MEMS技术基本术语词汇

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MEMS介绍

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MEMS陀螺仪
Contents
1.MEMS的介绍
2.陀螺仪的介绍
3.MEMS陀螺仪的介绍
4.MEMS陀螺仪在iPhone4中应用
5. MEMS陀螺仪的现状
一 MEMS的介绍与应用
1.MEMS简介
MEMS(Microelectromechanical Systems) 是指集微型传感器、执行器以及信号 处理和控制电路、接口电路、 通信和电源于一体的微型机电系统。 MEMS是微机电系统的缩写。MEMS主要包括 微型机构、微型传感器、微型执行器和相应的 处理电路等几部分,它是在融合多种微细加工 技术,并应用现代信息技术的最新成果的基础 上发展起来的高科技前沿学科。
三 MEMS陀螺仪的介绍
• 1.MEMS陀螺仪(gyroscope)
• 陀螺仪能够测量沿一个轴或几个轴运动的角速, 是补充MEMS加速计功能的理想技术。组合使用 加速计和陀螺仪这两种传感器,可以跟踪并捕捉 三维空间的完整运动,为用户提供现场感更强的 用户使用体、精确的导航系统以及其它功能。 • 工作原理: MEMS陀螺仪是利用科里奥利力,即 旋转物体在有径向运动时所受到的切向力。
五 MEMS陀螺仪的现状
• 虽然手机汽车方面可能用到,但毕竟是高端产品才有, 所以MEMS陀螺仪在我们的生活中并不常见,也不熟悉 。 • 据了解,这种传感器的核心技术还是被外国垄,我们国 家的技术不发达。如果外国的军事武器都装备这种传感 器,可能是对中国的军事力量一种沉重的打击,在以科 技技术是第一生产力也是综合国力的第一体现的环境, 努力提高科技技术是很必要的。
• 三轴陀螺仪
三轴陀螺仪MEMS结构。从左到右分 别是X, Y和Z轴,它们设计在一个晶片 上,同时用微机械技术加工出来。

mems微机电系统名词解释

mems微机电系统名词解释

mems微机电系统名词解释MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微机电系统)是一种集成微型机械、电子与传感器功能于一身的微型设备。

它结合了传统的机械制造技术、半导体工艺和微纳米技术,将微型机械部件、传感器、电子电路以及微纳加工技术集成在一个晶圆上,以实现微型化、多功能化和集成化的目标。

以下是一些与MEMS相关的名词解释:1. 传感器(Sensor):一种能够感知并转换外部物理量、化学量或生物量的设备,可以将感应到的物理量转化为电信号。

2. 执行器(Actuator):一种能够接收电信号并将其转化为相应的机械运动的设备,用来实现对外界的控制或作用。

3. 微型机械(Micro-Mechanical):指尺寸在微米或纳米级别的机械部件,由微细加工技术制造而成,具有微小、精确和高效的特点。

4. 纳米技术(Nanotechnology):一种研究和应用物质在纳米尺度下的特性、制备和操作的技术,常用于MEMS器件的加工制造。

5. 惯性传感器(Inertial Sensor):一种基于测量物体运动状态和变化的MEMS传感器,如加速度计和陀螺仪。

6. 压力传感器(Pressure Sensor):一种可以测量气体或液体压力的MEMS传感器,常用于汽车、医疗、工业等领域。

7. 加速度计(Accelerometer):一种测量物体在空间中加速度的MEMS传感器,常用于移动设备、运动检测等应用。

8. 微镜(Micro-Mirror):一种利用MEMS技术制造的微型反射镜,通常用于显示、成像和光学通信等应用。

9. 微流体器件(Microfluidic Device):一种用于实现微小流体控制的MEMS器件,常用于生化分析、药物传递和微生物学研究等领域。

10. 无线传感器网络(Wireless Sensor Network):一种由多个分布式的MEMS传感器节点组成的网络系统,可以实现对环境信息的实时采集、处理和通信。

