片式钽电容使用方法
钽电解电容器使用注意事项
钽电解电容器使用注意事项为了使钽电容器以最稳定的质量充分发挥其性能，必须以适当的方式使用，使用前请先确认电容器的使用条件和规定的性能，必须遵守规格书上所规定的条件，如果使用条件不符合规定范围或在未规定的条件下使用，请明确其条件与本公司商谈。
一、 设计电路1、使用电压电容器的故障受到使用电压和额定电压的比率影响很大。
设计实际电路时，请考虑到所有要求的可靠性，适当降低电压。
1）使用低阻抗电路时（尤其开关电源中的滤波电容器），请将使用电压设定在额定电压的2）在低阻抗电路中电容器并联使用时，将增加直流浪涌电流失效的危险，同时请注意并联电容器中储存的电荷，通过其它电容器放电。
3）钽电容器在电路中，应控制瞬间大电流对电容器的冲击，建议串联电阻以缓解这种冲击。
请将3Ω/V以上的保护电阻器串联在电容器上，以限制电流在300mA以下。
无法插入保护电阻时，请使用1/3额定电压以下作为工作电压。
2、反向电压钽电容器为有极性电容器，所以请勿施加反向电压，不可使用在只有交流的电路中。
1）在不得已的情况下，允许在短时间内施加小量的反向电压，其值为：25℃下：≤10%U R（额定电压）或1V（取小者）85℃下：≤5%U R（额定电压）或0.5V（取小者）2）如果将电容器长期使用在反向电路中时，请选用无极性钽电容器。
3）银外壳非固体电解钽电容器不能承受反向电压。
4）原则上禁止使用万用表的电阻档对有钽电容的电路或电容器本身进行不分极性的测试。
5）在测量使用过程中，如不慎使钽电容器承受了不应有的反向电压，请将该电容器报废，即使其各项电参数仍然合格。
3、波纹电压请在电容器规定的允许波纹电压内使用。
1）使用时，直流偏压与交流分压峰值之和不得超过电容器的额定电压。
2）交流负峰值与直流偏压之和不超过电容器允许的反向电压值。
3）波纹电流通过钽电容器产生有功功率损耗，进而电容器自身温升导致的热击穿失效概率增大，因此有必要对通过电容器的波纹电流或电容量允许的功率损耗进行限制。
钽电容知识总结(结构工艺参数选型)
一、钽电容简介和基本结构固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2 ,通过石墨层作为引出连接用。
钽电容性能优越，能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小，易于加工成小型和片状元件，适宜目前电子器件装配自动化，小型化发展，得到了广泛的应用，钽电容的主要特点有寿命长，耐高温，准确度高，但耐电压和电流能力相对较弱，一般应用于电路大容量滤波部分。
2.1.基本结构下图为MnO2为负极的钽电容下图为聚合物（Polymer）为负极的钽电容二、生产工艺按照电解液的形态，钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分，液体钽电解用量已经很少，本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。
固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽；阳极是烧结形成的金属钽块，由，目前最新的是采用聚合物作为负极材料，性钽丝引出，传统的负极是固态MnO2。
能优于MnO2钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式，其制造工艺大致相同，现在以片钽生产工艺为例介绍如下。
一、生产工艺流程图成型烧结试容检验组架赋能涂四氟被膜石墨银浆上片点胶固化点焊模压固化切筋喷砂电镀打标志切边漏电预测老化测试检验编带入库二、主要生产工序说明（一）成型工序：该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状，在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。
1、什么要加粘接剂？为了改善钽粉的流动性和成型性，避免粉重误差太大，另外避免钽粉堵塞模腔。
低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂，高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。
2、加了太多或太少有什么影响？如果太多：脱樟时，樟脑大量挥发，易导致钽坯开裂、断裂，瘦小的钽坯易导致弯曲。
如果太少：起不到改善钽粉流动性的作用。
拌好后的钽粉如果使用时间较长，因为樟脑是易挥发物品，可适量再加入一点粘和剂。
樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加，影响漏电。
每天使用完毕，需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存，以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。
钽电容器使用指导
钽电容器使用指导基础特征1.电容量以标称电容量C n表示，单位为uF,为避免电源频率的影响，使用100Hz或120Hz 并采用串联等效电路测量，标准测量电压为U_=2.20-1.0V（有效值）或更低，测量温度为25℃，允许15℃~35℃范围内变动。
2.电容量允许偏差表示与标称电容量值的允许差异用符号表示为：K：±10%，M：±20%Q：-10%~+30%3.损耗角正切值tgδ由于电容器的结构存在电阻，在春联等效电路是可以用电器对频率的响应Xc=1/2πfc和等效串联电阻ESR来表示损耗，即tgδ=ESR/Xc损耗角正切值是在0.5VAC120Hz下测试算成百分比4.额定电压表示为可连续施加在电容器上的最大DC电压。
用V R或V R表示，单位：伏（V）。
5.漏电流漏电流测量须连接1KΩ电阻，施加额定电压5min读数，标准漏电流是不大于容量乘以额定电压再乘以一个常数。
6.等效串联电阻串联等效电阻是电容器在串联等效回路中所测得的电阻，测量频率为100KHz。
7.使用温度范围使用温度范围-55℃~125℃，额定电压下最大使用温度为+85℃，大于85℃时最大允许施加电压是类别电压，在各型号说明书另有规定。
类别电压约为额定电压的0.65倍。
使用说明1.使用电压电容器的故障受使用电压和额定电压的比率影响很大，设计实际电路时，请考虑到所有要求的可靠性，适当降低电压。
使用低阻抗电路时（尤其开关电源中的滤波电容器），请将使用电压设定在额定电压的1/3以下，使用其他电路时，请将使用电压设立在额定电压的2/3以下。
在低阻抗电路中电容器并联使用时，将增加直流浪涌电流失效的危险，同时请注意并联电容器中储存的电荷，通过其他电容器放电。
钽电容器在电路中，应控制瞬间大电流对电容器的冲击，建议串联电阻以缓解这种冲击。
请将3Ω/V以上的保护电阻器串联在电容器上，以限制电流在300mA以下。
无法插入保护电阻时，请使用1/3额定电压以下作为工作电压。
片式钽电容使用方法
片式钽电容使用方法概述片式钽电容（Tantalum Capacitor）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
本文将介绍片式钽电容的使用方法，包括选型、安装、使用注意事项等方面的内容。
