大学物理 高斯定理环路定理
大学物理 高斯定理环路定理
1 E dS ε0
第10章 静电场
n
Φe
S
qi
in
i 1
6
轴对称性电场
例10.8 P17 “无限长” 均匀带电直线,电荷线密度为 + 求 电场强度分布。
解 电场分布具有轴对称性
第10章 静电场
7
解
电场分布具有轴对称性 ,以高为l 的同轴圆柱面为高斯面,电通量 e E dS
ADC
B
D
C
E
q0 ( E dl
ABC
E dl ) 0
CDA
A
结论:沿闭合路径一周, 静电场是保守场! 电场力作功为零.
E dl 0
l
在静电场中电场强度的 环流为零。
第10章 静电场
20
练习 试用静电场的环路定理证明,电场线 为一系列不均匀分布 的平行直线的静电场 不存在.
第10章 静电场
q0
q
rA
A
18
任意带电体的电场(点电荷的组合)
E
i
Ei
A q0 E dl
l
q
0 i
l
Ei dl
结论:静电场力做功,与路径无关.
第10章 静电场
19
二
q0
静电场的环路定理
E dl q0
ABC
E dl
dA qq 0 4 πε0r
2
电势能
B
dr
dl
rB
r
er
E
大学物理 静电场2-高斯定理、环路定理
S′ SS r
q
29
证明:
ΦE=
∫S E ⋅ dS=
1
ε0
∑qi
S内
设真空中有一点电荷q,在q 的电场中,
(3) 若球面S 或任意曲面S′不包围电荷q
穿入的
穿出的
S′ S
电场线
电场线
q
Φ=E ∫S′E′ ⋅ dS=′ ∫S E ⋅ dS = 0
即:曲面外的电荷对曲面的电通量无贡献
30
证明:
ΦE=
将电荷qo从a点移动到b点, 电场力作功 A=?
q rb
.b 在任意点c, qo的位移dl ,
ra r
a.
r +dr c dl
qo
dl F
α
受电场力 F = qoE 元功为 dA= F ⋅ dl
dA = q0E .dl = Fdl cosα =Fdr dl cosα = dr
=A ∫ F ⋅ dr = ∫ qoEdr
P.dE
ΦE
=ε1o
∫V
ρ dV =
q
εo
方向为 er
E oR
r ≤ R ΦE= ∫S E ⋅ dS= E ⋅ 4πr2
ρ= q 4 πR3
ΦE
=ε1o
∫V
ρdV
=
ρ εo
4 3
πr 3
3
方向为 er
r 点电荷的电场在 r→0 时, E→∞.
35
∫ 例11.无用限高长斯圆定柱理棒求面体的均电匀场带分电布的,已知Φ线=E体面电电∫S荷E荷⋅d密密S 度度ε10λρσl。λdl
S内
高斯定理的意义:
——电磁场的基本方程之一
反映电场的基本性质
高斯定理和环路定理
高斯定理和环路定理高斯定理和环路定理是电磁学中两个重要的基本定律。
它们描述了电场和磁场的分布和变化规律,是理解电磁现象的基础。
本文将对高斯定理和环路定理进行详细介绍。
一、高斯定理高斯定理又称为高斯电场定理,它是描述电场分布的基本原理之一。
高斯定理表明,电场通过一个闭合曲面的通量等于该曲面内部电荷的代数和与真空介电常数的乘积。
具体来说,如果一个闭合曲面内部有正电荷和负电荷,那么通过这个曲面的电场通量将等于正电荷和负电荷的代数和除以真空介电常数。
高斯定理的数学表达式为:∮E·dA = Q/ε0其中,∮E·dA表示曲面上的电场通量,Q表示曲面内部的电荷总量,ε0为真空介电常数。
高斯定理的应用非常广泛。
例如,在计算电场分布时,可以通过选择适当的高斯曲面来简化计算。
通过高斯定理,可以快速得到电场在各个位置的大小和方向。
高斯定理也被用于推导其他电场分布的公式,如电偶极子和球壳电场的公式。
二、环路定理环路定理又称为安培环路定理,它是描述磁场分布的基本原理之一。
环路定理表明,磁场沿着一个闭合回路的线积分等于该回路内部电流的代数和乘以真空磁导率。
具体来说,如果一个闭合回路内部有电流通过,那么沿着这个回路的磁场线积分将等于电流的代数和除以真空磁导率。
环路定理的数学表达式为:∮B·dl = μ0I其中,∮B·dl表示回路上的磁场线积分,μ0为真空磁导率,I表示回路内部的电流。
环路定理的应用也非常广泛。
例如,在计算磁场分布时,可以通过选择适当的环路来简化计算。
通过环路定理,可以快速得到磁场在各个位置的大小和方向。
环路定理也被用于推导其他磁场分布的公式,如长直导线和环形线圈的磁场公式。
三、高斯定理与环路定理的关系高斯定理和环路定理是电磁学中两个基本定理,它们描述了电场和磁场的分布与变化规律。
虽然它们描述的是不同的物理量,但在某些情况下,它们是相互关联的。
例如,在静电场中,高斯定理可以推导出库仑定律,即电荷间的相互作用力与它们之间的距离成反比。
大学物理课件:16-5 磁场的高斯定理和安培环路定理
B2
dl2
r2
l
B2
dl2
0I
2π
d
B1
dl1
0I
2π
d
B dl 0I d d
l
2π L1
L2
0I
2π
0
第16章 稳恒磁场
8
大学
16-5 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理
多电流情况
I1
I2
I3
B
B1
B2
B3
Bdl
l
0 (I 2
I3)
以上结果对任意形状
l
的闭合电流(伸向无限远 的电流)均成立.
