模拟电子技术试卷及答案样本

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模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。

2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。

6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。

集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。

二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。

CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。

【2024版】模拟电子技术试题库及答案

3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

模拟电子技术试卷及答案

模拟电子技术试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题1.二极管的伏安特性曲线上共分个工作区；二极管正常工作在伏安特性曲线的正向导通区，但导通压降最少需在 1.3V 以上；二极管正常工作在伏安特性曲线的反向截止区；二极管正常工作在伏安特性曲线的反向击穿区。

2. 型三极管是用基极小电流控制集电极大电流的控制型器件；型三极管是用栅源间电压控制漏极大电流的控制型器件。

3. 放大电路中的负反馈类型分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈四种。

4. 由运放的理想化条件导出的两个重要概念是和，是运放线性应用电路分析的重要依据；在运放非线性应用电路的分析中，的概念不再成立，的概念仍然适用。

5. 实用技术中，串联型直流稳压电路应用较为广泛，它通常由环节、基准电压、环节和四部分组成。

其中工作在放大状态。

（本题共12小题，每小题1分，共12分）二、判断正、误题 1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。

（） 2. 双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

（） 3. 本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P 型半导体，其多子是空穴载流子。

（） 4. OTL 甲乙类功放采用了单电源供电方式，其输出大电容起负电源的作用。

（） 5. 功率放大器中，甲乙类功放的性能最优良，高保真较甲类强，效率较乙类高。

（） 6. NPN 型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。

（）7. 不同类型的放大电路，其静态分析的目的也各不相同，但动态分析的目的总是相同的。

（） 8. 频率响应引进的失真属于线性失真，放大电路的饱和失真和截止失真则是非线性失真。

（） 9. 无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。

（） 10.并联型稳压电路中的整流环节通常采用整流桥，滤波环节大多采用电感元件。

（） 11.有源负载在放大电路中的作用主要用来消除电路中的交越失真。

模拟电子技术试题(含答案)

模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。

A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。

A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ），则说明引入的是负反馈。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。

答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

《模拟电子技术》试卷及答案

《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

模拟电子电路技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题1一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。

自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。

4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。

5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。

6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。

7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。

为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。

8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。

9、反馈导数F=（）。

反馈深度是（）。

10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。

11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。

12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。

低频信号称为（）、高频信号称为（）。

13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。

共基极电路比共射极电路高频特性（）。

14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。

15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。

二、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。

A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo高B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。

专科《模拟电子技术》模拟题试卷

专科《模拟电子技术》模拟题试卷一. （共60题,共150分.1.理想的功率放大电路应工作于.)状态.（2分.A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案: C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于.)处将产生顶部失真.（2分.A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案: A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是.)接法.（2分.A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案: B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时, 应采用的最佳滤波电路是.).（2分.A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案: C5.为了提高电压放大倍数, 希望放大电路的.)大一些.（2分.A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案: D6.当PN给外加反向电压时, 其内部的扩散电流将.)漂移电流。

此时, 耗尽层的宽度将.).（2分.A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案: C7.差动放大电路的特点是抑制.)信号, 放大.)信号.（2分.A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案: B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位.).（2分.A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案: A9.直流电源滤波的主要目的是: .).（2分.A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案: D10.电路如图所示。

若V1管正负极接反了, 则输出.). （2分.A.只有半周波形B.全波整流波形, 但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案: D11.双极型三极管是控制器件, 当其工作在放大区时发射结需要加偏置, 集电结需要加偏置。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

模拟电子技术试题(一)---答案

模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。

（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。

（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。

（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。

（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。

（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。

（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。

（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。

（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。

（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。

（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。

A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。

A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。

(完整版)模拟电子技术测试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。

13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。

专升本《模拟电子技术》-试卷-答案

专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。

（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。

（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。

（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。

（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。

（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。

（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。

（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区标准答案：A9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。

（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。

（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（2分） ( ) 标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。