(完整版)第五章 CMOS组合逻辑电路设计II
CMOS组合逻辑门的设计

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与门
电路结构
CMOS与门由两个或多个反相器串联而成,所有输入都为高 电平时,输出才为高电平。
工作原理
当所有输入都为高电平时,每个反相器都工作在PMOS管导 通、NMOS管截止的状态,输出为低电平;当任意一个输入 为低电平时,相应的反相器工作在PMOS管截止、NMOS管 导通的状态,输出为高电平。
或门
CMOS非门由一个反相器构成,输入与输出相反。
工作原理
当输入为高电平(V<sub>DD)时,PMOS管导通,NMOS管截止,输出为低电平(V<sub>SS); 当输入为低电平(V<sub>SS)时,PMOS管截止,NMOS管导通,输出为高电平(V<sub>DD>) 。
03
CMOS组合逻辑门的性能优化
向着更小的尺度发展,提高集成度和运算速 度。
与其他逻辑门电路不断融合,形成更加复杂 和高效的逻辑功能模块。
发展高速度、高效率、低功耗的CMOS组合 逻辑门是主要趋势。
广泛应用在通信、计算机、消费电子等领域 ,需求驱动发展。
未来研究方向
研究适用于超低功耗应用的 CMOS逻辑门电路。
在更小的特征尺寸下,如何提 高CMOS逻辑门的性能和稳定 性是需要解决的重大问题。
CMOS组合逻辑门可以用于嵌入式系统中的数据处理和控 制操作,提高系统的可靠性和稳定性。
计算机硬件系统
计算机硬件系统是指由各种电子元件、部件和软件组成的计算机结构,包括中央 处理器、内存、输入/输出接口等。
CMOS组合逻辑门可以用于计算机硬件系统中的信号传输和处理,保障系统的稳 定性和高效性。
CMOS组合逻辑门的设计

CMOS组合逻辑门的设计CMOS(互补金属氧化物半导体)是一种集成电路技术,由P型和N型MOS(金属氧化物半导体)组成。
CMOS技术被广泛应用于数字逻辑门的设计中。
本文将详细介绍CMOS组合逻辑门的设计过程。
组合逻辑门是一种不带有存储元件的数字电路,根据输入的状态产生相应的输出状态。
CMOS组合逻辑门由MOS场效应晶体管和电阻组成。
在CMOS技术中,MOS晶体管可以工作在两种模式下:通过模式和截止模式。
通过模式下的晶体管导通,截止模式下的晶体管断开。
CMOS逻辑门的设计过程通常包括以下步骤:1.需求分析:首先确定需要设计的逻辑门的功能和特性。
了解输入输出关系和逻辑表达式。
2.逻辑表达式转换:将逻辑表达式转换为布尔代数表达式。
根据布尔代数原理,使用布尔代数运算符对逻辑表达式进行化简和转化。
3.逻辑电路设计:根据逻辑表达式,使用MOS晶体管和电阻等元件设计逻辑电路。
4.原理图绘制:根据逻辑电路设计,使用电路设计软件绘制电路原理图。
将所需的逻辑门、晶体管和电阻等组件进行布局。
5.模拟仿真:使用电路设计软件进行模拟仿真,验证逻辑门的设计是否正确。
通过输入信号,验证输出信号是否符合逻辑表达式。
6.物理布局设计:根据电路原理图和仿真结果,进行逻辑门的物理布局设计。
确保信号传输的最佳路径和减小电路延迟。
7.版图布线:根据物理布局设计,进行电路的版图布线。
将各个组件进行布线,保证信号传输的稳定性和最短路径。
8.工艺制造:根据版图布线,转化为切割、离子注入或敏感处理等工艺制造步骤。
生产出需要的CMOS逻辑门。
CMOS技术在逻辑门设计中具有许多优点,如低功耗、高集成度、高噪声抑制能力等。
CMOS逻辑门由于其优势得到了广泛应用,如在微处理器、数字信号处理器和存储器中。
总之,CMOS组合逻辑门的设计过程包括需求分析、逻辑表达式转换、逻辑电路设计、原理图绘制、模拟仿真、物理布局设计、版图布线和工艺制造等步骤。
CMOS技术在逻辑门设计中具有优越性能,得到了广泛应用。
CMOS电路与逻辑设计