第16章 稳恒磁场
2
大学
16-5 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理
enB
s s
B
磁通量:通过某一曲 面的磁感线数为通过此曲 面的磁通量.
Φ BS cosBS
Φ B S B enS
B dS
dΦ B dS
B dΦ BdS cos
s
Φ s BdS
单位 1Wb 1T 1m2
第16章 稳恒磁场
•
•
O’
磁场磁力线:
••••••••••••••
R
为什么磁力 线画成均匀 的?
B
• • • • • • • • • • • • • •
R
A B1 B
D
B2C
作安培环路L ABCDA
B dl
L
0
L内
Ii
0
B dl L
AB
B1
dl
B dl
BC
CD B2 dl
3
大学
16-5 磁场的高斯定理和安培环路定理
《高斯定理环路定理》课件
环路定理的应用
总结词:广泛适用
VS
详细描述:环路定理在电磁学、电动 力学、麦克斯韦方程组等多个领域都 有广泛应用。它可以用来计算磁场穿 过任意封闭曲线的线积分,从而解决 一系列实际问题,如电磁感应、磁场 分布、电磁波传播等。
03 高斯定理与环路定理的比较
定理表述的比较
总结词
高斯定理和环路定理的表述形式各有特点,高斯定理强调空间区域内的电荷分布 ,而环路定理则关注磁场的变化。
应用。
02 环路定理
环路定理的表述
总结词:简洁明了
详细描述:环路定理表述为“磁场穿过一个封闭曲线的线积分等于零”,即磁场在封闭曲线上的线积分与路径无关,只与起 点和终点的磁通量有关。
环路定理的证明
总结词:严谨推导
详细描述:通过引入矢量场和微分同胚等概念,利用矢量场的散度和旋度的性质,经过严谨的数学推 导,证明了环路定理的正确性。
复杂模型应用
在此添加您的文本16字
分析一个通电螺线管的磁场分布,通过环路定理确定磁 场方向和大小,展示环路定理在实际问题中的应用。
在此添加您的文本16字
对比验证
在此添加您的文本16字
通过对比环路定理和传统积分方法的计算结果,验证环 路定理的正确性和高效性,强调环路定理在电磁学中的重 要地位。
05ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ总结与展望
环路定理是电磁学中的基本定理之一 ,它表述了磁场沿闭合路径的线积分 等于穿过该闭合路径所围成的面积的 磁通量。环路定理反映了磁场沿闭合 路径的线积分与磁通量之间的关系, 是计算磁场分布、磁通量、磁感应线 和磁力等方面的重要工具。
比较与联系
高斯定理和环路定理都是电磁学中的 基本定理,它们之间有着密切的联系 。通过高斯定理可以推导出环路定理 ,反之亦然。它们在描述电场和磁场 分布方面具有不同的侧重点,但都是 描述电磁场性质和行为的重要工具。
高斯定理和环路定理
E
++
+ o+
++
P
dSE
S +e S
E S E dS 左 E dS 右 E dS 2ES
高斯面所包围的电量为
q eS
由高斯定理可知 2ES e S / 0
由此可知,电场强度为 电场强度的方向垂直于带电平面。
E e 2 0
e 0 电场强度方向离开平面 e 0 电场强度方向指向平面
(2)对于闭合曲面
约定:闭合曲面以向外为曲面法线的正方向。
出发点:一条穿过闭和曲 面的电场线对这个闭和曲
/2
n
面的电通量的贡献为零
E
电场线穿出闭合面为正通量,
电场线穿入闭合面为负通量。 n 0 / 2 E
二、高斯定理
1. 高斯定理的内容 在真空中的静电场内,通过任意闭合曲面的电通量,
3、关于高斯定理的说明
1、通过任意闭合曲面的电通量只决定于它所包围的电荷 的代数和,与闭合曲面内的电荷分布无关,闭合曲面外的电荷 对其电通量无贡献。但电荷的空间分布会影响闭合面上各点处 的场强大小和方向;
2、高斯面上电场强度是封闭曲面内和曲面外的电荷共同产 生的,并非只有曲面内的电荷确定;
3、 q 是电荷的代数和, qi 0 并非高斯面内一定无
电荷,E有d可s 能 是面内0正负电并荷非数高目斯相面同上;场强一qi 定处0处为也零只若是;表明,
s
e
Φ 0 4、 e
