贴片可控硅MACASOTL规格参数
可控硅参数说明及中英文对照表完整版
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
mA
IRRM
Maximum reverse leakage current
反向重复峰值漏电流
mA
IDSM
断态不重复平均电流
门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
A/μs
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
℃
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
中文名可控硅
中文名可控硅外文名Silicon Controlled Rectifier 简写SCR别称晶闸管添加自定义项正文可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
结构大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR.在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用.可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等.可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通.可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形.可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件.工作原理结构原件可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示晶闸管特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板（图3）。
可控硅参数说明(精)
符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
可控硅参数说明及中文英文对照表
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发
可控硅型号与参数表
可控硅型号与参数表平板型晶闸管型号与参数Type VDR M IT(A V) tq tg t fM VTMIGT VGTIDR MIH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (ma x) @10ms @10m s (mi n) @ fM (ma x)30V/μS(max)(mi n)(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (KA ) (KA2S) (V/μS) (A/μS)(℃/W)KG50-19KA7 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 100 0.11KA1KG50-19KT18 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 1000.11 KT18 KG100-30KA2 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KA2 KG100-30KT1 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KT1 KG200-35KA3600-1600 200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 200 0.05 KA3 KG200-35KT19 600-1600200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 2000.05 KT19 KG300600300 ≤18 ≤10 3.0 200 2 ≤20-113.6 65 500 200 0.0KA4-40KA4 -1600 3 /900 30 350 5 4KG300-40KT5600-1600 300 ≤18 ≤3 10 3.0 /900 200 2 ≤30 20-350 115 3.6 65 500 200 0.04 KT5 KG500-45KA5600-1200 500 ≤18 ≤3 10 3.0/1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KA5 KG500-45KT6600-1600 500 ≤18 ≤3 10 3.0 /1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KT6 KG800-50KT7600-1400 800 ≤18 ≤3 10 3.0 /2400 250 2.5 ≤50 20-350 115 9.6 460 800 300 0.022 KT7 KG1000-55KT7600-1400 1000 ≤18 ≤3 10 3.0/3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 12 720 1000 300 0.02 KT7 KG1200-55KT14 600-1200 1200 ≤18 ≤3 10 3.0 /3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 14 1000 1000 3000.015 KT14KK5A —100A 螺栓型 快速晶闸管TypeVDR M IT(A V) Tq VTM IGT VGTIDR M IH Tjm ITSM I 2t dv/d t di/d t Rthj c 外形VRR MIRR M推荐@85℃@100℃ @ITM (max ) (max ) (max ) @10m s @10ms (min ) (min ) (max )散热器30V/μS (max) (V) (A) (μS) (V/A) (mA) (V) (mA ) (mA) ℃ (A) (KA2S) (V/μS) (A/μS) (℃/W) 型号KK5-KL6 500- 5 ≤20 2.4 /15 70 2 ≤5 60 100 90 0.04 200 2.5 K L6SZ141600 KK10-KL10500-1600 10 ≤202.4/301002 ≤8 100 100 180 0.18 200 501KL10 SZ16KK20-KL10500-1600 20 ≤202.4/601002 ≤8 100 100 360 0.72 200 501KL10 SZ16KK50-KL12500-1600 50 ≤20 2.4/150 2002 ≤16 100 115 940 5 200 50 0.4KL12 SL17KK100-KL20500-1800100 ≤30 3.0 /300 200 2.5 ≤20 100 115 1900 18 500 100 0.2KL20 SL18KG5A —50A 螺栓型 高频晶闸管Typ e VDR M IT(A V) tq tg t fM VTM IGT VGT IDR M IH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形 推荐 VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (max) @10ms @10m s (mi n)@ fM (max) 散热器30V/μS (max ) (min)型号(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A ) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (A) (KA2S)(V/μS) (A/μS)(℃/W) KG5-KL6 600-1200 5 ≤12 ≤2.510 3.0 /15 70 2 ≤5 60 ## 90 0.04 300 50 2.5 K L6SZ14 KG10-KL10 600-1200 10 ≤12 ≤2.510 3.0 /30 100 2 ≤8 100 ## 180 0.18 300 50 1KL10 SZ16KG20-KL12 600-120020 ≤12 ≤2.520 3.0 /60 100 2 ≤8 100 ## 360 0.72 300 60 0.4KL12 SL17KG3 0-KL1 2600-12030≤12≤2.5103.0/901502≤16100##540 1.53001000.4KL12SL17KG3 5-KL1 6600-12035≤12≤2.5203.0/1001502.5≤20100##600 1.8500800.2KL16SL18KG5 0-KL1 2600-12050≤12≤2.583.2/1501502.5≤20100##90045001500.4KL12SL17快速晶闸管快速晶闸管额定通态平均电流20A-2500A，断态及反向重复峰值电压100V-220V。
cr6am可控硅参数
CR6AM可控硅参数介绍1. 可控硅简介可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR），也被称为晶闸管，是一种具有控制能力的半导体器件。
可控硅最早由贝尔实验室的团队在1957年研制成功，它具有双极性能，可以用作开关和增强电压效应。
可控硅常用于电力控制、电机控制、电子加热、光控制等领域。
2. CR6AM可控硅参数CR6AM是一种常见的可控硅型号，它具有以下主要参数：2.1 极限参数•电压：最大反向电压（VRRM）和最大正向电压（VRM）是可控硅能够承受的最大电压范围。
•电流：最大正向电流（IFRM）是可控硅能够连续承受的最大电流，最大阻断电流（IRRM）是可控硅处于关断状态时能够承受的最大电流。
•温度：最大结温（Tjmax）是可控硅能够承受的最高温度。
2.2 电特性可控硅的电特性描述了其在导通和关断状态下的电压和电流关系。
- 正向特性：正向压降（VF）是可控硅在导通状态下的正向电压，正向电导（Rd）描述了导通状态下的电流变化情况。
- 反向特性：反向电流（IR）是可控硅在关断状态下的反向漏电流。
2.3 控制特性•门极电流（IGT）：为了将可控硅从关断状态转变为导通状态，需要施加一个足够的正向电流，该电流称为门极电流。
•电压门极电流产品（VGT）：在门极电流作用下，可控硅在导通状态下的电压范围。