微电子学专业词汇

微电子学专业词汇

微电子学专业词汇微电子学是一门研究微小电子器件制造、设计和应用的综合科学学科。

它包括了半导体物理、微电子器件材料、器件制造技术、电子电路设计和信号处理等多方面内容。

在这门学科中,有许多专业术语需要掌握。

以下是关于微电子学专业词汇的介绍。

1. 半导体物理学:半导体物理学是微电子学的基础,其研究内容主要是半导体材料的物理与化学特性、半导体中电子、空穴的运动规律、PN结等原理及其应用等。

重要概念包括禁带宽度、杂质能级、载流子浓度、载流子迁移率等。

2. 微电子器件制造技术:微电子器件制造技术是微电子学的重要组成部分,是指制造各种微型电子器件的技术过程。

主要包括刻蚀、沉积、光刻、离子注入等多种制备工艺。

重要概念包括化学机械抛光CMP、扫描电子显微镜SEM、原子力显微镜AFM等。

3. 微电子器件材料:微电子器件材料是制造微型电子器件的主要原料,包括单晶硅、多晶硅、氮化硅、氧化铝、氧化硅等。

这些材料必须有较高的纯度和各项物理、化学性能指标,并且能够表现出稳定的特性。

重要概念包括单晶硅、多晶硅、金属氧化物半导体MOS等。

4. 电子束光刻技术:电子束光刻技术是制备微电子器件中的重要步骤之一,它通过电子束在光刻胶上束写出微缩的芯片图案。

这一技术能够实现高分辨率和高速度的加工,适用于制造高密度集成电路和芯片。

重要概念包括电子束光刻机、曝光剂、感光剂、贴片等。

5. MOSFET:MOSFET是一种重要的半导体器件,是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称。

这种器件具有高电流驱动能力、低静态功耗、高速度、易制造和易集成等优点,是现代微电子学中最重要的晶体管。

重要概念包括沟道长度、栅氧厚度、漏电流等。

6. 信号处理:信号处理是微电子学中重要的应用领域之一,指对模拟信号或数字信号进行采集、处理、变换、滤波、编码、解码等多种操作。

这些处理过程能够提高信号的质量、减少噪声、增强信息,并且能够应用于通信、图像处理、音频处理等多个领域中。

电子行业微电子专业词汇

电子行业微电子专业词汇

电子行业微电子专业词汇1. 微电子微电子是指电子学中研究和制造尺寸较小的电子元件和系统的学科。

其研究对象主要包括集成电路、微处理器、传感器等微小尺寸的电子设备。

微电子技术的应用领域包括计算机、通信、医疗、能源等众多领域。

以下是一些微电子领域常见的专业词汇。

2. 专业词汇2.1. 集成电路(Integrated Circuit, IC)集成电路是将数千甚至数百万个电子元件(如晶体管、电容等)集成在一个芯片上的电路。

根据使用的材料和工艺,集成电路可以分为光电子集成电路(Optoelectronic Integrated Circuit, OEIC)、模拟集成电路(Analog Integrated Circuit)和数字集成电路(Digital Integrated Circuit)等多种类型。

2.2. 硅晶圆(Silicon Wafer)硅晶圆是制造集成电路的基础材料,通常由纯度很高的单晶硅制成。

硅晶圆形状类似于圆盘,通过化学加工和光刻技术,在圆盘表面制造出大量微小电子元件。

2.3. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)MOSFET是一种常见的场效应晶体管,也是数字集成电路的关键元件之一。

MOSFET结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体材料构成,通过对栅极电压的控制,可以实现对电流的精确控制。

2.4. CMOS(互补金属氧化物半导体)CMOS是一种常用的数字集成电路技术,它通过同时使用N型金属氧化物半导体(NMOS)和P型金属氧化物半导体(PMOS)构成逻辑门电路。

CMOS技术具有低功耗、高集成度和抗干扰能力强的优势。

2.5. MEMS(微电子机械系统)MEMS是一种将微机械系统与集成电路技术相结合的技术,它利用微小尺寸的机械结构和传感器,实现对物理环境的感知和控制。

MEMS技术广泛应用于加速度计、陀螺仪、压力传感器等微小尺寸传感器的制造。

2.6. LSI(大规模集成电路)LSI是一种集成度较高的集成电路,其中包含数千至数十亿个晶体管和电子元件。

mems概念 -回复

mems概念 -回复

mems概念-回复“mems概念”是指微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems)的缩写,是一种将微观尺度的电子技术、机械工程和传感器技术相结合的技术及应用领域。

本文将分为以下几个部分对“mems概念”进行详细介绍。

第一部分:mems的概述Micro-Electro-Mechanical Systems(MEMS),又称为微机电系统,是一种集成微小电子器件、机械结构以及传感器等元件于一体的技术。

其工作原理是利用半导体制造工艺和微纳米加工技术,将微小尺寸的机械系统与电子系统结合在一起,形成了一个具有自主感知、控制和执行功能的系统。

第二部分:mems的组成和原理mems由微小的机械结构、电子元件、传感器和通信接口等组成。

其中,微小的机械结构包括微机械臂、微机械电机、微弹簧等,它们通过微纳米加工技术制造而成。

电子元件包括处理器、存储器、电源等,用于控制微机械系统的运动和执行功能。

传感器用于感知外界的物理和化学变量,例如温度、压力、光线等。

通信接口用于与外界进行数据交互和通信。

mems的工作原理是通过电子和机械之间的相互作用,实现信号的感知、控制和执行。

当外界物理或化学变量改变时,传感器将信号转换为电信号,并通过通信接口传输给处理器。

处理器根据接收到的信号,计算出相应的控制信号,并送达给微机械系统。

微机械系统根据控制信号进行运动和执行相应的功能。

第三部分:mems的应用领域mems技术具有广泛的应用领域,包括但不限于以下几个方面:1. 传感器:mems传感器广泛应用于汽车、智能手机、医疗设备等各种领域,用于测量和感知环境中的物理和化学参数,例如温度、压力、加速度等。

2. 生物医学:mems在生物医学领域被用于制造微型药物输送系统、生物传感器和微型手术工具,为医学诊断和治疗提供了新的手段和工具。

3. 光学:mems技术在光学领域用于制造微型光学元件,例如显示器中使用的微型投影仪和光学陀螺仪。

MEMS陀螺(微机械)

MEMS陀螺(微机械)

1。

什么是微机械(MEMS)?微机械MEMS是英文Micro Electro Mechanical systems的缩写,即微电子机械系统。

微电子机械系统(MEMS)技术是建立在微米/纳米技术(micro/nanotechnology)基础上的21世纪前沿技术,是指对微米/纳米材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术。

它可将机械构件、光学系统、驱动部件、电控系统集成为一个整体单元的微型系统。

这种微电子机械系统不仅能够采集、处理与发送信息或指令,还能够按照所获取的信息自主地或根据外部的指令采取行动。

它用微电子技术和微加工技术(包括硅体微加工、硅表面微加工、LIGA和晶片键合等技术)相结合的制造工艺,制造出各种性能优异、价格低廉、微型化的传感器、执行器、驱动器和微系统。

微电子机械系统(MEMS)是近年来发展起来的一种新型多学科交叉的技术,该技术将对未来人类生活产生革命性的影响。

它涉及机械、电子、化学、物理、光学、生物、材料等多学科。

2。

微机械陀螺仪(MEMS gyroscope)的工作原理传统的陀螺仪主要是利用角动量守恒原理,因此它主要是一个不停转动的物体,它的转轴指向不随承载它的支架的旋转而变化。

