第14章 外延

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基础化学第8版-自测题及课后习题解答-第14章

基础化学第8版-自测题及课后习题解答-第14章

=1.00×10-4 mol⋅L-1
同理计算加入 20.0;30.0μL浓度分别为 2.00×10-4 mol⋅L-1 ;3.00×10-4 mol⋅L-1 (3)利用实验获得的数据绘出标准加入法测定血清中锂含量的工作曲线(图 14-2) 。外延曲线与横 坐标轴相交,交点至原点的距离为锂的浓度c x =1.00×10-4 mol⋅L-1。 (4)血清中锂的含量 =
N =16(
2
H= 例 14-4
30cm L = =8.72×10-3cm N 3.44 × 10 3
用气相色谱法测定止痛药膏中樟脑的含量。 内标物为水合萜烯。 若取 45.2mg樟脑和 2.00mL
6.00mg⋅mL-1的水合萜烯用CCl 4 溶剂稀释到 25.00mL制成标准溶液。当进样量约为 2μL ,火焰离子检测 器响应值对樟脑和水合萜烯分别为 67.3 和 19.8。精确称取 53.6mg的止痛药膏,CCl 4 溶剂加热溶解过滤, 滤液中加入 2.00mL 6.00mg⋅mL-1的水合萜烯,最后用CCl 4 溶剂定容到 25.00mL,2μL进样量,火焰离子检 测器响应值对樟脑和水合萜烯分别为 24.9 和 13.5。测定的止痛药膏中樟脑的重量百分比(%w/w)是多 少? 分析 由于内标物的质量和樟脑标准品的质量及各自的响应值已知,可由(14.21)式求出校正因
1.00 × 10 −4 mol ⋅ L−1 × 5.00ml =5.00×10-3mol⋅L-1 0.100ml
1
标准加入法 例 14-2 用荧光法测定复方炔诺酮片中炔雌醇(一种合成雌激素)的含量,取供试品 20 片,研细 后溶于无水乙醇中并稀释至 250.0mL,过滤,取滤液 5.00mL,稀释至 10.00mL,在激发波长 185nm和发 射波长 307nm处测定荧光强度为 61。如果炔雌醇标准品的乙醇溶液质量浓度为 1.4μg⋅mL-1在相同测定条 件下荧光强度为 65,计算出每片药中炔雌醇的含量。 分析 由于在相同测定条件下荧光强度与荧光物质的浓度成正比,则可用比例法求出样品中荧光物 质的含量。 解 比例法计算公式: 将已知代入上式: 每片药中炔雌醇的含量= 例 14-3 cx= cx=

第14章电子背散射衍射-EBSD

第14章电子背散射衍射-EBSD

(14-3)
令g1= g2,可得米勒指数与欧拉角的互换公式
Φ arccosl
k 2 arccos 2 2 h k
(14-5)
(14-6)
(14-7)
16
1 arcsin
w 2 2 h k
第二节 电子背散射衍射技术相关晶体学基础
当两相的晶体结构存在较大差别,或第二相尺寸较大时,两 相间为此类界面。
3)部分共格相界 借助位错维持其共格性的界面。
此类界面在马氏体转变及外延生长晶体中较常见。
8
第二节 电子背散射衍射技术相关晶体学基础
三、晶体取向坐标系建立
如图14-5,样品坐标系,由轧向RD、横向TD 、法向ND 三个互相垂直的方向构成; 晶体坐标系(以立方晶体为例), 由3个互相垂直的晶轴[100]、[010]和[001]组成。
3
第一节 概 述
EBSD的发展经历: 1928年,日本学者Kikuchi在TEM中首次发现了带状电子 衍射花样,并对此衍射现象进行解释,称此为菊池花样。 1972年,Venables和Harland在扫描电镜中,得到了背散射 电子衍射花样。
20世纪80年代后期, Dingley得到了晶体取向的分布图。并 成功地将EBSD技术商品化
20世纪90年代初, 成功研究出自动计算取向、有效图像处 理以及自动逐点扫描技术,之后能谱分析和EBSD分析的 有效结合使相鉴定更加有效和准确。 2000年以后, EBSD标定速度大幅提升,加快了EBSD的发 展和推广。
4
第二节 电子背散射衍射技术相关晶体学基础
一、晶界类型 1)小角度晶界:指相邻晶粒位向差10的晶界,一般 2。 其中包括倾斜晶界、扭转晶界和重合晶界等。

萨缪尔森《微观经济学》(第19版)习题详解(含考研真题)(第.

萨缪尔森《微观经济学》(第19版)习题详解(含考研真题)(第.

萨缪尔森《微观经济学》(第19版)第14章土地、自然资源和环境课后习题详解跨考网独家整理最全经济学考研真题,经济学考研课后习题解析资料库,您可以在这里查阅历年经济学考研真题,经济学考研课后习题,经济学考研参考书等内容,更有跨考考研历年辅导的经济学学哥学姐的经济学考研经验,从前辈中获得的经验对初学者来说是宝贵的财富,这或许能帮你少走弯路,躲开一些陷阱。

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一、概念题1.可再生资源和不可再生资源(renewable vs.nonrenewable resources)答:不可再生资源是指那些供给量基本固定,或短期内不可再生的资源。

不可再生资源的一个明显的例子是矿物燃料,相对于人类文明来说,它们的数量可以视为固定的。

另外还有非燃料矿物资源,例如铜、银、金、石头以及沙粒。

可再生资源是其效用能够有规律地进行补充,而且只要开采和使用得当,它们就能产生无穷无尽的效用的资源。

例如,太阳能、耕地、河水、森林以及鱼群等都是很重要的可再生资源。

2.可分拨资源和不可分拨资源(appropriable vs.inappropriableresources)答:按照资源在生产和消费过程中是否存在明显的外部性,资源可划分为可分拨和不可分拨的资源。

可分拨的资源是指当厂商或消费者能够获得商品的全部经济价值的资源,包括土地、诸如石油和天然气之类的矿产资源,及森林等。

在一个运行良好的竞争性市场中,可分拨的自然资源将被有效地定价和分配。

不可分拨的资源是其成本或收益不能完全归属于其拥有者的资源。

不可分拨的资源是一种具有外部性的资源。

根据资源是否可分拨的属性,可以得出资源和环境经济学的一个基本结论:当资源是不可分拨的、具有外部性时,市场参与者就不能完全获得使用自然资源的成本或收益,市场就会提供错误的信号和扭曲的价格。

一般说来,对于外部不经济的产品,市场会生产过度;而对于外部经济的产品,市场又会供给不足。

微电子制造科学原理与工程技术总复习资料

微电子制造科学原理与工程技术总复习资料

3、外延层的掺杂与缺陷 4、硅的气相外延工艺
十、光刻工艺
1、光刻工序: 2、掩膜版 3、光刻机
a. 主要性能指标 b. 曝光光源
c. 三种光刻机
4、光刻胶
正性胶和负性胶
5、典型的光刻工艺流程
十一、刻蚀工艺
1、湿法刻蚀
a. 物理性刻蚀
2、干法刻蚀
b. 化学性刻蚀 c. 物理化学性刻蚀。
十二、金属化工艺
1、RTP 与传统退火工艺的比较
2、RTP 设备与传统高温炉管的区别
3、RTP 设备的快速加热能力 4、RTP设备的关键问题
六、真空技术与等离子体简介
1、真空基础知识
2、等离子体简介
a. b. 直流等离子体的组成 射频放电等离子体
七、化学气相淀积工艺
1、CVD工艺的主要特点 2、CVD 工艺原理
a. b. c. 简单的Si CVD反应器 反应腔内的化学反应 反应腔内的气体流动
1、形成欧姆接触的方法 2、常用的金属化材料
a. Al
b. 重掺杂多晶硅
c. 难熔金属硅化物
十三、工艺集成技术
1、器件隔离技术
a. PN结隔离技术 b. LOCOS(硅的局部氧化)技术 c. 沟槽隔离
2、亚微米CMOS工艺流程介绍
a. 主要结论
b. 计算热氧化工艺生长SiO2厚度的方法
3、热氧化工艺(方法)和系统 4、热氧化工艺的质量检测
三、扩散工艺
1、扩散工艺在IC制造中的主要用途 2、扩散原理(模型与公式)
a. 费克一维扩散方程 b. 扩散的原子模型、 Fair空位模型 c. 费克第二定律的分析解 预淀积扩散 推进扩散
3、影响实际扩散分布的因素 4、扩散工艺质量检测