只能说明高斯面内电量的代数和为零,并非一定没
有电力线穿过;可能是穿进和穿出的一样多而以净电场线数目为零。
三、高斯定理的应用举例
5-2高斯定理环路定理
22
大学物理
॥
5-2 高斯定理与环路定理
点电荷系的电场
E dS S
S E1 dS
S E2 dS
S En dS
Φe1 Φe2 Φen
Φ out ei
0
E
பைடு நூலகம்s
Φin ei
E dS
1
ε0 1
ε0
qiin
n
i 1
qiin
dS
s qi
第五章 静电场
23
大学物理
Φe
S
E dS
1 ε0
n
qin i
i 1
(4)高斯定理与库仑定律并不是互相独立的规律,而
是用不同形式表示的电场与源电荷关系的同一客观规
2 表述
匀强电场 , E垂直平面时.
SS
Een
E
Φe ES
第五章 静电场
9
大学物理
॥
5-2 高斯定理与环路定理
二 电场强度通量
1 定义 垂直通过电场中某个面的电场线数
2 表述
匀强电场 ,
E与平面夹角 θ.
Φe
ES
cos
θ
ES
S
Sθ
en
E
第五章 静电场
10
大学物理
॥
5-2 高斯定理与环路定理
Φe2 s1 E dS ES2 cosθ ES1
5
Φe Φei 0 i 1
y
P
N
S1
en
o
zM
S2
en
E
R
en Q
x
第五章 静电场
16
大学物理
5-2 高斯定理与环路定理
大学物理电磁学部分14磁场的高斯定理和安培环路定理
dB' dB
dB''
L B d l B 2 lojl dl '
B o j 方向如图所示。
2
结果
p
l
dc
o dl''
ab
在无限大均匀平面电流的两侧的磁场都为均 匀磁场,并且大小相等,但方向相反。
14
大学物理电磁学部分14磁场的高斯定理和安培环路定理
一、磁场的高斯定理
1.磁力线
为形象的描绘磁场分布的而引
BA
BB
入的一组有方向的空间曲线。 1.规定
AB
•方向:磁力线上某点的切线方向为该点磁场方向。
•大小:通过磁场中某点垂直于磁
感应强度的单位面积的磁力线根数 等于该点磁感应强度的大小。
dm
dS
B2r0NIB
0NI 2r
d1
ΦmSBdS
2 d2
Bhdr
r
dr r
d2
h
d1
0NIh
2
d1
2 d2
2
2
dr r
0N I 2
h
ln
d1 d2
10
例3:圆柱形载流导体半径为 R ,通有电流为 I ,电 流在导体横载面上均匀分布,求圆柱体内、外的磁感 应强度的分布。
解:导体内外的磁场是以中心轴线为对称分布的。 1.圆柱体内部 r < R 区域选取半径为 r 的环路, I 环路内电流代数和为:
(3)要求环路上各点 B大小相等,B的方向与环路方向
一致,
目的是将: LBdl0 I写成
或B的方向与环路方向垂直,
B
0 I
dl
B d l,co 0 s Bdl 0
高斯定理和环路定理
q1
1 E dS q内 0
☆ 对连续电荷分布的情况,可把带电体划分为许多 小部分,并把每部分当作点电荷处理。这样,连续 电荷分布被代之以点电荷系。
☆ 静电场有源,电荷是它的源; 流量
v v S cos v S
3、关于高斯定理的说明
1、通过任意闭合曲面的电通量只决定于它所包围的电荷 的代数和,与闭合曲面内的电荷分布无关,闭合曲面外的电荷 对其电通量无贡献。但电荷的空间分布会影响闭合面上各点处 的场强大小和方向;
电场线穿出闭合面为正通量,
n
E
电场线穿入闭合面为负通量。
n
0 /2 E
二、高斯定理 1. 高斯定理的内容
在真空中的静电场内,通过任意闭合曲面的电通量, 等于该曲面所包围电量的代数和除以 0 。
q内 ΦE E d s
S
0
2. 高斯定理的证明 证明可按以下四步进行:
第五节
高 斯 定 理
一、电场线和电通量
1.电场线 1)定义
如果能够用图形把电场中各点场强 的大小和方向形象地表示出来,这对 我们认识电场是很有好处的。首先提 出电场概念的英国物理学家法拉第提 出了用电场线表示电场的方法,现在 被普遍地采用。
如果在电场中作出许多 曲线, 这些曲线上每一点的 切线方向和该点场强的方向 一致,那么所有这样作出的 曲线叫做电场的电场线.