但是微机械陀螺仪的工作原理不是这样的,因为要用微机械技术在硅片衬底上加工出一个可转动的结构可不是一件容易的事。

微机械陀螺仪利用科里奥利力——旋转物体在有径向运动时所受到的切向力。

下面是导出科里奥利力的方法。

有力学知识的读者应该不难理解。

在空间设立动态坐标系(图一)。

用以下方程计算加速度可以得到三项,分别来自径向加速、科里奥利加速度和向心加速度。

科里奥利力动态坐标系公式推导如果物体在圆盘上没有径向运动,科里奥利力就不会产生。

因此,在MEMS陀螺仪的设计上,这个物体被驱动,不停地来回做径向运动或者震荡,与此对应的科里奥利力就是不停地在横向来回变化,并有可能使物体在横向作微小震荡,相位正好与驱动力差90度。

(图二)MEMS陀螺仪通常有两个方向的可移动电容板。

MEMS知识详解(含英文)

MEMS知识详解(含英文)
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Applications & Products Single-Piston Microsteam Engine
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Principles:
Water inside of three compression cylinders is heated by electric current and vaporizes, pushing the piston o ut. Capillary forces then retract the piston once current is removed.
MEMS Basical Theories
2. The history of MEMS
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微型投影仪有趣的新应用
TI公司利用微型投影仪在自行车的周边形成两条暂时的路线
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英国伯明翰大学Lilliputian petrol engines
Assembled cryogenic engine made by SU-8
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General MEMS challenges:
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2. The history of MEMS
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半导体微电子专业词汇中英文对照