Latch up
减少发生Latch up效应的一般规则: 1. 每个衬底要有适当的衬底节点(或陷节点) 2. 每个衬底节点应接到传输电源的金属上 3. 衬底节点要尽量靠近所接的电源,以减小Rw和Rs的大小。 4. N型器件要靠近VSS,p型器件要靠近VDD。 5. 一个N型器件连接到VSS时,其P衬底也要接VSS 。一个P 型器件连接到VDD时,其N衬底也要接VDD 。 最容易发生Latch up的地方是在输入输出焊接区(I/O Pad) 结构中,因为那里会有大电流流过。统常I/O Pad由专门人员设 计。
2004.9
VLSI
版图与设计规则
集成电路的制造必然受到工艺技术水平的限制, 受到器件物理参数的制约,为了保证器件正确工作 和提高芯片的成品率,要求设计者在版图设计时遵 循一定的设计规则,这些设计规则直接由流片厂家 提供。设计规则(design rule)是版图设计和工艺 之间的接口。 设计规则可划分为4种主要类别: 最小宽度 最小间距 最小交叠
2004.9
VLSI
最小交叠
TSMC_0.35μ m CMOS工艺版图各层图形之间最小交叠
2004.9
VLSI
4.4 单位晶体管设计
单位晶体管:全定制版图设计的起点。单位晶体管是一个 具有规定宽长比(W/L)的晶体管,可以按要求在版图上复制。 一种单位晶体管是运用设计规则设计的最小尺寸MOS管, W=Wmin、L=Lmin。如图。 用最小尺寸晶体管理论上可以得到最高的集成度,但不一 定是每个电路的最好选择。 L n+/p+ W
2004.9
VLSI
AOI example1
out a b c
symbol
CMOS电路基础原理

CMOS电路基础原理CMOS(互补金属氧化物半导体)电路是现代电子领域中常用的集成电路设计技术。
它在数字逻辑电路和模拟电路中广泛应用,并且具有低功耗、高集成度以及较强的抗干扰能力等优点。
本文将介绍CMOS电路的基础原理。
一、CMOS电路结构CMOS电路由N沟道金属氧化物半导体场效应管和P沟道金属氧化物半导体场效应管构成。
N沟道和P沟道管具有互补的传输特性,能够有效降低功耗。
CMOS电路结构包括传输门、组合逻辑电路和时钟电路等。
1. 传输门传输门是CMOS电路的基本单元,常见的有与门、或门以及非门等。
与门由一对并联的P沟道和N沟道管组成,当且仅当两个输入信号同时为高电平时,输出为高电平。
或门由一对串联的P沟道和N沟道管组成,当且仅当两个输入信号中至少一个为高电平时,输出为高电平。
非门由两个逆并联的P沟道和N沟道管组成,当输入信号为高电平时,输出为低电平。
2. 组合逻辑电路CMOS电路中的组合逻辑电路包括与非门、异或门等。
与非门由与门和非门级联而成,输入信号经过与门进行与操作,然后再经过非门进行取反操作。
异或门由与非门和异或非门级联而成,输入信号经过与非门进行与非操作,然后再经过异或非门进行异或操作。
3. 时钟电路CMOS电路中的时钟电路包括振荡电路和触发器等。
振荡电路用于产生稳定的时钟信号,常见的电路有RC振荡电路和LC振荡电路等。
触发器用于存储和传输信息,常见的触发器有RS触发器、D触发器以及JK触发器等。
二、CMOS电路工作原理CMOS电路的工作原理基于PN结和MOSFET的特性。
当控制电压施加于PN结时,PN结正向偏置导通,反向偏置截止。
同时,对于MOSFET来说,当栅极电压低于阈值电压时,沟道断开;当栅极电压高于阈值电压时,沟道导通。
CMOS电路中,P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的栅极交替连接,形成互补对。
当输入信号为低电平时,P沟道MOSFET导通,N 沟道MOSFET截止;当输入信号为高电平时,P沟道MOSFET截止,N沟道MOSFET导通。
cmos组合逻辑

cmos组合逻辑CMOS组合逻辑CMOS组合逻辑是一种基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的数字逻辑电路。
它由一系列的CMOS门电路组成,用于实现各种逻辑功能,如与门、或门、非门等。
CMOS组合逻辑具有低功耗、高噪声抑制能力和高集成度等优点,因此在现代集成电路设计中得到广泛应用。
CMOS组合逻辑的基本单元是CMOS门电路,它由一个PMOS (P型金属氧化物半导体)和一个NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管组成。
PMOS的源极连接到正电源,NMOS的源极连接到地,两个晶体管的栅极相连,构成了CMOS门电路的输入端,而两个晶体管的漏极相连,构成了CMOS门电路的输出端。
CMOS组合逻辑的输入信号通过CMOS门电路的输入端进入,经过晶体管的驱动,最终输出到CMOS门电路的输出端。
不同的CMOS门电路通过晶体管的连接方式和工作状态的不同,实现了不同的逻辑功能。
与门是CMOS组合逻辑中最简单的一种逻辑门电路,它有两个输入端和一个输出端。
当且仅当两个输入信号同时为高电平时,输出信号才为高电平;否则输出信号为低电平。
与门的输入信号经过NMOS晶体管的驱动,当且仅当两个输入信号同时为高电平时,NMOS晶体管导通,输出端为低电平;否则NMOS晶体管截止,输出端为高电平。
同时,PMOS晶体管的工作状态与NMOS晶体管相反,实现了逻辑功能的与运算。
与门的逻辑功能可以通过串联多个与门电路来实现更复杂的逻辑功能,如与非门、与或非门等。
与非门是由一个与门和一个非门组成的,当且仅当输入信号为低电平时,输出信号为高电平;否则输出信号为低电平。
与非门的输入信号经过与门的驱动,当两个输入信号同时为高电平时,与门的输出为低电平,通过非门的反向作用,最终输出端为高电平。
或门是CMOS组合逻辑中另一种常见的逻辑门电路,它有两个输入端和一个输出端。
当两个输入信号中至少一个为高电平时,输出信号为高电平;否则输出信号为低电平。
或门的实现与与门类似,只是晶体管的连接方式有所不同,通过调整晶体管的工作状态,实现逻辑功能的或运算。
实验2-CMOS组合逻辑电路设计