9-10 均匀带电球壳,内外半径分别是 a,b,体电荷密度为 求从中心到球壳外各区域的场强。 解: 对称性分析
选取闭合球面为高斯面 由高斯定理:
(1)
a
ra
S
(2)
S 0 E dS 0
磁场的高斯定理和安培环路定律
0I
是否成立???
设任意回路L在垂直于导线的平面内,与电流
成右手螺旋。
l B dl Bdl cos
0I
2πr
dlc
os
d
B
I
dl
r
0I
2πr
rd
0I
2π
d
l
B dl
l
0I
dl cos rd
闭合回路不环绕电流时
B1
0I
2 π r1
B2
0I
2 π r2
B1
B2
d
I
dl1
r1
dl2
I
I
解:取垂直纸面向里为法
B
线方向,以导线1所在位
置为坐标原点,建立如图 所示的坐标轴。
x
l
取细长条面元,面元内为
均匀磁场
a aa
B
0I 2x
2
0I
3a
x
o
x
窄条形面元的元磁通为
dm B dS BdS Bldx I
通过矩形面积内的磁通量
m
dm
2a
Bldx
a1
2a
a
0I 2x
2
0I
o
B 0I
2π x
B // S
x
方向垂直于纸面向里
dΦ BdS 0I ldx I
2π x
B
Φ
S
B dS
0Il
2π
d2
d1
dx x
l
Φ 0Il ln d2
2π d1
d1 d2
o
x
例2 两平行的无限长直导线通有电流 I , 相距3a,
矩形线框宽为a,高为l与直导线共面,求通过线框的
磁场的高斯定理和安培环路定理
dB
0dI
2(R2 r02 )3/ 2
dI=σωrdr
例18、电荷q均匀分布于一半径为R的圆盘上,圆 盘绕通过圆心且垂直于环面的轴匀速转动,角速度 为,求圆盘中心点的磁感应强度。
16
§11-5 磁场对载流导线的作用
一、 安培定律
安培力:载流导线在磁场中受到的磁场力
大小 dF IdlB sin
两个边bc、da 垂直于轴。
b
根据安培环路定理:
a
B
L B dl ab B dl bc B dl cd B dl da B dl
无垂直于轴的磁场分量,管外部磁场趋于零,
因此管内为均匀磁场,任一点的磁感应强度为:
B dl
dB' dB
dB''
l pd c
面平行,则有
dl' o dl''
L B dl B2l 0 jl
ab
B 0 j 方向如图所示。
2
结果:在无限大均匀平面电流的两侧的磁场都
为均匀磁场,并且大小相等,但方向相反。
15
例17、半径为R的圆片上均匀带电,电荷面密度为σ, 令该片以匀角速度ω绕它的轴旋转,求轴线上圆片中 心O为x处的磁场.