半导体微电子专业词汇中英文对照

半导体微电子专业词汇中英文对照————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:半导体微电子专业词汇中英文对照Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Acoustic Surface Wave 声表面波Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源(放大)区A/D conversion 模拟-数字转换Adhesives 粘接剂Admittance 导纳Aging 老化Airborne 空载Allowed band 允带allowance 容限,公差Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminum) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum Nitride 氮化铝Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度A M light 振幅调制光,调幅光amplitude limiter 限幅器Amorphous 无定形的,非晶体的Amplifier 功放放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Antenna 天线Aperture 孔径Arsenide (As) 砷Array 阵列Atomic 原子的Atom Clock 原子钟Attenuation 衰减Audio 声频Auger 俄歇Automatic 自动的Automotive 汽车的Availability 实用性Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Bandwidth 带宽Bar 巴条发光条Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Batch 批次Battery 电池Beam 束光束电子束Bench 工作台Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bit 位比特Blocking band 阻带Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bottom-up 由下而上的Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Bragg effect 布拉格效应Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊FBrillouin zone 布里渊区Buffer 缓冲器Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn-in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Bus 总线Calibration 校准,检定,定标、刻度,分度Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carbon dioxide (CO2) 二氧化碳Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Cavity 腔体Center 中心Ceramic 陶瓷(的)Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chemical vapor deposition (cvd)化学汽相淀积Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Circuit 电路Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clean 清洗Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-loop gain 闭环增益Coating 涂覆涂层Coefficient of thermal expansion 热膨胀系数Coherency 相干性Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Communication 通信Compact 致密的Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Component 元件Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 结构Conlomb 库仑Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Continuous wave 连续波Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Cooling 冷却Copper interconnection system 铜互连系统Corrosion 腐蚀Coupling 耦合Covalent 共阶的Crossover 交叉Critical 临界的Cross-section 横断面Crucible坩埚Cryogenic cooling system 冷却系统Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Cubic crystal system 立方晶系Current density 电流密度Curvature 曲率Current drift/drive/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curve 曲线Custom integrated circuit 定制集成电路Cut off 截止Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J)) Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Decade 十进制Decibel (dB) 分贝Decode 解码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep energy level 深能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Detector 探测器Developer 显影剂Diamond 金刚石Die 芯片(复数dice)Diode 二极管Dielectric Constant 介电常数Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dimension (1)尺寸(2)量钢(3)维,度Diode 二极管Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Directional antenna 定向天线Discharge 放电Discrete component 分立元件Disorder 无序的Display 显示器Dissipation 耗散Dissolution 溶解Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Dose 剂量Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Dual-polarization 双偏振,双极化Duty cycle 工作周期Dual-in-line package (DIP)双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effect 效应Effective mass 有效质量Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 电可擦除只读存储器Electrode 电极Electromigration 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electron-beam 电子束Electroluminescence 电致发光Electron gas 电子气Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electro-optical 光电的Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤)效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEnteric (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Epoxy 环氧的Equivalent circuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Equipment 设备Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器Erbium laser 掺铒激光器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Exponential 指数的Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Fabry-Perot amplifier 法布里-珀罗放大器Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快表面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Femi potential 费米势Fiber optic 光纤Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Figure of merit 品质因数Filter 滤波器Filled band 满带Film 薄膜Fine pitch 细节距Flash memory 闪存存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flatness 平整度Flexible 柔性的Flicker noise 闪烁(变)噪声Flip-chip 倒装芯片Flip- flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Focal plane 焦平面Forbidden band 禁带Formulation 列式,表达Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Free electron 自由电子Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化镓Gallium Nitride 氮化镓Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gate width 栅宽Gauss(ian)高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Gold 金Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Graphene 石墨烯Grating 光栅Green laser 绿光激光器Ground 接地Grown junction 生长结Guard ring 保护环Guide wave 导波波导Gunn - effect 狄氏效应Gyroscope 陀螺仪Hardened device 辐射加固器件Harmonics 谐波Heat diffusion 热扩散Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Hell - effect 霍尔效应Hertz 赫兹Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS(H-MOS)高性能MOS器件High power 大功率Hole 空穴Homojunction 同质结Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrier 热载流子Hybrid integration 混合集成Illumination (1)照明(2)照明学Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Inch 英寸Incremental resistance 电阻增量(微分电阻)In-contact mask 接触式掩模Index of refraction 折射率Indium 铟Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Inductance 电感Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input power 输入功率Insertion loss 插入损耗Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET) 绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Integrated Circuit 集成电路Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Laser 激光器Laser diode 激光二极管Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Lead 铅Leakage current (泄)漏电流Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid-phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Linearity 线性化Liquid 液体Lock in 锁定Longitudinal 纵向的Long life 长寿命Lumped model 集总模型Magnetic 磁的Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板,光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law 质量守恒定律Master-slave D flip-flop 主从D 触发器Matching 匹配Material 材料Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Mechanical 机械的Membrane (1)薄腊,膜片(2)隔膜Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FET Metalorganic Chemical Vapor Deposition MOCVD 金属氧化物化学汽相淀积Metallization 金属化Metal oxide semiconductor (MOS)金属氧化物半导体MeV 兆电子伏Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Microelectromechanical System (MEMS) 微电子机械系统Microwave 微波Millimeterwave 毫米波Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mount 安装Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块Multilayer 多层Multiplication coefficient 倍增因子Multiplexer 复用器Multiplier 倍增器Naked chip 未封装的芯片(裸片)Nanometer 纳米Nanotechnology 纳米技术Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Negative-temperature-coefficient负温度系数Nesting 套刻Noise figure 噪声系数Nonequilibrium 非平衡Nonvolatile 非挥发(易失)性Normally off/on 常闭/开Nuclear 核Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器Optical photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Oscillator 振荡器Outline 外形Out-of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output power 输出功率Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Pass band 通带Passivation 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Pattern 图形Payload 有效载荷Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺Photoluminescence 光致发光Photo resist (光敏)抗腐蚀剂Photo mask 光掩模Piezoelectric effect 压电效应Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎(效应)Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plane 平面的Plasma 等离子体Plate 板电路板P-N junction pn结Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Positive 正的Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power electronic devices电力电子器件Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率Probe 探针Procedure 工艺Process 工艺Projector 投影仪Propagation delay 传输延时Proton 质子Proximity effect 邻近效应Pseudopotential method 赝势法Pump 泵浦Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Q Q值Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi-level 准费米能级Quartz 石英Radar 雷达Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination 辐照复合Radio 无线电射电射频Radio-frequency RF 射频Raman 拉曼Random 随机Range 测距Radio 比率系数Ray 射线Reactive sputtering source 反应溅射源Real time 实时Receiver 接收机Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Record 记录Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器(管)Rectifying contact 整流接触Red light 红光Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Regulate 控制调整Relative 相对的Relaxation 驰豫Relaxation lifetime 驰豫时间Relay 中继Reliability 可靠性Remote 远程Repeatability 可重复性Reproduction 重复制造Residual current 剩余电流Resonance 谐振Resin 树脂Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管(器)Resolution 分辨率Response time 响应时间Return signal 回波信号Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Ribbon 光纤带Ridge waveguide 脊形波导Ring laser 环形激光器Rotary wave 旋转波Run 运行Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石(Al2O3)Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Scan 扫描Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schematic layout 示意图,简图Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Screen 筛选Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor laser半导体激光器Semiconductor-controlled rectifier 半导体可控硅Sensitivity 灵敏度Sensor 传感器Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shaping 成型Shield 屏蔽Shifter 移相器Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘体上硅Silver whiskers 银须Simple cubic 简立方Simulation 模拟Single crystal 单晶Sink 热沉Sinter 烧结Skin effect 趋肤效应Slot 槽隙Slow wave 慢波Smooth 光滑的Subthreshold 亚阈值的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Solution 溶液Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Space Craft 宇宙飞行器Spacing 间距Specific heat(PT) 比热Spectral 光谱Spectrum 光谱(复数)Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spot 斑点Spray 喷涂Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Square root 平方根Stability 稳定性Stacking fault 层错Standard 标准的Standing wave 驻波State-of-the-art 最新技术Static characteristic 静态特性Statistical analysis 统计分析Steady state 稳态Step motor 步进式电动机Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Stopband 阻带Storage time 存储时间Stress 应力Stripline 带状线Subband 次能带Sublimation 升华Submillimeter 亚毫米波Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superconductor 超导(电)体Superlattice 超晶格Supply 电源Surface mound表面安装Surge capacity 浪涌能力Switching time 开关时间Switch 开关Synchronizer 同步器,同步装置Synthetic-aperture 合成孔径System 系统Technical 技术的,工艺的Telecommunication 远距通信,电信Telescope 望远镜Terahertz 太赫兹Terminal 终端Template 模板Temperature 温度Tensor 张量Test 测试试验Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thick- film technique 厚膜技术Thin- film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体Three dimension 三维Threshold 阈值Through Silicon Via 硅通孔Thyistor 晶闸管Time resolution 时间分辨率Tolerance 公差T/R module 发射/接收模块Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transmissivity 透射率Transmitter 发射机Transceiver 收发机Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Travelling wave 行波Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Tolerance 容差Tube 管子电子管Tuner 调节器Tunnel(ing) 隧道(穿)Tunnel current 隧道电流Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Ultrabright 超亮的Ultrasonic 超声的Underfilling 下填充Undoped 无掺杂Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原(元)胞Unity- gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence(value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Variable 可变的Vector 矢量Vertical 垂直的Vibration 振动Visible light 可见光Voltage 电压Volt 伏特Wafer 晶片Watt 瓦Wave guide 波导Wavelength 波长Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wetting 浸润Wideband 宽禁带Wire 引线Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件X-ray X射线Yield 成品率Zinc 锌。