逻辑学教程第三版课后练习题答案

逻辑学教程第三版课后练习题答案

逻辑学教程第三版课后练习题答案练习题之一参考答案一、填空题:1、亚里士多德2、弗兰西斯·培根、基本规律4、愈窄;愈宽、没有任何重合;等于6、内涵;外延7、一门学问、单独9、矛盾关系10、属种关系二、是非题:1、×、√3、×、×、×、×三、单项选择题:1、A 、B3、C4、A5、D6、D 、A8、B9、A 10、D四、双项选择题:1、D、E2、A、E 、D、E、B、C5、A、D六、欧拉图题:练习题之二参考答案一、填空题:1、假;真假不定、关系者项;量项、真;真、等值5、全称;否定6、假;真、同一;真包含于8、真;假;肯定;否定、必要10、如果不通过外语考试,就不能录取;并非不通过外语考试,也能录取;或者通过外语考试,或者不录取 11、p∧q12、交叉;真包含13、他或是美院学生但不会画国画,或者他不是美院学生但会画国画 14、真15、SEP、SIP二、是非题1.×.√3.√.×.√三、单项选择题:1、A2、A、A4、B、B6、B7、B、A9、C 10、B11、D 12、B13、D 14、D15、C四、欧拉图题1、P S2、、M S五、真值表题: 1、A :P→qB :∧qA不蕴涵B。

2、A:p→B:某大学没有录取小李。

3、A:p ∧ qB:p ∨ qA、B两组判断不等值。

4、甲: p→q乙: p←q丙: p∨q让小赵和小李都去浙江大学进修,可同时满足甲、乙、丙三位领导的要求。

5、 A:B:C :练习题之三参考答案一、填空题1、中项在前提中、假4、P5、MAP;SAM二、是非题:1、×、×、×、×5、√6、×、√、×、×10、×三、单项选择题:1、B 、B3、E 、C 、A6、A 、A8、D 、C 10、C四、双向选择题:1、B、C、B、C 、C、E、A、D 、C、E6、C、E、C、E 、A、B、B、E 10.A、B五、多项选择:1、A、B、C、E 、D、F、A、E4、B、E5、A、B、C、D、E 、A、C、D、E、B、C、D、E8、A、B、C六、判断、推理题:1.“小松鼠和小花猫是文明公民”是一个联言判断;“文明公民”是一种性质,根据联言判断的规则可以推出“小松鼠是文明公民或小花猫也是文明公民”个结论。

第十四结 异质结

第十四结 异质结

则能带总的弯曲量就是真空电子能级的弯 曲量即
qVD qVD1 qVD2 EF 2 EF1
显然
VD VD1 VD 2
(9-4)
两种半导体的导带底在交界面的处突变 为(导带阶) Ec 1 2 而且 Ec Ev Eg 2 Eg 2
而价带顶的突变(价带阶)Ev Eg 2 Eg1 1 2
异质pn结的注入特性
qDn1 q(VD EC ) qV Jn n20 exp[ ]exp 1 Ln1 k0T k0T
Jp

qDp 2 Lp 2
q(VD EV ) qV p10 exp[ ]exp 1 k0T k0T
势垒区内的正负电荷总量相等,即
(9-12)
qNA1 ( x0 x1 ) qND 2 ( x2 x0 ) Q
式(9-13)可以化简为
(9-13)
x0 x1 N D 2
x2 x0 N A1
面两边的泊松方程分别为:
(9-14)
设 V(x) 代表势垒区中 x电的电势,则突变反型异质结交界
(9-6)


(9-5)
式 (9-4) 、式 (9-5) 和式 (9-6) 对所有突变异
质结普遍适用。
p-n-Ge-GaAs异质结的能带图
突变np异质结的能带图
突变nn异质结

对于反型异质结,两种半导体材料的交界面两边都成了 耗尽层;而在同型异质结中,一般必有一边成为积累层。
突变pp异质结
界面态的影响
(9-33)
(9-34)
(9-35)
从而算得势垒区宽度XD为
21 2 N A1 N D 2 2VD XD qNA1 N D 2 2 N D 2 1 N A1

Python数学实验与建模课件第14章模糊数学

Python数学实验与建模课件第14章模糊数学

第14章
14.1模糊数学基本概念
第7页
定义 14.2 论域U 到[ 0 , 1闭]区间上的任意映射 M : U [0,1], u M (u),
都确定了U 上的一个模糊集合, M (u)叫做 M 的隶属函数,或称为u对 M 的 隶属度。记作 M {(u, M(u)) | u U },使得 M(u) 0.5的点称为模糊集 M 的 过渡点,此点最具有模糊性。
(0.3 0.2) (0.35 0.4) (0.1 0.2)]
[0.3 0.2 0.1, 0.3 0.2 0.1, 0.2 0.35 0.1]
[0.3, 0.3, 0.35].
第14章
14.1模糊数学基本概念
#程序文件 Pex14_6.py import numpy as np a=np.array([0.3,0.35,0.1]); aa=np.tile(a,(len(a),1)) b=np.array([[0.3,0.5,0.2],[0.2,0.2,0.4],[0.3,0.4,0.2]]) c=np.minimum(aa.T,b) # 两个矩阵的元素对应取最小值 T=c.max(axis=0) # 矩阵逐列取最大值 print("T=",T)
x
A。描述这一事实的是特征函数
A(
x
)
1, 0,
唯一确定。
x A, 即集合 A由特征函数 x A,
第14章
14.1模糊数学基本概念
第6页
在模糊数学中,称没有明确边界(没有清晰外延)的集合为模糊集合。 常用大写字母来表示。元素属于模糊集合的程度用隶属度来表示。用于计算 隶属度的函数称为隶属函数。它们的数学定义如下。
的模糊集 M 和 N 可表示为
M

