双极型半导体三极管

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双极型半导体三极管的特性曲线课件

输入电容的大小也取决于三极管的材料、结构以及工作状态，通常在皮法拉级。
输入电容越大，信号的频率特性越差，即高频信号的衰减越大。
输入电流与电压的关系
当三极管处于放大状态时，其输入电流与输入电压之间存在一定
的关系。
在共基极电路中，输入电流与输入电压成线性关系；在共发射极电路中，输入电流与输入电压成
输出电流与电压的关系
定义
影响因素
输出电流与电压的关系是指在特定工作点上，三极管的输出电流与输出电压之间的关系。
输出电流与电压的关系受到温度、工作点、偏置条件等多种因素的影响。
特性曲线
输出电流与电压的关系通常用特性曲线表示，曲线形状反映了三极管的工作状态和性能。
04
频率特性曲线
截止频率
02
输入特性曲线
输入电阻
输入电阻是指三极管输入端的等效电阻，它反映了三极管输入端对信号的阻碍作用。
输入电阻的大小取决于三极管的材料、结构以及工作状态，通常在兆欧级。
输入电阻越大，信号源的信号越不容易被三极管吸收，即信号源的信号衰减越小。
输入电容
输入电容是指三极管输入端的等效电容，它反映了三极管输入端对信号的存储能力。
作用
输出电阻的大小决定了三极管在工作点附近的电压放大倍数和输出信号的稳定性。
输出电容
定义
输出电容是指三极管在特定工作点上的等效电容，通常表示为Cout。
影响因素
输出电容的大小与三极管的材料、结构、工作状态等因素有关。
作用
输出电容对三极管的频率响应和稳定性有较大影响，是三极管的重要参数之一。
指数关系。
了解输入电流与电压的关系有助于理解三极管的工作原理和特性

双向三极管工作原理及用途

双向三极管工作原理及用途
双向三极管的工作原理和用途如下：
双向三极管，全称应为半导体双向三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。

其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

工作原理：三极管是由两个PN结构成的，两个PN结把整块半导体分成三个部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

正常正偏逻辑是P流向N，换言之反向偏置就是N到P。

根据这个P流向N，能根据原理图区分PNP和NPN型。

三极管的工作状态有四个，放大、截止、饱和、倒置。

当基极补充一个很小的IB，就可以在集电极上得到一个较大的IC，这就是所谓电流放大作用，IC与IB是维持一定的比例关系，β1称为直流放大倍数。

三极管有3种工作状态，分别是截止状态、放大状态、饱和状态。

具体用途：三极管是电子电路的核心元件，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

可广泛用于开关逻辑电路、大电流驱动、控制电路、低噪声放大器、漏电报警电路、稳压电路以及运算放大电路等。

两种极性的双极型三极管及其符号

中间部分称为基区，与之相连接的电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，与之相连接的电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区，与之相连电极称为集电极，用C或c表示（Collector）。

E-B间的PN结称为发射结（Je）；C-B间的PN结称为集电结（Jc）。

图2-1-1 两种极性的双极型三极管及其符号双极型三极管的符号在图2-1-1的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。

从外表上看，NPN型三极管的两个N区(或PNP型三极管的两个P 区)是对称的，发射极和集电极可以互换。

实际上在制造时，由于发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，基区掺杂浓度低并要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，所以发射极和集电极是不能互2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。

若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。

现以NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系，见图2-1-2。

由图2-1-2可知对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出的电流。

由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。

若两个PN结对接，相当基区很厚，将没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。

动画02-1在工艺上要求发射区搀杂浓度高，基区掺杂浓度低且要制作得很薄，集电区掺杂浓度低。

当发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成电子的扩散电流I EN，而从基区向发射区扩散的空穴电流I EP却很小，见图2-1-2，图中箭头为载流子的运动方向。

于是有I E= I EN＋I EP 且有I EN>>I EP图2-1-2 双极型三极管的电流传输关系因基区掺杂浓度低，所以发射区扩散过来的载流子电子被复合的很少，只形成很小的基极电流I BN。