微电子专业词汇

微电子专业词汇

微电子专业词汇微电子是电子学的一个分支,专注于设计、制造和应用微小的电子元件和电路,并在计算机芯片、移动通信、医疗设备等领域中得到广泛应用。

微电子技术的快速发展,需要专业人士熟练掌握一系列的专业词汇。

下面我们就来了解一些与微电子相关的专业词汇。

一、基础词汇1.微电子学:微电子是电子学中的一个分支,重点研究设计、制造和应用以微米级别为尺寸的电子元件和电路。

2.芯片:芯片也称集成电路,是由微小的电子元件组成的电子电路板,被广泛应用于电子设备、通信、计算机等领域。

3.半导体:半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料,可以在一定条件下通过它流电子。

4.晶体管:晶体管是一种半导体器件,储存电荷并放大电流,在电子设备中得到广泛应用。

5.电阻:电阻是指电路中阻碍电流流动的物理性质,单位为欧姆。

6.导电性:指材料在电场作用下导通电流的能力。

7.电介质:电介质是指不能导电的物质,如玻璃、陶瓷等。

二、微电子制造后备词汇1.光刻:光刻是制造芯片的重要步骤之一,通过光照和化学反应刻蚀出芯片上的细节。

2.化学气相沉积:化学气相沉积是制造芯片的一种方法,在高温和气体反应的条件下,将气体转化为固体,形成一层薄膜。

3.蒸镀:蒸镀是一种将金属气体化形式,蒸发在基板上形成薄膜的工艺。

4.离子注入:离子注入是一种制造芯片的方法,在半导体上注入氮、硼、磷等离子,使其成为一种半导体。

5.氧化:氧化是一种制造芯片的方法,将基板暴露在氧气中,形成一层使电器件隔离的氧化层。

三、微电子设备相关词汇1.太阳能电池:太阳能电池是将太阳能转化为电能的电路。

2.计算机芯片:计算机芯片是现代计算机的核心部分,包含计算机系统的所有主要功能。

3.传感器:传感器是一种测量物理量并转换为电信号的设备,广泛应用于计算机、通信、医疗等领域。

4.放大器:放大器是一种能够将信号放大的电子器件,常用于音频、通信和射频领域。

5.集成电路测试:集成电路测试是测试芯片的功能和性能,包括电气特性和逻辑功能等。

mems磁力计参数

mems磁力计参数

mems磁力计参数
MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)磁力计是一种基于微机电技术的磁场传感器。

它们通常使用微小的机械结构和电子元件来测量周围磁场的强度和方向。

下面是一些MEMS磁力计常见的参数:
磁场测量范围(Measurement Range):表示磁力计能够测量的磁场强度的范围。

常见的单位是高斯(Gauss)。

灵敏度(Sensitivity):表示磁力计对单位磁场强度变化的响应。

灵敏度通常以每高斯的毫伏(mV/G)为单位。

噪声水平(Noise Level):表示磁力计在测量中产生的噪声水平,通常以高斯为单位。

分辨率(Resolution):表示磁力计能够分辨的最小磁场变化。

通常以高斯或毫高斯为单位。

工作温度范围(Operating Temperature Range):表示磁力计能够正常工作的温度范围。

刷新率(Refresh Rate):表示磁力计更新测量数据的速率,通常以赫兹(Hz)为单位。

电源电压(Supply Voltage):表示磁力计所需的电源电压。

接口类型:表示磁力计与其他设备通信的接口类型,例如I2C (Inter-Integrated Circuit)或SPI(Serial Peripheral Interface)。

这些参数可以根据具体的磁力计型号和制造商而有所不同。

在选择MEMS磁力计时,根据应用需求和性能要求,需要仔细考虑这些参
数。

名词释义

名词释义

微机电系统(MEMS, Micro-Electro-Mechanic System)是一种先进的制造技术平台。

它是以半导体制造技术为基础发展起来的。

MEMS技术采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列的现有技术和材料,因此从制造技术本身来讲,MEMS中基本的制造技术是成熟的。

但MEMS更侧重于超精密机械加工,并要涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。

它的学科面也扩大到微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理学的各分支。

MEMS的特点是:1)微型化:MEMS器件体积小、重量轻、耗能低、惯性小、谐振频率高、响应时间短。

2)以硅为主要材料,机械电器性能优良:硅的强度、硬度和杨氏模量与铁相当,密度类似铝,热传导率接近钼和钨。

3)批量生产:用硅微加工工艺在一片硅片上可同时制造成百上千个微型机电装置或完整的MEMS。

批量生产可大大降低生产成本。

4)集成化:可以把不同功能、不同敏感方向或致动方向的多个传感器或执行器集成于一体,或形成微传感器阵列、微执行器阵列,甚至把多种功能的器件集成在一起,形成复杂的微系统。

微传感器、微执行器和微电子器件的集成可制造出可靠性、稳定性很高的MEMS。

5)多学科交叉:MEMS涉及电子、机械、材料、制造、信息与自动控制、物理、化学和生物等多种学科,并集约了当今科学技术发展的许多尖端成果。

谐振频率误差:谐振频率的误差是描述陶瓷晶振制造工艺、材料特性方面的指标,也是衡量晶振质量的一项参数。

任何晶振的实际谐振频率都会与标称谐振频率之间有一定误差。

例如,CRB455E型陶瓷晶振的标称谐振频率为455kHz,但因制造工艺与材质方面的原因,总会使实际谐振频率略高于或低于455kHz。

由此可知,如果制造精良、材料优质,那么标称谐振频率的误差就越小,反之就越大。

也就是说,晶振的谐振频率误差越小,精度越高,质量就越反之,质量就越差。

电子行业微电子学专业词汇

电子行业微电子学专业词汇

电子行业微电子学专业词汇本文档旨在介绍电子行业微电子学专业中常用的术语和概念。

微电子学是电子科学与技术的一个分支,研究微小电子元器件的设计、制造和应用。

以下是一些常见的词汇及其解释。

1. 半导体器件(Semiconductor Devices)半导体器件是微电子学中最基本的元器件之一,主要由硅(Si)、锗(Ge)等材料制成。

常见的半导体器件包括二极管(Diode)、晶体管(Transistor)和场效应管(Field Effect Transistor,简称 FET)。

这些器件广泛应用于电子、通信、计算机等领域。

2. 集成电路(Integrated Circuit,简称 IC)集成电路是将多个半导体器件集成在同一块芯片上的电路。

根据集成度不同,可以分为小规模集成电路(Small Scale Integrated Circuit,简称SSI)、中等规模集成电路(Medium Scale Integrated Circuit,简称 MSI)和大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit,简称 LSI)。