第十四篇原发性醛固酮增多症

第十四篇原发性醛固酮增多症

第14章原发性阿尔德龙增添症概括原发性卵睾酮增添是引发根深蒂固高血压的最常有的系统。

是发声。

高血压的原由之一。

因为纶分泌过多,所以含有钠。

血容量增添,克制肾脏-血管紧张素的活性,典型临床据检查,以固执的高血压、低血钾为主。

特色性症候群。

所以,特发性卵也可能是睾酮增添症及其原由他有原由等。

力学一醛是临床上常有的启迪性高血压的主要原由之一。

20世纪40年月,人们已经证了然。

肾上腺有肺钠作用的物质,1953年有阿尔多斯泰分别了ron,1955年合成了这个荷尔蒙。

康恩对待34岁的女性高血压和低血钾患者。

否认肾炎的诊疗。

说有呢肾上腺皮质腺素分泌过多,经过手术获得确认。

Conn第一发现并报导了这一方案。

分泌高血压的种类,原发性卵也被称为睾酮增添症也被称为“Con症候群”。

Conn好久从前就推断过了。

约20%的高血压是由原发性阿尔德龙增添症惹起的,今后,美国在同一期间占有高血压患者。

上海西金医院1957 ~ 1989年共有314起甲醛病。

已经修睦了。

同一期间住院患者的2%。

肾上腺生理、生化及高正检查技术的发展,正确的实验室检查和先进的影像学诊疗。

跟着人们对这类病的认识提升,肾上腺疾病的诊疗和治疗更简单更有效,检测出了偶发肿瘤患者。

肾脏上腺疾病惹起的系统发声高血压发病率显然高升的趋向外国学者以为,甲醛本来是继发性高血压中除了肾脏疾病以外最常有的原由。

所以。

据计算,在中国高血压患者靠近1亿人,此中1%左右的醛患者达到130万名。

患者大多半都是能够治愈的高血压,早期诊疗、早期治疗很重要这病发病年纪大30 ~ 50岁,女性比男性多1.病因及病理依据病因病理变化和生化特色,原醛有以下5种能够分为种类。

1.肾上腺素选种(aldosterone-producing adenoma,APA)发生在肾上腺皮质区。

这是分泌阿尔多斯泰纶的良性肿瘤代表性的Con症候群。

醛的主要原由,在临床上最多。

种类占65%~ 80%,单调选种最多,左侧为右侧更多,两边或多发性选种只占10%。

第14章 流变学基础

第14章 流变学基础

第十四章流变学基础第一节概述一、流变学的基本概念(一)流变学研究内容流变学—Rheology来源于希腊的Rheos=Sream(流动)词语,是Bingham和Crawford 为了表示液体的流动和固体的变形现象而提出来的概念。

流变学主要是研究物质的变形和流动的一门科学。

对某一物体外加压力时,其内部各部分的形状和体积发生变化,即所谓的变形。

对固体施加外力,固体内部存在一种与外力相对抗的内力使固体保持原状。

此时在单位面积上存在的内力称为内应力(stress)。

对于外部应力而产生的固体的变形,当去除其应力时恢复原状的性质称为弹性(elasticity)。

把这种可逆性变形称为弹性变形(elastic deformation),而非可逆性变形称为塑形变形(plastic deformation)。

流动是液体和气体的主要性质之一,流动的难易程度与流体本身的粘性(viscosity)有关,因此流动也可视为一种非可逆性变形过程。

实际上,多数物质对外力表现为弹性和粘性双重特性,称为粘弹性物质。

(二)剪切应力与剪切速度观察河道中流水,水流方向一致,但水流速度不同,中心处的水流最快,越靠近河岸的水流越慢。

因此在流速不太快时可以将流动着的液体视为互相平行移动的液层,叫层流,如图14-1。

由于各层的速度不同,便形成速度梯度du/dy,或称剪切速度。

这反映流体流动的特征。

由于流动阻力便产生速度梯度,流动较慢的液层阻滞着流动较快液层的运动。

使各液层间产生相对运动的外力叫剪切力,在单位液层面积(A)上所需施加的这种力称为剪切应力,简称剪切力(shearing force),单位为N·m-2,以S表示。

剪切速度(rate of shear),单位为s-1,以D表示。

剪切应力与剪切速度是表征体系流变性质的两个基本参数。

图14-1 流动时形成的速度梯度二、流变学在药剂学中的应用流变学在药学研究中的重要意义在于可以应用流变学理论对乳剂、混悬剂、半固体制剂等的剂型设计、处方组成以及制备、质量控制等进行评价。

