光电成像——非均匀性概要
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可见暗电流不仅与器件的材料有关,还与器件的工作电 压、工作温度等有关,这些参数的不一致性都将引起焦 平面阵列中各探测器单元之间暗电流的差异,即引入了 非均匀性。 其通常表现为固定的非均匀性加性分量 。
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
2、器件工作状态引入的非均匀性
与红外焦平面阵列工作状态相关的条件主要有红外焦平 面阵列的工作温度及其均匀性、红外探测器单元及其读 出电路的偏臵和驱动信号的稳定性等。 这些条件的变化都将对焦平面阵列器件的工作状态产生 影响,而器件的工作状态的变化将直接对探测器的光学 增益、注入效率、读出电路的增益以及暗电流等方面产 生影响,并且这种影响在不同探测器之间也都是存在着 差异的,
IRFPA中各探测器响应率的非均匀性(包括光谱响应 的非均匀性); 读出电路自身及读出电路与探测器耦合的非均匀性;
暗电流的非均匀性等。
以下将从器件自身、器件工作状态及外部环境等方面对红 外焦平面阵列成像系统非均匀性的产生机理进行分析。
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
1、器件自身非均匀性
一64元的线阵型红外焦平 面器件对手的成像图,手 的热图几乎被非均匀性引 起的竖条纹所湮没,而难 以辨认
一128×128面阵型红外焦平 面器件对均匀背景的成像, 图中同样呈现出很强的固定 图案噪声
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
5.3 非均匀性产生机理分析
造成红外焦平面阵列成像非均匀性的因素是多方面的, 起主要作用的是:
2 i
化简得:
1 I d G VG qn i sVthKTN ss 2
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
热生载流子 的净产生率
本征材料中载 流子浓度
电子热运 动速度
常数
1 I d G VG qn i sVthKTN ss 2
栅级 电压 少子电 荷量 俘获 截面 温度 禁带中的截 面态密度
器件自身非均匀性是红外焦平面阵列非均匀性的主体部 分。这种非均匀性主要是由器件的材料和制造工艺水平 所决定的。 因为所有的探测器和整个多路耦合传输电路被共同集成 制造在单一的基片上,所以一旦红外焦平面器件制造完 成后,这种非均匀性因素也就基本确定了。
探测像元响应率的非均匀性 信号传输的非均匀性 暗电流的非均匀性
这种因素对非均匀性的影响表现为乘性和加性关系。
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
2)信号传输的非均匀性
入射光子转换为光生电荷信号后,必须注入到读出电路 实现多路信号输出。
红外焦平面阵列对读出电路的电荷传输效率有很高的要 求,存储势阱中的电荷滞留和信号的传输损失的不一致 性都将引起焦平面阵列响应输出信号的不一致性。 此外,探测器和读出电路之间还存在一个信号耦合的环 节,同样由于材料和制造工艺水平的制约,各个耦合和 输出通道的参数也不可能完全相同,从而引起输出信号 的差异,形成非均匀性。 其通常表现为固定的非均匀性乘性分量。
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根据所采用的光电效应,光子探测器又可分:
外光电探测器(真空探测器):基于外光电效应 光电导探测器:基于光电导效应 光伏探测器:基于光伏效应
光电导效应:由于光照增加了自由载流子,使半导体的电
导率发生变化.