集成电路的应用广泛,从微处理器到存储器等各种电子设备中都有使用。

3. 微处理器(Microprocessor)微处理器是集成电路中的一种,它是一种高度集成的中央处理器(CPU),用于执行计算机指令。

微处理器通常由运算器(ALU)、控制器(Control Unit)和寄存器组成。

它是计算机的核心部件,广泛应用于个人电脑、智能手机和嵌入式系统等设备中。

4. 存储器(Memory)存储器是用于存储和检索数据的装置。

根据存取方式,存储器可以分为随机存取存储器(Random Access Memory,简称 RAM)和只读存储器(Read-Only Memory,简称 ROM)等。

RAM用于临时存储数据,而ROM则存储了程序和固定数据。

存储器在各种电子设备中都起着重要的作用,包括计算机、手机、摄像机等。

微电子专业词汇

微电子专业词汇

微电子专业词汇- 1 - Created by rainmanAbrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源(放大)区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device 合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的,非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation 雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency 基区输运系数Base-width modulation 基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区微电子专业词汇- 2 - Created by rainmanCan 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷(的)Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion 恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible 坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率微电子专业词汇- 3 - Created by rainmanCut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz 法直拉晶体J)Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel (dB) 分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOSDepletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片(复数dice)Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual- in- line package (DIP)双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗微电子专业词汇- 4 - Created by rainmanEarly effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤)效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程(扩散)Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁(变)噪声Flip- flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss(ian)高斯微电子专业词汇- 5 - Created by rainmanGaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应Hardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量(微分电阻)In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current (泄)漏电流Level shifting 电平移动微电子专业词汇- 6 - Created by rainmanLife time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid-phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板,光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law 质量守恒定律Master-slave D flip-flop 主从D 触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction 梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块Multiplication coefficient 倍增因子Naked chip 未封装的芯片(裸片)Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发(易失)性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器Optical photon =photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化微电子专业词汇- 7 - Created by rainmanPackage 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺(photo) resist (光敏)抗腐蚀剂Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎(效应)Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi-level 准费米能级Quartz 石英Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination 辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器(管)Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间微电子专业词汇- 8 - Created by rainmanReliability 可靠性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管(器)Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石(Al2O3)Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat(PT) 热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关微电子专业词汇- 9 - Created by rainmanTailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick- film technique 厚膜技术Thin- film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel(ing) 隧道(穿)Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原(元)胞Unity- gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence(value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压Wafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿Zone melting 区熔法__。

MEMS技术基本术语词汇

MEMS技术基本术语词汇

MEMS技术基本术语词汇MEMS TechnologyBasic MEMS TerminologyAcceleration:Acceleration is the change in linear velocity.Accelerometer:An accelerometer is a sensor that measures acceleration.Analog Output Sensor:An analog output sensor provides a voltage that is proportional to its input stimulus. Digital Output Sensor:A digital output sensor provides a discrete binary code that is proportional to its input stimulus.Angular Acceleration:Angular acceleration is the rate of change of angular velocity over time.Angular Velocity:Angular velocity is the rate of change of angular displacement with respect to time. Angular Displacement: Angular displacement is the relative change in angular position.Coriolis Force:When an object is moving in a periodic fashion (either oscillating or rotating), rotating the object inan orthogonal plane to its periodic motion causes a translational force in the other orthogonaldirection. Gyroscopes measure angular rate by measuring the Coriolis Force generated when aninternal vibrating mass is rotated.Dead Reckoning:Dead Reckoning is a method of determining position using a combination of previous position,direction, and acceleration. A gyroscope can be used to measure rate of rotation, which isintegrated once to obtain heading information. An accelerometer can be used to measureacceleration, which is integrated twice to obtain distance traveled.Degrees of Freedom:Degrees of freedom (DoF) are the set of displacements and rotations along which an object canmove. 6 degrees of freedom (x, y, z translational; pitch, roll, yaw rotational) are sufficient to fullydefine motion in free space.Double Tap:A double tap refers to two taps in close succession.FIFO:FIFO refers to a First-In, First-Out memory stack. Data points are processed in the same order inwhich they are stored. Having a FIFO built in to a sensor provides a data storage buffer that canbe used to reduce the resources required by the host processor.Free-Fall:Free-fall is the state of motion with no acceleration other than acceleration due to gravity.Gee (g):G is the unit of acceleration approximately equal to the acceleration due to gravity on the earth’ssurface. 1 g = 9.8 m/s2Gyroscope:A gyroscope is a sensor that measures rate of rotation.Heading:Heading is the direction toward which an object in motion is pointing.Image Stabilization:Image stabilization is a technique used to decrease image blurriness and is enabled by usinggyroscope technology. It is often used when compensating for camera vibration (shaking).Inertia:Inertia is the resistance of an object to change its state of motion.Inertial Measurement Unit (IMU):An IMU senses motion —including the type, rate, and direction of that motion — using acombination of accelerometers and gyroscopes.Inertial Sensor:An inertial sensor is an instrument that uses the principles of inertia to perform measurement. Anaccelerometer, for example, compares the motion of a mass fixed to the accelerating object, anda suspended mass. The fixed mass moves with an accelerating object, but the response of thesuspended mass lags due to its inertia or resistance to change. The difference in motion can berelated to the object’s acceleration.MEMS:Microelectromechanical systems (MEMS) integrate mechanical elements and electronics allpatterned on a silicon substrate with standard microfabrication techniques. Feature dimensionsare on the order of 1 μm.Microfabrication:Microfabrication is the technology used to fabricate components on a micrometer-sized (orsmaller) scale.Micrometer:A micrometer or micron (symbol μm) is one millionth of a meter or equivalently one thousandth ofa millimeter.Orientation:Orientation is the position in free space and is commonly identified as portrait/landscape. Anaccelerometer’s response to Earth’s gravitational field can be used to determine orientation.Orthogonal Plane:An orthogonal plane is a set of mutually perpendicular axes meeting at right angles. Oscillation:Oscillation is repetitive back and forth movement such as a vibration.Periodic Motion:Periodic motion is motion that repeats itself at definite intervals of time.Pitch Axis:Pitch axis is the Y rotation axis in a 3D system. (See Figure 1)Figure 1Roll Axis:Roll axis is the X rotation axis in a 3D system. (See Figure 1) Rotation:Rotation can be defined as a single complete turn on an axis.Shock:Shock is a sudden force of large magnitude and short duration. Because a shock is close to anacceleration impulse, the frequency spectrum of its force can have components with highfrequencies. As acceleration is proportional to the square of the frequency, a shock producesvery large acceleration values.Tap:Tap is a short impact or strike, similar to a mouse click.Tilt, inclination:Tilt or inclination is the angle displacement from a defined reference. In many cases, that definedreference point is the earth’s horizon. An accelerometer’s response t o Earth’s gravitational fieldcan be used to determine tilt with respect to the Earth’ssurface.Trajectory:Trajectory is the path that a moving object follows through space.Translational motion:Translational motion is motion along a straight line, such as an axis. Accelerometer data can beused to map an object’s trajectory in translational motion.User Interface:A user interface is the means by which users interact with a system. The use of an accelerometerenables the creation of a more intuitive user interface.Vibration:Vibration is periodic mechanical oscillation. Vibration causes acceleration proportional to thesquare of the frequency of oscillation, so a high-frequency vibration with very small displacementcauses very high acceleration values.Yaw Axis:The Yaw axis is the Z rotation axis in a 3D system. (See Figure 1)。