选型在选择片式钽电容时，需要考虑以下几个因素：1. 容量（Capacitance）：根据电路需求确定合适的容量值。
片式钽电容的容量一般以微法（μF）为单位。
2. 电压（Voltage）：确定电路所需要的工作电压范围，并选择合适的工作电压。
片式钽电容的工作电压一般以伏特（V）为单位。
3. 温度（Temperature）：考虑元件在工作环境中所受的温度影响，选择适合的温度系列的片式钽电容。
4. 尺寸（Size）：根据电路板的实际空间情况，选择合适的尺寸和引脚间距。
安装1. 检查电路板设计：在安装片式钽电容之前，先检查电路板上的设计，确保引脚的位置和间距与片式钽电容的规格匹配。
2. 焊接准备：在开始焊接之前，将片式钽电容更换到一个无静电的工作台，并戴上防静电腕带，以避免静电对元件产生损坏。
3. 焊接方法：使用烙铁和焊锡将片式钽电容焊接到电路板上。
确保烙铁的温度不要过高，避免焊接过久而导致元件损坏。
4. 焊接位置：将片式钽电容的引脚正确地连接到电路板上对应的焊盘上，并进行焊接。
5. 焊接注意事项：在焊接片式钽电容时，应避免过度加热，以免损坏电容的性能。
还应注意避免引脚之间的短路现象。
6. 焊接完成：焊接完成后，用万用表等工具进行检测，确保片式钽电容与电路板相连接正常。
使用注意事项1. 极性：片式钽电容有正负极性，必须正确连接。
在焊接时，应根据电容上标注的标识将正极引脚焊接至电路板上对应的正极焊盘上。
2. 工作电压：不要超过片式钽电容标注的工作电压范围，否则会导致电容失效甚至短路。
3. 温度：片式钽电容对高温敏感，应避免长时间暴露在高温环境中。
4. 震动和冲击：避免片式钽电容受到严重的震动或冲击，以免影响其性能和寿命。
MLCC片式陶瓷电容器使用探讨
MLCC片式陶瓷电容器使用探讨中电天奥集集团第10研究所陈正浩引子近期，关于MLCC片式陶瓷电容器的问题随着元器件国产化再次被推上浪尖高峰，其中有两条尤为引人注目：1.在由航天八院发布的Q/JR557《航天型号产品禁（限）用工艺目录》第98条中规定：“表贴片状瓷介电容手工焊接时未预热直接焊接”，原因是“未预热直接焊接会对电容造成热冲击，导致电容开裂”。
而这一禁用工艺在QJ3011《航天电子电气产品焊接通用技术要求》、QJ3117/QJ3117A《航天电子电气产品手工焊接工艺技术要求》和QJ165B《航天电子电气产品安装通用技术要求》几个航天标准中均未提出。
那么我们怎么理解和执行这个“禁用”工艺呢？是不是表贴片状瓷介电容（MLCC）手工焊接时必须先预热才能直接焊接呢？未预热直接进行手工焊接“必然”会对电容造成热冲击，从而导致电容器开裂吗？2.国内制造MLCC的国企骨干企业技术人员询问笔者：“不同焊接方式的差异比如回流焊，手工焊，波峰焊，还有真空热台焊，有什么特点，差异，对元器件的影响，对元器件的要求等”；并提出与广州5所合作进行MLCC焊接工艺试验，而广州5所又把问题反馈给我，征求笔者的看法。
一.表贴片状瓷介电容（MLCC）手工焊接时必须先预热才能直接焊接吗？笔者认为可以从三个方面进行分析：其一是表贴片状瓷介电容（MLCC）的耐焊性耐热性，其二是手工焊接温度和时间的把控盒手工焊接工具的选择，第三是返工返修工艺控制。
1.表贴片状瓷介电容（MLCC）的耐焊性和耐热性表贴片状瓷介电容（MLCC）十分“脆弱”，但工艺也不是“万能”的。
实现表贴片状瓷介电容（MLCC）可靠焊接的根本举措在于提高表贴片状瓷介电容（MLCC）的耐焊性和耐热性。
“设计是源头，物料是保障，工艺是关键，管理是根本，理念是核心”是现代电子装联的核心理念。
实现片式陶瓷电容器高可靠焊接的前提和基础是PCB的设计必须符合GJB3243《电子元器件表面安装要求》和GJB4057《军用电子设备印制电路板设计要求》的要求，具有可制造性性；装配焊接使用的PCB和元器件的工艺性能必须符合GJB3243《电子元器件表面安装要求》的要求。
片式钽电容器的性能选择
T/R组件用片式钽电容器的性能选择T/R组件是相控阵雷达射频电路的最重要组成部分,雷达发射出去的不同频率的照射电磁波就是由此产生. 因为电磁波的强度和可以探测的距离成正比,因此,不同探测距离要求的T/R组件要求的发射功率也不一样. 当功率较高的电磁波按照一定频率进行照射时,瞬间需要的电功率很高, 因此,每一个T/R组件模块里必须使用一定数量的电容器作为瞬时补偿电源.由于极短时间内的功率密度要求巨大[一个脉冲],因此,无法使用单一功率电源给所有T/R组件供电.只能使用多只电容器并联组合作为二级瞬时电源来使用.能够满足T/R组件里容量和体积比要求的电容器,必须能够同时保证环境温度大幅度变化和可靠性要求较高时,电容器的性能不能有明显变化.这样, 目前能够达到此体积和功率要求及温度特性和可靠性要求的,只有片式钽电容器可以做到.作为T/R组件里的瞬时电源使用的片式钽电容器, 必须满足不同温度时大功率充放电时仍然具有非常高的可靠性,否则非常容易导致价格昂贵的T/R组件整体失效.为了保证大功率的T/R组件的工作可靠,使用在此电路的片式钽电容器必须达到如下性能要求;一. 该电容器必须具有尽可能低的直流漏电流;钽电容器的漏电流和实际耐压及其绝缘电阻之间存在如下数学关系;I=UR/R上式是欧姆定律的数学表达式,但是,对于钽电容器, I表示的是该产品的实际漏电流而不是导体中通过的电流,UR是该产品的实际耐压而不是电路中实际施加的电压,R是该产品的实际绝缘电阻而不是该产品的电阻. 这些实际内容上的区别非常重要.从上式中,我们可以推导出这样的规律;当漏电流偏大时,产品的实际绝缘电阻就会下降,同时,该产品的实际耐压也会下降.同样的道理,如果实际漏电流较小的产品,其绝缘电阻也将较高,其实际耐压也会更高. 此规律在高温时对钽电容器的可靠性意义重大; 当高温时该产品的实际漏电流较大时,其实际耐压就会大幅度下降,因此,高温时钽电容器的失效率就高得多. 因此,对钽电容器的可靠性影响最大的参数就是该产品的漏电流大小,特别是高温时该产品的漏电流变化率高低可以直接成为该产品可靠性高低的最主要的判定参数.在使用电压较高时,片式钽电容器的漏电流偏大的产品在进行频繁的大功率放电时会出现爆炸失效现象.作为T/R组件中的瞬时电源,为了保证电磁波发射的功率强度足够[可以探测的距离和强度成正比],施加到电容器上和电容器放电时的功率均较大,此时,如果漏电流偏大,非常容易导致击穿瞬间发生,从而造成该T/R组件功能失效.制约片式钽电容器的漏电流大小的条件主要是电容器生产厂家的工艺技术水平,在此方面,各家片式钽电容器生产商的实际生产水平相差巨大.但由于GJB-2283-95的标准对漏电流的要求较宽,因此,从简单的测试看,好象那家公司都能够生产出合乎标准的片式钽电容器,而实际却不竟然,各家生产出的相同规格的片式钽电容器的实际漏电流水平和可靠性水平相差非常大.如果使用厂家只是通过形式化的简单测试,根本发现不了其中的差别.因此,不断的失效问题就一直在困扰着电容器使用者.钽电容器在实际制造过程中，由于使用的原材料性能差异和工艺水平不同以及装备性能的不同，批量生产出的产品的性能尽管都符合标准规定，但实际上不同生产厂家生产的产品的性能存在明显的质量差异。
片式固体钽电容-概述说明以及解释
片式固体钽电容-概述说明以及解释1.引言1.1 概述片式固体钽电容是一种新型的电子元件，具有优异的性能和广泛的应用前景。