第十四章掠入射x射线散射

第十四章掠入射x射线散射

第十四章聚合物材料掠入射x 射线衍射§14.1 引言1923 年Compton 首先报道了当X 射线以很小角度入射到具有理想光滑平整表面的样品上时, 可以出现全反射(亦称镜面反射)现象. 入射X 射线在样品上产生全反射的条件是掠入射角(Grazing incidence angle)i c (c 临界角). 由于照射到样品上的入射角i 很小, 几乎与样品表面平行,因此人们也将X 射线全反射实验称为掠入射衍射(GID)实验. 当X 射线以临界角c 入射到样品上时,射线穿透样品深度仅为纳米级,可以测定样品表面的结构信息; 由于常规的X 射线衍射入射到样品表面的角度较大大部分射线透射到样品中的深度也较大, 是Bragg 反射, 而表面或近表面的X 射线衍射强度则很弱,不能给出样品表面或近表面结构信息.随着科学技术的飞跃发展,对构成器件厚度为纳米级的聚合物薄膜已得到广泛的应用例如, 在微电子器件中经常可见到多层聚合物薄膜的应用, 为了使用性能的要求, 这种多层薄膜不管它们的每层特性是否相同,彼此都必须有很好的粘合性;在医学上将聚合物材料植入人体中,有一点必须保证,那就是被植入人体中的聚合物材料表面一定要与人体中的血液相匹配;聚合物作为抗氧化,抗腐,抗磨的涂膜,在半导体装置的器件中已被广泛采用;有机多层复合膜用于生物传感器以及制作巨磁阻的磁性薄膜等等. 总之,在当今的生活中软物质薄膜已起到越耒越重要的作用. 因此,在原子, 分子水平上对这类薄膜的表面行为和界面行为的表征是极其重要的. 在此基础上, 对其结构和成型条件进行调控,以提高它们的性能和使用范围已日益显得重要.在过去30 多年中,由于表面散射理论的发展,先进实验及检测装置的开发和大功率辐射源的启用,使得应用X 射线散射方法研究薄膜及界面的特性有了长足的进步. X 射线方法由于制样简单,测试后样品一般不被破坏且所得信息可靠,精确;同时被测样品从晶体到非晶体,可以是固体也可以是液体. 故X 射线方法在单层和多层薄膜结构分析中是最被广泛应用的工具. 目前,对各种液体,聚合物,玻璃和固体表面,甚至是复合薄膜材料的表面和界面结构都可以从原子尺度到几十纳米尺度上获得可靠而精确的表征.将X射线全反射与高分辨电子显微镜(HREM)原子力显微镜(AFM),扫描隧道显微镜(STM),变角光谱椭圆仪(VASE)等相结合,用于探求表面和界面在实空间和倒易空间的结构信息,大大推动了材料表面科学的发展.§14.2 掠入射衍射几何分类及其特点§14.2.1 掠入射衍射几何分类掠射衍射几何分类主要有下述三种(图14.1):1. 共面极端非对称衍射(EAD)(图14.1(a))这种掠射衍射的几何特点是衍射面与样品表面之间构成近Bragg 角,入射X 射线与出射X射线同样品表面之间都形成掠射角,衍射线与入射线及样品表面法线共面•2. 共面掠入射衍射(GID)(图14.1(b))此时掠入射衍射面与样品表面垂直,且也是入射X射线与出射X射线同样品表面之间都形成掠射角,衍射线与入射线及样品表面法线共面3. 非共面掠射Bragg-Laue 衍射(GBL)(图14.1(c))这种条件下的掠射衍射几何,实际上是上述两种掠射几何的联合.它含有与样品表面法线倾斜成很小角度的原子平面的衍射,因此倒易矢量s与样品表面形成很小角度;也可以是通过掠入射角度或掠出射角度微小改变形成的掠射X射线非对称衍射•入射线,反射线和衍射线不共面,但均与样品表面间有很小夹角且反射面与样品表面几近垂直.图14.1 掠入射和出射X射线衍射几何(a) EAD X 射线衍射几何(b) GID X 射线衍射几何(c) GBL X 射线衍射几何图中,k j,k f,k s分别为入射波矢,镜面反射波矢,衍射波矢;s是相对于Bragg平面的倒易矢量• i, f, s,分别是k i,k f,k s s与表面间夹角;B为Bragg角.§1422掠入射衍射特点1. 在掠射衍射几何中,Bragg衍射与全反射同时发生,它可以探测沿样品表面或界面内原子尺度的结构变化.在GBL几何条件下,动量的传输是沿样品表面或界面进行;在EAD几何条件下,沿样品表面的动量传输也比较大2. 全反射现象造成Bragg衍射偏离倒易点阵,产生临界掠射角c,反射强度的极大值位于临界掠射角c附近.3. 当掠入射角i稍大于c时,改变入射角可以探测样品表面内部由几纳米到几十纳米不同深度的结构,适宜研究表面,界面和外延生长膜的结构4. 可以探测多层膜的层数、厚度和表面粗糙度等§14.3掠入射X射线衍射仪及实验方法简介§14.3.1掠入射X射线衍射仪掠入射X射线衍射实验装置与通常X射线衍射实验设备的不同之处在于,它采用掠入射角进行样品表面的X射线衍射测量.掠入射X射线衍射实验装置必需具有高的分辨率(0.001 °)和良好的准直系统.Philips 公司和Bruker公司等都有已商品化的掠入射X射线衍射实验装置.图14.2 是日本Rigaku公司生产的ATX-G型掠入射X 射线衍射仪.ATX-G带有全反射面内(XZ平面)三轴,18 KW旋转阳极靶,多层镜与4晶单色器的高分辨及高准直系统.在保证掠射条件下,探测器可在1/4球面范围内扫描.该仪器上可采用其它测量方式进行薄膜的数据采集图14.2 ATX-G 掠入射X射线衍射仪图14.3是掠入射X射线衍射仪光学系统•它是一种典型的全反射测量X射线仪. 由高功率旋转阳极靶产生的辐射首先经过第一狭缝准直;根据对单色化和入射X射线强度的不同要求,单色器可采用石墨晶体,Si单晶,Ge单晶或切割晶体.一般采用切割Ge 晶体,并选用多层镜使射线经过多次反射以提高分辩能力;单色化后的射线再通过第二狭缝进一步准直,整个准直过程可通过计算机自动完成•样品则被置于可控制入射角(i)和出射角(f)的X射线测角仪上.为降低背底散射和出射X射线束的发散度,在探测器前放有狭缝3和狭缝4.11图14.3 掠入射X射线衍射仪光学系统§14.3.2掠入射X射线衍射实验方法简介在做掠入射X射线衍射实验时,为了提高测量厚度d,粗糙度的精确性,将样品置于带有高分辩测角仪的竖直样品架上(图14.4);样品表面的倾斜可通过转动R X和F Y,以达到样品表面法线与Z轴平行且使样品中心正好处于旋转轴与旋转轴交点上.之后再调节样品位置使其与入射X射线对准,这一过程是通过反覆调节Z方向和转动(或)角位置,直到样品位置处于入射X射线束中心.样品在这个位置时,仅有一半的入射X射线强度被检测到.然后将探测器的2 角设置在合宜的位置,再进一步调节Z方向和,角位置,直到探测器能测得其最大强度时,实验前样品位置的调节方为完成.然后可按设定的采样条件进行测试记录.薄膜样品的制备方法有多种,如LB膜、电沉积和溶胶-凝胶法等;一般常用的方法是:将已被事先溶好的待测试样的溶液,滴在Si或SiO2单晶衬底上,采用高速旋转涂膜法,制得不同厚度的样品.图14.4 测角仪示意图图14.5是不同厚度的乙丙共聚物(PEP)薄膜X射线镜面反射强度与Z方向波矢关系曲线.图中,q z k f,z k iz k(sin i sin f)图14.5不同厚度PEP反射强度与q z关系曲线§14.4掠入射X射线衍射基本原理§14.4.1掠入射X射线衍射全反射设具有平面波特征的电磁场,在点r处的电场强度为E(r) E0 exp(ik i r).该电场强度在介质中的传播特性可按Helmholtz 方程表示:E(r) k2n 2(r)E(r) 0(14.1)2这里,k k — , k 是波矢; 是辐射线波长;n(r)是位于r 处的折射率, 对于均匀介质n(r) 是与位置无关的常数.如果具有谐波振动的介质在单位体积内含有 N 个原子,谐振频率为i ,则n(r)为:2 e 2 Nf in 2(r) 1 N2——/(14.2)m o i i i2i i式中, 是入射电磁波频率;e 和m 分别为电子的电荷和质量; i 为阻尼因子;f i 为每个原子的电子强迫振动强度 ,通常为复数•对X 射线,> i ,则式(14.2) 可简化为:n (r)1 (r) i (r)(14.3)式屮,(r)“A NA (r)(Z i f (E))(14.4)2i 1A(r)2r e N A N,「)f (E)(14.5)2i 1A i(r)与色散有关;(r)与吸收有关.必须指出,除了少数材料(例如PE)在X 射线吸收边缘外,一般材料的色散项 (r)大于零;N A 为Avogadro 常数; 为X 射线波长;但应当注意,对那些原子序数大的原子, 的作用不可忽略;同时,随着X 射线辐射波长的增加,X 射线与样品间的作用也增加, 的作用亦不可忽略.在这两种情况下,不论样品的化学结构如何,折射率n(r) 成为复数.在掠入射条件下,X 射线由光密介质(n 1)入射到光疏介质(n 2)时,由于入射角i(r)是位于r 处, 原子量为A i ,原子序数为Z i 的第i个组分的电子密度;经典电2子半径r e (或称Thoms on 电子散射长)的数值为:r e =e=2.81424mc510-(?);f 是实的(色散项)和虚的(吸收项)反常因子.理论计算表明,吸收项值一般要比色散项折射率n(r) 时,常把 (r)值略去,即式(14.3)值小2 3个数量级;故在计算成为:n(r)=1-(r)(14.6)和出射角f都很小,故波矢差q K f K i也非常小(图14.6).