专升本《模拟电子技术》考试答案

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模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。

试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。

（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。

A、不定。

B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

专升本《模拟电子技术》一、 (共61题,共150分)1、当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流。

此时耗尽层 ( )。

(2分)A、大于变宽。

B、小于变窄。

C、等于不变。

D、大于变窄。

标准答案:D2、场效应管电流完全由组成,而晶体管的电流由组成。

因此,场效应管电流受温度的影响比晶体管( )。

(2分)A、多子少子大。

B、多子两种载流子小。

C、少子多子小。

D、多子多子差不多。

标准答案:B3、图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因就是:( )。

(2分)A、交流信号不能输入。

B、没有交流信号输出。

C、没有合适的静态工作点。

D、发射结与集电结的偏置不正确。

标准答案:B4、当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz,可采用( )的方式实现。

(2分)A、高通滤波器B、带阻滤波器C、带通滤波器D、低通滤波器标准答案:D5、 NPN型与PNP型晶体管的区别就是 ( )。

(2分)A、由两种不同材料的硅与锗制成。

B、掺入的杂质元素不同。

C、P区与N区的位置不同。

D、载流子的浓度不同。

标准答案:C6、某NPN型硅管,当其工作在放大状态时,电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？( ) (2分)A、U1=3、5V,U2=2、8V, U3=12V。

B、U1=3V,U2=2、8V, U3=12V。

C、U1=6V,U2=11、3V,U3=12V。

D、U1=6V,U2=11、8V,U3=12V。

标准答案:A 7、图示的电路中,稳压管的反向击穿电压分别为6V与7V,正向导通电压均为0、6V,则输出电压为:( )。

(2分)A、6VB、7VC、6、6VD、5、4V标准答案:D8、如图所示的静态工作点及其放大电路,当输入的正弦信号逐渐增加时,放大电路的工作情况就是:( )。

(2分)A、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。

B、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应增大偏置电阻R b。

C、先出现饱与失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

【2024版】模拟电子技术试题库及答案

3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。

山东电气自动化专升本电子技术复习-电子技术8套模拟题及答案

《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。

（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。

（）3、PN结具有单向导电特性。

（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。

（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。

（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。

（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。

（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。

（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。

A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。

A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。

A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。

5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。

A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。

A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。

（每题10分，共20分）R(a )(b )t图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。

电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

《模拟电子技术》(高起专)习题答案

《模拟电子技术》（高起专）习题答案一、单选题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于截止状态。

（ B ）A、正偏，大于；B、反偏，大于；C、正偏，小于；D、反偏，小于。

2、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真和下半周失真时分别为（ B ）失真。

A、饱和，截止；B、截止，饱和；C、饱和，频率；D、频率，截止。

3、一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别的6V、3.7V、3.0V，则该管是（ D ）管。

A、锗PNP；B、锗NPN；C、硅PNP；D、硅NPN。

4、PN结加反向电压时，空间电荷区将( C )。

A、变窄；B、基本不变；C、变宽；D、不确定。

5、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ A ）。

A、三极管可以用较小的电流控制较大的电流；B、三极管可以把小电流放大成大电流；C、三极管可以把小电压放大成大电压；D、三极管可以把小能量放大成大能量。

6、半导体二极管的重要特性之一是( B )。

A、温度稳定性；B、单向导电性；C、放大作用；D、滤波特性。

7、稳压二极管稳压时，其工作在( C )。

A、正向导通区；B、反向截止区；C、反向击穿区；D、不确定。

8、当放大电路设置合适的静态工作点，如再加入交流信号，则工作点（ B ）。

A、沿直流负载线移动；B、沿交流负载线移动；C、不移动；D、沿坐标轴移动。

9、场效应管靠( A )导电。

A、一种载流子；B、两种载流子；C、电子；D、空穴。

10、用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量整流二极管的正向电阻，二次测试结果是（ B ）。

A、相同；B、R×10档的测试值小；C、R×1K档的测试值小；D、不确定11、已知三极管各极电位，则（ B ）管工作在放大状态。

A、；B、；C、；D、。

12、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ A ）。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

A．电压路随器B.正弦波振荡电路C.微分电路D.枳分电路
E．单门限比较器F.同相输入迟滞比较器G.反相输入迟滞比较器
(a)
七、（1）
（2）
（3）
(b)
图7
八、（8分）
小功率直流稳压电源如图8所示。
（1）电路中存在错误，请指出错误之处，并改正之（可在图中改，也可用文字说明）
（2）电路两输出端对地的直流电压是多少？
⒈因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( N)
⒉由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化.( N )
⒊若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈(N )
⒋电路产生自激振荡的条件是：幅度条件为，相位条件
为 (n=0,1,2,…)。( Y )
⒌二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到。(Y)
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？

专升本《模拟电子技术》考试答案

[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:单选[分数]:21.理想的功率放大电路应工作于( )状态。

A.丙类互补B.甲类互补C.乙类互补D.甲乙类互补答案:D2.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。

A.不易制作大阻值的电阻B.不易制作大容量电容C.放大交流信号D.便于设计答案:B3.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。

A.高通B.低通C.带阻D.带通答案:D4.半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。

A. N区自由电子向P区的漂移运动B. P区自由电子向N区的漂移运动C. P区自由电子向N区的扩散运动D. N区自由电子向P区的扩散运动答案:D5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。

A.差模输入电阻增大B.差模放大倍数数值增大C.差模输出电阻增大D.抑制共模信号能力增强答案:D6.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。