•关断特性：关断电流（IH）是当可控硅处于导通状态时，再次转变为关断状态所需的最小电流。
•瞬态特性：可控硅的开启时间（tq）是指从施加控制信号到可控硅导通的时间。
关断时间（trr）是指从控制信号撤离到可控硅完全关断的时间。
3. CR6AM可控硅应用CR6AM可控硅常应用于以下领域： - 电力控制：可控硅可以用来调节电压、电流，实现对电力系统的精确控制。
例如，交流调光、电力供应的无功补偿等。
- 电机控制：通过控制可控硅的导通和关断，可以实现对电机速度的调节、制动，同时也可以避免电机过载烧坏。
可控硅的工作原理(带图)
可控硅的工作原理（带图）一．可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
可控硅参数说明及中英文对照表
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
可控硅参数说明及中英文对照表p
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
Thermal Resistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
(完整版)双向可控硅详解
双向可控硅详解双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作晶闸管。
这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
因此，它被广泛应用于各种电器调速、调光、调压、调温以及各种电器过载自动保护等电子电路中。
双向可控硅的外型及内部结构从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。
但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。
它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。
它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。
双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。
目前市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列如下图1所示。
双向可控硅的电路符号如图2所示。
双向可控硅的外形结构和普通可控硅没有多大区别，几十安以下的，则通常采用图1所示塑封外形结构。
几十安到一百余安电流大小的则采用螺栓型；额定电流在200安以上的一般都是平板型的；从内部结构来看，双向可控硅是一种N—P—N—P—N型五层结构的半导体器件，见图3(a)。
为了便于说明问题，我们不妨把图3(a）看成是由左右两部分组合而成的，如图3(b)。
这样一来，原来的双向可控硅就被分解成两个P—N—P—N型结构的普通可控硅了。
如果把左边从下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的话，那么右边从下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成为反向，它们之间正好是一正一反地并联在一起。
我们把这种联接叫做反向并联。
因此，从电路功能上可以把它等效成图3(c)，也就是说，一个双向可控硅在电路中的作用是和两只普通可控硅反向并联起来等效的。
常用双向可控硅参数
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
MAC223A1025A800V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
MAC228A88A600V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
BTB24-40024A400V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
BT136-6004A600V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
BT136-8004A800V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
型号类型电流电压封装
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
Q4004LT绝缘型4A400V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
Q4006LT绝缘型6A400V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
Z0409MF4A600V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
T0810NH8A800V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
T1612NH16A800V TO-220
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
BCR1AM1A600V TO-92
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
双向可控硅选型表
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母)整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
--------------双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的 BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。
-------------------而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等；四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
双向可控硅选型表(可编辑修改word版)
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母) 整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。
双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST 公司、荷兰飞利浦-Philips 公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips 公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。
而意法ST 公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、、、等等；BTA16-600B、BTA41-600、四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、、、等等；BTB16-600B、BTB41-600、ST 公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明: IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP200A—500A平板型普通晶闸管参数KP2000A—4500A平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管Type V DRMV RRMI T(AV)@85℃tq@100℃30V/μSV TM@I TM(max)I GT V GTI DRMI RRM(max)I H(max)TjmI TSM@10msI2t@10msdv/dt(min)di/dt(min)Rthjc(max)外形(V)(A)(μS)(V/A)(mA)(V)(mA)(mA)℃(KA)(KA2S)(V/μS)(A/μS)(℃/W)KK1200-55KT14800-1800120015-35 3.1/300040-3000.9-2.56020-400115149805003000.024KT14 KK1500-60KT151200-2600150020-60 3.1/300040-3000.9-3.06020-5001151613005003000.02KT15 KK1800-67KT9B1200-2600180015-60 3.1/400040-3000.9-3.06020-5001151918005003000.017KT9B KK2000-70KT161200-2600200015-60 3.1/400040-3500.9-3.08020-8001152122005003000.016KT16 KK2500-76KT171200-2600250015-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001152736005003000.011KT17 KK3000-76KT17800-1600300020-60 3.1/500040-3500.9-3.08020-8001153148005003000.011KTKP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管大功率可控硅晶闸管系列硅双向触发二极管参数可控硅整流器件单、双向可控硅（SCR,TRIAC）YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性KS5A—50A螺栓型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
可控硅的主要参数
四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV
在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。
0.8A
电压-VDRM:
≥600V
触发电流:
IGT:
5~15 uA
IGT:
30~60 uA元件.
