4.105.1 (1)PN结的最主要特性是单向导点性(正偏导通,反偏截止).(2)在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后在较大的电流下的正向压降约为0.7V,锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后在较大的电流下的正向压降约为0.2V.(3)利用PN结的电容效应特性,可以制造出变容二极管.5.2 半导体导电和导体导电又什么区别?答:半导体和导体的导电性能大小有差别,一般说来,导体的导电性能更好些。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

三相桥式SPWM逆变电路仿真一、设计的技术指标:直流母线电压输入:650V;输出三相交流相电压:220V;调制方式:SPWM;频率调制比:N=5;幅值调制比为:0.8;二、工作原理三相桥式逆变电路如图所示,图中应用V1-V6作为逆变开关,也可用其它全控型器件构成逆变器,若用晶闸管时,还应有强迫换流电路。

从电路结构上看,如果把三相负载看成三相整流变压器的三个绕组,那么三相桥式逆变电路犹如三相桥式可控整流电路与三相二极管整流电路的反并联,其中可控电路用来实现直流到交流的逆变,不可控电路为感性负载电流提供续流回路,完成无功能量的续流和反馈,因此VD1~VD6称为续流二极管或反馈二极管。

在三相桥式逆变电路中,各管的导通次序同整流电路一样,也是T1、T2、T3……T6、T1……各管的触发信号依次互差60︒。

根据各管的导通时间可以分为180︒导通型和120︒导通型两种工作方式,在180︒导通型的逆变电路中,任意瞬间都有三只管子导通,各管导通时间为180︒,同一桥臂中上下两只管子轮流导通,称为互补管。

在120︒导通型逆变电路中,各管导通120︒,任意瞬间只有不同相的两只管子导通,同一桥臂中的两只管子不是瞬时互补导通,而是有60︒的间隙时间,当某相中没有逆变管导通时,其感性电流经该相中的二极管流通。

上图中的uao`、ubo`与uco`是逆变器输出端a、b、c分别与直流电源中点o`之间的电压,o`点与负载的零点o并不一定是等电位的,uao`等并不代表负载上的相电压。

令负载零点o与直流电源中点o`之间的电压为uoo`,则负载各相的相电压分别为(3-1)将式(3-1)中各式相加并整理后得一般负载三相对称,则uao+ubo+uco=0,故有(3-2)由此可求得a相负载电压为(3-3)在图3.3中绘出了相应的负载a相电压波形,ubo和uco波形与此相似。

三、仿真电路图四、仿真结果图1 一相正弦信号及其采样信号(svpwm)图2 IGBT两相输出间波形图3 三相未滤波波形图4 滤波后三相输出电压(250Hz采样率)图5 滤波后三相输出电压(1kHz采样率)图6 滤波后三相输出电压(5kHz采样率)五、仿真结果分析通过对图4、图5、图6的比较可以发现当采样率越高时逆变输出电压谐波越少。

单端反激式电路(Flyback)仿真一、设计的技术指标:输入电压:DC 100V;输出电压:DC 8V;开关频率:100k纹波:500mv二、工作原理单端反激式功率变换器开关稳压电源并非是只能由一只晶体管组成,而由两只晶体管仍然可以组成单端变换器形式的开关稳压电源。

单端反激式开关稳压电源与推挽、全桥、半桥双端变换的开关稳压电源的根本区别在于高频变压器的磁心仅工作在磁滞回线的一侧(第一象限)。

典型的单端反激变换式开关稳压电源的原理图如图所示。

所谓单端,即指转换电路的磁心仅工作在其磁滞回线的一侧。

所谓反激,系指当晶体管导通时,在初级电感线圈中储存能量,当晶体管截止时,初级线圈中储存的能量再通过次级线圈释放给负载。

当开关管VT1被控制脉冲激励而导通时,输入电压Ui便施加到高频变压器T1的原边绕组N1上。

由于变压器T1副边的整流二极管VD反接,因此副边绕组N2没有电流流过;当VT1截止时,绕组N2上的电压极性颠倒,VD被正偏,VTl导通期间储存在T1中的能量便通过VD负载释放。