当介质为均匀且介质波长远离X 射线吸收边时,折射率可化为2彳re . n 1i — 2 4根据光学中的Snell 定律,由图14.6可知:式(14.9)表明,由光密介质进入到光疏介质中, 若n2>1,由式(14.6)知,<0,贝U t > i当i c 时没有折射出现,称为全反射(或称镜面反射).当然,由于吸收作用将有很小的反射损失.在全反射下,X 射线不能深入到介质中.全反射是研究薄膜表面结构的重要 方法,它在研究表面和界面结构,吸附,相变,粗糙度中都得到了广泛地应用 .当入射X射线同样品表面夹角在c 附近时,伴随的Bragg 衍射,其散射线的穿透深度仅为几纳 米,可以测定样品表面原子排列,称为二维X 射线散射.由式(14.9)可知,如果t =0,此时的j 即为t ,则cos c =cos i = n 2=1-,所以:反射波矢K f 和折射波矢K t (图中t 为折射角)(14.7)式中, nicos i =n 2cos tn 1, n 2是介质1 , 2的折射率.由于真空或空气的 cost =cos i /n 2(14.8)n 1=1,所以式(14.8)化为:(14.9)此时对任何入射角的值,都有 t 与之对应.反之,如果n 2<1,即>0,则t < i ,由此可以看出,当j 小到某一值时,t 0,则cos t =1.把 t =0时对应的度称为临界角并以c 表示.上述结果说明,只有在i > c 时,t >0,有折射发生;图14.6 位于XZ 平面内的电磁波在掠入射角为 i 条件下,入射波矢K(14.10)式(14.10)表明,临界角c与X射线波长和介质的电子密度有关.当介质一定时,越大,c也越大•表14.1列出了部分材料的某些相关参数值表14.1部分材料的r e ,,和c值材料10 2 \r e (10 cm )(10 6)(cm 1)c/()真空0000PS(C8H8)n9.5 3.540.153PMMA(C 5H8Cl)n10.6 4.070.162PVC(C2H3Cl)n12.1 4.6860.174PBrS(C8H7Br)n13.2 5.0970.181Quartz(SiO2)18.0-19.7 6.8-7.4850.21-0.22Silicon(Si)20.07.61410.223Nickel(Ni)72.627.44070.424Gold(Au)131.549.641700.570表14.1表明,c值很小,通常为一度的十分之几.对X射线而言,的量级为10-6,可见折射率n稍小于1.当将通用的PE样品置于空气中时,由于它的<0,所以它没有c值,不存在全反射现象.上述讨论中,应用X射线研究聚合物薄膜时,入射线的偏振不是主要的,因此偏振效应不予考虑.对一些小分子材料,由于这些材料具有较高的取向或具有一定的磁矩,在这种情况下,X射线入射线的偏振不能忽略.§14.4.2反射系数和透射系数设仅考虑具有平整光滑的真空/介质单层界面(图14.6).介质1 (真空)中平面电磁波强度为E i(r) (0,A,0)exp(i% r),以波矢匕k(cos i ,0, sin J,临界角为c入射到具有折射率为n 1 i 的介质2的表面上,在这一条件下产生的反射波强度为E f(r) (0,B,0)exp(ik f r),其中波矢k f k(cos i ,0,si n J;透射波强度为E t(r) (0,C,0)exp(ik t r),其中波矢k t (k t,x,0,k t,z) ■ G,k t,z可以根据折射定律确定假定垂直于XZ平面在Y方向的电磁波呈线性偏振切向分量是连续的,则反射系数和透射系数分别为(S-偏振),在Z=0平面上电磁场的r s=B/A ,t s=C/A.由Fresnel 公式有:k i,z k t,zk i,z kt,z(14.11)同理,位于XZ 平面内,垂直于Y 方向的电磁波偏振是线性的 和透射系数分别为反射波的强度,即Fres nel2 反射率定义为:R = r .当i 较小时,可以得到R f 为:其中,P 1和円分别为折射角tP 1 ip 2的实部和虚部(14.12) 由图 14.6 可知, k i,z ksin i , k t,z k t,z k(n 22 cos i )12,把上述 k i,z , 小量, 则有 r s sin i (sin 2 i 2 sin i (sin 2 i 2t s 2K ,zk i,z kt,z1)'2 nksin t ,再由式(14.9),经过简单运算可得, k t ,z 代入式(14.11) 和式(14.12),略去高阶 (14.13) t s2 si n isin i (sin 2i 2 ) 2(14.14)rP(14.15)tpn 2k i,zn 2k i,zk t,z kt,zn 2k i,zk t,z(14.16)亦即, 2 12 (1 2 )sini (sin i2 ) 2r p~(1 2 )sin i(sin 2i2 ) 2(14.17)t P2 sin i2 ~ (1 2 )sin i(sin 2 i2 ) 2(14.18)将式(14.11) 和式(14.12) 同式(14.15) 和式(14.16)比较可知,X 射线在掠射情况下,n 1,所以r p =r s , t p =t s .本文仅考虑S-偏振现象.P 1)2 P 1)2P 2 (14.19)P 22P1c2)2 (i 2(P-偏振),则其反射系数(图中采用CuK X 射线,Si/真空界面, =7.56 g 6, c =0.22 0 )i >3 c 时,R f 可以简化为:材料的反射率是重要的物理参数, 由式(14.19) 和式(14.20) 可知,通过改变入射 X 射 线波长或改变入射角i ,这两种方法均可测得材料的 R f 值.同时亦可知道,当 i 很大时,R i 4,这表明R f i 4 常值,与第十二章所述 Porod 定律相比可知,由于-4i k i ,因此对于明锐的相界面,在较大 k 值下,小角散射强度I(S) k .实际上,由于界面存在粗糙度,并非理想光滑,反射率R f 随i 增大,其下降速度比 i 4关系更快些.2P22)24 2图 14.7 给出了 Fresnel反射率R f 与图14.7 在不同的 值下反射率R f 与 关系曲线图14.7表明,对不同的值, 当固定时,吸收作用仅在临界角 c 附近1),才有明显的作用;当i > c 时,R f 值迅速下降•由式(14.19)可知,f (2i)4(14.20)时,对不同的 一 值下,T f 达到最大值.同 =0(无吸收)情况相比,随着吸收() 增加,T f 值稍偏向小 c 方法移动•这是因为反射波和透射波的干涉造成了透射波振幅增加所致•当 i 较大时,T f1,此时入射波较容易的进入到介质中 .在 i处,瞬逝波(波在Z 方向的传播按指数衰减进行,透射到样品表面下的深度极小, X 射线衍射强度急剧衰减)的最大透射强度可用下述近似式计算:(14.21)知,具有复数形式的折射角为:t P 1 ip 2,在介质表面下(Z0),电场强度 E t 的 数值为:E t E t C exp i(k i ,x x kzp 1) exp(kzp 2)(14.22)当i c 时,p 2很大,由式(14.22) 可知,电场强度E t 急速下降,波的传播按指数衰2图14.8是Fresnel 透射率T f = t关系曲线•从图中可以看出,当CuK X 射线,Si/真空界面, =7.5610 6§14.4.3 X 射线穿透深度通常,由于吸收效应,入射X 射线波在进入到样品中后, 会不断衰减,将入射X 射线强度衰减为原来强度的1/e 时,X 射线达到的深度,定义为穿透深度由式(14.19)Tf=_4_c图 14.8不同的值下透射率T f关系曲线(图中采用c =0.22,小图为减进行(又称瞬逝波),此波波矢与介质表面几乎平行,其穿透深度1” 2 2)2 ,2 - 1 c) 4 2( :2)三(14.23)式(14.23)说明,穿透深度随掠入射角i改变,因此测定不同深度的结构,可以通过调整i来达到.当i0时,1(14.24)0 2 c<4 r e可见此时穿透深度0与无关.对大多数材料0 5nm.从°值也进一步说明,当入射X射线角度很小时,散射主要发自于靠近样品表面•利用这一性质可以探测材料的表面结构•图14.9表明,当i >1时,此时X射线仅受材料的吸收影响,穿透深度迅速增加•理论上当=0,即无吸收作用时,具有无限大的穿透深度从式(14.23)可以导出,最大穿透深度(14.25)对大多数材料,在严时,max 10 4-10 5 ?.i 2§ 14.5多层膜系统§14.5.1双层膜系统X射线,Si/真空界面, =7.56 10 6,c=0.22 °)max图14.9 在不同的 _ 值下穿透深度与i 关系曲线(图中采用CuK实用器件中常采用多层膜结构以达到特殊使用要求, 因此对多层膜表面结构的研究比单一表面层结构研究更为重要 •对于多层膜结构所有各个界面的散射都必须计及•图14.10是双界面结构衍射几何图•将处于真空(或空气)的薄膜样品(介质1)置于衬底(介质2)之上.由图14.10可知,如果以 r o,1表示真空与样品间的反射系数; 以r 1,2表示样品与衬底间的反射系数;d 为样品厚度. 在此条件下的反射系数为:r o,1「1,2 exp(2ik 1,z d)r s1 r o,1「1,2 exp(2ik 1,z d)由此可进一步得到反射率 R o,z 为:=「0,12「1,2 (1 r o,1 )exp(2ik 1,z d)1 「。