它采用固态钽作为正极材料，相比传统的电解式铝电容，片式固体钽电容具有更高的电容密度、更低的ESR值、更好的抗漏电流能力和更长的使用寿命。
本文将通过对片式固体钽电容的原理、优点和应用领域进行详细介绍，探讨其在电子领域中的重要性和发展前景。
1.2 文章结构本文主要分为引言、正文和结论三部分。
1. 引言部分将介绍固体钽电容的概念和重要性，以及本文的研究目的和意义。
2. 正文部分将详细阐述片式固体钽电容的原理、优点和应用领域，为读者提供全面的了解。
3. 结论部分将对本文内容进行总结，并展望片式固体钽电容未来的发展前景和应用价值。
1.2 文章结构部分的内容1.3 目的:本文旨在深入探讨片式固体钽电容的原理、优点和应用领域，希望通过对这一电子元件的全面介绍，让读者对片式固体钽电容有更加深刻的理解和认识。
同时，我们也将讨论片式固体钽电容的发展前景，展望其在未来的应用和发展方向，为读者提供对这一领域的深入洞察和未来发展的展望。
通过本文的阐述，希望能够为相关领域的研究者和工程师提供启发和参考，推动片式固体钽电容技术的进步和发展。
2.正文2.1 片式固体钽电容的原理片式固体钽电容的原理部分:片式固体钽电容是一种电子元件，它的工作原理是基于固体电容器的电荷存储和释放。
在片式固体钽电容中，其基本结构包括钽质阳极、氧化层作为介质和导电性良好的负极。
当电压施加在钽电容上时，电荷会在钽电容的阳极和氧化层之间存储，并在需要时释放出来。
钽电容的阳极通常由纯钽制成，由于钽金属的高化学稳定性和良好的导电性，使得钽电容具有较高的容量、频率响应和稳定性。
氧化层在片式固体钽电容中起到重要的电介质作用，它能够阻止阳极和阴极之间的电荷直接接触，从而确保电容器的正常工作。
总的来说，片式固体钽电容的原理是通过在钽质阳极和氧化层之间存储和释放电荷来实现电容效应，从而实现电子元件在电路中的功能。
片式固体电解质钽电容器常见的失效方式
片式固体电解质钽固定电容器常见的失效方式1、过压失效钽电容器使用在电路中时，在正常的工作电压以外，还要受到浪涌电压和电流的冲击。
因此，工作时时实际加在产品上的电压=浪涌电压+工作电压+交流纹波电压。
由于使用电路中的阻抗不一样，因此，当电路阻抗较低时，实际的浪涌电压在瞬间可以达到1.5-2.5倍的稳态工作电压。
因此，使用在低阻抗电路中时，考虑到开关瞬间的浪涌冲击电压会远超过产品容许承受的电压冲击，因此稳态的工作电压不能超过额定值的1/3。
否则，产品就非常容易出现瞬间的过压而击穿。
因此，在电路设计时必须为不断产生的浪涌留出电压余量。
在具体使用时，由于电路产生的热量积聚，产品工作时环境温度有可能达到50度以上，因此实际使用电压必须考虑到温度升高会导致产品的漏电流增加的问题。
因此实际使用电压应该更低。
在不同温度下产品应该使用的工作电压和失效率关系如下；由于钽电容器漏电流随温度的增加而增加。
工作在温度较高时，最大工作电压Vmax必须降额，合适的降额幅度可以从下面的公式中求得：式1：Vmax=( 1-(T-85)/125)×VR这里：T 是要求的工作温度值得注意的是上述公式只适用于高阻抗电路。
同时上述公式并没有考虑交流分量和浪涌的影响，因此当使用温度较高时，必须使用更大的降额电压才电阻能稳定可靠地工作如果只强调温度和电压，固体钽电容器的现场故障率可以从下面的表达式中计算出来：λ=λ0(V/V0)3×2(T-T0)/10这里：λ：实际工作条件下的故障率。
T：温度V：实际使用电压λ0：额定负载下的故障率。
(1% /1000h)T0：温度V0：额定电压测试条件：温度：85 ℃电压：额定电压Rs：3Ω[要求的线路保护电阻]不同的使用电压和不同的工作温度与产品的额定电压会导致出现不同的寿命，其计算方法如下；相同规格产品高温时使用电压不同时产生的漏电流不同，其产品失效率MTBF[式中的F]的计算见下式3：式中：F U：工作电压和额定电压的修正系数=U1/U R（U1为实际工作电压）F T：工作温度的修正系数=T1/T2（T1实际工作温度，T2为容许的最大工作温度85℃）F R：电路总电阻F B：基本的失效率（钽电容器的基本失效率是1%/1000小时）F的单位小时从上式中可看出，如果一个产品的工作温度较低，使用的电压也较低，那么它的失效率就非常低。
片式钽电容器的测试安装和使用技术要求
大容量片式钽电容器的测试及安装使用要求1.0说明本文件涉及的内容均为南京14所使用的大容量片式钽电容器的测试、安装和使用所制定。
本文件涉及的产品测试和安装及使用方法要求均符合GJB-2283-95的相关规定。
2.0测试和筛选2.1需要进行的测试参数和仪表如下：2.1.1容量和损耗：测试频率：100Hz 交流测试电压1V ，直流偏置电压2.2V。
合格范围：见双方达成的具体技术协议及合同规定。
2.1.2等效串联电阻ESR：测试频率：100Hz 交流测试电压1V ，直流偏置电压2.2V 。
合格范围;：见双方达成的具体技术协议及合同规定。
2.1.3室温直流漏电流;：测试电压：额定电压，充电时间：容量大于100uF 的产品为15秒。
合格范围：K≤0.002C R U R高温直流漏电流：测试电压：额定电压，充电时间：20秒合格范围：K≤0.01 C R U R2.1.4.容量变化率：测试温度：−55−5+0℃，+125−0+3℃需要的测试仪器：容量和损耗及ESR：同惠TA2819A或者安捷伦4263B漏电流：同惠TH2685C3.0.安装为了保证本产品焊接性能良好并具有较好的抗氧化性，本产品焊接端子镀层使用锡铅合金镀层，因此，本产品必须使用适合含铅元件的焊接方法和焊接工艺。
3.1. 如果使用红外回流焊，推荐的焊接温度条件见下曲线：温度曲线参考如下：升温部Ⅰ常温预热部30-60S预热部140-160℃ 60-120S升温部Ⅱ预热200℃ 20-40S正式加热220-240℃峰值5秒钟（见下图）冷却部200-100℃之间1-4℃/S3.2. 如果使用手工焊，请务必遵守以下建议或规定：（1）防止烙铁头温度过高手工焊接片式元件，最高的焊接温度不能超过300度，由于烙铁头温度与其功率成正比，因此，如果使用大于30W的烙铁头，例如使用50W的烙铁头，其表面温度就会达到500度左右，这样高的温度，当烙铁头与元件机体紧密接触时，会在瞬间就导致元件经受超过容许值的猛烈热冲击。
钽电解电容器应用指南
4、 电容器在低阻抗电路中并联使用时，将增加直流浪涌电流或大电流冲击失效的危险，同时应注意并联电容器中贮 存的电荷通过其它电容器放电。
5、 钽电容器在电路中，应控制瞬间大电流对电容器的冲击。建议串联R＞3Ω/V的电阻以缓解这种冲击，以限制电流 在300mA以下；当串联电阻小于3Ω/V时，则应考虑进一步的降额设计，否则产品可靠性将相应降低（如果将电路电阻从 3Ω/V降到≤0.1Ω/V，则失效率提高约10倍）。当电容器用于滤波电路时，降额系数至少应为0.5。
12、 钽电容器的引线（包括片式钽电容器引出端），在测量、使用过程中应注意避免赤手直接接触，以免汗渍、油渍 等污染引起可焊性不良。
13、 片式钽电容器在订货时请根据电路和贴片机作业程序注明编带的卷绕方向。图3、图4分别为右旋、左旋示例。
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Tantalum Electrolytic Capacitor — 6
上海聚电实业有限公司 Shanghai Jodo Co.,Ltd.