A.放大区B.截止区C.击穿区D.饱和区答案:B7.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。

A.饱和状态B.截止状态C.微导通状态D.放大状态答案:A8.差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。

A.差模差模B.共模共模C.差模共模D.共模差模答案:D9.稳压二极管的有效工作区是( )。

A.反向截止区B.正向导通区C.反向击穿区D.死区答案:C10.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

A.晶体管参数受温度影响B.晶体管参数的分散性C.电阻阻值有误差D.晶体管结电容不确定性答案:A[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:单选[分数]:21.根据反馈的极性，反馈可分为反馈。

()A.直流和交流B.正和负C.电压和电流D.串联和并联答案:B2.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。

模拟电子技术复习题专升本

《模拟电子技术》复习题（专升本）一、填空题1、P型半导体中的多数载流子是。

2、三极管放大电路共有三种组态分别是, 和共基极放大电路。

3、在NPN型单管共射放大电路中，静态工作点过高容易产生失真。

4、三极管工作在放大状态必须满足的外部条件为正偏，反偏。

5、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。

6、双极型晶体管为型控制器件，而场效应管为型控制器件。

7、电流负反馈使输出电阻增大，稳定的输出量是。

8、半导体材料含有两种载流子，分别为和自由电子。

9、在NPN型单管共射放大电路中，静态工作点过低容易产生失真。

10、三极管工作在放大状态必须满足的内部条件为薄且较低。

11、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从1mA变到2mA,那麽它的B值约为。

12、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。

13、外加反向电压时，PN结的空间电荷区会。

14、差动放大电路理想状况下要求两边完全对称，因为差动放大电路对称性愈好，对零漂抑制效果越。

15、振荡电路的平衡条件为，正反馈才能保证振荡电路相位平衡条件。

16、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是。

二、选择题1、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。

A 有微弱电流B 无电流C 有瞬间微弱电流D 有瞬间强电流2、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加B值将（）。

A 增加B 下降C 无规律变D 不变3、关于理想运算放大器的错误叙述是（）。

A 输入阻抗为零，输出阻抗也为零B 输入信号为零时，输出处于零电位C 频带宽度从零到无穷大D 开环电压放大倍数无穷大4、在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,—10V,—9.3V,则此三极管是（）。

A NPN型硅管B NPN型锗管C PNP型硅管D PNP型锗管5、放大电路产生零点漂移的主要原因是（）。

A 环境温度变化引起参数变化B 增益太大C 采取了直接耦合方式D 外界干扰6、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。

(完整版)模拟电子技术测试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。

13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C1060217731.1q19库伦-⨯=，则)V(2.11594TV T=，在常温（T=300K）下，V T=25.875mV=26mV。

当外加正向电压，即V为正值，且V比V T大几倍时，1e T VV>>，于是T VVseII⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比V T大几倍时，1e T VV<<，于是s II-≈，这时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。

专升本《模拟电子技术》-试卷-答案

专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。

（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。

（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。

（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。

（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。

（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。

（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。

（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区标准答案：A9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。

（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。

（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（2分） ( ) 标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。

在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。

）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
⒉图5-2中的集成均为理想运放，各电路均满足深负反馈条件，试判断它们的反馈组态和极性，并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示，设、的特性完全对称，为正弦波，
，。试回答：⑴静态时，电容两端电压就是多少？调整哪
个电阻能满足这一要求？⑵动态时，输出电路出现交越失真，应调整哪个电阻？
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、（12分）
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；
（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？
（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？
（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？
③(a) ，说明电容开路，无滤波作用。

模拟电子计算考试题及答案

模拟电子计算考试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，下列哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 二极管答案：D2. 一个理想运算放大器的开环增益是多少？A. 100B. 1000C. 10000D. 无穷大答案：D3. 以下哪个不是模拟信号的特性？A. 连续性B. 可重复性C. 可量化性D. 可模拟性答案：C4. RC电路的充电时间常数τ是如何定义的？A. τ = RB. τ = CC. τ = R * CD. τ = 1/(R * C)答案：C5. 一个共模抑制比（CMRR）高的放大器意味着什么？A. 放大器对差模信号的放大能力很强B. 放大器对共模信号的抑制能力很强C. 放大器对信号的失真度很低D. 放大器对噪声的抑制能力很强答案：B二、填空题6. 在模拟电子技术中，放大器的增益定义为输出电压与输入电压的________。

答案：比值7. 一个理想滤波器的传递函数具有_________特性。

答案：理想矩形8. 模拟电子电路中的反馈可以是_________反馈或_________反馈。

答案：正，负9. 一个电路的带宽是指该电路能够通过的信号频率范围，通常用_________和_________来表示。

答案：下限频率，上限频率10. 在模拟电子技术中，一个电路的稳定性可以通过_________判据或_________判据来检验。

答案：劳斯，赫尔维茨三、简答题11. 简述负反馈在放大器中的作用。

答案：负反馈在放大器中可以提高放大器的稳定性，减少非线性失真，增加带宽，提高输入和输出阻抗的匹配性。

12. 解释什么是积分器和微分器，并简述它们在电路中的基本应用。

答案：积分器是一种将输入信号的瞬时值累积起来，输出信号是输入信号的积分结果。

微分器则是输出信号是输入信号的导数。

积分器常用于消除直流分量，微分器常用于检测信号的快速变化。

四、计算题13. 给定一个RC低通滤波器，其电阻R=1kΩ，电容C=0.01μF，计算其-3dB截止频率。

模拟电子技术基础试题含答案

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。

【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。

【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。

【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。

【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。

【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。

【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。