第十四章 比较优势理论与区域分工 《区域经济学》PPT课件

第十四章  比较优势理论与区域分工  《区域经济学》PPT课件
(二)来自于现实的严峻挑战 严重地忽略了“后进经济在原先不具备比较优势的领
域或部门大幅提高了生产率”的情况。 在全球化背景下,如果我们遵循比较优势定理,有可能
只会强化区域分工的不平等地位。也就是,发达地区占 据高附加值产品生产,而欠发达地区只能永远处于低附 加值一端,从而导致全球化利益严重偏向发达地区。
(二)城市竞争与区域合作的相互对立 当城市经济发展到一定阶段时,城市之间的互斥竞争
中不同城市生产相同商品并且各自竞相试图将对手挤出 市场,从而引起了城市竞争与区域分工相互对立。在这 种情况下,尽管技术的差异性、产品式样的不同或者在 某一领域的专业化在各城市相互的交易中起着明确的积 极作用。但是,当一个城市担心通过专业化而造成自己 对其他城市的依赖时,没有哪个城市愿意实行全面的专 业化。
(一)区域内部的合作与竞争 城市之间的共同体关系是通过经济互利联系在一起的,
这种好处首先是通过区域分工实现的。 现实中,即使是产业和产品结构完全不同的城市之间,
也不存在完全没有竞争的情况。竞争使区域内不同城市 的竞争者平等地进行各自局限条件下利益最大化的产品 生产偏好的选择。
二、城市竞争与区域协作的对抗性
第三节 比较优势与区域分工理论的发展
一、比较优势理论内涵与外延的拓展: 1、从静态比较优势到动态比较优势 2、从先天优势到后天优势 3、从外生比较优势到内生比较优势 4、从比较优势到竞争优势
二、基于新贸易理论的区域分工
(一)D—S模型
新贸易理论建立在迪克西特—斯蒂格利茨(DixitStiglitz,1977)模型(简称D—S模型)基础上。
无法解释等优势或等劣势贸易模型
一旦出现此种等优势或等劣势的情况,即便具有相当的普 遍适用性,李嘉图的比较优势理论及其基本原则“两优择其 甚,两劣权其轻”就不再灵光了。人们惊异地看到,李嘉图陷 入了“此优为彼优,无甚可择”或“彼劣即此劣,何以权轻” 的尴尬境地。

第十四章 公共危机管理

第十四章 公共危机管理

• 1.形象修复理论(imageRecoveryneory) • 威廉· 班尼特的形象修复理论建立在“个人或组织最重要的 资产是它的声誉”的假设之上,认为就像其他有价值的资产 一样,声誉或公众形象应从战略高度去维护,任何社会组织 必须最大限度地提高其声誉和形象。据此,班尼特把他的危 机管理模式分为五个大的战略方法,其中很多又可细分为不 同战术。 • 五大战略方法为:否认;逃避责任;减少敌意;修正行动; 自责。此外还有其他14种战术等(P394)。前两个战略强调 责任,后两项与敌意有关,最后一项则是表达自责。 • 班尼特认为,“社会大众对责任的看法比真相本身来得重 要。也就是说,只要大众认为组织该负责,那么不管真实情 况如何,组织的形象就已经受到波及,必须赶紧进行形象修 复的行动”。。 • 形象修复理论着眼于危机应对中的“言说策略”,即关注 危机发生时组织说了些什么,强调恰当的信息表达有利于修 复组织受损的形象与声誉。但这一理论并没有关注“危机情 境”的影响。 • 如2003年我国SARS病毒蔓延,引出引咎辞职制度。

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二、公共危机的分类、分级与分期 (一)公共危机的分类 (1)据公共危机产生的诱因,可分为: 外生型危机:指由于外部环境变化带来的危机; 内生型危机:指由于内部原因所引发的危机; 内外双生型危机:指由外部环境与内部原因交互作用而产生的危机,如美国 “卡特利娜”飓风事件,首先是由飓风诱发的,后由当局的处理不力而引发了公共 危机。 (2)据公共危机发生的领域,可分为: 政治性危机:如战争、武装冲突、恐怖主义活动等; 社会性危机:如社会骚乱、罢工等; 宏观经济性危机:如恶性通货膨胀或通货紧缩、失业率居高不下等; 生产性危机:如工作场所安全事故、产品安全事故等; 自然性危机:如地震、火山、流行性疾病等。 (3)据公共危机中主体的态度,可分为: 利益一致型:在危机情境中,所有相关的利益主体具有同质的要求时,就属于 利益一致型危机,大部分天灾都属于这一类型,譬如印度洋大海啸; 利益冲突型:当危机中各相关利益主体有不同利益诉求时,或存在两个或两个 以上不同要求的利益主体时,就属于利益冲突型危机,如2005年法国巴黎骚乱。 (4)据公共危机状态复杂程度、性质和控制的可能性等,可分为: 结构良好的、结构不良的

高教社数字贸易教学课件第14章 数字贸易成本

高教社数字贸易教学课件第14章 数字贸易成本
第十四章 数字贸易成本
第一节 数字贸易成本的内涵与外延
二、数字贸易成本的外延 ➢不同之处在于产生贸易成本的环节和贸易成本的大小方面:
• 在产生贸易成本的环节方面,传统贸易主体利用传统手段推广和宣传产品,并寻 求外商求购信息,最终以线下的方式实现商品、劳务、技术和服务等产品的交易。 主要产生贸易成本环节在于产品的国际买卖信息搜寻环节、运输环节、国际间政 策壁垒 环节、贸易合同实施环节、汇率浮动环节等。
第十四章 数字贸易成本
第一节 数字贸易成本的内涵与外延
专栏14-1 数字贸易交易的成本分析 ➢实际上,正是服务的生产与消费克服在时间上分离成本的降低,更能体
现出交易成本从空间和时间两个维度划分的价值所在。 ➢原因在于,空间上的分离,只是传统国际贸易方式的数字化,是类似于0
到0.5的量变,提升的是效率,而并不改变交易的性质,对国际规则的影 响,更多的是造成了与传统方式的“不公平”竞争,需要以规则的更新 和增强包容性来予以应对。 ➢而服务的生产与消费在时间上的分离,则极大地颠覆了全球要素资源的 创造方式和分配方式,造就了类似于从0到1的质变,改变了对国际贸易 既有发展模式和路径的认知,从而也对治理规则提出了新的要求。
可能性,即实现了由不可物化到可物化的变化,由不可跨境交易到可跨境交易的 转变,进而降低了交易成本,促进双边贸易效率的提高。
第十四章 数字贸易成本
第一节 数字贸易成本的内涵与外延
一、数字贸易成本的内涵 ➢基于上述数字贸易与传统贸易对贸易成本影响的差异可以得出:
• 数字贸易实现传统贸易方式的重大变革,即互联网技术可作为基础技术对传统的 货物或服务实现在线交付。这种既可以缩短配送时间Байду номын сангаас可以降低贸易成本的无纸 化交易,未来将逐渐成为贸易和支付方式的主要形式。

[原创]行政组织学选择题及解答(第13-14章)

[原创]行政组织学选择题及解答(第13-14章)