其中：引出方式中N表示直引线，S表示弯曲引线，i表示片式引出 包装形式中T表示编带包装，B表示袋式包装，R表示右旋编带，L表示左旋编带 18、 合同中必须填写的内容
上海聚电实业有限公司
Shanghai Jodo Co.,Ltd.
钽电解电容器应用指南
1、 关于反向电压 1.1、 固体电解质钽电容器 A 固体电解质极性钽电容器，一般不允许加反向电压，并且不可在纯交流电路中使用。若在不得已的情况下，允许 在短时间内施加小量的反向电压，其值为：25℃下：≤10%UR或1V（取小者）；85℃下：≤5%UR或0.5V（取小者）； 125℃下：≤1%UR或0.1V（取小者）。 B 如果将电容器长期使用在有反向电压的电路中时，请选用双极性钽电容器，但也只能在极性变换而频率不太高的 直流或脉动电路中使用。 1.2、 非固体电解质钽电容器 银外壳固体电解质钽电容器不能承受任何反向电压。 1.3、 原则上禁止使用三用表电阻挡对有钽电容器的电路或电容器本身进行不分极性的测试（容易施加反向电压），当电 路全部采用了35V以上（含有35V）固体钽电容器时，应能承受三用表1.5V电源的反向测试，9V电源则应绝对禁止。 1.4、 在测量使用过程中，如不慎对非固体钽电容器施加了反向电压或对固体钽电容器施加了超过规定的反向电压，则该 电容器应报废处理，即使其各项电参数仍然合格，因为产品由反向电压造成的质量隐患有一定的潜伏期，在当时并不一 定能表现出来。 2、 关于纹波电流 2.1、 直流偏压与交流分压峰值之和不得超过电容器的额定电压值。 2.2、 交流负峰值与直流偏压之和不得超过电容器所允许的反向电压值。 2.3、 纹波电流通过钽电容器时产生了有功功率损耗，进而电容器自身温升导致的热击穿失效概率增大，因此有必要对通 过电容器的纹波电流或电容量允许的功率损耗进行限制（钽电容器不应长期使用于交流分量大或纯交流电路中）。 功率损耗（P有）与纹波电流（Irms）的关系由下式表示： P有=V-·I漏+I2rms·R≈I2rms·Rs 其中：V-：直流偏压（V）；I漏：漏电流（A）； Rs：等效串联电阻（Ω）；Irms：纹波电流。 由上式可以看出：当Rs增大或当Irms增大时，功率损耗增大。因此，在高频线路中要求通过钽电解电容器的纹波 电流小和选用等效串联电阻小的钽电解电容器。 2.3.1、各种固体电解质钽电容器按壳号散热效率所允许的功率损耗见表1。
CA45A 型片式固体电解质钽电容器 技术手册
■ 模压封装、密封性好、片式、体积小、重量轻、极性电容器；■ 电性能优良、稳定可靠、低ESR（等效串联电阻），等效于KEMET公司T491型；■ 适用于移动通讯、摄像机、程控交换机、计算机、汽车电子等各种电子设备的表面贴装直流或脉动电路。
□ Molded, good sealability, chip, small profile, light weight,polarized capacitor.□ Good electrical performance, stable and reliable, low ESR,equivalent to T491 of KEMET.□ The product is suitable to surface mounted direct current orpulsating circuit in various electronic equipments for mobile communication, vidicon, program controlled exchanger, computer, and auto electronics.■ 温度范围：-55℃～125℃（＞85℃时，施加降额电压使用）；■ 额定电压、降额电压、标称电容量：见表2；■ 电容量允许偏差：±10%、±20%；■ 高低温特性：见表2；■ 外形尺寸及外壳代号：见图1和表1。
□ Temperature range: -55℃~125℃（when above 85℃, derated voltage is applied）□ Rated voltage, derated voltage and rated capacitance see Table 2. □ Capacitance tolerance: ±10%；±20%；□ Characteristic at low and high temperature: see table 2; □ Physical dimension and case code: see Figure 1 and table 1.Type CA45A Chip Solid Electrolytic Tantalum Capacitor执行标准Executive Standard：Q/MM124A-2009标志 MARKING:外壳代号Case code 外形尺寸 mm Physical dimension新云XinYunEIA L W HL 1W 1M A 3216-18 3.2±0.2 1.6±0.2 1.6±0.20.65±0.2 1.2±0.2 1.0±0.2B3528-21 3.4±0.2 2.6±0.2 1.9±0.20.70±0.22.0±0.21.2±0.2C 6032-28 5.8±0.3 3.2±0.3 2.5±0.3 1.35±0.2 2.2±0.2 1.45±0.2E (D)* 7343-317.3±0.3 4.3±0.3 2.8±0.3 1.35±0.2 3.0±0.2 1.6±0.2H(E、X)**7343-437.3±0.34.3±0.34.1±0.3 1.35±0.2 3.0±0.21.6±0.2表1 电容器的外形尺寸 Table 1 Physical dimensionB、C、E、H壳Case B、C、E、H公司标志和阳极Company Mark and Positive标称电容量 (μF)Rated capacitance额定电压 (V)Rated voltageA壳Case A10010V1.020LWW 1MHL 1（产品标志中厂标符号 所在端对应的贴片为正极）(The end with is the positive end)图 1注Note：*E壳等同于KEMET、VISHAY和AVX公司的D壳产品尺寸；The dimension of case E is equal to case D of KEMET, VISHAY and AVX . **H壳等同于KEMET公司的x壳、VISHAY和AVX公司的E壳产品尺寸。
片式钽电容器的并联使用
