双极型半导体三极管
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且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。
若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基 区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个 实例。
e
c
b
动画2-1
2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系
双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 P场N效结应组型合半而导成体，三是极一管种仅CC由C一S器种件。 半导体三极载管流有子两参大与类导型电，，是一种VCCS器件。 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.2 场效应半导体三极管
2.1.1双极型半导体三极管的结构
be
NP N
c
cb e
P
这是这发是射发N极射Pe结Ne型Je 这是b基极这b是集这电是结集J电c 极PNc P型e
PNP型 三极管的
符号短粗线代 N 表基P极,发射c极
的箭头方向,代 表发射极电流 b 的实际方向。
2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系
双极型三极管在制造时，要求发射区的掺杂浓度大，基区掺杂 浓度低并要制造得很薄，集电区掺杂浓度低，且集电结面积较大。 从结构上看双极型三极管是对称的，但发射极和集电极不能互换。
c
ICEO
IBN
b IB
电子 空穴
IB= IEP + IBN - ICBO
由此可写出三极管三个电极的电流
发射极电流：IE= IEN＋ IEP 集电极电流：IC=ICN+ ICBO
ICN=IEN- IBN
且有IEN>>IEP 且有IEN>> IBN ， ICN>>IBN
基极电流： IB=IEP+ IBN－ICBO
另外因集电结反偏， 使集电结区的少子形成 漂移电流ICBO。于是可
得如下电流关系式:
IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN
IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN
2.1.2 双极型半导体三极管wk.baidu.com 电流分配与控制
双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的直流偏置电压。
若在放大工作状态：发射结加正向电压， 集电结加反向电压。
现以 NPN型三 极管的放大状态为 例，来说明三极管 内部的电流关系， 见图02.02。动画2-1
图 02.02 双极型三极管的电流传输关 系
所以，发射极电流又可以写成
IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)=IC+IB
从以上分析可知，对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流 是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出
的电流。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低
IEP IE
N
IC= ICN +ICBO
IC ICN= IEN - IBN
IEN
e
ICN
c
ICEO
IBN
b IB
电子 空穴
IB= IEP + IBN - ICBO
N
P
IE=IEN + IEP 且IEN >> IEP
IEP IE
N
IC= ICN +ICBO
IC ICN= IEN - IBN
IEN
e
ICN
一双侧极称用型为E或发半e射表导区示体，（电三E极m极i称tte管为r）发的；射结极构， 示另意用一C图侧或称如c表为图示集（0电2C区.o0l和l1ec所集tor电示）极。。， 它有两种类型:NPN型和PNP型。
e-b间的PN结称为发射结(Je)
c-b间的PN结称为集电结(Jc)
中间部分称为基区，连上电极称为基极，
发射结加正偏时，从发射区将有大量 的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与 PN结中的情况相同。。
从基区向发射区也有空穴的扩散运动， 但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低，被复合的机会较少。又因基区很薄， 在集电结反偏电压的作用下，电子在基区 停留的时间很短，很快就运动到了集电结 的边上，进入集电结的结电场区域，被集 电 被极 复所 合收 的集电，子形形成成集的电电极流电是流IBINC。N。在基区
注意双图极中型画半的导是体载流三子极的管运在动工方作向时，一空定穴流要与加电上流适方当向的相直同流；偏电子置流电与压电。 流若方在向放相大反工。为作此状可态确：定发三射个结电极加的正电向流电压，集电结加反向电压。现 以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部载流子的运 动关系，见下图。
N
P
IE=IEN + IEP 且IEN >> IEP
用B或b表示（Base）；
图 02.01 两种极性的双极型三极管
双极型三极管的符号在图的下方给出，发 射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的， 实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度 低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其 厚度一般在几个微米至几十个微米。
二是场效应半导体三极管(FET)。
双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件， 它由两个 PN 结组合而成，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种电压 控制电流源器件（VCCS）。
2.1.1 双极型半N导PN体型三极管的结构
PNP型
c NPN型
问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方 法加以说明？
问题2：为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明。
2.1.2 双极型半导体三极管的 电流分配与控制
❖ 改进的电子教案
2.1 双极型半导体三极管的工作原理
半导体三极管在英文中称为晶体管(Transister)，半导体三极管有 两大类型，一是双极型半导体三极管(BJT)，
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)
IE =IC+IB
以上关系在图02.02的动画中都给予 了演示。由以上分析可知，发射区掺杂 浓度高，基区很薄，是保证三极管能够 实现电流放大的关键。若两个PN结对接 ，相当基区很厚，所以没有电流放大作 用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三 极管，这是量变引起质变的又一个实例 。