第十三章行政组织的绩效管理一、单项选择题(每题只有一个正确答案)1、经济性指标一般指行政组织投入到管理中的资源,其关心的是行政组织的___________。

A.投入B.结果C.手段D.质量2、效果通常是指公共服务符合政策目标的程度,其关心的是___________。

A.投入B.结果C.手段D.质量3、效率就是指投入与产出之间的比例,力求以最少的投入获得最大的产出,其关心的是___________问题。

A.投入B.结果C.手段D.质量二、多项选择题(每题有两个和两个以上正确答案)1、行政组织绩效的外延,除了内部的管理绩效,还包括:___________。

A.政治绩效B.社会绩效C.经济绩效D.文化绩效2、一个有效的绩效管理系统必须具备以下构成要件:___________。

A.计划绩效B.监控绩效C.评价绩效D.反馈绩效3、绩效指标包括的要素有___________。

A.考评要素B.考评标志C.考评对象D.考评标度4、在选择绩效评估指标时应遵循的原则是:___________。

A.目标一致性B.可测性C.独立性D.差异性参考答案:一、单项选择题(每题只有一个正确答案)1.A2.B3.C二、多项选择题(每题有两个和两个以上正确答案)1.ABC2. ABCD3.ABD4.ABCD第十四章组织变革与发展一、单项选择题(每题只有一个正确答案)1、哈佛大学教授格雷纳1967年在《组织变革模式》一书中提出_______________。

A.按机构来划分的组织变革模式 B. 按权力来划分的组织变革模式C.按职能来划分的组织变革模式 D. 按人员来划分的组织变革模式2、组织发展起源于20世纪50年代初的调查反馈方法和实验室培训运动。

它的先驱是法国心理学家_______________。

A.哈特B.孔茨C.西蒙D.烈文3、1957年麦格雷戈应邀到联合碳化公司与公司人事部门联合成立顾问小组,把实验室训练的技术系统地在公司使用。

《物演通论》中“存在”的定义(曾蓉答许多山问)

《物演通论》中“存在”的定义(曾蓉答许多山问)

《物演通论》中“存在”的定义:(第1章):哲学上所谓的“存在”仅指感知的“存在”仅指感知中的对象之总和。

(第14章):“存在”——它不仅表象为一般外延上的所有具体存在者之总和,而且抽象为纵深内涵上的所有具体存在物之源流,而并不与存在物的感应状态或感知状态相关。

唯因如此,它才得以从可望而不可及的感性存在逐渐演成(或相对存在为)不可望而可及的理性存在。

(第四版概念注释):简称“在”,是对“存在者”(简称“在者”)的总体抽象,因而它一定是主观化了的存在,而不可能是客体的总和。

注:三种“存在”的概念是不矛盾的。

第一种之所以用“所谓”是因为《物演通论》作为哲学书必须和西方哲学史包括西方哲学家用的概念关联起来,能沿用就尽量沿用而不必生造词,但实际上作者“存在”的内涵和外延已经和古希腊最早追究存在本体时用的“存在”不同了,所以会加上“所谓”二字。

因为古希腊追究的存在本体是一个恒定的不变的存在,而作者认为这种恒定的不变的存在是不存在的,如古希腊追究存在本体一路追究到“质料”因的原子,乃至现代更无限可分的基本粒子,其实都是我们逻辑形式(“感知”中的“感性”、“知性”、“理性”都是逻辑形式)作用下的结果,另一路追究到“形式”因的毕达哥拉斯的数论、欧几里得的形论、柏拉图的理念也都是主体的逻辑形式。

而这个逻辑形式是变动的,如质子的逻辑形式是理化感应、扁形动物的逻辑形式只有感性,脊椎动物有了知性,及至人类才有完整的感性、知性、理性,但人类的智质继续分化,这个逻辑形式是永远随着主体的衍存位相的变化而变化的。

要全面理解全书第一句对存在的定义,肯定需要理解卷二的“感知”(整个卷二都是解读作为广义逻辑的“感知”),更要理解“所谓”二字,这样才明白“递弱代偿的存在论模型”作为作者“感知中的对象的总和”,并没有把存在固定为一个恒定不变的东西,而是一个在固定衍存区间内从无属性的“在”分化衍动为有属性的全体“相对存在”的流程。

第三种定义中作者的“总体抽象”和第一种的“感知”并无区别,其中已经包含了对范畴结构的梳理和抽象,而不仅仅是既往哲学家横向的对“在者”观念抽象(所以全书第二句说“一般认为,存在或在是对存在者或在者的观念抽象”,这里的观念抽象没有包括作者特有的对于纵向范畴的抽象,所以作者与既往哲学家不同,把存在的相对性作为整个理论的逻辑起点,才有第三句“从根源上说,不是在者集合成了在,而是在分化出了在者”,这是作者特有的纵向抽象视角)。

法理学(第13-14章)法律职业与法律方法PPT课件

法理学(第13-14章)法律职业与法律方法PPT课件

(二)法律职业共同体
2.法律职业共同体的实现途径 (1)规范法律教育,统一职业培训。 (2)严格任职条件,统一资格考试。 (3)实施行业自治,强化职业联系。
2021/3/12
6
三、法律职业素养
(一)法律职业技能 1.法律职业的语言技能 2.法律职业的思维 3.法律职业的知识 4.法律职业的技术
(二)法律职业伦理 1.法律职业道德 2.法律职业信仰
的的原则 • 4.整体性原则
2021/3/12
12
(三)法律解释的一般方法
• 1.字面解释
• 2.文理解释
• 3.同类解释
• 4.目的解释
• 5.历史解释
• 6.当然解释
(四)法律解释的特殊方法
• 1.限缩解释
• 2.扩张解释
• 3.反对解释
• 4.社会效果解释
• 20521./3/1利2 益衡量
4
二、法律职业主体
(一)法律职业主体的范围
1.法官 2.检察官 3.律师 (二)法律职业共同体
1.法律职业共同体的内涵
• 法律职业共同体是指以法官、检察官和律师为代表 的法律人自觉形成的同质性、高素质的自治性统一 体。
• 法律职业共同体的形成包括两个要素:一是外在组 织形式,即各法律职业严格按照行业化管理的原则 实现自治。二是内在精神特征,即各法律职业应当 形成统一的知识传统、学识背景、思维方式和价值 观念 2021/3/12,从而确保整个法律职业的同质性,并进而达5 到相互理解、相互认同。
第十三章 法律职业
• 教学目的:领会法律职业的涵义和标志, 了解法律职业的历史,熟悉法律职业的机 构、主体和法律职业共同体,理解并践行 法律职业素养。
• 教学重点:我国法律职业机构的设置和法 律职业伦理。
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14.2.2 热动力学
2 、需要采用与 CVD 技术中类似的方法,通过将 VPE 过程 分成几个连续步骤 来建立描述VPE的更精确的模型。 分成几个连续步骤,来建立描述 的更精确的模型 ① 气相分解; ② 传输到硅片表面; 1)VPE步骤包括: ③ 吸附; ④ 扩散; ⑤ 分解; ⑥ 反应副产物的解吸附。
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14.2.1 气相外延的原理
硅片上外延生长硅
Si Cl Cl
H H H
Cl
副产物 化学反应 淀积的硅
Si
H
Cl
Si Si Si Si Si
外延层
Si Si
Si
Si Si
单晶硅衬底
Si
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14.2.1 气相外延的原理
各种硅源优缺点:

SiHCL3,SiCL4 常温液体,外延生长温度高,但是生长速度快, 易纯制,使用安全。是较通用的硅源。
Mass Transfer Limited: v hg
Ng N Ng N
for k S hg for hg k S
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Surface Reaction Limited: v k S
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14.2.2 热动力学
1) Deal模型是一个半定量模型,它将外延生长过程过于 简单化处理:
其中,hg是质量传输系数,Ks是表面反应速率系数,Ng和Ns分别 是气流中和圆片表面的反应剂浓度。
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14.2.2 热动力学
外延薄膜生长速率可写为:
Growth Rate k S hg N g JS v N k S hg N
其中,N是硅原子密度(5×1023cm-3)除以反应剂分 子中的硅原子数。
微细加工与MEMS技术
第十四章
外延技术
微固学院 邓小川
xcdeng@ g@
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本章主要内容:


外延技术的基本原理 外延设备的特点与应用
本章知识要点:
掌握外延技术的类型和原理 掌握外延层掺杂及浓度分布 理解气相外延技术的数学模型
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电Page 5
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14.1


外延层和衬底相同,称为同质外延; 外 层和衬底相同 称为同质外 例如 Si-Si 例如: Si Si;SiC-SiC SiC SiC; 外延层和与衬底不一致称为异质外延; 外延层和与衬底不 致称为异质外延; 例如:Si-GaN;Sapphier-GaN。 外延可在重掺杂的衬底上生长轻掺杂的薄层, 这样可以提高耐压同时降低导通电阻。
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14.2.1 气相外延的原理
氢还原法:
利用氢气还原产生的硅在基片上进行外延生长。 氢气用来运载和稀释气体,且是反应中的还原剂。T = 1200 oC SiCl4 + 2 H2 -> Si(固体) + 4 HCl 外延过程中,还存在腐蚀硅的反应。 SiCl4 + Si(固体) -> 2SiCl2 上述两种反应的综合结果按照 SiCl4 的浓度可以是外延的生长 或衬底的腐蚀。 或衬底的腐蚀


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14.1


桶式外延炉
较好防止外延滑移错位, 外延层厚度和电阻率的均匀 性好; 设备结构复杂,不易维护。 设备结构复杂 不易维护
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14 2 气相外延生长的热动力学 14.2
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14.2.1 气相外延的原理
气相外延(Vapor Vapor-Phase Phase Epitaxy , VPE)是集成电路制造 工艺中最普遍使用的外延工艺,实际是一种高温 CVD 工艺。 普通气相外延的温度高达1200oC 左右。若温度太低,不但 影响生长速率 而且会使外延膜从单晶变成多晶 影响生长速率,而且会使外延膜从单晶变成多晶。 在高温下,杂质扩散很严重,难以获得极薄的或掺杂浓度 突变的外延膜。降低温度是气相外延的发展方向。现在某些外 延已经可以在 1000oC 以下的温度进行。利用快速热处理 CVD 单片系统已经实现 单片系统 实现 800oC 下极薄的高质量 下极薄的高质量硅外延膜的生长。 外延膜的 长
固相外延 (SPE)
在离子注入所形成的的无定形层的退火过程中形成再结晶层。
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14.1


金属有机物CVD(MOCVD)
指淀积金属以及氧化物的多晶或无定型膜。MOCVD是VPE的 一种,一般被用来淀积化合物半导体外延层。主要用于激光器、 发光二极管以及光电集成电路,也可以用来为未来的 IC 制造 淀积有机低K绝缘层。
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14.2.2 热动力学
1、Deal 模型:
与氧化模型类似,假设粒子穿过气体边界层的流量与薄 膜生长表面化学反应消耗的反应剂流量相等。 膜生长表面化学反应消耗的反应剂流量相等 与热氧化生长稍有不同的是,没有了在 SiO2 中的扩散流。
J S kS N S Dg Jg N N S hg N g N S g
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14.2.1 气相外延的原理
气相外延生长过程: 1. 反应剂输运到衬底表面(质 量输 量输运); ; 2. 在衬底表面发生化学反应释 放出硅原子; 放出硅原子 3. 沿着衬底晶向成核,长大成 为单晶层(表面反应); 4 晶核不断长大并扩展,临近 4. 晶核不断长大并扩展 临近 晶核相连形成晶面。
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14.2.1 气相外延的原理
(1) 逐层生长(Layer Growth) 理想的外延生长模式
(2) 岛式生长(Island Growth)
超饱和度值越大, 吸附分子主要在台 面中心结团生长。
(3) ( ) 逐层+岛式生长(Layers y and Islands Growth)
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14.1


按工艺分类 按反应室分类 按材料异同分类 按外延温度分类 按反应压力分类 按电阻率高低和导电类型分类 按外延厚度和结构分类 按外延生长方法分类
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14.1


外延生长方法- 外延生长方法 Epitaxy E it G Growth th Methods M th d 气相外延Vapor-Phase Vapor Phase Epitaxy (VPE) 液相外延Liquid Phase Epitaxy (LPE) 固相外延Solid Phase Epitaxy (SPE) 金属有机外延Metalorganic CVD (MOCVD) 分子束外延Molecular-Beam Epitaxy (MBE))
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14.1
外延材料优点


提高材料的厚度均匀,电阻率一致性好; 降低隔离区面积,提高集成度; 外延与衬底之间的区域有吸除缺陷的作用, 能够提高外延层的少子寿命; 采用高阻薄外延层能够降低衬底寄生电容, 提高电路速度; 改善电路的功率特性和频率特性; 改善电路的功率特性和频率特性 降低闩锁效应。
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14.2.1 气相外延的原理
对外延片的质量要求:
电阻率 厚度 均匀性 位错和层错密度等 电阻率、厚度、均匀性、位错和层错密度等。
按照反应类型:
氢气还原法和直接热分解法。
氢还原法:利用氢气还原产生的硅在基片上进行外延生长。 直接热分解法:利用热分解得到Si。
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a. 外延与氧化不同,衬底表面和气相中存在多种化学反应过程 b. 存在大量的、影响外延生长(促进或阻碍)的过程
例如: 在Si-H-Cl系统(SiH2Cl2+H2)中, I ) SiCl2 、 SiCl4 、 SiH2 等含硅粒子在衬底表 面的形成过程会阻碍硅外延层的生长; II)Cl的存在会刻蚀吸附在衬底表面的硅原 子或衬底表面本身的硅原子 子或衬底表面本身的硅原子。
6
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14.1


例 1、兰宝石上外延硅(SOS) 主要问题是外延层上的缺陷较多 解决办法是将外延层长 主要问题是外延层上的缺陷较多。解决办法是将外延层长 得很厚,因为缺陷虽然会向上传播,但不会贯穿整个外延层。 SOS 技术现正受到 技术 受到 SIMOX 技术和键合 技术 键合 SOI 技术的挑战。 技术的挑战 例 2、硅上外延 GaAs GaAs 与 Si 有相同的晶格结构,但晶格常数则大 4 % 。也 可生长厚外延层以减少缺陷,或交替淀积多层异质薄膜(称为 应变层超晶格)来分散应力。 例 3、硅上外延 硅上外延 GeSi G Si 在硅上可外延出 GeSi 赝晶层,并已制作出各种 GeSi 异质 结电子器件和光电子器件。

SiH2CL2,SiH4 常温气体, SiH2CL2 使用方便,反应温度低,应 用越来越广。 SiH4反应温度低 用越来越广 反应温度低,无腐蚀性气体, 无腐蚀性气体 但是会因漏气产生外延缺陷。
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14.2.2 热动力学
与 CVD 工艺相同,气相外延过程为:反应气体从反应室 入口处向硅片附近输运 通过同质反应生成系列次生分子 次 入口处向硅片附近输运,通过同质反应生成系列次生分子,次 生分子扩散穿过滞流层到达硅片表面并被吸附,在硅片表面发 生异质反应生成单晶硅,气体副产物解吸附并被排出系统。
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14.1
卧式外延炉

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