模拟电子技术基础考试试题答案

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模拟电子技术基础试题(附答案)

(120)1．纯净的半导体叫（）。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。

A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。

A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。

A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。

A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。

A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。

A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。

A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。

A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。

A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。

（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

模拟电子技术基础答案完整版

模拟电子技术基础答案第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。

4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。

A．β增加，I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加，u BE减小C．β与u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

模拟电子技术基础试题及答案

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。

【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。

【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。

【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。

【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。

【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4)×。

．(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

，【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

5.设运放A是理想的，试分析图5-5所示正弦波振荡电路，其中，，，：⑴为能起振，和两个电阻之和应大于何值？⑵此电路的振荡频率。
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1．-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ，图d的输入电阻为60k ，输出电阻为50 ，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200 的电压源信号，输出端带4k 负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？

模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx

模拟电子技术基础试卷一及参考答案（总分150分）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。

在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。

）1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后，其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态，设R「RMR L,则电路的电压增益为（）g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺； d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为（ a.Rg+（l?jj//7?g2） c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指（）a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮，A 为理想运放，a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中，若输入电压△5尸80诃，二60mV,则差模输入电压为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo） b. /?g.//（/?g]+/?g2） d. [R g +（心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声则电路的输出电压约为（）c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。

模拟电子技术基础自测题以及答案

自测题一一、判断题1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

〔〕2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

〔〕1．半导体中的少数载流子产生的原因是〔〕。

A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度升高时将〔〕。

A．右移B．左移C．上移D．下移4．当外加偏置电压不变时，假设工作温度升高，二极管的正向导通电流将〔〕。

A．增大B．减小C．不变D．不确定5．三极管β值是反映〔〕能力的参数。

A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为U16V，U2，U312V，那么对应该管的管脚排列依次是〔〕。

A．e,b,cB．b,e,c C．b,c,eD．c,b,e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的〔〕。

A．非饱和B．饱C．截止区D．击区和区穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。

3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的性能。

6．三极管最重要的特性是。

8．场效应晶体管属于控制器件。

9．场效应管的最大优点是。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单项选择题三、填空题1.掺杂浓度9.输入电阻高2.漂移3.单向导电性10.增强型MOS管4.变窄5.削弱6.电流放大作用沟道增强型沟道增强型7.增大8.电压自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

〔〕2．放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作。

〔〕5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。

〔〕二、单项选择题1．在根本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将〔〕。

A．增大B．减少 C．不变2D．不能确定A．增大B．减少C．不变D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是〔〕。

A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使〔〕。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案一、选择题1. 以下哪个元器件用于将交流信号转换为直流信号？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻2. 以下哪个元器件用于放大电流或电压？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器3. 以下哪个元器件用于储存电荷并释放电荷？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器4. 以下哪个元器件用于控制电流的流动？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电感5. 以下哪个元器件用于将直流信号转换为交流信号？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 变压器二、填空题1. NPN晶体管有_三层_和_两个PN结_。

2. 集成电路是将多个_电子元器件_集成到一块_半导体_芯片上。

3. 交流信号的频率是指单位时间内信号_周期_的个数。

三、判断题1. 电压是指电流通过导体时导体两端的电势差。

(正确/错误)2. 电容器可以储存电荷并释放电荷。

(正确/错误)3. 二极管可以放大电流或电压。

(正确/错误)4. 集成电路是将多个电子元器件集成到一块半导体芯片上。

(正确/错误)5. 交流信号是指电流方向和大小都随时间变化的信号。

(正确/错误)四、简答题1. 请简要解释PN结和作用。

PN结是一种由P型半导体和N型半导体结合而成的二极管结构。

它的作用是可以实现单向导电性，即只允许电流在一个方向上通过。

在正向偏置时，电流可以流过PN结；而在反向偏置时，电流基本上无法流过PN结。

2. 请简要介绍晶体管的工作原理。

晶体管由三个区域（发射区、基区和集电区）的半导体材料组成。

当在基区加上一小电流时（基电流），可以控制从发射区到集电区的大电流（集电电流）的流动。

晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来控制集电区的电流，实现信号的放大。

五、综合题请根据以下电路图，回答问题。

电路图：[图片未提供]1. 请标注图中所示电子元器件的名称和性质。

- 元件1: 二极管，用于将交流信号转换为直流信号。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空〔18分〕1．二极管最要紧的特性是单向导电性。