型号MCR100-8
电流
0.8（A）
电压600（V）
触发电流10-60u（A）
结温110（℃IGT:
10~30 uA
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT（AV）
在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数:
1额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
参数符号说明:
贴片可控硅MCR100-8 SOT23-3L 规格参数
1单向可控硅 MCR00-8 (SOT23-3L)MCR100-8(SOT23-3L)单向可控硅l 特点:l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。
l 用途:n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器- 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。
l 极限参数:l 电特性（T.=25℃）:名 称符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dtV DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃10----V/μs名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >600 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压V DRM >600 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 1.0 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度Tstg-40~150℃----1 2SOT-23,SOT-23-3L31=K 2=G 3=ASZJBL1。
「可控硅的符号、性能和参数介绍」
一、可控硅符号与性能介绍可控硅符号:可控硅也称作晶闸管,它是由ＰNPＮ四层半导体构成的元件,有三个电极,阳极A，阴极K和控制极G。
ﻫ可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
ﻫ可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的Ｐ极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通,而阳极和控制极同时接正向电压时,它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何,将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按Ｔ1、T２、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下,面对有字符的一面时)。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小。
ﻫ与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有ＭCＲ-1０0等,双向的有TLC３３６等。
这是TＬC336的样子:二、向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。
可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用ﻫ 1.可控硅的结构和特性的元件。
可控硅 参数
可控硅参数
可控硅是一种半导体器件，是晶闸管的一种改进型，可以控制电流通
过时间和电流强度。
它的主要参数包括通流能力、单向阻值、触发电
流和触发电压。
通流能力是在特定工作条件下，可控硅所能承受的最大电流强度。
单
向阻值表示当可控硅处于反向导通状态时，它所承受的最大反向电压。
触发电流是指在可控硅上加上特定电压时，使其开始导通所需的最小
电流。
触发电压是在可控硅上加上特定电流时，使其开始导通所需的
最小电压。
可控硅在电力电子控制领域有着广泛的应用，广泛用于高速铁路、汽
车电子、空调、数控机床、逆变器等领域。
由于它具有开关速度快、
传输介质体积小、操作电压低、耐高温、耐腐蚀等优点，因此在智能
化控制、无线通信、军用电子等领域有着重要的应用。
在可控硅的应用过程中，需要注意一些问题，例如温度过高、电流过大、过度压力等，这些因素可能对可控硅的性能产生不利影响。
此外，还需要注意可控硅的选择和使用，要根据实际需求和设计参数选择相
应的型号，严格按照规定使用方案进行使用，避免出现故障。
总而言之，可控硅在电力电子领域应用广泛，是一种性能稳定、使用方便的半导体器件。
在实际使用过程中，需要特别注意选择和使用方案，保证其性能和长期稳定性。
双向可控硅
产品命名双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled(取第一个字母)整流器：Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。
代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B 等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B 等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
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双向可控硅MAC97A6 (SOT23-3L) MAC97A6(SOT23-3L)双向可控硅
n特点:
l先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压
降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所
有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量，
可直接应用IC驱动。
n用途:
l广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电
风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆
变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并
非首要关注点的负载；灯具调光器；电阻加热和照明负载；低成本电器。
n极限参数:
名称符号数值单位条件
重复峰值阻断电压V DRM≥600 V I DRM=20μA
通态均方根电流I T(RMS) 1 A所有导通角
通态浪涌电流I TSM 10 A t=10ms 12 A t=16.7ms
门极峰值电流I GM 1.2 A T j=125℃
结温范围T j－40～125 ℃---
贮存温度T stg－40～150 ℃---
n电特性（T j=25℃）:
名称符号测试条件Min Max Type 单位正向断态峰值电流I RRM T j=125℃V RRM=V DRM---- 0.1 ---- mA 通态峰值电压V TM I TM=6A t=380µs---- 1.5 ---- V
门极触发电流Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
I GT V D=12V R L =100Ω
---- 5 ---- mA Ⅳ---- 7 ---- mA
门极触发电压V GT V D=12V R L =100Ω---- 2 0.8 V 门极不触发电压V GD V D=1/2 V DRM T J=125℃0.2 ---- ---- V
断态电压临界上升率dV/dt
V DM=67%V DRM
Gate open Tj=110℃
10 ---- ---- V/µs
通态电流临界上升率dI/dt I G=0.2A I T=1A d I G/dt=0.2 A/µs50 A/µs 维持电流I H V D=24V I GT=50m A≤25 mA
SZJBL
1。