片式钽电容器的串联和并联使用片式钽可以使用在开关电源里作为滤波元件，也可以使用在控制电路里作为次级电源来使用。
当使用在滤波电路时，片式钽电容器在滤波的同时，还兼有充放电功能。
此类电路的充放电功率一般较小。
如果使用在脉冲充放电电路，电容器此时被当作一个能够在短时间内提供高功率输出的电源。
在此类电路，电容器即可以串联使用，也可以并联使用。
当串联使用时，如下图示；串联使用时，电路中的参数变化符合欧姆定律规定；串联后的总耐压变为单只的一倍，容量变为单只的1/2，阻抗变化为单只的一倍。
也可以串联后再并联或只是并联使用，如下图示；并联使用时，电路中参数变化符合并联电路规定；耐压不变，容量为并联只数和单只容量的乘积。
阻抗为并联只数N的1/N。
当由数只产品并联使用在脉冲充放电电路时，由于总阻抗为单只阻抗的1/N[N为总并联只数]，所以，每只产品上实际分担的电流符合并联电路电流变化规律；单只产品上的分电流为总电流1/N。
并联只数越多，单只产品上分担的电流越小。
由于片式钽电容器可以承受的直流电流如下式计算；I=UR/(1+ESR)式中；I为可以承受的直流电流UR为额定电压ESR为该只产品的等效串联电阻从上式可以得出如下结论：ESR越低的产品将可以承受更高的直流电流冲击。
因此，如果采用多只并联使用，由于总阻抗为单只的1/N，并联后的总阻抗=150毫欧/32=4.7毫欧，因此，该并联组合实际上由于并联只数的增加，抗电流浪涌能力将提高。
并联的越多，实际上可靠性越高。
不论是串联使用还是并联使用，都是钽电容器厂家推荐或建议的使用方式，因为这样可以提高电路的可靠性。
由于并联使用时的后续电路一般都串有功率性器件，因此，在此条件下使用，并不会存在用户担心的互相放电的现象；1.极性相同，不存在反向冲击。
2.根据并联电路电压变化规律，每只产品是施加的电压都相同。
3.短路放电时，由于串联有功率性器件，也不会出现互相放电现象。
多只并联使用实际上非常普遍，举实例如下；下图为INTEL公司的电脑板上并联多只钽电容器的实例；上图中的INTEL电脑主板上同时并联了10只聚合物片式钽电容器，在起到滤波作用的同时，还兼有大功率放电的功能。
片式钽电容使用方法
片式钽电容使用方法
片式钽电容使用方法
简介
选择合适的电容型号
1. 容量选择：根据电路的需求，选择合适的容量数值，一般可以在电容器数据手册中找到。
2. 电压选择：根据电路工作电压选择合适的电容器，一般应留有一定的余量，以确保电容器在工作时不会超过其额定电压，避免损坏。
焊接方法
1. 焊接温度：片式钽电容的焊接温度一般为260摄氏度，所以在焊接时要控制好焊接温度，以免超过其承受范围导致损坏。
2. 焊接时间：焊接时间一般在3-5秒之间，不可过长或过短，以免对电容器的性能产生不良影响。
电路布局
1. 与其他元件的距离：片式钽电容应尽可能与其他热源或高频源保持一定的距离，以免影响其性能。
2. 地线布置：片式钽电容的接地线应尽可能短且粗，以降低电感和电阻，提高电容器的性能。
注意事项
1. 避免过压：片式钽电容器不能承受过大的电压，应根据电路设计合理选择电容器型号。
2. 避免过温：片式钽电容器在工作时可能会产生一定的热量，应避免长时间高温工作，以免对电容器产生不良影响。
3. 防止反接：片式钽电容器应正确连接极性，一般有标识正负极的标记，应遵循正确的连接方法。
结论
以上内容仅供参考，具体的使用方法应根据实际情况和电容器的数据手册进行操作。
片式钽电解电容器使用技术说明
钽电解电容器使用技术指南一.钽电解电容器性能简要说明钽电容器目前仍然是一种体积容量比最高的电荷能量储存元件,它能够储存的电能量高低取决于介质层的厚度和面积，而它的介质层的介电能力可以达到120KV/mm，它相对的介电常数为27×10-12法拉/米，因此钽电容器可以在很薄的介质层内承受极高的场强，这是它体积容量比较高的根本原因。
它可以储存的电容量C与介质层的厚度d及介质层的面积A之间的关系如下：C=(ε0εr A)/d这里：ε0是真空中的介质常数(8.855×10-12法拉/米)εr是五氧化二钽的相对介质常数=27d 是金属中电介质的厚度(单位是米)C 是电容量，单位法拉A 是表面积，单位是m2钽电容器能够储能是因为其介质层五氧化二钽具有容许交流电通过阻止直流电通过的单向导电性，因此它属于极性电容器，使用和测试时必须特别注意它与叠层陶瓷电容器的区别。
其介质层的形成是基于钽是一种阀金属，在电化学状态下形成的无定型五氧化物具有的单向导电性是它能够成为制造电容器的优良材料的根本原因，它的介质层形成的电化学原理见下化学式。
介质的厚度通过形成（赋能）过程中施加的电压进行控制，最初在酸性溶液中保持直流电流不变，直到达到正确的介质厚度，（即电压达到“赋能”电压），然后转换到电压不变，直到电流衰减接近为零。
下面的化学方程式介绍了该过程。
钽阳极：2Ta→2Ta5+ + 10e-2Ta5+ + 10 OH-→Ta2O5 + 5H2O阴极：10H2O – 10e-→ 5H2 + 10 OH-形成的阳极再通过化学方法，在介质层上沉积一层电子电导型的二氧化锰作为电容器的阴极，这样，电容器的电容量就可以在固态下被引出成为一个可以储藏电能量的元件，制造电容器使用的材料如下：阳极：钽粉和钽丝(Ta)引线保护：垫圈(聚四氟乙烯)介质：五氧化二钽(Ta2O5)阴极：二氧化锰(MnO2)对应电极：碳(C)装配：银胶(Ag) 银浆(Ag)防潮物：硅基材料包封材料：热固环氧树脂包装：塑料载带(聚碳酸酯)、塑料上带(聚酯)、塑料卷盘(聚苯乙烯)无铅引线框架无铅引线框架是铁(Fe)基镍合金，有薄的镍隔离层(Ni) 外镀100% 锡(Sn) 。
片式钽电容
片式钽电容
随着信息时代的发展，电子设备和电路的需求越来越多，而钽电容作为一种关键的电子元器件，在电路中扮演着重要的角色。
片式钽电容是其中的一种，下面将为大家介绍片式钽电容的一些基本概念和应用。
一、什么是片式钽电容
片式钽电容是一种非常小巧的表面贴装型电容，具有高频率、高能量密度、高质量因数、低ESR（等效串联电阻）等特点。
其尺寸通常在0.8mm×0.4mm×0.4mm左右，电容量从几微法到数百微法不等，适用于高频电路和数字电路的应用。
二、片式钽电容的优点
1.体积小：由于片式钽电容采用了表面贴装和微电子加工技术，相比于普通的钽电容来说尺寸更小。
2.容量大：片式钽电容的容量通常是微法级别，但是其能量密度大，容量密度高。
3.优良的高频特性：片式钽电容在高频率工作时，具有低ESR、低ESL（等效串联电感）等优良特性，在高频振荡电路和射频电路等领域应用广泛。
4.长寿命：片式钽电容在制造过程中采用了多道工序，使其具有极高的可靠性和长寿命。