2．假如变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，通过电容滤波后为 12 V ，二极管所承担的最大反向电压为 14 V 。

3．差分放大电路，假设两个输入信号u I1u I2，那么输出电压，u O0 ；假设u I1=100μV ，u I2=80μV 那么差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；期望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。

5．假设三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，那么其总电压增益为 80 dB ，折合为 104倍。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情形下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。

7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。

二、选择正确答案填空〔20分〕1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，那么这只三极管是〔 A 〕。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如下图，该管为〔 D 〕。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采纳差动放大电路，这是因为它的〔 C 〕。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应〔 D 〕。

模电试题及答案

模拟电子技术基础试题A 卷学号姓名 .一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分 1在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”; 2电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流; 3使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈; 4产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响; 5利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管; 6本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等; 7未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区; 8集成运放在开环情况下一定工作在非线性区; 9只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡; 10直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路; 二、选择填空 10分1为了减小输出电阻,应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 ; A 电流负反馈 B 电压负反馈 C 直流负反馈 D 交流负反馈 2RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 ; A 感性 B 阻性 C 容性 3通用型集成运放的输入级多采用 ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法 4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ; A β B β2 C2β D1+β5在A 、B 、C 三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流,又能放大电压的电路是 ; A 共基放大电路 B 共集放大电路 C 共射放大电路 6当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u Bu E ;7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等三、5分图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0;四、10分在图示电路中,已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B-E 间动态电阻为r be ;填空：静态时,I BQ 的表达式为 ,I CQ 的表达式为 ,U CEQ 的表达式为；电压放大倍数的表达式为 ,输入电阻的表达式为 ,输出电阻的表达式为；若减小R B ,则I CQ 将 ,r be将 ,uA 将 ,R i 将 ; 五、10分在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =0.7V,电流放大系数为β=100,r be =1 k Ω,R B1=5 k Ω,R B2=15 k Ω,R E =2.3 k Ω,R C =R L =3 k Ω,V CC =12V; 1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;2估算信号源内阻为R S =1k Ω时,Sus U U A 0 的数值;六、10分在图示电路中,已知V CC =12V,V EE =6V,恒流源电路 I=1 mA,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω;估算： 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0七、5分在图示OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U CES 1 ,电源电压为±9V,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率P om 及效率η;八、8分设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数;=100 kΩ,比例系数为11,试求解R、和九、6分在图示电路中,要求RFR 的阻值;十、6分求解图示电路的运算关系式;十一、9分在图示文氏桥振荡电路中,已知R 1=10 k Ω,R 和C 的可调范围分别为1~100 k Ω、0.001~1μF; （1）振荡频率的可调范围是多少 2R F 的下限值为多少十二、5分在图示电路中,已知W7806的输出电压为6V,R 1=R 2=R 3=200 Ω,试求输出电压U 0的调节范围;十三、6分串联型稳压电路如图所示,T 2和T 3管特性完全相同,T 2管基极电流可忽略不计,稳压管的稳定电压为U Z ;填空：调整管为 ,输出电压采样电阻由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路组成；输出电压调节范围的表达式为模拟电子技术基础试题B卷学号姓名 .一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡;2引入直流负反馈可以稳定静态工作点; 3负反馈越深,电路的性能越稳定; 4零点漂移就是静态工作点的漂移; 5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻;6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同;7半导体中的空穴带正电; 8P型半导体带正电,N型半导体带负电; 9实现运算电路不一定非引入负反馈; 10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区;二、选择填空 10分1为了增大输出电阻,应在放大电路中引入；为了展宽频带,应在放大电路中引入 ;A电流负反馈 B电压负反馈 C直流负反馈 D交流负反馈2在桥式文氏桥RC正弦波振荡电路中, ;AφA=-1800,φF=+1800 BφA=+1800,φF=+1800 CφA=00,φF=003集成运放的互补输出级采用 ;A共基接法 B共集接法 C共射接法 D差分接法4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ;AβBβ2 C2βD1+β5在A、B、C三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流,又能放大电压的电路是 ;A共基放大电路 B共集放大电路 