圆为安培环路
dB
B dl
L
2πrB
0
I
B 0I
rR
dl ''
dl '
2 πr
B dl
r
0
Ir 2 R2
B
0 Ir
静电场的高斯定理和环路定理
静电场的高斯定理和环路定理
静电场是指电荷分布静止不动的情况下所产生的电场。
在静电场中,高斯定理和环路定理是两个非常重要的定理。
高斯定理是描述电场通量的定理,它表明:在任何闭合曲面内,电场的通量等于该曲面内的电荷总量除以介质常数。
即:ΦE = ∫E · dS = Q/ε0
其中,ΦE表示电场的通量,E表示电场强度,dS表示曲面元素的面积,Q表示该曲面内的电荷总量,ε0表示真空中的介电常数。
环路定理则是描述电场中电势的变化的定理,它表明:沿着任意闭合回路的线积分等于该回路内的电荷的代数和除以电容。
即:∮Edl = 0
其中,∮Edl表示沿着回路的电场强度的线积分,E表示电场强度,dl表示回路的微元长度,如果回路内有电荷则其代数和为Q。
电容则是电荷和电势之间的比值。
高斯定理和环路定理是静电学中的基本定理,对于研究静电场的性质和计算电场强度、电势等都具有重要的意义。
- 1 -。
4.2 磁场的高斯定理与环路定理(1) 大学物理
4.2 磁场的高斯定理与环路定理 基础物理学
10
B dl B (d l d l// )
L L
L L
如果闭合路径不在垂直于 导线的平面内:
I
dl
dl
dl//
L
B cos 90 dl B cos dl//
0 B cos dl//
设环上线圈的总匝数为N, 电流为I。
B //d l
L
B l B d l d
L
r2
r1 O
P
B2r
主讲:张国才
0 NI 0 NI r2 r1 r B 2r
B = m0 nI
L
I
15
B dl 0 I
r
I
B
Q
L
B d l B2 r
L
R
r
B
P
当 rR
B
B2r 0 I 0 I B 2 r
主讲:张国才
长圆柱形载流导线外的 磁场与长直载流导线激 发的磁场相同!
o
R
r
当 r R ,且电流均匀 分布在圆柱形导线表面层时 当 r R ,且电流均匀 分布在圆柱形导线截面上时
4.2 磁场的高斯定理与环路定理 基础物理学
1
一、磁场的高斯定理 1、磁感应线
为形象描述磁场分布情况,用一些假想的有方向 的闭合曲线--磁感应线代表磁场的强弱和方向。
I I
I
直电流
主讲:张国才 圆电流 螺线管电流
I
4.2 磁场的高斯定理与环路定理 基础物理学 磁感应线的性质 与电流套链 闭合曲线 互不相交 方向与电流成右手螺旋关系
大学物理常用公式(电场磁场 热力学)
第四章 电 场一、常见带电体的场强、电势分布 1)点电荷:2014q E r πε=04q U rπε=2)均匀带电球面(球面半径R )的电场:200()()4r R E qr R r πε≤⎧⎪=⎨>⎪⎩00()4()4qr R r U q r R R πεπε⎧>⎪⎪=⎨⎪≤⎪⎩3)无限长均匀带电直线(电荷线密度为λ):02E rλπε=,方向:垂直于带电直线。
4)无限长均匀带电圆柱面(电荷线密度为λ): 00()()2r R E r R rλπε≤⎧⎪=⎨>⎪⎩5)无限大均匀带电平面(电荷面密度为σ)的电场:0/2E σε=,方向:垂直于平面。
二、静电场定理 1、高斯定理:0e Sq E dS φε=⋅=∑⎰静电场是有源场。
q ∑指高斯面内所包含电量的代数和;E指高斯面上各处的电场强度,由高斯面内外的全部电荷产生;SE dS ⋅⎰指通过高斯面的电通量,由高斯面内的电荷决定。
2、环路定理:0lE dl⋅=⎰ 静电场是保守场、电场力是保守力,可引入电势能三、求场强两种方法1、利用场强势叠加原理求场强 分离电荷系统:1ni i E E ==∑;连续电荷系统:E dE =⎰2、利用高斯定理求场强 四、求电势的两种方法1、利用电势叠加原理求电势 分离电荷系统:1nii U U==∑;连续电荷系统: U dU =⎰2、利用电势的定义求电势 rU E dl =⋅⎰电势零点五、应用点电荷受力:F qE = 电势差: bab a b aU U U E dr =-=⋅⎰a由a 到b六、导体周围的电场1、静电平衡的充要条件: 1)、导体内的合场强为0,导体是一个等势体。
2)、导体表面的场强处处垂直于导体表面。
E ⊥表表面。
导体表面是等势面。
2、静电平衡时导体上电荷分布: 1)实心导体: 净电荷都分布在导体外表面上。
2)导体腔内无电荷: 电荷都分布在导体外表面,空腔内表面无电荷。
3)导体腔内有电荷+q ,导体电量为Q :静电平衡时,腔内表面有感应电荷-q ,外表面有电荷Q +q 。
5-2高斯定理环路定理
5-2 高斯定理与环路定理
qq0 dW dr 2 4πε0 r
qq0 rB dr W rA r 2 4πε0 qq0 1 1 ( ) 4πε0 rA rB
B
rB
l dr d
E
r
er
结论: W仅与q0的始末 位置有关,与路径无关.
