模拟电子技术习题及答案定稿版
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子试题技术及答案
模拟电子试题技术及答案模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，三极管工作在哪个区域时，其放大能力最强？A. 截止区B. 饱和区C. 放大区D. 非线性区2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^2B. 10^3C. 10^5D. 10^6 及以上3. 以下哪种耦合方式不能用于模拟信号的放大？A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合4. 负反馈在放大电路中的作用不包括以下哪项？A. 提高增益稳定性B. 增加非线性失真C. 提高输入电阻D. 降低输出电阻5. 差分放大电路的主要优点是？A. 提高放大倍数B. 抑制共模干扰C. 降低功耗D. 减小非线性失真...二、填空题（每空2分，共20分）1. 模拟信号的特点包括______、______、______。
2. 理想运算放大器的输入阻抗是______，输出阻抗是______。
3. 在放大电路中，引入负反馈可以______，但也可能引入______。
4. 一个基本的RC滤波器由______和______组成。
5. 运算放大器的非线性失真主要表现为______。
...三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述共射放大电路的工作原理。
2. 描述负反馈在放大电路中的作用及其优缺点。
3. 解释差分放大电路如何抑制共模干扰。
...四、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个共射放大电路，其参数如下：β=100，RC=2kΩ，RE=1kΩ，VCC=12V，VBE(Q)=0.7V。
计算电路的静态工作点Q点。
2. 假设上述电路中引入了深度负反馈，求出闭环增益Avf。
3. 设计一个简单的低通滤波器，其截止频率为1kHz，要求给出电路图和计算过程。
...参考答案：一、选择题1. C2. D3. D4. B5. B二、填空题1. 连续性、有界性、周期性2. 无穷大、接近零3. 改善稳定性、可能引入振荡4. 电阻、电容5. 饱和失真和截止失真...三、简答题1. 共射放大电路利用三极管的控制能力，将基极的微小信号变化放大为集电极的大电流变化，实现信号的放大。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案模拟电子技术试题：1. 什么是基本电子元件？2. 请解释什么是正负极性？3. 什么是电流、电压和电阻？4. 请描述二极管的工作原理。
5. 请解释什么是放大器，并描述它的作用。
6. 什么是集成电路（IC）？7. 请列举几种常见的逻辑门电路。
8. 请解释什么是模拟信号和数字信号。
9. 请描述一下运放（运算放大器）的功能和应用。
10. 请解释什么是反馈电路，并说明它的作用。
模拟电子技术答案：1. 基本电子元件是构成电子电路的基础组件，通常包括电阻、电容、电感、二极管、三极管和集成电路等。
2. 正负极性指的是电子元件或电源的正、负极性标记。
在电路中，正确连接正负极性是确保电流正常流动的重要因素。
3. 电流是电荷在电路中流动的物理量，单位为安培（A）；电压是电场力对电荷施加的作用，单位为伏特（V）；电阻是电流对电压的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
4. 二极管是一种具有两个电极的电子元件，通过PN结的形成，具有单向导电性。
当正向偏置时，电流可以顺利通过二极管；而当反向偏置时，二极管将处于截止状态。
5. 放大器是用于增强信号幅度的电路元件。
它可以增加信号的电压、电流或功率，使得信号能够在电子设备之间进行传递和处理。
6. 集成电路（IC）是在单片半导体上集成多个电子元件和电路功能的器件。
它通常以微型芯片的形式存在，并被广泛应用于电子设备中。
7. 常见的逻辑门电路包括与门、或门、非门、异或门和与非门等。
它们能够通过逻辑运算实现不同的布尔代数功能。
8. 模拟信号是连续变化的信号，其波形可以在整个连续的时间范围内取任意值；数字信号是离散的信号，只能取有限个值，通常用0和1表示。
9. 运放是一种具有高增益、差分输入和单端输出的放大器电路。
它可以用来放大、滤波、求和和积分等运算，广泛应用于电压放大、滤波器、比较器和振荡器等电路中。
10. 反馈电路是将信号从输出端回馈到输入端的电路。
它的作用是稳定系统的增益、频率响应和输入输出阻抗，以达到优化系统的目的。
(完整word版)模拟电子技术基本练习题(解).doc
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N 型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P 型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α =0.98，当发射极电流为 2mA ，其基极电流为0.04mA ，该管的β值为49 。
6．某三极管，其β =100，当集电极极电流为 5mA，其基极电流为0.05mA ，该管的α值为0.99 。
7．某三极管工作在放大区时，当 I B从 20μA 增大到 40μA ，I C从 1mA 变成 2mA 。
则该管的β约为50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9. 晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
A =20；A =-100； Av3=1，则可知这三级放13．在一个三级放大电路中，已知大电路中 A1是共基极v1 v2 组态； 3 是共集电极组态。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