C共射放大电路6当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u Bu;E7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等三、5分图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0;四、10分在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料Si 或Ge 、类型NPN 或PNP 及管脚为哪个极e 、b 或c 填入表内;管号T 1 T 2T 3 管号 T 1T 2 T 3 管脚电位 V ① 0.7 6.2 3 电极名称① ② 0 6 10 ② ③ 5 33.7③材料类型五、10分在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =0.7V,电流放大系数为β=80,r be =1.2 k Ω,R B =500 k Ω,R C =R L =5 k Ω,V CC =12V;1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;2估算信号源内阻为R S =1.2k Ω时,Sus U U A 0 的数值;六、10分在图示电路中,已知V CC =12V,V EE =6V,恒流源电路 I=1 mA,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω;估算： 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0七、5分在图示OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U CES 1 ,电源电压为±9V,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率P om 及效率η;八、8分设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数;九、6分在图示电路中,要求其输入电阻为20 kΩ,比例系数为-15,和R 的阻值;试求解R、RF十、6分求解图示电路的运算关系式;十一、9分将图示电路合理连接,构成桥式即文氏桥正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和R 1的最大值;十二、5分在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,I W =5mA,R 1=1 k Ω,R 2=200 Ω;试求输出电压U 0的调节范围;十三、6分串联型稳压电路如图所示,稳压管的稳定电压为U Z ;填空：调整管为 ,输出电压采样电阻由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路由组成；输出电压调节范围的表达式为A 卷参考答案一、1×2√3×4√5 √ 6√7×8√9×10√ 二、1B 、C2B3D4B5B 、C 6A 、A7A三、二极管D 导通,-3V 四、BBEQCC BQ R U V I -=；BQ CQ I I β=；C CQ CC CEQ R I V U -=；beLur R A '-=β ； be B i r R R //=；C R R =0；增大；减小；减小；减小五、3V ；1mA ；10цA ；6.7V ；-150；0.79k Ω；-66.7 六、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 七、4W ；5.7W ；70%八、a 电压并联负反馈；-R 2/R 1 b 电压串联负反馈；1+R 2/R 1九、10 k Ω；9 k Ω 十、2121120)1(I I u R Ru R R u ++-= 十一、1.6H Z —160kH Z ；20 k Ω十二、9V ；8V十三、T 1 ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；T 2、T 3、R E 、R C ； Z Z U R R R R U U R R R R R 3321032321++≤≤+++B 卷参考答案一、1×2√3×4√5 √6√7√8×9×10× 二、1A 、D2C3B4B5B 、C 6B 、B7A三、二极管D 截止,-6V五、22.6цA ；1.8mA ；3V ； -167；1.2k Ω；5 k Ω；-83.5 六、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 七、4W ；5.7W ；70%八、a 电压串联负反馈；1+R 2/R 1 b 电压并联负反馈；-R 2/R 1 九、20 k Ω；300k Ω;18.75 k Ω 十、21210I I u R R u u += 十一、 160 H Z ；50 k Ω 十二、5V--35V十三、T ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；A ； Z Z U R R R R U U R R R R R 3321032321++≤≤+++。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚短是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。

二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。

A ：稳压效果变差B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C ：反向截止D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。

A ：饱和状态B ：截止状态C ：放大状态D ：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
⒉图5-2中的集成均为理想运放，各电路均满足深负反馈条件，试判断它们的反馈组态和极性，并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示，设、的特性完全对称，为正弦波，
，。试回答：⑴静态时，电容两端电压就是多少？调整哪
个电阻能满足这一要求？⑵动态时，输出电路出现交越失真，应调整哪个电阻？
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、（12分）
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；
（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？
（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？
（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？
③(a) ，说明电容开路，无滤波作用。

模拟电子技术基础自测题及答案

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（）。

A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（）能力的参数。

A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（）。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。

A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。

3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的性能。

6．三极管最重要的特性是。

8．场效应晶体管属于控制器件。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻be r 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（）2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。

（）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

第一章半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。

（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。

试求：（1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。