半导体三极管

放大截止饱和倒置
正向反向三极管饱和反向时的管压降反向正向UCE被称作正向
为三极管的反向饱和压降
放大状态时有： IC=β IB+ICEO≈βIB
UCE=UCC-IC*Rc 减小Rb，IB增大； IC增大，UCE减小集电结反偏电压减小。饱和后，UCE≈0, IC=(UCC-UCES)/Rc IC≈UCC/Rc 饱和条件： IB>IC/β IB>(UCC-UCES)/βRc≈UCC/(β Rc）
半导体三极管
3.1 概述
半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT）
c
N P N 集电极集电结
NPN型 c b
PNP型
c b
b
基极
发射结
e
e
发射极
e
三极管的发射极的箭头方向，代表三极管工作在放大，饱和状态时，发射极电流（IE）的实际方向。
半导体三极管的分类：
按材料分：按结构分：按使用频率分：按功率分：硅管、锗管 NPN、 PNP 低频管、高频管小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
NPN: 0.35V,0.3V,1V 1V
+VCC
-VCC
PNP: -0.2V,0V,-0.05V -0.05V -0.2V
PNP
0.35V
NPN
0.3V
0V
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态发射结电压集电结电压
放大截止饱和
正向反向正向
反向反向正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 4、不饱和则看有没有两个电压差为正向导通电压例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V

2.简述bjt三极管原理

2. 简述BJT三极管原理
双极结型晶体管（BJT）是半导体三极管的一种，其工作原理基于半导体材料中的载流子输运现象。

以下是对BJT三极管原理的简要描述：
1. 结构：BJT三极管由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。