数字集成电路-实验2:VTC仿真
反相器:r=3
nand2
Ln=Lp /um
Wn /um
Wp /um
Ln=Lp /um
Wn /um
Wp A=B= /um 0->1
0.8
1*L
0.8
1
2*L
1
1.5
3*L
1.5
2
4*L
2
2.5
5*L
2.5
Vth
A=1, B=0->1
B=1, A=0->1
2பைடு நூலகம்
nand2 输入数据模式与延时之间的关系
数字集成电路-实验2:延时仿真
Ln=Lp /um 0.8
1 1.5 2 2.5
tpHL(ps)
Wn A=B=0- A=1,
/um
>1
B=0->1
1*L
B=1, A=0->1
2*L
3*L
4*L
5*L
A=B=1>0
tpLH (ps)
A=1, B=1->0
B=1, A=0->1
3
组合逻辑传输链的最小延时和尺寸优化
3、根据负载电容和第2级第3级门的特性,设 计X和Y的值,让整个组合逻辑链的延时最小。
已知:第一级反相器尺寸为:
WP/LP=?/?; WN/LN=?/?;
r=3
Vin(V) 2.5
cgn (fF) cgp (fF) C1(fF)
第1级inv的输入电容C1:
C1 (1 r) 1 Cgn 4Cgn
tpLH (ps)
1
1
第2级单个nand2的输入电容C2:
第3级单个nor2的输入电容C3:
天津大学集成电路微电子第五讲静态CMOS组合逻辑

TJU. ASIC Center---Arnold Shi
NAND门的tp是Fan-In的函数
1250
quadratic
1000 750 500 250 0 2 4 6 8 10 12
tpH
L
tp tpL
H
扇入数大于4 的时候,延 时剧烈增加 ,因此必须 避免
linear
16
tp (psec)
14
X B C
m p A q VDD
D
GND
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
Euler路径的识别(三)
识别PDN的Euler路 径,得到晶体管边的 顺序 按照相同的晶体管边 的顺序,识别PUN 的Euler路径,如果 能找到相同的顺序, X 则版图可以用平行栅 结构来实现 Euler路径不是唯一 的,可以有许多不同 的解 X
TJIC
第五讲静态CMOS组合逻辑电路
天津大学电信学院电子科学与技术系 史再峰
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
引言:组合电路与时序电路
组合逻辑电路 OUT
In In 组合逻辑电路 OUT
状态
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
静态CMOS电路
在每一时间(除切换期间)每个门的输出总是通 过低阻连至VDD 或Vss; 稳定状态时,门的输出值总是由电路所实现的布 尔函数决定; 不同于动态电路:动态电路把信号值暂时存放在 高阻抗电路节点电容上 动态电路形成的门结构简单,速度快,但对噪声 更加敏感,设计工作比较复杂
A=B=10
A=B=01
Delay (PSec) 67 64
A=1 0, B=1
第五讲静态CMOS组合逻辑

GND
这个版图实现什么逻辑功能?
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
标准单元设计-1990s
Mirrored Cell
没有布线通道 M2 M3
Mirrored Cell
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
VDD VDD
GND GND
Standard Cells
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
Euler路径的识别(一)
VDD
❖ 对于X=!(AB+CD)逻辑,
首先画出电路图
D
C
m
A
B
B p
A
X = !(AB+CD)
C q
D
GND
TJU. ASIC Cener路径的识别(二)
❖ 对于X=!(AB+CD)逻辑, 首先画出电路图
一致的Euler路径
为了形成一条连续的扩散区 ,必须能顺序地访问每一个
X
晶体管,即一个器件的漏区
同时是下一个器件的源区.即
C
在电路中必须存在一条Euler
路径
X
i
VDD
Euler路径定义为通过途中所
有节点并且只经过每一条边 一次的路径
B jA
GND
ABC
为了在 PUN和PDN网络中栅的顺序相同,其Euler路径必 须是一致的,即经过各晶体管顺序一致。
❖ 识别PDN的Euler路 径,得到晶体管边的 顺序
❖ 按照相同的晶体管边 的顺序,识别PUN 的Euler路径,如果 能找到相同的顺序, X 则版图可以用平行栅 结构来实现
❖ Euler路径不是唯一 的,可以有许多不同 的解
CMOS组合逻辑门的设计