第五章 静电场
q0
q
rA
A E1 dS E2 dS En dS
S
点电荷系的电场
S
Φe1 Φe2 Φen
S
S
Φ 0 1 in in Φe i qi ε0 1 n in s E dS ε0 qi i 1
q e E dS 0 s
第五章 静电场
42
大学物理
॥
5-2 高斯定理与环路定理
用高斯定律求场强条件: 场源电荷的分布具有高度对称性(点对称、 线对称、面对称) 使得高斯面上的场强要么处处相等,要么一 部分面上场强相等一部分面上通量为零。
第五章 静电场
43
大学物理
॥
5-2 高斯定理与环路定理
5-2 高斯定理与环路定理
dΦ1 E1 dS1 0 dΦ2 E2 dS2 0
(c)点电荷在闭合曲面外
dS1
q
+
dΦ1 dΦ2 0 E dS 0
S
E2
E1
dS 2
22
第五章 静电场
大学物理
॥
5-2 高斯定理与环路定理
第五章 静电场
29
1 Φe E dS ε0 S
q
i 1
n
13-3 磁场中的高斯定理和安培环路定理(南京信息工程大学 大学物理)
=
m0I 2p r
19
例2 无限长载流圆柱面的磁场
教练习:求同轴Bv的的两分筒布状。导线通有等值反向的电流I,
L1
r
IR
L2 r
m0I B
理 2π R 物o R r
(1) r > R2 , B = 0
R2
(2)
R1
<
r
<
R2 ,
B
=
m0I 2pr
I
R1
rI
学 ò 解
0<r <R,
Bv
×
d
v l
=
0
l
R
oR r
电场、磁场中典型结论的比较
长直线
长 直
内
圆
柱外
面
长 直
内
圆
电荷均匀分布
飞 E
=
l 2pe 0 r
徐 E = 0
电流均匀分布
B
=
m0I 2p r
B=0
byE
=
l 2pe 0 r
E
=
lr 2pe 0 R 2
B
=
m0I 2p r
B
=
m 0 Ir 2p R 2
17
案柱 外
体
E
=
l 2pe 0 r
B
dj
I1
多电流情况
I2
I3
byL
Bv = Bv1 + Bv2 + Bv3
飞 Ñò L Bv ×d lv = m0(I2 - I3 ) 徐以上结果对任意形状
的闭合电流(伸向无限远 的电流)均成立.
L
L 与 I 成右螺旋
Ñò L Bv × dlv = m0 I
高斯定理和安培环路定理
r R 时在圆柱面内做一圆周
B cos dl B dl B 2r 0
L L
dI ' dI
P
B0
例 无限大平面电流的磁场.有一无限大的导体平面,均匀地 流着自下而上的面电流.设其电流线密度(垂直于电流线的单 位长度上的电流)为a,求距平面为d的任一点的磁感应强度B.
(1)设闭合曲线L在垂直于无限长载流导线的平面内,电流I穿 过L. 设闭合回路 L为圆形回路( L 与 I 成右螺旋)
载流长直导线的磁感强 度为 0I B 2π R 0I l B d l 2 π R d l 0I l B d l 2 π R l d l
l
I
R R
L
r
2 π rB 0 I
0 r R
2 π rB
B
0I
2π r
B
2 π r l B d l 0 π R 2 I
I
.
dI
dB
0r
R
2
2
I
B
0 Ir
2π R
2
B
B 的方向与 I 成右螺旋
0 r R,
B
0 Ir
B dl μ 0 Ii
L
内
—— 安培环路定律
恒定电流的磁场中,磁感应强度沿一闭合路径 L 的线积分 等于路径 L 包围的电流强度的代数和的 μ 0 倍
安培环路定理
n B dl 0 Ii i 1
一闭合路径的积分的值,等于 0 乘以该闭合路径 所包围的各电流的代数和.