由于这种电路在开关管导通期间储存能量,因此在开关管截止期间才向负载传递能量。

高频变压器在工作中除了起变压作用外,还相当于一个储能用的电感,因此也有人称之为“电感储能式变换器”或“电感变换器”。

单端反激式开关电源电路是成本最低的一种。

它可以达到输入与输出部分隔离,还可以同时输出几路不同的电压,有较好的电压调整率。

但其输出纹波电压较大,负载调整率较差,适用于相对固定的负载。

在单端反激式开关电源电路中,开关三极管承受的最大反峰值电压是线路工作电压峰值的2倍以上。

为了降低开关管的耐压,需要对集射电压进行限幅,因此常用的单端反激式开关电源有三种形式。

单端反激变换器的很重要的特色是变压器充当了电感的作用,即在开关开通时变压器储能,开关关断时变压器将能量释放到副边,因此单端反激变换器的变压器工作在电感类型的工作区,在功率过大时变压器储能也大造成其负荷太重,但并不是说不能工作在100W以上,更不会有100W左右可靠性比正激更好的说法,只是在电源设计中是否合算的问题,而且单端反激变换器在多输出时的电压调整率不如正激.对于经常烧管子的问题,一是看选择的Mosfet的耐压定额够否:反激变换器的开关管的最大电压是输入电压加上输出电压与变比的乘积,考虑到漏感影响,电压定额要比这个值大至少20%(当然看漏感的大小和Clamp电路或Snubber的性能了);二看变压器设计的工作点要求远离饱和区,而且要留足够的裕量,在严重的情况下(最大占空比时)不至于饱和.只要计算正确,设计合理,出现这种问题的机会就比较少,所以一定要先在理论上把握住精髓,掌握必要的知识,在加上多学习多动手多思考,各种问题都会解决的.其实看正激还是反激很简单在电路上的区别主要有两点:1.看次级何时导通--次级一般接有二极管之类的单向导通器件, 在初级通时,次级可以导通,是正激的表现;在初级导通时,次级不导通,则时反激的表现2.看初级有没有为反激准备的回路--反激变换器在晶体管关闭时发生能量转换,由磁能变为电能,所以,一定要有电流流动的回路,没有回路则不可能是反激.反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源,与之对应的有正激式开关电源。

“反激”(FLY BACK)具体所指当开关管接通时,输出变压器充当电感,电能转化为磁能,此时输出回路无电流;相反,当开关管判断时,输出变压器释放能量,磁能转化为电能,输出回路中有电流。

反激式开关电源中,输出变压器同时充当储能电感,整个电源体积小、结构简单,所以得到广泛应用。

应用最多的是单端反激式开关电源。

优点:元器件少,电路简单,成本低,体积小,可同时输出多路互相隔离的电压缺点:开关管承受电压高,输出变压器利用率低,不适合作大功率电源一般而言,100W以内的开关电源通常采用单端返激式,超过100W-300W 的开关电源通常采用正激式或半桥式,300W以上电源通常采用全桥式。

三、仿真电路图四、仿真结果图一开关管驱动波形图二输出直流电压五、仿真结果分析输出直流电压的纹波在50mv以内,这是因为采用了较高的开关频率,而且滤波电容选择的也比较大,但是电压不是特别的稳,主要是由于反馈信号电路做地不完善。

基于UC3854的Boost PFC电路仿真一、设计的技术指标:输入电压:AC 220V;功率因数:0.99;二、工作原理电感不连续导电模式(DCM)是PFC电路的一种工作模式。