若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基 区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个 实例。
e
c
b
动画2-1
2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系
双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 P场N效结应组型合半而导成体，三是极一管种仅CC由C一S器种件。 半导体三极载管流有子两参大与类导型电，，是一种VCCS器件。 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.2 场效应半导体三极管
2.1.1双极型半导体三极管的结构
be
NP N
c
cb e
P
这是这发是射发N极射Pe结Ne型Je 这是b基极这b是集这电是结集J电c 极PNc P型e
PNP型 三极管的
符号短粗线代 N 表基P极,发射c极
的箭头方向,代 表发射极电流 b 的实际方向。
2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系
双极型三极管在制造时，要求发射区的掺杂浓度大，基区掺杂 浓度低并要制造得很薄，集电区掺杂浓度低，且集电结面积较大。 从结构上看双极型三极管是对称的，但发射极和集电极不能互换。
c
ICEO
IBN
b IB
电子 空穴
IB= IEP + IBN - ICBO
由此可写出三极管三个电极的电流
发射极电流：IE= IEN＋ IEP 集电极电流：IC=ICN+ ICBO
ICN=IEN- IBN
且有IEN>>IEP 且有IEN>> IBN ， ICN>>IBN
基极电流： IB=IEP+ IBN－ICBO
另外因集电结反偏， 使集电结区的少子形成 漂移电流ICBO。于是可
得如下电流关系式:
IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN
IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN
2.1.2 双极型半导体三极管wk.baidu.com 电流分配与控制
双极型半导体三极管在工作时一定要加上 适当的直流偏置电压。
若在放大工作状态：发射结加正向电压， 集电结加反向电压。
现以 NPN型三 极管的放大状态为 例，来说明三极管 内部的电流关系， 见图02.02。动画2-1
图 02.02 双极型三极管的电流传输关 系
所以，发射极电流又可以写成
IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)=IC+IB
从以上分析可知，对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流 是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出
的电流。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低
IEP IE
N
IC= ICN +ICBO
IC ICN= IEN - IBN
IEN
e
ICN
c
ICEO
IBN
b IB
电子 空穴
IB= IEP + IBN - ICBO
N
P
IE=IEN + IEP 且IEN >> IEP
IEP IE
N
IC= ICN +ICBO
IC ICN= IEN - IBN
IEN
e
ICN
一双侧极称用型为E或发半e射表导区示体，（电三E极m极i称tte管为r）发的；射结极构， 示另意用一C图侧或称如c表为图示集（0电2C区.o0l和l1ec所集tor电示）极。。， 它有两种类型:NPN型和PNP型。
e-b间的PN结称为发射结(Je)
c-b间的PN结称为集电结(Jc)
中间部分称为基区，连上电极称为基极，
发射结加正偏时，从发射区将有大量 的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与 PN结中的情况相同。。
从基区向发射区也有空穴的扩散运动， 但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
进入基区的电子流因基区的空穴浓度 低，被复合的机会较少。又因基区很薄， 在集电结反偏电压的作用下，电子在基区 停留的时间很短，很快就运动到了集电结 的边上，进入集电结的结电场区域，被集 电 被极 复所 合收 的集电，子形形成成集的电电极流电是流IBINC。N。在基区
注意双图极中型画半的导是体载流三子极的管运在动工方作向时，一空定穴流要与加电上流适方当向的相直同流；偏电子置流电与压电。 流若方在向放相大反工。为作此状可态确：定发三射个结电极加的正电向流电压，集电结加反向电压。现 以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部载流子的运 动关系，见下图。
N
P
IE=IEN + IEP 且IEN >> IEP
用B或b表示（Base）；
图 02.01 两种极性的双极型三极管
双极型三极管的符号在图的下方给出，发 射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的， 实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度 低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其 厚度一般在几个微米至几十个微米。
二是场效应半导体三极管(FET)。
双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件， 它由两个 PN 结组合而成，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种电压 控制电流源器件（VCCS）。
2.1.1 双极型半N导PN体型三极管的结构
PNP型
c NPN型
问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方 法加以说明？
问题2：为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明。
2.1.2 双极型半导体三极管的 电流分配与控制
❖ 改进的电子教案
2.1 双极型半导体三极管的工作原理
半导体三极管在英文中称为晶体管(Transister)，半导体三极管有 两大类型，一是双极型半导体三极管(BJT)，
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)
IE =IC+IB
以上关系在图02.02的动画中都给予 了演示。由以上分析可知，发射区掺杂 浓度高，基区很薄，是保证三极管能够 实现电流放大的关键。若两个PN结对接 ，相当基区很厚，所以没有电流放大作 用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三 极管，这是量变引起质变的又一个实例 。