高噪声容限
CMOS电路对噪声干扰具有较强的 容忍度,因此具有较高的信号完整 性。
高速运行
CMOS电路的开关速度很快,可以 实现较高的工作频率。
低成本
CMOS电路的制作成本较低,并且 可以采用大规模量产的方式,使得 价格更加实惠。
03
CMOS组合逻辑门的设计 要素
输入和输出端口的设计
输入和输出端口是组合逻辑门的接口,需要根据应用需求进行合理设计。
案例四
• 总结词:基于不同输入/输出类型的CMOS门电路设计需要考虑不同的输入/输出类型的特点和限制,以确保 电路的性能和稳定性。
• 详细描述:CMOS门电路可以采用不同的输入/输出类型实现,如TTL、CMOS、ECL等。每种类型都有其特 点和限制,因此需要根据具体需求选择合适的类型。例如,TTL类型具有较高的速度和较低的功耗,但需要 较高的电压;CMOS类型具有较低的功耗和较高的稳定性,但速度较慢;ECL类型具有较高的速度和较低的 功耗,但需要特殊的信号电平。在设计基于不同输入/输出类型的CMOS门电路时,需要考虑这些特点和限 制,以实现最佳的性能和稳定性。
分类
组合逻辑门包括基本逻辑门(AND、OR、NOT)、复杂逻辑门(多输入门、 多输出门)和其他特殊门(如异或门、半加器等)。
组合逻辑门的基本功能
01
02
03
实现逻辑运算
组合逻辑门可以用于实现 各种基本的逻辑运算,如 与、或、非等。
组合逻辑函数
组合逻辑门可以用于实现 组合逻辑函数,即多个输 入决定一个输出的函数。
,实现复杂的逻辑功能。
在实现逻辑功能时,需要考虑电 路的复杂度、时序和功耗等因素
,以优化设计。
性能优化与功耗控制
性能优化是CMOS组合逻辑门设计 的重要环节,包括时序、功耗、面 积等方面。
第五章(4) 静态CMOS逻辑电路.ppt

CMOS传输门导通电流的变化
传输高电平和传输低电平过程中,NMOS传输管、PMOS传输管以及 CMOS传输门导通电流的变化。
NMOS管和PMOS管的电流都是非线性变化,而CMOS传输门的总电流近 似线性变化。
CMOS传输门直流电压传输特性
CMOS传输门导通电阻的变化
传输门总结
★ NMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值 损失; ★ PMOS传输管传输高电平性能好,传输低电平有阈值 损失; ★ CMOS传输门利用NMOS和PMOS管的互补性能获得 了比单个传输管更优越的性能,性能更接近理想开关。
)
,
Kr
KN KP
8
结论
输出低电平的值不为0,取决于比例因子 Kr;
增大 Kr可使VOL 尽可能小,且电路功耗也会减小;
但K
太小将使电路的上升时间增加;
P
比例因子Kr过大会导致上升时间的增加;
输出低电平时存在静态功耗;
PDC KP (VDD VTP )2 VDD
9
类NMOS电路优缺点
五、MOS传输门逻辑电路
四、类NMOS电路
静态CMOS逻辑门利用NMOS管和PMOS管的 互补特性,使上拉通路和下拉通路轮流导通,从而 获得很好的电路性能。
缺点:每个输入都包含NMOS和PMOS管,不 利于减小芯片面积和提高集成度。
因此,对某些性能要求不太高,但希望面积尽可 能小的电路,可以采用类NMOS电路形式。
有比逻辑 (Ratioed Logic)
Vout VTP : PMOS管工作在线性区;
IDD KP[(VG VS VTP )2 (VG VD VTP )2 ] = KP[(VDD VTP )2 (Vout VTP )2 ] 0
cmos组合逻辑

cmos组合逻辑摘要:1.CMOS组合逻辑简介2.CMOS组合逻辑的优势3.CMOS组合逻辑的应用4.设计CMOS组合逻辑的步骤5.举例:如何设计一个简单的CMOS组合逻辑电路6.未来发展趋势和挑战正文:CMOS组合逻辑是计算机系统中不可或缺的一部分,它用于实现各种逻辑功能。
CMOS组合逻辑以其低功耗、高噪声容限和低成本等优势在电子领域广泛应用。
本文将介绍CMOS组合逻辑的基本概念、设计方法和实例。
一、CMOS组合逻辑简介CMOS(互补金属氧化物半导体)是一种制造技术,用于制造集成电路。
在组合逻辑电路中,CMOS技术可以实现逻辑门、触发器等基本元件。
CMOS 组合逻辑电路主要包括逻辑门、触发器、寄存器、计数器等部件,这些部件通过互连实现各种逻辑功能。
二、CMOS组合逻辑的优势1.低功耗:CMOS电路在静态和动态功耗方面都表现出较低的功耗,有利于实现节能型电子设备。
2.高噪声容限:CMOS电路具有较高的噪声容限,能在恶劣环境下稳定工作。
3.低成本:CMOS工艺制造成本相对较低,有利于降低电子产品整体成本。
4.集成度高:CMOS技术可以实现高密度的集成电路,提高电子设备的性能。
三、CMOS组合逻辑的应用CMOS组合逻辑广泛应用于计算机、通信、嵌入式等领域。
如:1.计算机:CPU、北桥、南桥等芯片中的逻辑部分;2.通信:数字信号处理、基带处理、信道编解码等;3.嵌入式:微控制器、FPGA、ASIC等。
四、设计CMOS组合逻辑的步骤1.确定设计需求:明确逻辑功能和性能指标;2.设计原理图:画出逻辑电路的原理图,包括逻辑门、触发器等;3.化简逻辑:使用布尔代数或卡诺图化简逻辑表达式;4.布局布线:根据设计要求进行布局布线;5.仿真验证:对设计进行仿真验证,检查是否满足性能指标;6.制作掩膜:根据设计布局制作掩膜,进行集成电路制造。
五、举例:如何设计一个简单的CMOS组合逻辑电路假设我们需要设计一个实现异或(XOR)功能的CMOS组合逻辑电路。
CMOS逻辑门电路

CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后,所开发出的第⼆种⼴泛应⽤的数字集成器件,从发展趋势来看,由于制造⼯艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL⽽成为占主导地位的逻辑器件。
CMOS电路的⼯作速度可与TTL 相⽐较,⽽它的功耗和抗⼲扰能⼒则远优于TTL。
此外,⼏乎所有的超⼤规模存储器件,以及PLD器件都采⽤CMOS艺制造,且费⽤较低。
早期⽣产的CMOS门电路为4000系列,随后发展为4000B系列。
当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使⽤。
下⾯⾸先讨论CMOS反相器,然后介绍其他CMO逻辑门电路。
MOS管结构图MOS管主要参数:1.开启电压V T·开启电压(⼜称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,V T约为3~6V;·通过⼯艺上的改进,可以使MOS管的V T值降到2~3V。
2. 直流输⼊电阻R GS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之⽐·这⼀特性有时以流过栅极的栅流表⽰·MOS管的R GS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BV DS·在V GS=0(增强型)的条件下,在增加漏源电压过程中使I D开始剧增时的V DS称为漏源击穿电压BV DS·I D剧增的原因有下列两个⽅⾯:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加V DS会使漏区的耗尽层⼀直扩展到源区,使沟道长度为零,即产⽣漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流⼦,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产⽣⼤的I D 4. 栅源击穿电压BV GS·在增加栅源电压过程中,使栅极电流I G由零开始剧增时的V GS,称为栅源击穿电压BV GS。
5. 低频跨导g m·在V DS为某⼀固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之⽐称为跨导·g m反映了栅源电压对漏极电流的控制能⼒·是表征MOS管放⼤能⼒的⼀个重要参数·⼀般在⼗分之⼏⾄⼏mA/V的范围内6. 导通电阻R ON·导通电阻R ON说明了V DS对I D的影响,是漏极特性某⼀点切线的斜率的倒数·在饱和区,I D⼏乎不随V DS改变,R ON的数值很⼤,⼀般在⼏⼗千欧到⼏百千欧之间·由于在数字电路中,MOS管导通时经常⼯作在V DS=0的状态下,所以这时的导通电阻R ON可⽤原点的R ON来近似·对⼀般的MOS管⽽⾔,R ON的数值在⼏百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容C GS 、栅漏电容C GD和漏源电容CDS·C GS和C GD约为1~3pF·C DS约在0.1~1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管⼦内部载流⼦运动的不规则性所引起的·由于它的存在,就使⼀个放⼤器即便在没有信号输⼈时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的⼤⼩通常⽤噪声系数NF来表⽰,它的单位为分贝(dB)·这个数值越⼩,代表管⼦所产⽣的噪声越⼩·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为⼏个分贝,它⽐双极性三极管的要⼩⼀、CMOS反相器由本书模拟部分已知,MOSFET有P沟道和N沟道两种,每种中⼜有耗尽型和增强型两类。
第五章(2) 静态CMOS逻辑电路.ppt

CMOS或非门
或非门的直流电压传输特性曲线
若VTN=-VTP,KN=KP,Vit= (VDD+VTN)/3<0.5VDD, 传输特性不对称,向左偏。 若要使得Vit=0.5VDD, Kr=KN/KP=1/4
n输入或非门直流特性
Kr=KN/KP=n-3/2
n输入或非门瞬态特性
或非门设计考虑
或非门设计范例
两输入同步情况下逻辑阈值电平
若宽长比相同,KNeff=KN/2,KPeff=2KP
通常VTN<0.5VDD,因此Vit>0.5VDD
直流电压传输特性——两个输入信号不同步
二输入与非门的直流电压传输特性曲线
存在衬偏效应
A=VDD,B变化时, MN2的源极和衬底电位不同,受衬偏效应ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ响,阈 值电压会发生变化。 只有当VGS2=Vin-VDS1≥VTN2时,MN2才导通。
第五章 静态CMOS逻辑电路
CMOS反相器 CMOS与非门和或非门 静态CMOS逻辑门的构成特点 用静态CMOS逻辑门实现任意组合逻辑 类NMOS逻辑电路 MOS传输门 MOS传输门逻辑电路
二、静态CMOS逻辑电路
从反相器到逻辑门的构成
上拉开关网络
下拉开关网络
CMOS与非门
直流电压传输特性-两个输入信号同步
与非门瞬态特性的深入分析
计算下降时间时还应考虑串联支路的中间节点电容的影响。 这个放电过程等效于一个RC网络放电。 对于三输入与非门为: R1C1+(R1+R2)C2+(R1+R2+R3)CL 可见,越靠近地端的管子其导通电阻影响越大,因此,从输出端到接地端,MOS管 的导电因子应逐渐增大。
与非门设计考虑
CMOS组合逻辑门设计