光伏效应:半导体的p-n结(光电二极管),在入射光子的作用 下产生电子空穴对,然后被结上的电场分开,在探测器输出
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
红外探测器的分类
从1800年W ·Herschel 发现红外线并制成涂黑灵敏温度 计以来,基于红外辐射与物质相互作用的红外探测器发 展至今,已研制出了品种繁多的结构新颖、性能各异的 红外探测器。对于种类繁多的红外探测器,有着多种不 同的分类方法。
按阵列大小不同,分为: 单元探测器(第一代) 线阵探测器(第二代)
光子探测器
第5讲 非均匀性
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热探测器:红外辐射与物质相互作用产生热效应而工作, 热探测器吸收红外辐射后,先引起温度升高。然后由于 温度升高,伴随着发生某种物理性质的变化。测量这些 物理性质的变化既可以确定被吸收的红外辐射的能量或 者功率。 光子探测器:红外辐射与物质相互作用产生光电效应而 工作。 光子探测器吸收光子后,本身发生电子状态的 改变,从而引起几种电学现象,它们统称为光子效应。 常用的光子效应包括:外光电效应、内光电效应。
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3)暗电流的非均匀性
暗电流是指红外焦平面阵列器件在无辐射输入时的输出 电流,其产生于探测单元或读出电路中 。
qVd id is [exp( ) 1] k bTd
n 1 e 1 qVd ( pn )(N ) qkbTd ) 1] [exp( e (Na ) k bTd n (Nd )
开路情况下可形成光电压;如果将探测器输出短路,可产生
短路电流。
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常见材质及波段 InSb PtSi
3~5um 中波
HgCdTe 2~30um(短波、中波、长波)
长波 IRFPA(8~14um)
GaAlAs/GaAs多量子阱阵列 SiGe异质结阵列 非致冷:热释电、热电堆、微测辐射热计
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尽管目前的材料制造水平已经达到了相当高的水平,但制 造器件的材料还是远未达到所要求的均匀度。 器件的材料中会出现各种晶格缺陷、掺杂不均和厚度不等 等问题,这些都会造成在材料晶片不同位臵上的探测器的 饱和电流、量子效率和截止波长等参数的不同; 其次在采用光刻法制造探测器时,由于制造工艺水平的限 制,探测器光敏面的几何尺寸也存在一定的误差,由此造 成阵列中各探测单元之间的 ij Dij Aij ij 等几个参数的差异,从而导致在均匀光照下,各个探测单 元的输出响应出现不一致的现象,即产生了不均匀性。
第5讲 非均匀性
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第5讲 红外焦平面阵列的非均匀性及盲元
۩ 5.1 红外探测器与红外焦平面阵列 ۩ 5.2 IRFPA的非均匀性 ۩ 5.3 非均匀性产生机理 ۩ 5.4 IRFPA的盲元 ۩ 5.5 盲元产生机理
第5讲 非均匀性
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5.1 红外探测器与红外焦平面阵列
红外焦平面阵列中探测器单元个数已达几千至几十万个 单元,这就带来了一个严重的问题——即焦平面阵列的 非均匀性(Nonuniformity)问题,这是红外焦平面阵列 应用中的一个突出而必须解决的问题。
第5讲 非均匀性
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5.2 IRFPA响应非均匀性
IRFPA成像非均匀性(Nonuniformity)定义:
像元规模:128x128、256x256、 320x240 、 512x512、 640x480、1024x1024、1968x1968
第5讲 非均匀性
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红外焦平面阵列
由于单元红外探测器的性能已达到或接近理论极限值, 只有增加使用的探测器数目才能进一步提高系统的性能, 于是上世纪70年代产生了凝视红外探测器概念。
第5讲 非均匀性
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红外焦平面阵列与其它红外探测器相比具有以下明显 优点:
(1)将红外探测器阵列高密度地集成在同一芯片上,
从而可以大幅度地提高系统的空间分辨率和灵敏度;
(2)实现了光机扫描向电子扫描的转变,有效地减小
了系统的体积、重量和功耗,提高了工作的可靠性;
(3)系统的工作帧频可以很高(几百帧甚至千帧以
面阵探测器 (IRFPA)(第三代)