MEMS知识概况总结

MEMS知识概况总结
MEMS 传感器现状及应用 王淑华
6
压力传感器是影响最为深远且应用最广泛的 M EM S 传感器 , 其性能由测量 范围 、 测量精度 、 非线性和工作温度决定 。从信号检测方式划分 , M EMS 压力传感器可分为压阻式 、电容式和谐振式等 ;从敏感膜结构划分 , 可分为圆形 、 方形 、 矩形和 E 形等 。硅压力传感器主要是硅扩散型压阻 式压力传感器 , 其工艺成熟 , 尺寸较小 , 且性能优异 , 性价比较高 。
9
2. pH(3%)变化曲线
2.2 寿命性实验-pH变化
12.5
1
2
3
12.0
4
A
B
11.5
pH的变化
11.0
10.5 0h
6h
18h
24h
48h
72h
时间/ h
10
3.密度变化
2.3 寿命性实验-密度变化
0h
24h
72h
1
1.058 1.029 1.015
2
1.042 1.008 0.997
3
7
1. 质量变化曲线
0 -5 -10
2.1 寿命性实验-质量变化
1 2 3 4 A B
重量的减少/ g
-15
0h
6h
18h
24h
48h
72h
时间/ h
8
2.2 寿命性实验-pH变化
2. pH(3%)变化
0h
6h
18h
24h
48h
72h
1
11.54 11.65 11.52 11.48 11.42 11.37
加热72h后,分别测1、2、A、B四种去胶液对铝的腐蚀性。(3和4对已 经证明铝有腐蚀)

MEMS基本常识

MEMS基本常识

一、MEMS基本常识1、MEMS的特征尺寸范围1um~1mm2、MEMS的本质特征——小型化、微电子集成、批量制造3、摩尔定律——集成电路芯片的集成度每三年提高4倍,而加工特征尺寸缩小根号2倍4、Accelerometer(加速度计);Near field microscopy(近场显微镜);Resonant sensor(谐振传感器)5、MEMS技术的构成:微制造、微器件和微系统6、半导体中两种自由载流子:电子和空穴7、单晶硅单位晶体中原子总数:188、单晶硅常用于MEMS衬底材料,其应用普遍性主要的原因是什么?它的力学性能稳定,并且可被集成到相同衬底的电子器件上。

硅几乎是理想的结构材料。

它的熔点为1400摄氏度。

它的热膨胀系数比钢小八倍。

最重要的是,硅在事实上没有迟滞,因此是理想的传感器和致动器的理想候选材料。

9、MEMS中的核心元件一般包括哪两个部分:传感器和信号传输单元10、就微系统而言,化学性能最稳定的材料是碳化硅;最便宜的热和电绝缘材料是二氧化硅11、哥氏效应、Sagnac效应:哥氏效应:质点作圆周运动的同时也作径向运动或圆周运动时,会产生一个分别垂直于这两轴方向的作用力,叫做哥氏力。

哥氏力的大小为F=2mwuSagnac效应:将同一光源发出的一束光分解为两束,让它们在同一个旋转环路内沿相反方向循环行一周后会合,产生相位差发生干涉。

二、微传感器与微执行器1、传感器的基本工作原理是:将一种能量信号转换为另一种能量信号;执行器的基本工作原理是:通过机电转换结构将电学控制信号转化为机械动作。

2、传感器中力-电转换机理通常有压阻式、电容式、谐振式、隧道式、压电式3、测量微压力传感器中薄膜的变形方法:电子方法4、微传感器按传感机理分:压阻、压电、隧道、电容、谐振、热对流;按物理参数分类:力(加速度/压力/声)、热(热电偶/热阻)、光(光电类)、电磁(磁强计)、化学和生物医学(血糖/电容化学/化学机械)5、利用半导体光电导效应可制成光敏电阻,其基本原理是:辐射时半导体材料中的电荷载流子(包括电子和空穴)的增殖使其电阻率发生变化6、隧道电流敏感原理:在距离十分接近的隧道探针与电极之间加一个偏置电压,当针尖和电极之间的距离接近纳米量级时,电子就会穿过两者之间的势垒,形成隧道电流。

mems名称解释

mems名称解释

1.杨氏模量(Young's modulus)是描述固体材料抵抗形变能力的物理量。

一条长度为L、截面积为S的金属丝在力F作用下伸长ΔL。

F/S叫胁强,其物理意义是金属数单位截面积所受到的力;ΔL/L叫胁变其物理意义是金属丝单位长度所对应的伸长量。

胁强与胁变的比叫弹性模量:即。

ΔL是微小变化量。

2.表明效应:球形颗粒的表面积与直径的平方成正比,其体积与直径的立方成正比,故其比表面积(表面积/体积)与直径成反比。

随着颗粒直径的变小,比表面积将会显著地增加,颗粒表面原子数相对增多,从而使这些表面原子具有很高的活性且极不稳定,致使颗粒表现出不一样的特性,这就是表面效应。

英文翻译:Surface Effect
3.压电效应:某些电介质,当沿着一定方向对其施力而使它变形时,内部就产生极化现象,同时在它的两个表面上便产生符号相反的电荷,当外力去掉后,又重新恢复到不带电状态。