Standard Cells
VDD
2-input NAND gate
VDD
B
A B
Out
A
GND
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
复合门的版图设计
用棍棒图(Stick Diagrams)表示,不含具体尺 寸,只代表晶体管的相对位置
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
CMOS NOR
B A A A+B A B 0 0 1 1 A B B 0 1 0 1 F 1 0 0 0
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互补CMOS复合门
B A C D OUT = !(D + A • (B + C)) A D B C
TJU. ASIC Center---Arnold Shi
… …
PUN 与 PDN 是对偶的网络结构
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关于PDN和PUN探讨
一个MOS管可以看作由栅信号控制的开关 PDN由NMOS构成;PUN由PMOS构成。因为NMOS产生“强0”而 PMOS器件产生“强1” NMOS串联相当于“与”逻辑,PMOS串联相当于“或”逻辑; NMOS并联相当于“或”逻辑,PMOS并联相当于“与”逻辑 根据De Morgan定理,一个互补的CMOS结构的上拉网络和 下拉网络构成对偶结构(dual networks) 互补的门本质上是反相的,只能实现NAND、NOR、XNOR、 NOT等功能,用单独一级实现非反相的布尔函数是不行的 实现一个具有N个输入的逻辑门需要2N个晶体管
fan-in
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CMOS组合逻辑门的设计
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6
• 它与纵轴的交点就是本征延时
5
4
• 可以通过调整等效扇出(调整晶体
管尺寸)或通过选择具有不同逻辑
3
努力的逻辑门来调整延时
2
• 门努力: h = fg
1
0 012345
扇出 f
CMOS组合逻辑门的设计. **23
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复合门的路径延时
• 一条通过组合逻辑块的路径的总延时:
= tp
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例6.5 复合门的逻辑努力
A 2B 2
B4
A2
A
A1
A2 B2
A4
A B A B
A 1B 1
Cg=3Cunit
Cg=4Cunit gNAND=4/3,gNOR=5/3
Cg=5Cunit
CMOS组合逻辑门的设计. **22
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归一化的延时
延时与扇出的关系
7
• 直线的斜率就是该门的逻辑努力
N
tpj,
tp0Npj
fjgj
j1
j1
• 运用第五章对反相器采用的类似步骤来决定这条路径的最小延时
• 这条路径的最小延时决定每一级应当具有相同的门努力 • f1g1= f2g2=…= fNgN
CMOS组合逻辑门的设计. **24
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路径逻辑努力 路径的有效扇出(电气努力) 分支努力,考虑电路内部的逻辑扇出
B 4 12
A 26 C 4 12
D 26
OU D T A B C
A2 D1
B 2C 2
CMOS组合逻辑门的设计. **13
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• 确定NANDRp
CMOS逻辑门电路