这三个区域之间由两个PN结隔开。

发射区掺杂浓度高，集电区面积大，基区则介于两者之间。

2. 电流传输过程：当在BJT的发射极和基极之间加上正向电压时，载流子（空穴和电子）将从发射区注入到基区。

其中，高能量的电子能够穿过基区的势垒，进入集电区，形成集电极电流。

集电极电流的大小可以用来控制BJT的导通状态。

3. 放大作用：BJT的一个重要特性是它能够放大电流。

这是由于在基区，载流子经历了两次扩散-漂移过程。

第一次是从发射区注入到基区的载流子在基区的扩散-漂移过程；第二次是从基区扩散到集电区的载流子的漂移过程。

在这个过程中，空穴和电子分别被电场力拉向集电极和发射极，形成集电极电流。

4. 输出特性：BJT的输出特性是指集电极电流与基极-发射极电压之间的关系。

这个关系通常被表示为一个曲线，称为三极管的输入特性曲线。

在不同的基极-发射极电压下，会有不同的输出状态，包括放大区、饱和区和截止区。

5. 频率响应：BJT的频率响应是其工作频率与电压增益之间的关系。

在高频条件下，由于载流子的渡越时间效应和结电容的影响，BJT 的性能会受到限制。

6. 温度特性：温度对BJT的性能有很大影响。

随着温度的升高，载流子的传输过程会受到影响，导致电流增大，电压增益下降。

因此，在高温环境下，需要对BJT进行适当的散热设计。

NPN双极型晶体管

双极型晶体管双极型三极管又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。

双极型三极管有三个电极。

三极管可以用半导体材料硅或锗制成。

有两类标准的三极管：NPN 和PNP型。

现在用的三极管大多是NPN型。

NPN三极管由一块N型发射极（E）、一块P型基极（Ｂ）和一块N型集电极（Ｃ）组成。

三极管具有电流放大作用。

集电极电流Ic与基极电流I B成正比，小于发射极电流。

三个电流之间的关系是I E=Ic+I B。

三极管的电流放大系数通常用β表示，当Ｃ、E两端的电压保持不变时有β=△Ic/△IＢ。

当基极电压略高于发射极的正向电压（约为0.6V），三极管导通。

一般认为，当U CE=U BE，即U CB=0时，晶体管趋于饱和状态，这个电压大约是+0.7V。

这时C极与E极之间的电阻很小，甚至几乎可以看成短路。

一般将I B≤0的区域称为截至区，此时I C也近似为零。

由于管子各极电流都基本上等于零，所以三极管处于截至状态，没有放大作用。

此时C级与E级之间的电阻很大，可以看成开路。

其实当I B=0时，集电极回路的电流并不正真为零，有一个极小的漏电流I CBO 从集电极流到基极。

PNP三极管的发射区和集电区是P型半导体，而基区是N型半导体。

PNP型三极管放大原理与NPN型三极管基本相同。

但由于结构的不同，三极管工作在放大区，外加电压的极性U BE<0，而UBC>0，正好与NPN三极管相反。

PNP三极管的各种参数含义也与NPN三极管相同,这里就不再重复了。

Bipolar TransistorBipolar transistor also known as semiconductor transistor\transistor, Or be called bipolar-junction transistor.Bipolar transistor has three electrodes.Bpolar transistor are made of semiconductor material silicon or Ge .There are two types of standard bipolar transistors ,NPN and PNP.Most transistors used today are NPN.The NPN bipolar transistor consists of an N-type emitter(E),P-type base(B),and N-type collector(C).Bipolar transistor have the function of amplifing current.The amount of collector curret is directly proportionalto the amount of base current and will be less than the emitter current.The relationship of the current is Ie=Ic+Ib.The current gain cofficient usually be expressed by B and is expressed as =△Ic/△IＢ,when the voltage from C to E( Uce)is held constant.An NPN bipolar transistor turn on when the base is more positive than the emitter（about 0.6V）.It was generally think that the transistor is in saturation when Uce eaqual Ube,namely Ucb=0.The voltage is about positive 0.7V and the resistance from C to E is low and may even appear almost as a short The transistor is off When I B≤0,I C is about 0.Becase the current of all electrodes is disposed 0,the transistor is off and has not the function of amplifing current.The resistance from C to E now is and may appear as an open.Actually the current of collector is not 0 when Ib is 0,a small leakage current Icbo from C to E is always present .The emitter and collector of the PNP transistor are P semiconductor andThe base is N semiconductor.The amplifing principle of PNP is same as NPN.Becase of different strucure, the transistor has the function of amplifing when Ube<0.But UBC>0and is opposite from NPN.The parameter of the PNP is same with NPN,we will not repeat.。

第3章半导体三极管及其基本放大电路

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3.2 三极管基本应用电路及其分析方法

3.2.3图解分析法
1.用图解法确定静态工作点在分析静态值时，只需研究直流通路，图3-19用图解法分析电路的步骤如下: 1)作直流负载线

U CE U CC I C RC

上式确定的直线就是直流负载线。 2)确定静态工作点利用 I BQ (UCC U BEQ ) I RB ，求得IBQ的近似值。在输出特性曲线上，确定IB=IBQ的一条曲线。该曲线与直线MN的交点Q就是静态工作点。上一页下一页

3.1.5温度对三极管的特性与参数的影响
1.温度对UBE的影响三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似，温度升高，曲线左移，如图3-9所示。 2.温度对ICBO的影响三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动，如图3 -10所示。 3.温度对β的影响温度升高，输出特性各条曲线之间的间隔增大，从而β值增大，如图3-10所示。

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3.1 双极型半导体三极管

3.1.6三极管的判别及其手册的查阅方法
1.三极管型号的意义三极管的型号一般由五大部分组成如3AX31A、3DG12B、 3CG14G等。 2.三极管手册的查阅方法 1)三极管手册的基本内容 (1)三极管的型号。 (2)电参数符号说明。 (3)主要用途。 (4)主要参数。 2)三极管手册的查阅方法 (1)已知三极管的型号查阅其性能参数和使用范围。 (2)根据使用要求选择三极管。

3.1.4三极管的主要参数
3.极限参数 1)集电极最大允许电流ICM 2)反向击穿电压U(BR)CEO 3)集电极最大允许功耗PCM 根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图3-8所示，由 PCM、ICM和U(BR)CEO包围的区域为三1 双极型半导体三极管

3 三极管

IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
（2）观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明：放大状态
在三极管型号命名方法中，涉及到材料、结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列，例如C90系列的三极管，平面朝向自己时，从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率：小、大、中功率管 (4) 按工作频率：低频管、高频管 (5) 按用途分：普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；
这些特点使BJT不同于两个单独的PN结，而呈现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理实验电路接线图
输出回路
输入回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小信号）在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做数字开关）。
数字开关：

双极型半导体三极的特性曲线

双极型半导体三极的特性曲线
目录
• 双极型半导体简介 • 双极型半导体三极管特性 • 双极型半导体三极管的工作原理 • 双极型半导体三极管的应用实例 • 双极型半导体三极管的发展趋势与展望
01 双极型半导体简介
双极型半导体的定义
01
双极型半导体是指具有两个能带间隙的半导体，即价带和导带之间存在两个能级，分别是空穴和电子的导带。
波形变换
双极型半导体三极管可以将一种波形转换为另一种波形，如将正弦波转换为矩形波等。
05 双极型半导体三极管的发展趋势与展望
新材料的应用
硅基材料的突破
随着硅基材料的不断改进，双极型半导体三极管性能得到显著提升，具有更高的耐压、耐热和稳定性。
化合物半导体的应用
新型化合物半导体材料如硅碳化物、氮化镓等在双极型半导体三极管中的应用，有望提高器件的开关速度和效率。
新能源领域
双极型半导体三极管在太阳能逆变器、风力发电系统和电动车驱动电路等新能源领域具有潜在的应用价值。
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集电极-发射极电压与电流关系
当集电极电流固定时，随着集电极电压的增加，发射极电流逐渐减小，呈现出正阻特性。
当发射极电流固定时，集电极电压对集电极电流的影响较小。
04 双极型半导体三极管的应用实例
放大电路中的应用
信号放大
01
双极型半导体三极管可以作为放大器，将微弱的输入信号放大
到所需的幅度，用于驱动负载或进行信号处理。
02 双极型半导体三极管特性
输入特性曲线
输入电阻
输入电流
双极型半导体三极管输入电阻的大小取决于基极电流的大小，随着基极电流的增大，输入电阻逐渐减小。