三、片式钽电容的应用
1.数字电路：由于片式钽电容小巧、容量大，具有优良的高频特性，因此在数字电路中应用广泛，如航空航天电子设备、计算机和通信设备等。
2.射频电路：片式钽电容在射频电路中广泛应用，如移动通讯、无线电、卫星通信等领域。
3.电源电路：片式钽电容在电源电路中主要用于去除电源噪声、滤波和稳压等功能。
综上所述，片式钽电容作为一种高端电子元器件，在高频电路、数字电路、射频电路和电源电路中具有广泛的应用。
未来随着科技的不断发展，片式钽电容的性能将会更加优越，为电子设备和电路的发展提供更多的支持。
钽电容标示说明书
钽电容耐压值的表示方法钽电容上面标着106F表示： 106是容量为10UfF应是耐压值为2.5V钽电容耐压用不同的字母来标注，如下：F: 2.5G: 4L、J: 6.3A: 10C: 16D: 20E：25V：35T：50在体积一定的情况下，容值越大，耐压值越小。
目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：AVX、KEMET、VISHAY、NEC、NICHICON。
市场上的钽电容，分为黄钽和黑钽两种。
黄钽品牌主要是：AVX KEMET 黑钽主要品牌是：NEC、NICHICON。
市场占有方面：AVX远高于KEMET，NEC高于NICHICON。
现在市场上的钽电价格变化比较大。
AVX涨价20%--30% , KEMET涨价15%-20%，NEC涨价10%--20%。
涨价的主要原因个人认为有这么几个原因：1.市场上原料钽价格上涨 2.劳动力成本的增加。
另外可能有朋友要问黄钽与黑钽的区别。
简单来说，黑钽是开模将钽粉压成型，而黄钽，是在表面用聚氧树脂包裹而成。
由于生产工艺的原因，黑钽的部空间没有得到最有效的利用，所以黄钽能做的容量会比黑钽要大，也就是说有些黄钽能做到的规格型号，黑钽做不了。
另外，前面有朋友说到Polymer，Polymer现在主要是 AVX与KEMET在做。
Polymer与比普通的二氧化锰的优势在于：普通的钽电他的实际使用电压一般是50%，Polymer一般在80%以上。
举个例子来说：100uf 10v的普通电容，在实际使用的时候，额定电压不能超过5V，如果使用Polymer材料的电容，那么只需要100uf 6.3v的。
但由于价格问题，Polymer现在在普通的电子产品上用的不是很多。
我所知道的，在笔记本电脑上有些有用到。
AVX与KEMET的优劣：AVX在军用，民用市场上的占有量都很大，在普通电容的市场上，AVX无论品质还是市场占有量都远强与KEMET。
价格上，AVX比KEMET 更贵。
KEMET他主要问题是其电容的耐压值不够，举例说：100uf 10v的电容，测试的电压按道理应该能达到5V，但若真用5V电压去测试的话，很可能会击穿。
钽电容注意事项
钽电容使用注意事项珠海汇理源电子科技有限公司1．热致失效固体钽电容器的Ta2O5 介质氧化膜具有单向导电性，当有大充放电流通过介质氧化膜会引起发热失效。
Ta2O5 介质氧化膜厚度只有10-10 m 级，无充放大电流时，介质氧化膜相当稳定，其离子排列不规则，无序，称作无定形结构，呈五彩干涉色。
（汇理源电子）1.1当有大电流时，温度升高，无定形结构向定形结构逐步转化，离子排列变为有序，称之为“晶化”，呈现颜色不再是五彩干涉色，而是无光泽，较暗的颜色。
Ta2O5介质氧化膜的“晶化”导致钽电容器器性能恶化，直至击穿失效。
（汇理源电子）2．钽电容在产品的电路设计应考虑的问题2.1 片式钽电解电容器为极性电容器，一般不允许施加反向电压，并且不可以在纯交流使用，若在不得已的情况，允许在短时间内施加少量的反向电压，其值为：25℃时，小于10%或1V(取小者)；85℃时，小于5% μ或0.5 V(取小者) ：125℃时，小于1% μ或0.1 V(取小者)。
（汇理源电子）2.2 工作电压/降额电压■大约90%以上片式钽电容器失效表现为短路或漏电流增大模式，为了提高可靠性，在设计电路中充分考虑降额是必要的。
特别是在低阻抗电路中，建议降额至1/3 额定电压或更低使用，一般电路建议降额至1/3 额定电压或更低使用。
（汇理源电子）■在有开关或瞬时充放电的电路中，建议使用串联电阻，其值为3 Ω/ V, 以限制电流在300 mA 以下，太低的阻抗会导致失效率的增加，如电路不允许插入电阻，应降额至1/3 的额定电压或更低使用，低于0.1 Ω/ V 的电路阻抗，应考虑电路保护问题。
不同串联电阻对失效率的影响见下。
（汇理源电子）电路电阻（Ω/ V ） 3.0 2.0 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.1失效率（%/1000h）0.07 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 0.8 1.03 电容器的焊接安装：3.1 产品的焊接和清洗■采用烙铁焊接时，使用烙铁的尖端温度小于260℃，使用时间小于4 秒。
片式固体电解质钽电容器规格承认书CA45-B-10V-47 F-K 说明书
片式固体电解质钽电容器规格承认书型号规格：CA45-B-10V-47μF-K1. 产品特点该产品为模压封装、片式引出，具有密封性好、重量轻、电性能优良、稳定可靠等特点。
适用于移动通讯、摄像机、程控交换机、计算机、汽车电子等各种电子设备的表面贴装直流或脉动电路。
2. 产品型号及编码说明CA45 - B - 10V - 47μF - K型号 壳号 额定电压 标称电容量 容量偏差3. 产品外形及尺寸：见图1及表1表1 电容器的外形尺寸单位：mm4．电性能参数4.1 工作温度范围：-55℃～125℃；85℃以上施加降额电压。
4.2 标称电容量允许偏差（25℃，100Hz）：K:±10%；4.3 主要电性能参数：见表2表2 电性能参数表5.标志5.1标志内容（1）商标及正极标识（2）标称电容量（3）额定工作电压5.2 标志说明：见图2（举例）。
6. 产品外观质量6.1 产品本体应无针眼、缺角、缺块、发黑、漏封、裂纹、引出片断裂等现象。
6.2 产品标志：应清晰、完整、正确；无重影、漏打等现象。
7.包装7.1 产品编带的尺寸及卷绕方向：见图3、图4、表4、表5。
注：用户未要求时，编带卷绕方向通常按左旋卷绕方向。
7.2包装数量：见表3表3 包装数量7.3产品内外包装盒应无破损，料盘、小盒及外包装箱上应有相应物料标识单，标识应清楚、准确。