2.CMOS或非门
(1)当A,B中有一个或全为高电平时, TN1 ,TN2 中有一个或全 部截止, TP1 ,TP2 中有一个或全部导通,输出Y为低电平。 (2)当A,B全为低电平时, TN1和 TN2才会都导通, TP1和 TP2才 会都截止,输出Y才会为高电平。
3.漏极开路的CMOS门(OD门)
数字电子技术
CMOS逻辑门电路
CMOS反相 器
其他功能的 CMOS电路
CMOS数字集 成电路的特点
1.1 CMOS反相器
1.MOS管的符号
如图2-14所示为增强型NMOS管和增强型PMOS管的电路符号。
(a)NMOS管
(b)PMOS管
图2-14 增强型NMOS管和增强型PMOS管的符号
2.CMOS反相器的电路结构
3.CMOS反相器的电路特点
(1)电路稳定时,CMOS反相器总有一个MOS管处于截止状态, 流过的电流为极小的漏电流,因此CMOS反相器的静态功耗极 低。 (2)由于CMOS反相器的阈值电平近似为0.5 VDD,输入信号变 化时,过渡变化陡峭,所以低电平噪声容限和高电平噪声容限 近似相等,且随电源电压升高,抗干扰能力增强,因此CMOS 反相器的抗干扰能力较强。
(a)CMOS与非门
(b)CMOS或非门
图2-16 CMOS与非门和或非门结构
1.CMOS与非门
(1)当A,B中有一个或全为低电平时,TN1 ,TN2 中有 一个或全部截止,TP1 ,TP2 中有一个或全部导通,输出 Y为高电平。 (2)当输入A,B全为高电平时, TN1 和 TN2才会都导 通, TP1 和 TP2才会都截止,输出Y才会为低电平。
如图2-15所示为CMOS反相器的电路结构。
(a)电路结构
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第五章CMOS组合逻辑电路设计II -动态CMOS电路第一节动态逻辑门电路的基本结构、原理、特点第二节多米诺(Domino)CMOS电路第三节改进的Domino CMOS电路第四节时钟CMOS (C2MOS)第一节动态逻辑门电路的基本结构、原理、特点一、预充-求值动态CMOS的基本结构和工作原理二、动态CMOS的特点三、动态CMOS的问题四、动态CMOS的级联静态电路:靠管子稳定的导通、截止来保持输出状态除状态反转外,输出始终与VDD和GND保持通路。
动态电路:靠电容来保存信息一、预充-求值动态CMOS 的基本结构和工作原理In 1In 2PDN In 3M e M p Clk Clk Out C L 预充-求值动态CMOS 电路的基本结构工作过程:➢预充阶段:Clk =0,Out 被Mp 预充到VDD ,Me 截止,无论输入何值,均不存在直流通路。
此时的输出无效。
➢求值阶段:Clk =1,Mp 截止,Me 导通,Out和GND 之间形成一条有条件的路径。
具体由PDN 决定。
若PDN 存在该路径,则Out 被放电,Out 为低电平,“0”。
如果不存在,则预充电位保存在CL 上,Out 为高电平“1”。
➢求值阶段,只能有与GND 间的通路,无与VDD 间的,一旦放电,不可能再充电,只能等下次。
预充FET 求值FET预充-求值动态CMOS 电路的工作原理预充预充求值输出只在此时有效),2,1(Xn X X F Y ⋅⋅⋅=当Clk =1时Clk OutClk =0时,输出为1,与输入无关OutClk Clk ABCM p M e on off 1off on((AB)+C)例PUNPUN 构成的动态CMOS 电路),2,1(Xn X X F Y ⋅⋅⋅=Clk =1时,输出为0,与输入无关当Clk =0时一般不用PUN 网络二、动态CMOS的特点•逻辑功能由下拉网络PDN实现。
其结构和设计与互补CMOS 和类NMOS的一样。
•晶体管数目减少,由互补CMOS的2N减为N+2•输出摆幅不变,V= GND ,V OH= V DDOL•无比电路,器件尺寸不影响输出的逻辑电平•VDD与GND之间不存在直流通路•开关速度提高–扇入只和一个FET相连,输入电容减小,相应负载电容)减小(Cin–无PUN网络,负载电容减小(Cout)一般不用PUN网络VTC :(是静态量,难以全面反应动态CMOS 性能)•V OL = GND ,V OH = V DD•输入超过NMOS 的阈值电压Vtn 时,PDN 开始导通,但要等一定时间输出才为VOL ,因此VM =Vtn •VIH ,VIL 也都等于Vtn ,结果NML 很低•当输入为高,输出节点是悬浮的,对噪声敏感。
但NMH 很高动态:•t PLH 几乎为0,预充时已完成。
MP 的设计可以随意,不影响性能。
增大-预充时间短,但负载加大。
•tPLH 要比同样设计的互补CMOS 稍大一些。
Mn 的存在。
动态CMOS 的性能In 1In 2PDN In 3M e M p ClkClk Out C L 需要额外增加预充时间#Trns V OH V OL V M NM H NML t pHL t pLH t p6 2.5V 0V V 2.5-V V 110ps 0ns 83ps -0.50.51.52.500.51CLKCLK In 1In 2In 3In 4OutIn &CLK Out Time, nsEvaluate Precharge 例静态电路:靠管子稳定的导通、截止来保持输出状态除状态反转外,输出始终与VDD和GND保持通路。
动态电路:靠电容来保存信息动态电路的优点:对NMOS电路:动态电路可降低功耗,无比电路对CMOS电路:用动态电路简化电路,提高速度三、动态CMOS的问题电荷泄漏主要是亚阈电流依靠在电容上动态存储输出值,电荷泄漏使高电平降低,预充动态电路的时钟频率不能过低,最低在250Hz-1kHZ之间。
电荷泄漏的解决方案增加一个高电平保持FET和反相器M kp是弱pMOSFET即W/L<1电荷分享预充后存在CL上的电荷,可能会在中间节点(CA)之间再分配,结果使输出高电平降低,而且无法恢复,还可能形成直流通路。