第5讲 非均匀性
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按响应波段不同,分为: 1~3um(短波) 3~5um(中波) 8~14um(长波) 按成像方式,分为:
扫描型(单元探测器、多元线列探测器)
凝视型(二维红外焦平面阵列) 按工作温度(是否需要致冷),分为:
上),减少了信息迟延,适应了高速和超高速制导导 弹等武器系统图像信息获取的需求。
第5讲 非均匀性
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红外焦平面阵列的出现不但可以研制出高灵敏度、高分辨
率、大视场的红外成像系统,而且能使成像系统的体积、 重量和功耗都得以降低。这有效地促进了红外成像技术的 推广和应用,如今其应用遍及了军事(例如预警、制导、 夜视及跟踪等)、天文和空间技术、医学、工业、日常生 活等等各个领域,并发挥着日趋重要的作用。
所谓“凝视”是指:红外探测器响应景物(或目标)的 时间与取出阵列中每个探测器响应信号所需的读出时间 相比较长。 成像时,探测器相对于视场的景物是凝视不动的,因而 无须光机扫描。
第5讲 非均匀性
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凝视红外探测器的结构特点是:将多路信号读出等电路 与探测器阵列集成在一起,并臵于光学系统的焦平面上 成像,故称红外焦平面阵列器件(Infrared Focal Plane Arrays,简称IRFPA)。 红外焦平面技术的发展为开发高性能的第二代、第三代 红外成像系统奠定了技术基础。大规模(128×128像素 以上)红外焦平面阵列是当今最先进的一类红外探测器, 也是当今国内外重点发展的红外探测器。 IRFPA兼具辐射敏感和信号处理功能,通过读出电路将 所有探测器响应信号转换成后续信号处理模块可直接处 理的有序图像信号。
非致冷探测器
致冷型探测器
第5讲 非均匀性
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按同时响应波段数目分为: 单色 IRFPA 多色 IRFPA (例如3~5um,8~14um) 按结构形式分为:
单片式
混合式:指红外探测器和读出电路分别选用两种材料, 如红外探测器使用 HgCdTe,读出电路使用 Si。 按探测机理不同,分为: 热探测器
像元(i,j)波谱 量子效率 其中 光学系统的 有效透过率
cos4 ij Rij eff int A # 2 ij 4( F )
像元(i,j)在积分 时间内的暗电荷
像元有 效面积
积分时间
成像光学系 统的 F数
像元(i,j)相对出射光 曈而言的偏轴角
第5讲 非均匀性
红外技术和红外系统的发展和应用,始终是与红外辐射 探测器的发展密切联系在一起的。 红外探测器是红外系统中最关键的元件之一,它是一种 把接收到的红外辐射能转变成相应电量的传感器。
早在十九世纪就诞生了红外探测器,但直至到了二十世纪 四十年代初德国研制出硫化铅(PbS)探测器以后,红外 探测器技术才得到了迅速的发展并应用于军事目的。目前 红外探测器已广泛应用于军事和民用的许多领域,特别是 在对目标的探测和制导跟踪方面获得了广泛的应用,并取 得了巨大的军事效益。
红外焦平面技术已成为了当代红外光电子物理和技术学 科的具有带动性的学科前沿,正主导着下一代红外和相 关技术的发展,是当今信息科学技术中关键领域之一。
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
红外焦平面技术的难点就在于制造大规模、高均匀性、高 性能的红外探测器阵列,虽然这一关键的制造技术在发达 国家已有很大的突破,但在提高成品率、降低成本方面仍 具有很大难度。有效的红外焦平面制造技术现仅有为数不 多的几家专业公司所垄断。从80年代初以来,国内几家红 外研究所在这方面也取得了一定的进展,但距离高性能和 高均匀性还有一定的差距。
第5讲 非均匀性
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1)探测像元响应率的非均匀性
光学系统截止波 物空间单元在温度 T 根据Mooney的理论,均匀照度下, IRFPA 中单个探测 长的上限和下限 下的光谱光子辐射
单元的响应输出可用电子数表示为
2 1
N ij (Ti ) Rij L( , T ) ij ( )d Dij
在一均匀辐射照射下红外焦平面阵列中各探测单元之间 响应输出的不一致性,又称之为固定图案噪声( Fixed Pattern Noise, FPN)。
电 压 幅 度 1行信号
电 压 幅 度 1行信号
n
像元序号
nБайду номын сангаас
像元序号
(a).理想输出
(b).实际有非均匀性的输出
第5讲 非均匀性
光电成像实时处理技术
非均匀性对图像产生强烈的干扰。 在线阵型器件中表现为垂直扫描方向的条带, 在凝视阵列中的空间噪声将表现为固定的图案。