这种现象称压电效应。

4.SPI:(Serial Peripheral Interface--串行外设接口)总线系统是一种同步串行外设接口,它可以使MCU与各种外围设备以串行方式进行通信以交换信息。

SPI有三个寄存器分别为:控制寄存器SPCR,状态寄存器SPSR,数据寄存器SPDR
5.GMR:巨磁阻又称特大磁电阻,即GMR(Giant Magneto Resistive),比AMR 技术磁头灵敏度高2倍以上,GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的:一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。

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MEMS TechnologyBasic MEMS TerminologyAcceleration:Acceleration is the change in linear velocity.Accelerometer:An accelerometer is a sensor that measures acceleration.Analog Output Sensor:An analog output sensor provides a voltage that is proportional to its input stimulus. Digital Output Sensor:A digital output sensor provides a discrete binary code that is proportional to its input stimulus.Angular Acceleration:Angular acceleration is the rate of change of angular velocity over time.Angular Velocity:Angular velocity is the rate of change of angular displacement with respect to time. Angular Displacement:Angular displacement is the relative change in angular position.Coriolis Force:When an object is moving in a periodic fashion (either oscillating or rotating), rotating the object inan orthogonal plane to its periodic motion causes a translational force in the other orthogonaldirection. Gyroscopes measure angular rate by measuring the Coriolis Force generated when aninternal vibrating mass is rotated.Dead Reckoning:Dead Reckoning is a method of determining position using a combination of previous position,direction, and acceleration. A gyroscope can be used to measure rate of rotation, which isintegrated once to obtain heading information. An accelerometer can be used to measureacceleration, which is integrated twice to obtain distance traveled.Degrees of Freedom:Degrees of freedom (DoF) are the set of displacements and rotations along which an object canmove. 6 degrees of freedom (x, y, z translational; pitch, roll, yaw rotational) are sufficient to fullydefine motion in free space.Double Tap:A double tap refers to two taps in close succession.FIFO:FIFO refers to a First-In, First-Out memory stack. Data points are processed in the same order inwhich they are stored. Having a FIFO built in to a sensor provides a data storage buffer that canbe used to reduce the resources required by the host processor.Free-Fall:Free-fall is the state of motion with no acceleration other than acceleration due to gravity.Gee (g):G is the unit of acceleration approximately equal to the acceleration due to gravity on the earth’ssurface. 1 g = 9.8 m/s2Gyroscope:A gyroscope is a sensor that measures rate of rotation.Heading:Heading is the direction toward which an object in motion is pointing.Image Stabilization:Image stabilization is a technique used to decrease image blurriness and is enabled by usinggyroscope technology. It is often used when compensating for camera vibration (shaking).Inertia:Inertia is the resistance of an object to change its state of motion.Inertial Measurement Unit (IMU):An IMU senses motion — including the type, rate, and direction of that motion — using acombination of accelerometers and gyroscopes.Inertial Sensor:An inertial sensor is an instrument that uses the principles of inertia to perform measurement. Anaccelerometer, for example, compares the motion of a mass fixed to the accelerating object, anda suspended mass. The fixed mass moves with an accelerating object, but the response of thesuspended mass lags due to its inertia or resistance to change. The difference in motion can berelated to the object’s acceleration.MEMS:Microelectromechanical systems (MEMS) integrate mechanical elements and electronics allpatterned on a silicon substrate with standard microfabrication techniques. Feature dimensionsare on the order of 1 μm.Microfabrication:Microfabrication is the technology used to fabricate components on a micrometer-sized (orsmaller) scale.Micrometer:A micrometer or micron (symbol μm) is one millionth of a meter or equivalently one thousandth ofa millimeter.Orientation:Orientation is the position in free space and is commonly identified as portrait/landscape. Anaccelerometer’s response to Earth’s gravitational field can be used to determine orientation.Orthogonal Plane:An orthogonal plane is a set of mutually perpendicular axes meeting at right angles. Oscillation:Oscillation is repetitive back and forth movement such as a vibration.Periodic Motion:Periodic motion is motion that repeats itself at definite intervals of time.Pitch Axis:Pitch axis is the Y rotation axis in a 3D system. (See Figure 1)Figure 1Roll Axis:Roll axis is the X rotation axis in a 3D system. (See Figure 1)Rotation:Rotation can be defined as a single complete turn on an axis.Shock:Shock is a sudden force of large magnitude and short duration. Because a shock is close to anacceleration impulse, the frequency spectrum of its force can have components with highfrequencies. As acceleration is proportional to the square of the frequency, a shock producesvery large acceleration values.Tap:Tap is a short impact or strike, similar to a mouse click.Tilt, inclination:Tilt or inclination is the angle displacement from a defined reference. In many cases, that definedreference point is the earth’s horizon. An accelerometer’s response to Earth’s gravitational fieldcan be used to determine tilt with respect to the Earth’s surface.Trajectory:Trajectory is the path that a moving object follows through space.Translational motion:Translational motion is motion along a straight line, such as an axis. Accelerometer data can beused to map an object’s trajectory in translational motion.User Interface:A user interface is the means by which users interact with a system. The use of an accelerometerenables the creation of a more intuitive user interface.Vibration:Vibration is periodic mechanical oscillation. Vibration causes acceleration proportional to thesquare of the frequency of oscillation, so a high-frequency vibration with very small displacementcauses very high acceleration values.Yaw Axis:The Yaw axis is the Z rotation axis in a 3D system. (See Figure 1)。

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