电荷分享过程中的节点电平变化电荷分享问题V ABDDM1M2C C 1LM M PNV outΦ电荷分享问题C LM1DDC 1V V out (0) =V 1(0) =0电荷分享问题等效电路LDDL DD L f f L DD L C C V C C V C V V C C V C /1)(111+=+=+=一般要求∆Vout =VDD -Vf 小于|Vtp|电荷分享解决方案对中间节点也预充时钟反馈Clk和Out之间的耦合。
原因Cgd的影响四、动态CMOS的级联门间级联gate cascade -逻辑门的连接前级预充为1,该高电平会对后级产生影响,使nMOS开启,成为放电,结果导致电荷损失,噪声容限减小,甚至逻辑错误。
注意动态PDN电路间不能直接级联!!!PUN间不能直级联第二节多米诺(Domino )CMOS 电路为解决动态CMOS 电路的级联而发展的In 1In 2PDNIn 3M e M pClkClk Out1In 4PDNIn 5M eM p ClkClkOut2M kp1 →11 →00 →00 →1加一级反相器,实现不带非逻辑可以用动态PDN 电路直接级联予充V1V2V3V4 V in级联电路中,各级信号会通过一级级的连锁反应传递电平。
好象多米诺骨牌,这也正是电路名称的由来。
M1M2M3M4A BC V V V V 34outDDV V 12C C x yDEABCDE–只实现不带非的逻辑–每个门都必须缓冲–可实现高速,tpHL=0,只在低-高转换中有延迟•适于高速电路,第一个32位微处理器采用的是这种逻辑类型。
但由于只能实现不带非的逻辑,现在较少使用纯多米诺电路。
多输出多米诺电路V DDFf2f1F1 F=f1·f2V DDC 0P P P 123P 4G G G 123G 4C C C C 4321多输出多米诺电路实现4位进位链C i =G i +P i C i-1解决不带非的逻辑问题A B M e M p ClkClkOut = AB!A !BM kpClk Out = ABM kpM p1 01 0onoff差分多米诺电路静态电路:靠管子稳定的导通、截止来保持输出状态除状态反转外,输出始终与VDD和GND保持通路。
动态电路:靠电容来保存信息动态电路的优点:对NMOS电路:动态电路可降低功耗,无比电路对CMOS电路:用动态电路简化电路,提高速度第三节改进的Domino CMOS电路np CMOS 电路又称NORA逻辑,np Domino是一种改进的多米诺CMOS电路,省了每一级的缓冲器,级联改为由PDN和PUN 交替构成。
预充阶段CLK=0PDN到高电平PUN到低电平需要两相时钟,即CLK和!CLK CLK例Out=?np CMOS的连接ckV DDTGckΦΦΦΦ时钟信号的产生两相时钟经过不同延迟两相时钟经过近似相同延迟拉链CMOS Zipper CMOS•为了改进电荷泄漏和电荷分享问题,对普通npCMOS电路的改进。
•电路结构没变,只改变了控制预充晶体管的时钟和电平。
•预充时钟和求值时钟分离。
•预充时预充时钟的电平仍为0和VDD•求值时预充晶体管上的电位为Vdd -|Vtp|和Vtn,结果使预充晶体管为弱导通状态,在求值时起补偿作用。
•问题时钟控制较复杂第四节时钟CMOS (C 2MOS )V V V inoutDDC C C BLAΦΦV inV outΦΦV DDM N1M N2M M P1P2时钟CMOS 反相器电路仍为互补CMOS只是在PDN 和PUN 间增加时钟控制或在PDN 与GND 及PUN 与VDD 间增加时钟控制。
在PDN与GND及PUN与VDD 间增加时钟控制。
无电荷分享问题正确接法另一种C2MOSV DDΦV in V outΦ时钟信号控制传输门C2MOS作为锁存的NOR 电路真正单相时钟CMOSTrue Single Phase Clock (TSPC) CMOS•采用单相时钟,没有时钟交叠等问题,不会出现错误求值–NMOS logic φ低时预充,φ高时求值–PMOS logic φ高时预充,φ低时求值全加器11111100111010101110110010100110000000C i S i C i-1B i A i 全加器真值表Sum = Ai XOR Bi XOR Ci-1=PiXORCi-1Ci = AiBi + AiCi-1 + BiCi-1Gi=AiBiPi=Ai Bi ,与Ai+Bi 等价Ci=Gi+PiCi-1基于不同的逻辑类型可以实现不同种类的全加器单元电路互补CMOS传输门DCVSL多米诺CMOSnpCMOS………….. 减少延迟、节省面积,省功耗全加器延迟主要由进位决定全加器设计的关键是进位问题A BS CinFA CoutBiBiBiBiBiBiBiBiAiAiAiAiAiAi AiAi C i-1C i-1C i-1C i-1C i-1!C i!SumA BC inFA C out静态互补CMOS 24+4B iA iA iC i-1A A i i1A i A i 0C iS i NMOS传输门全加器CMOS 传输门全加器S i =(A i B i )C i-1+(A i B i )C i-1C i = (A iB i )C i-1+ (A iB i )A iC B A S C iiiii-1F1F2M1M2M3M4TG1TG2TG3TG4TG5TG6全加器中进位链的设计全加器ripple carry adders (RCA)减少进位延迟的全加器超前进位carry-lookaheadManchester(曼彻斯特进位链)跳跃进位skip carry选择进位select carry………….4 bit Ripple-carry Adder●简单省面积●太慢!超前进位Carry-lookahead 4 bit Carry-lookahead Adder进位的产生不需依赖前一级,可以直接由本位和最低位的进位获得Gi=AiBiPi=Ai XORBi ,与Ai+Bi 等价,与Ci 无关只产生Si 、Pi 、Gi可以加速进位,但如果超前的位数过多,则进位链过长,仍有速度问题,通常只超前4位。
分块超前进位的全Manchester(曼彻斯特进位链)Clk 为低,Mp 导通,对Ci 预充为高。
Clk 为高时求值。
Pi 为高时Ci =Ci-1Ki 为高时Ci 通过M2放电。