回路绕向化为逆时针时则对任意形状的回路设闭合回路l为圆形回路l与i不成右螺旋安培环路定律恒定电流的磁场中磁感应强度沿一闭合路径l的线积分等于路径l包围的电流强度的代数和的环路上各点的磁场为所有电流的贡献安培环路定理一闭合路径的积分的值等于乘以该闭合路径所包围的各电流的代数和
川大大学物理课件74 磁场的高斯定理和安培环路定理
I4
第七章 恒定电流和恒定磁场
10
大学
§7.4 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理学
B
2. 安培环路定理的举例(非证明):
无限长直电流的磁场
B dl L
0
Ii
I
i
B :由毕-萨定律: B 0I 方向如图
2πr
L
d B
dl
L:在围 绕载 流导线的垂直平面内的圆回路 B dl Bdl cos Bdl Brd
0 r R,
l
B
d
l
0
r R, l B d l 0I
B0 B 0I
2π r
第七章 恒定电流和恒定磁场
16
大学
§7.4 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理学
三、 密绕载流螺绕环内外的磁场
解 (1) 对称性分析:
在与环共轴的圆周上磁感应强度
的大小相等,方向沿圆周的切线
2
大学
§7.4 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理学
磁感应线的特点
(1)磁感应线密集的地方磁场强,稀疏的地方磁场弱。
(2)磁感应线是一些无头无尾的闭合的曲线
(3)磁感应线的方向与电流的方向相互服从
右手螺旋定则
第七章 恒定电流和恒定磁场
3
大学
§7.4 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理学
2 磁通量
S B
方向。磁感线是与环共轴的一系
列同心圆。
xd
R
B
第七章 恒定电流和恒定磁场
17
大学
§7.4 磁场的高斯定理和安培环路定理
物理学 (2)选回路: 半径为R的圆
《大学物理》第二节 磁场的高斯定理与安培环路定理
用磁场叠加原理作对称性分析:
I
PI
B
B1
B2
解:1) 对称性分析:螺线管内的磁感线是一组平行于 轴线的直线;且距轴线同远的点其 B 的大小相同;外 部磁感强度趋于零 ,即 B = 0。
++++++++++++
2) 选回路 L
回路 L 方向与所包围的 B
电流 I 成右螺旋。
N
O
M
LP
B dl B dl B dl B dl B dl
L B dl 0 I
安培环路定理
两点说明(1)稳恒磁场是非保守场
(2)若电流回路为螺旋形,而电流N次穿过积分环路 则
B dl L
0NI
L N
讨论题
1 通以电流 I 的线圈如图所
示,在图中有四条闭合曲
线,则其环流分别为
B • dl 0I
L1
B • dl 20I
L2
B • dl 20I
d
R1 R2 R r R
B
0
N
2 R
I
0nI
R
注意:密绕细螺线管内部磁场与长直载流螺线管内部 的磁场相同。
例3 无限长均匀载流圆柱体的磁场
解:1) 对称性分析 2) 选取回路
rR
B dl L
0I
2 rB 0I
××××
××××× ××××××
L
×××××××
××××××
×××××
××××
B 0I 2 r
0r2 rB
0r 2
R2
I
B
0 Ir 2 R2
I
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沿球面法线方向。 取同心 球面为高斯面,电通量为
• 球外( r > R )
E
E
1 r2
• 球内 ( r < R )
O
R
r
12
第10章 静电场
例10.10
“无限大”均匀带电平面,电荷面密度为
求 电场强度分布。 解 电场强度垂直带电平面, 选取 垂直带电面的圆柱形高斯面 S
两个底面对称
根据高斯定理
16
0 E q 2 4 r 0
rR rR
第10章 静电场
10.4 静电场的环路定理
一 静电场力所做的功 点电荷的电场
电势能
dA q0 E dl qq0 e dl 2 r 4πε0 r er dl dl cos θ dr qq0 dA dr 2 4πε0 r
ABC
B
D
C
q0 ( E dl
ABC
CDA
E dl ) 0
ADC
E
A
结论:沿闭合路径一周, 静电场是保守场! 电场力作功为零.
E dl 0
l
在静电场中电场强度的 环流为零。
第10章 静电场
20
练习 试用静电场的环路定理证明,电场线 为一系列不均匀分布 的平行直线的静电场 不存在.