1-2_半导体三极管

场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。

载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率：功率：材料：类型：1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；示向。

集电结反偏集电结反偏，有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。

CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。

进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN数扩散到集电结。

3、三极管的电流分配关系I B定义：发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化，则会导致在流在定义：流放大倍数流放大倍数：的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。

所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画，即各电极电压与电流的关系曲线，是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线：好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即：结和发射结的两个性曲线。

（反偏状态，可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区，且基区复合减少，明显增大，特性曲线将向右稍微移动一些。

输出特性曲线=0V时，因集电极无收集作用，i C=0。

当uCEu稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时，如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集，此后uCE电流没有明加，电流也没有明显的增加，特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。

详解npn三极管的原理和应用

详解npn三极管的原理和应用一、npn三极管的原理npn三极管（NPN Transistor，NPN: Negative-Positive-Negative）是一种常见的双极型晶体管，属于半导体器件的一种。

它由两个P型半导体夹一个N型半导体构成。

以下是npn三极管的工作原理：1.基本结构：npn三极管由Emitter（发射极）、Base（基极）和Collector（集电极）三个区域组成。

NPN的发射极是N型半导体，Base是P 型半导体，Collector是N型半导体。

2.工作原理：当正向偏置电压(VBE)施加在Base和Emitter之间时，电流开始流动，因为N型发射极区域的多数载流子向P型基区域移动。

这被称为发射级。

当Collecto极施加一个正向电压(VCE)时，集电极区域的大多数载流子也向基区域移动。

这个区域称为集电级。

3.放大特性：npn三极管是一种放大器，输入电流的改变可以通过控制输出电流来放大。

这种放大效应是由于发射级和集电级之间的关系产生的。

二、npn三极管的应用npn三极管有很多应用，包括以下几个方面：1. 放大器npn三极管可以作为电流放大器，将小信号放大到更大的电流。

通过调节输入电流，可以控制输出电流的放大倍数。

这使得npn三极管可以在许多电子设备中用作声音放大器、电视和无线通信设备等。

2. 开关由于npn三极管具有电流放大特性，它也可以用作开关。

当基极-发射极间的电压(VBE)达到一定的阈值时，三极管会打开，导通电流。

当电压低于阈值时，三极管关闭，断开电流。

这使得npn三极管能够在数字电路中用作开关，实现许多逻辑电路。

3. 震荡器npn三极管可以构成震荡器，用于产生特定频率的振荡信号。

这种振荡器常用于无线电和通信设备中。

4. 温度传感器由于npn三极管的输入电流和输出电流之间有温度相关的特性，故npn三极管可以用作温度传感器。

温度变化会导致npn三极管的电流变化，通过测量这种变化可以获得温度信息。

npn型三极管

npn型三极管三极管是电子科学领域中重要的元件之一，也是最基本的激励元件，使用它可以实现复杂的电子电路，在电子科技中发挥了重要的作用。

NPN晶体管(即NPN型三极管)是电子器件中最常用的特殊三极管之一，它具有低电阻、高输出功率和良好的耐受度等优点，深受广大工程师和学者的欢迎。

NPN型三极管是一种双极型半导体器件，由三个基本极组成，分别是阴极、阳极和源极(或叫中间极)。

与NPN型三极管相对应的还有PNP型三极管，它们有着截然不同的特性和适用场景。

NPN型三极管是一种单向传导器件，可用于控制较小的电流，如按钮、开关控制信号的输出等。

NPN型三极管的工作原理是在晶体管的每一极之间建立一个电势，使得电荷在元器件中流动。

当把电路中的外部电源连到源极和阴极时，基极的电压会比源极的电压高。