7.4每批产品应附产品合格证，内容包括产品型号、规格、壳号、容量级别、数量、生产批号及执图4表 4 编带尺寸单位：mm表 5 卷盘尺寸和数量8.典型试验要求：见表6表6 典型试验要求9 应用指南9.1室温电性能的测量9.1.1 电容量(C)和损耗角正切(tg δ)的测量●施加电压： 直流偏压：U-=2.20 -1.0V ；交流偏压（有效值）的范围：U ～=1.00-0.5V●测量时，确保电容器正、负极的接法正确，否则读数会产生较大的偏差。
9.1.2漏电流（I ）的测量●施加电压：额定电压测量时，应串联1000Ω的保护电阻。
片式钽电容使用方法
片式钽电容使用方法一、介绍片式钽电容是一种电子元件，主要用于存储电荷和平滑电源电流，广泛应用于各种电子设备中。
它由片式钽电容器和电容连接脚组成，具有高电容量和低ESR（等效串联电阻）等优点。
本文将详细介绍片式钽电容的使用方法，包括安装、焊接与维护等方面。
二、安装1. 首先，确保在使用片式钽电容之前，先将设备断电，并确保电容器和设备之间的电压已放电完毕，避免触电和其他危险。
2. 插入片式钽电容器时，应注意连接脚的方向，正负极性需对应正确。
片式钽电容器通常采用符号“+”和“-”表示其正负极性，红色或标有正号的一侧表示正极，黑色或标有负号的一侧表示负极。
3. 在安装过程中，避免过度弯曲或拉扯片式钽电容的连接脚，以免损坏容器。
连接脚应平整地与电路板焊接。
三、焊接1. 在焊接片式钽电容之前，先将焊接区域清洁干净，确保表面无灰尘、油脂和其他杂质，以确保焊接的牢固性。
2. 将片式钽电容连接脚与电路板焊盘对位。
需要注意的是，焊接温度应控制在制造商建议的范围内，不要过高或过低，以免影响焊接质量。
3. 使用合适的焊接工具和焊接技术，将焊锡涂抹在片式钽电容的连接脚和焊盘上，使它们充分结合。
焊接时间不宜过长，以避免将过多的热应力传递给片式钽电容。
4. 焊接完毕后，使用适当的工具对焊接点进行视觉检查。
焊点应呈亮净的金属颜色，无松动或裂纹现象。
四、维护1. 在使用片式钽电容过程中，应避免超过其额定电压，以免损坏电容器。
2. 片式钽电容对温度敏感，因此要避免长时间使用在高温环境中，以免影响其寿命和性能。
3. 长时间不使用的片式钽电容，应存放在干燥、无尘的环境中，并避免受到机械振动、冲击和静电的影响。
4. 定期检查和维护设备上的片式钽电容，确保其连接牢固，没有松动现象。
如果发现电容器损坏或老化，应及时更换。
综上所述，片式钽电容是一种常见的电子元件，我们在使用时应注意安装、焊接和维护的细节。
正确的安装和焊接能够确保电容器的稳定性和可靠性，适当的维护能够延长其寿命和提高性能。
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片式钽电容使用方法一、钽电容介绍钽电容是由稀有金属钽加工而成，先把钽磨成微细粉，再与其它的介质一起经烧结而成。
目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。
钽电容由于金属钽的固有本性，具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点，在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性，因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。
目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：AVX、KEMET、VISHAY、NEC，其中AVX和VISHAY 的产量最大，而且质量最好。
二、选择考虑因素1、温度温度影响：A）电容量 介电常数的变化引起 导体面积或间距变化引起B）漏电流:通过阻抗变化影响C）高温击穿电压和频率对发热的影响D）额定电流，当发热产生影响时E）电解液从密封处泄漏2、湿度湿度影响：A）漏电流 B） 击穿电压 C） 对功率因数或品质因数的影响3、低气压低气压影响：A） 击穿电压 B）电解液从密封处泄漏4、外加电压外加电压影响：A）漏电流 B） 发热及伴随的影响 C）介质击穿：频率影响D）电晕 E） 对外壳或底座的绝缘5、振动振动影响：A）机械振动引起的电容量变化 B)电容器芯子、引出端或外壳发生机械变形6、电流电流影响：A）对电容器的内部升温和寿命的影响 B）导体某发热点的载流能力7、寿命所有环境和电路条件对其都有影响。
8 稳定性所有环境和电路条件对其都有影响。
9 恢复性能电容量变化后，能否恢复到初始条件。
10 尺寸、体积和安装方法在机械应力下，当产品安装固定不当时，容易导致引线承受较大应力或共振，严重时会产生引线断裂待现象。
三、在选择和使用电容器时应考虑下列内容：A）电路设计者为了设计出能在要求的时间内满意工作的电路，所使用的电容量允许偏差必须考虑：符合规范规定的允许偏差： 电容量 --温度特性变化；恢复特性； 电容量 --频率特性；介质吸收； 电容量与压力、振动和冲击的关系； 电容量在电路中的老化和贮存条件。
B） 需考虑电容器引出端和外壳之间的电容量，如果此电容量会产生杂散电容和漏电流。
C） 可以用多种电容器组合获得要求的电容量，从而补偿电容量--温度特性等。
D）施加于电容器的峰值电压不能超过相应规范规定的额定值。
通常，相同的峰值电压可能由于以下条件而降低：老化；温升；介质区域增大；外加电压频率较高； 潮气进入电容器。
需要强调的一点是，不要忽视电容器在应用中的短时瞬态电压。
E） 当电容器在高于地电位的高压下工作时，并且对绝缘采用附加绝缘时，电容器的一个引出端要接在外壳上，因为电压分配取决于电容器芯子和外壳之间的电容量、以及外壳和底盘之间的电容量。
F） 必须根据电路的时间常数考虑充电和放电的峰值电流。
G) 必须考虑内部发热和环境温度。
H） 必须考虑湿度、压力、腐蚀性大、霉菌、振动和冲击等环境因素影响。
I） 必须考虑绝缘电阻，尤其是在高温下的绝缘电阻。
J）在直流电路中串联工作时，必须考虑使用平衡电阻器。
K）大容量电容的有效电感量可以并联小电容器来降低。
L） 因为电容器具有电感，因此并联在电路中每一次工作或瞬时工作时可能产生瞬时振荡。
M）电接触不良在低压下可能开路或产生噪声。
N）电容器内储存的能量对人和设备有危险，对此应采取适当防范措施。
O） 充满液体的电容器不能被倒置，因其会导致内部电晕。
P） 非气密封电容器可能因“呼吸”过程中受潮。
四、关于反向电压钽电容器介质氧化膜具有单向导电性和整流特性，当施加反向电压时，就会有很大的电流通过，甚至造成短路而失效。
因此，使用中应严格控制反向电压。
