电导率的测定_材料导电性能的测量
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测试电路原理
被测试样与高阻抗直流放大器的输入电阻 串联并跨接于直流高压测试电源上;高阻抗 直流放大器将其输入电阻上的分压讯号经放 大输出至指示仪表,由指示仪表直接读出被 测绝缘电阻值。
1)测量体积电阻值Rv (1)将Rv、Rs转换开关旋至Rv处。
Байду номын сангаас
(2)将电压选择开关置于所需要的测试电压位置上,将“倍
计算公式:
V RV
r 2
h
(1)
式中:π—3.1416; r一测量电极的半径 (cm); h一陶瓷试样的厚度 (cm)。
R2
惠斯顿单电桥测量原理图
测量电阻范围通常在在10106。
测量中Rx实际并非真正的被测电阻,测出的电阻包括A 、B两点的导线电阻和接触电阻。当测量低电阻时,由于 结构和接触电阻无法消除,灵敏度不高、测量数值偏差较 大,只有当被测电阻相对于导线电阻和接触电阻相当大时 ,Rx才接近于 。因此惠斯顿单电桥的测量很少用于测量 金属电阻,其测量电阻范围通常在在10106。
材料电阻的测量方法
测量材料电阻的方法,根据材料的电阻大小不同,采 用的测量方法各异。 主要的测量方法: 惠斯顿单电桥法 双电桥测量法 电位差计测量 直流四探针法
1、惠斯顿(Huiston)单电桥法
惠斯顿单电桥测量原理图 图中CD之间串联一检流计G, R p为调节桥路电流的滑线电阻 器,当C、D两点同电位时,通 过检流计G的电流为零. RN、R1 、R2 的电阻均已知, R 被测电阻Rx的计算: Rx 1 RN
电位差计法优点:导线(引线)电阻不影响电位差计的电势 Vx、VN,的测量,而双电桥法由于引线较长和接触电阻很 难消除,所以在测金属电阻随温度变化,不够精确。
4. 直流四探针法
直流四探针法主要用于半导体材料或超导体等的低电阻 率的测量。常用于半导体单晶硅掺杂的电阻率测量。
四根金属探针彼此相距1mm排在一 条直线上,要求四根探针与样品表 面接触良好。由1、4探针通入小电 流,当电流通过时,样品各点将有 电位差,同时用高阻静电计、电子 毫伏计测出2、3探针间的电位差V23,四探针法的测量线路原理图 计算出样品的电阻率 V
3.电位差计法
电位差计法广泛应用于金属合金的电阻测量,可测量试 样的高温和低温电阻,还可以测试电位差、电流和电阻, 它的精度比双电桥法精度高。可以测量10-7的微小电势。 当一恒定电流通过试样和标准电阻时,测定试样和标准电 阻两端的电压降Vx和VN,RN已知,通过下式计算出Rx
Vx Rx RN VN
为了使上式简化,在设计电桥时,使R1 =R3,R2=R4, 并将它们的阻值设计的比较大,而导线的电阻足够小(选 用短粗的导线),这样使 R1 R3 趋向于零, 则附加项趋 R2 R4 近于零,上式近似为: R3 R1 = Rx RN R
R2
R4
N
当检流计为零时,从电桥上读出R1 、R2而RN 为已知的 标准电阻,用上式可求出Rx值。 用双电桥测量电阻可测量10010-6的电阻,测量精度为 0.2%。 在测量中应注意:连接Rx、RN的铜导线尽量粗而短,测量 尽可能快。
率选择”旋钮选 至所需的位置。
(3)将“放电、测试”开关放在“测试”位置,检查电压应
选择的位置,打开输入短路开关(即按钮抬起来),读取加 上测试电压1分钟,指示电表显示的电阻值。读数完毕, 将“倍率”打回“10-1”档。
2)测量表面电阻值Rs (1)将Rv、Rs转换开关旋至Rs处。 (2)将电压选择开关置于所需要的测试电压位置上,将 “倍率选择”旋至所 需要的位置。 (在不了解测试值的数 量级时,倍率应从低次方开始选择。) (3)将“放电、测试”开关放在“测试”位置,检查应选 择的位置,打开输 入短路开关(即按钮抬起来),读取加上测试电压1分钟时, 指示电表显示的电阻值。读数完毕,将“倍率”打回 “10-1”档。 (4)接入短路开关,将“放电、测试”开关打回到“放电” 位置。更换试样,重复以上操作,待全部试样测量完毕后, 切除电源,除去各种连接线,按要求整理、放置好仪器。
片状样品
管(环)状样品
圆片状样品
三、电阻率的测量
1、高电阻率测量
测定陶瓷材料和高分子材料的体积电阻、表面电阻 实验仪器 ZC36型高阻计是一种直流式的超高电阻计和微电流两 用仪器。仪器的最高量限电阻值1017Ω,微电流10-14A微 电流。 • 适用对绝缘材料、电工产品、电子设备以及元件的绝 缘电阻测量和高阻兆欧电阻的测量,也可用于微电流测量。
二、基本原理
欧姆定律
R L S
电阻率与材料本质有关 电阻率的单位:m , cm , cm, 工程技术上常用mm2/m。它们之间的换算关系为 1 cm = 10-8 m = 10-6 cm = 10-2 mm2/m 1 电阻率与电导率关系 的单位为西门子每米(S/m)。 工程中也常用相对电导率(IACS%),它表示导体材料的导电性 能。国际上把标准软铜在室温20。C下的电阻率 = 0.01724 mm2/m 的电阻率作为100%,其他材料的电导率与之相比的百分数为该材料 的相对电导率。
2 .双电桥法
双电桥法是目前测量金属室温电阻应用最广的方法,用于 测量低电阻(10210-6)。 双电桥法测量时,待测电阻 Rx和标准电阻RN 相互串连 后,串入一有恒电流的回路 中。将可调电阻R1R2R3R4组 成电桥四臂,并与Rx、RN并 连;在其间B、D点连接检流计G,那么测量电阻Rx归结为调 节R1R2R3R4电阻使电桥达到平衡,则检流计为零G=0 R VD=VB R R4 r R Rx 1 RN ( 1 3) R2 R3 R4 r R2 R4
C
23
I
C是与被测样品的几何尺寸及探针间距有关的测量的系数,称为探针系 数。单位:(cm);I是探针通入的电流。
一、目的要求
1、掌握材料导电性能(电阻率、电导率)的 测量方法; 2、了解电阻率和电导率的相互关系; 3、了解高分子、陶瓷材料的体电阻、表面电 阻; 4、理解成分对金属材料导电性能影响。