如果将阳极电压增加到高于基极电压，就会使三极管进入导通状态，从而把电源和负极连接在一起。

NPN型三极管有着众多应用，它可以用作放大器、接收电路和智能控制系统等，即可以表示为开关，也可以表示为放大器，可以用来控制较大的电流。

NPN型三极管也可以用作继电器、门电路和光耦合器等电子元件。

NPN型三极管的优点是它的低成本、高稳定性以及容易调试的特点，这使得它在工程实践中得到广泛应用，对电子器件的设计、销售和制造领域产生了重大影响。

NPN型三极管虽然具有多种优点，但也存在一些不足之处。

例如，它在电流变化较大时可能会发生漏电、噪音增大等问题，因此在使用时应注意避免电流变化过大。

此外，NPN型三极管的抗干扰能力不够，在恶劣的环境中容易受到干扰，因此应该在使用时注意保护它们，以确保正常的工作状态。

总而言之，NPN型三极管是一种常用的半导体元件，它具有低成本、高稳定性和容易调试的优点，但是在使用时仍需注意避免电流变化过大以及保护它们免受干扰。

未来，随着电子科技的发展，NPN型三极管将变得更加强大，使用范围会越来越广泛。

双极型晶体管和三极管

双极型晶体管和三极管双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和三极管（Field-Effect Transistor，FET）都是广泛用于电子设备中的半导体器件，用于放大电信号、开关电路和其他电子应用。

它们在工作原理和结构上有一些显著的差异。

双极型晶体管（BJT）：结构：BJT有三个区域，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

BJT主要分为NPN型和PNP型两种。

工作原理：BJT的工作基于少数载流子在不同区域的运动。

在NPN型BJT 中，电流由发射极注入基极，再由基极注入集电极。

在PNP型中则相反。

这种少数载流子的注入和扩散导致了电流的放大。

放大特性：BJT可以提供较高的电流放大，适用于放大信号的应用。

它的输出特性受到输入信号的影响，因此是一种双极性的放大器。

三极管（FET）：结构：FET有源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）三个区域。

主要分为N型场效应晶体管（N-channel FET）和P型场效应晶体管（P-channel FET）。

工作原理：FET的工作基于电场效应。

通过调节栅极电压，可以控制源漏间的电流。

在N-channel FET中，电子在源漏之间移动；在P-channel FET中，空穴在源漏之间移动。

放大特性：FET对输入信号的响应主要取决于电场控制，因此它在放大信号时不受输入信号的影响，是一种单极性放大器。

比较：电流控制vs 电场控制：BJT是电流控制器，其输出电流受到输入电流的控制。

而FET是电场控制器，其输出电流受到输入电压的影响。

放大类型：BJT是双极型放大器，对正负信号都能放大。

FET是单极型放大器，主要放大正信号或负信号。

输入电阻：BJT的输入电阻相对较低，而FET的输入电阻相对较高。

应用：BJT广泛用于模拟电路、功率放大器等领域，而FET在数字电路、高频应用等方面更为常见。

npn三极管的符号

npn三极管的符号摘要：1.引言2.npn三极管的定义和作用3.npn三极管的符号表示4.npn三极管的内部结构和工作原理5.npn三极管的特性6.npn三极管的应用领域7.总结正文：1.引言pn三极管是一种常用的半导体元器件，具有放大和开关等功能，广泛应用于电子设备中。

本文将详细介绍npn三极管的符号及相关知识。

2.npn三极管的定义和作用pn三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种具有三个控制电极的半导体器件，分别为基极（Base）、发射极（Emitter，E）和集电极（Collector，C）。

它具有电流放大作用，可将输入信号的电流放大到较大的输出电流。

此外，npn三极管还具有开关功能，可实现电流的截止和导通。

3.npn三极管的符号表示pn三极管的符号表示为一个带有箭头的三角形，箭头指向集电极，表示电流的放大方向。

三角形内部有三条线，分别代表基极、发射极和集电极。

符号旁的字母“npn”表示该三极管的类型。

4.npn三极管的内部结构和工作原理pn三极管由p型半导体、n型半导体和连接两者的基区组成。

当发射极施加正电压时，大量的电子从发射极注入到基区，与基区中的空穴复合，使基区导电。

同时，基区的导电也使得集电极与发射极之间的电阻降低，从而实现电流的放大。

5.npn三极管的特性pn三极管具有以下特性：- 电流放大：输入信号电流与输出信号电流成正比；- 电压放大：输入信号电压与输出信号电压成正比；- 温度稳定性：npn三极管的性能随温度的变化较小；- 开关速度快：npn三极管的开关速度比其他类型的三极管快。

6.npn三极管的应用领域pn三极管广泛应用于各种电子设备，如放大器、振荡器、电源开关、脉冲发生器等。

此外，npn三极管在通信、计算机、家电等领域也有广泛应用。

7.总结pn三极管是一种重要的半导体元器件，具有放大和开关等功能。

通过本文的介绍，相信大家对npn三极管的符号及其相关知识有了更深入的了解。