S
R
O
SE dS 0 E 0
第10章 静电场
r
Q
10
Q 2 ( 2) r R dS E 4r SE 2 ε0 Q E 2 4πε0 r
Q 4π 0 R 2
E
Q 4πε0 r 2
r
O
o
R
r
第10章 静电场
s
Q
11
讨论
均匀带电球体
r + +r + + + + + R + +
F 1 电场强度 E q0
电荷连续分布的电场
复
习
E 1 ρer dV 2 4πε0 r
V
2 电场线:方向,密度 E dN dS 3 电场强度通量 Φe dΦe E dS
S
穿入为负
闭合曲面法线:外法线方向(自内向外) 为正
θ
en
穿出为正
E
第10章 静电场
13
σ E 2 ε0
σ
E
σ
E E
E
第10章 静电场
14
σ E 2 ε0
无限大带电平面的电场叠加问题
σ ε0
0
σ ε0
0
σ ε0
0
第10章 静电场
15
典型结论
均匀带电球面
无限长均匀带电直线
无限长均匀带电圆柱面
无限大均匀带电平面
E 2 0 r rR 0 E rR 2 0 r E 2 0
E
第10章 静电场
21
E dl E dl l E dl ab bc E dl E dl cd da E dl E dl
ab cd
证明 作如图闭合环路
a E1 l b
q
i 1
n
in
i
(1) 高斯面:闭合曲面. (2) 电场强度:所有(内、外)电荷的总电 场强度. (3) 电通量:穿出为正,穿进为负. (4) 仅面内电荷对电通量有贡献. (5) 静电场:有源场.
q2out
q内
q外
q3out
5
q1out q 2
q1 qi
第10章 静电场
四
高斯定理应用(重点)
用高斯定理求电场强度的一般步骤为 对称性分析; 根据对称性选择合适的高斯面; 应用高斯定理计算.
1 Φe E dS ε0 S
第10章 静电场
q
i 1
n
in
i
6
轴对称性电场
例10.8 P17 “无限长” 均匀带电直线,电荷线密度为 + 求 电场强度分布。 解 电场分布具有轴对称性
第10章 静电场
7
解
e E dS
E dS
结
要求:1.理解高斯定理。熟练应用高斯定
2理解环路定理,掌握电势能的概念 作业: P30, 31 P32(§10.4部分)
第10章 静电场
25
18
B
rB
r
er
l dr d
E
q
rA
A
q0
任意带电体的电场(点电荷的组合)
E Ei
A q0 E dl q0 l Ei dl
l
i
i
结论:静电场力做功,与路径无关.
第10章 静电场
19
二
静电场的环路定理 q0 E dl q0 E dl
第10章 静电场
23
令
AB
q0 E dl WA WB (WB WA )
WB 0
AB
WA
q0 E dl
A WA
B WB
E
试验电荷q0在电场中某点的电势能,在 数值上等于把它从该点移到零势能处静电场 力所作的功.
第10章 静电场
24
总
理解决问题;
高 斯
第10章 静电场
2 高斯定理
高斯面
在真空中静电场,穿过任一闭合曲面 的电场强度通量,等于该曲面所包围的所 有电荷的代数和除以 ε0 .
1 Φe E dS ε0 S
第10章 静电场
q
i 1
n
in
i
4
3 高斯定理的讨论
1 Φe E dS ε0 S
第10章 静电场
B
rB
r
er
l dr d
E
q
rA
A
q0
17
qq0 dA dr 2 4πε0 r
qq0 rB dr A 4πε0 rA r 2 qq0 1 1 ( ) 4πε0 rA rB
结论: A仅与q0的始末位置 有关,与路径无关. 静电场是保守场!
第10章 静电场
r
推广: 无限长均匀带电圆柱面 高斯面:圆柱面
E
h
0 E 2 0 r
rR rR
r
o
y
x
第10章 静电场
9
例10.9 P17 设有一半径为R , 均匀带电Q 的球面. 求球面内外任意点的电场强度. 解 对称性分析:球对称 高斯面:闭合球面 ( 1) 0 r R
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ E
l d E2 c
E1l E2l 0
E1 E2
但 E1 E2 , 故此类静电场不存在.
第10章 静电场
22
类比重力势能
三
电势能
静电场是保守场, B 静电场力是保守力. WB 静电场力所做的功就 E 等于电荷电势能增量 A WA 的负值. AAB WA WB (WB WA ) 电场力做正功,电势能减少.
侧
电场分布具有轴对称性 ,以高为l 的同轴圆柱面为高斯面,电通量 r
S
dS
E
l
上底
E dS
下底
E dS
E
dS
EdS E dS E 2πrl
侧 侧
根据高斯定理
E 2πrl l / 0
E
E 2π 0 r
E
en
θ
S
穿出、穿入闭 合面电力线条 数之差
第10章 静电场
1
三
高斯定理
在点电荷q的电场中,通过求电通量导出. 库仑定律 电场强度叠加原理 高斯 定理
1 高斯定理的导出
第10章 静电场
2
高斯 (C.F.Gauss 17771855) 德国数学家、天文学 家和物理学家,有“数 学王子”美称,他与韦 伯制成了第一台有线电 报机和建立了地磁观测 台,高斯还创立了电磁 量的绝对单位制.