4.1 固体电解电容，一般不允许加反向电压，并且不可长期在纯交流电路中使用。
若在不得已的情况下，允许在短时间内施加小量的反向电压，其值为：25℃以下：≤ 10%UR 或1V（取小者）；85℃下；≤ 5%UR 或0.5V（取小者）；125℃下；≤ 1%UR 或0.1V（取小者）。
如果将电容器长期使用在有反向电压的电路中时，请选用双极性钽电容器，但也只能在极性变换而频率不太高的直流或脉动电路中使用。
4.2 原则上禁止使用万用表欧姆挡对有钽电容器的电路或电容器本身进行不分极性的测试（容易施加反向电压）。
4.3在测量使用过程中，如不慎对钽电容器施加了超过规定的反向电压则该电容器应报废处理，即使其各项电参数仍然合格，因为产品由反向电压造成的质量隐患有一定的潜伏期，在当时并不一定能表现出来。
4.4产品额定电压（UR）是指在额定温度85℃下施加在电容器上的最高工作电压。
若超过额定电压使用，则超过了介质氧化膜Ta2O5 的抗电强度，将导致产品性能劣化，严重时甚至产生介质击穿、失效。
所以在电路设计中，一般都采用了降额设计。
当环境温度不大于85℃时，建议一般降额至65%UR以下，当环境温度大于85℃时，建议使用电压设定在额定电压的1/3 以下。
五、关于纹波电流钽电容器在线路设计中当施加超过钽电容器所能承受的纹波电压、纹波电流时会导致产品失效。
5.1 纹波电流直流偏压与交流正峰值之和不得超过电容器的额定电压.交流负峰值与直流偏压之和不得超过电容器所允许的反向电压值.纹波电流流经电容器产生有功功率损耗,导致产品自身温度增加致使热击穿概率增大,有必要在电路中对纹波电流或是器允许功率损耗进行限制(钽电容器不应长期使用于交流分量较大或交流电路中)功率损耗(P有)与纹波电流 (Irms) 的关系由下式表示:P有=V -·I漏+I2 rms ·R ≈ I2 rms .Rs其中:V -:直流偏压（V）；I漏：漏电流（μ A）；Rs：等效串联电阻（Ω）；I rms ：纹波电流（mA） 由上式可以看出：当Rs增大或当I rms 增大时，功率损耗增大。
因此，在高频线路中要求通过钽电解电容器的纹波电流小和选用等效串联电阻小的钽电解电容器。
各种非固体钽电容器按壳号允许最大纹波电流有效值（+85℃ 40KHZ 0.66UR）。
六、片式钽电容器，无论是手工焊还是再流焊，都应避免使用活性高、酸性强的助焊剂，以免清洗不干净后渗透、腐蚀和扩散，进而影响其可靠性。
建议用免清洗助焊剂。
若要清洗，建议使用溶剂：异丙醇，时间应不超过5分钟；建议不要用超声波清洗。
七、钽电容失效举例对于有极性的钽电容器来说，人们最容易想到的是极性接反引起的击穿失效。
通过多次分析实例来看，这种失效原因在实际工作中出现的可能性较小，常常出现的是一种较为隐蔽的原因所导致的失效—焊接温度高、焊接持续时间长。
测试发现，电容器正负极间已经短波，其阻值约为0.1Ω。
与原始失效现象一致。
采用BT1505型X光机透视观察，看到电容器内部阳极一端空腔内有一块较大的多余物。
将电容器振动后在X光机下换不同角度的观察，发现多余物可以移动。
然后分别将电容器进行摇晃、振动、翻转，重新测试，电容器时而短路，时而正常。
证实电容器失效确是因内部多余物引起时断时通。
仔细进行解剖分析，剥除电容器阴极金属外壳，暴露出阳极内芯，取出内部多余物，在显微镜下检查，此多余物为焊锡，如图3所示。
取出电容器腔体内的多余焊锡后，用数字电桥测试仪测试电容值，结果正常，100Hz条件下为100.8μf,1kHz条件下为99.5μf。
该钽电容器因腔体内部有焊锡多余物，在振动试验中引起短路失效，产生多余物的原因是焊接不当，如铬铁温度高，持续时间长，引起电容器内钽丝与阳极引线熔焊的焊锡受热后流出所致。
因此我们建设：（1）在焊接器电容器的过程中应尽量缩短焊接时间，以免使电容器内焊锡熔化变为多余物，引起短路失效；（2）进行X射线透视观察，淘汰有多余物的电容器。
八、AVX电容真假判别方法钽电容常用的有 A VX KEMET（基美） NEC VISHAY（威士） NICHICON（(尼吉康）市场上面份额（深圳市场）A VXKEMETNECVISHAYNICHICON，所以就市场上面来说A VX的假货也是最多的！其他的基本来说还是比较少点！所以识别假货来说一般也是比较重要的！原装A VX可以从三方面去识别：1.焊脚，原装A VX焊脚正极跟负极不一样，正极的为U型号的，也就是凹进去的，而不是跟负极一样是平的。
2，大家可以去撕下A VX的标签，原装的可以轻松撕下来，标签绝对没有问题（我在公司不知道撕了多少，绝对不烂），假货一般标签自己打上去的，用的纸张也是一般的，所以贴上去基本撕不下来，撕起来很容易撕坏。
3，大家可以把A VX的货拆开，看看里面的编带，编带上面大概每间隔25CM有打A VX的字样，假货编带一般没有打A VX字。
其实留心下钽电容真假还是比较好看的，我在论坛里面看到个关于钽电容的帖子，一个工程师问100UF 25V的钽电容为什么上12V的电压基本一充电就爆，下面我看也回答了好多楼，大家都在分析问题，做钽电容的相信一看就知道问题出哪里了，很明显，这颗料是假货！不论是A VX KEM ET NEC VISHAY，你可以去看看原厂的产品规格书，只有A VX100UF 可以做到25V，其他的做多只可以做到20V电压，所以这类原厂跟本就没有做到的料市场上面怎么会有，很明显，可能是16V 或者20V 重新打磨扫描上去25V的，实际电压跟本作不到这么多。
1000UF 6.3V这料也只A VX可用做，其他品牌都只能做到4V，所以这种看看规格书就可以解决了。
市面上的假货也分好多种，一般来说可以分这么几种：1.国产钽电容改A VX，这种用国产钽电容打磨掉上面的字，直接用激光扫描上去新的字，把子打成A VX 的样子，这种基本看下焊脚可以看出来，国产的焊脚正负极是一样的！这种来说一般比较假！容易出问题！2.KEMET改A VX，同样是打磨掉上面的字重新扫面上去，这种也是看看焊脚就可以看出来，KEMET的焊脚也是一样的！这种假得比较真，不会出问题，譬如说同是47UF 16V 的料，用KEMET改成A VX，容值电压都没问题，用起来也没问题，为什么这么改？KEMET这料只要0.5元，改称A VX后身价就到了0.65元了，这种改我觉得还是比较仁慈的。
3，年份这个东西改改问题也比较大，人家06年的沉货换个09年的标贴上去就变成09年新货的价格了！这种VISHAY好认点，钽电容上面基本有标年份，譬如说WD代表08年。
钽电容的电压一般都有要求降半使用，耐压10V的钽电容，PCB上电压正能是5V，这是因为钽电容的抗浪涌能力很弱。