这种模式具有控制简单、输入电流自动跟踪输入电压、电感量小等优点。

与DCM相配套的控制技术有恒频控制、恒定导通时间(On-Time)控制和等面积控制等。

DCM工作模式的特点:(1)输入电流自动跟踪电压且保持较小的电流畸变率;(2)功率开关管实现零电流(ZCS)开通,不承受二极管的反向恢复电流;(3)输入输出电流纹波较大,对滤波电路要求高;(4)峰值电流高于平均电流,器件承受较大的应力,限制了其功率应用范围。

单相PFC电路的功率一般小于200w,三相PFC的功率一般小于10kw。

电感连续导电模式(CCM)是PFC电路的另一种工作模式。

这种工作模式的PFC电路根据控制量不同,又可分电流型控制和电压型控制两种方式[23]。

电流型控制的优点是:电流瞬态特性优良、易于实现过流保护等,但控制电路复杂;电压型控制的优点是:结构简单、原理清晰[24][25]。

通常情况下,电压型控制工作频率固定,电流不连续,采用固定占空比的方法,电流自动跟随电压。

这种控制方法一般用在输出功率比较小的场合,另外在单级功率因数校正中多采用这种方法。

电流型控制是目前应用相当广泛的控制方式,它来源于DC/DC变换器的电流控制模式。

图2.9给出了CCM工作模式的PFC电路控制原理图,输入电压取样信号与输出电压误差信号相乘后作为电流控制器的给定信号(电流编程信号),电流控制器的任务是控制输入电流按给定信号变化。

根据电流控制器控制方式的不同,分为峰值电流控制、平均电流控制和滞环电流控制三种方式。

1、峰值电流控制。

PFC中的峰值电流控制和DC/DC变换器中的峰值电流控制原理相同,只是电流环的编程信号不再是直流而是按正弦规律变化。

开关管开通时,电感电流上升,当到达编程电流值时,开关管关断,电流下降,下一个时钟周期到来时,开关管再次开通,这样电感电流峰值按编程的正弦规律变化,电感电流波形如图2.10所示。

峰值电流控制的特点:(1)峰值电流控制下电流峰值和平均值之间存在误差,无法满足THD很小的要求;(2)电流峰值对噪声敏感;(3)占空比大于0.5时系统产生次谐波振荡;(4)需要在比较器输入端加斜坡补偿函数。

2、平均电流控制。

平均电流控制是在峰值电流控制的基础上发展起来的,它在乘法器输出与比较器之间增加了电流调节器,电流调节器控制输入电流平均值,使其与电流编程信号波形相同。

由于电流环有较高的增益带宽,跟踪误差小、瞬态特性较好。

图2.11示出电感电流波形。

平均电流控制的特点是:THD和EMI小、对噪声不敏感、适用于大功率应用场合,是目前PFC中应用最多的一种控制方式。

3、滞环电流控制。

滞环电流控制最初用于电压型逆变器中控制输出交流电流,后来也应用到整流器中控制输入,对Boost型PFC电路而言它是最简单的电流控制方式。

滞环电流控制的原理是:电流编程信号和滞环宽度决定电感电流的上限与下限当电感电流上升到时,功率管断开,电感电流下降到时,功率管导通,如此反复,电感电流在滞环宽度内变化,电流波形如图2.12所示。

滞环控制中没有外加的调制信号,电流反馈控制和调制集于一体,可以获得很宽的电流频带宽度。

滞环电流控制的特点:(1)控制简单、电流动态响应快、内在的电流限流能力强;(2)开关频率随占空比变化,在一个工频周期中不恒定,引起EMI问题和电流过零点的死区;(3)负载对开关频率影响很大,滤波器设计只能按最低频率设计;4)滞环宽度对开关频率和系统件能影响较大,需合理选取。

综上所述,CCM相对DCM的优点是:(1)输入电流纹波和输出电流纹很小、THD 和EMI小、EMI滤波器的体积小;(2)有效值电流小、器件导通损耗小;(3)适用于功率较大的应用场合。

三、仿真电路图四、仿真波形输入电压与输入电流。

相关文档
最新文档