(完整版)模拟电子技术测试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。
13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)
模拟电子技术基础部分模拟考试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、以上答案均不正确正确答案：B2、对于放大电路，所谓开环是指( )。
A、无信号源B、无负载C、无反馈通路D、无电源正确答案：C3、反向比例运算放大器实质上是 ( )A、深度电压串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈放大器D、深度电压并联负反馈正确答案：D4、在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响较小，同时对信号源的影响也要小，则附引入负反锁的类型是( )A、电流并联B、电流申联C、电压申联D、电压并联正确答案：B5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。
A、0.5倍B、0.1倍C、0.7倍D、0.9倍正确答案：C6、有电流放大、无电压放大的电路是 ( )放大电路.A、共集电极B、基本共射C、共基极D、分压式偏置正确答案：A7、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 ( )。
A、共基放大电路B、差动放大电路C、共射放大电路D、共集放大电路正确答案：C8、用文字符号法表示电阻器的阻值时,中间的“R"表示( )。
A、103ΩB、109ΩC、ΩD、106Ω正确答案：C9、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A10、电阻器上标有“2R7”的含义是 ( )A、27B、27KC、2.7D、2.7K正确答案：C11、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当 ( )A、大电阻B、断开的开关C、接通的开关D、以上答案均不正确正确答案：C12、识别发光二极管极性时，可以从外形来判断，以下正确的是( )。
A、引脚短的为正极B、无法判断C、引脚长的为正极D、没有正负正确答案：C13、直流稳压电源中滤波电路的作用是( )A、稳压B、将交流变为直流C、将高频变为低频D、将交、直流混合量中的交流成分滤掉正确答案：D14、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是( )。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
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模拟电子技术习题及答案HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )时会损坏。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U=0.7V，试写出各电路的输出电压D(on)Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 0＝(6—0.7)V ＝5.3 V 。
(b)令二极管断开，可得U P ＝6 V 、U N ＝10 V ，U P <U N ，所以二极管反向偏压而截止，U 0＝10 V 。
(c)令V 1、V 2均断开，U N1＝0V 、U N2＝6V 、U P ＝10V ，U P —U N1>Up —U N2，故V 1优先导通后，V 2截止，所以输出电压U 0＝0.7 V 。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui ＝(sin ωt)V ，试对应画出u i 、u 0、i D 的波形。
解：输入电压u i 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u 0＝0，而流过二极管的电流i D ＝u i ／R ，为半波正弦波，其最大值I Dm ＝10 V ／1 k Ω＝10 mA ；当u i 为负半周时，二极管反偏截止，i D ＝0，u 0＝u i 为半波正弦波。
因此可画出电压u 0电流i D 的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z ＝5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○A 1、○A 2读数分别为多大? 解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6 V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO 增大，导通电压UBE减小。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数ICM =20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC 不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC =2 mA时，UCE不得超过 30 V。
7．场效应管从结构上可分为两大类：结型、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N沟道、 P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。
8．UGS(off)表示夹断电压，IDSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
2．2 单选题1．某NPN型管电路中，测得UBE =0 V，UBC= —5 V，则可知管子工作于( C )状态。
A．放大 B．饱和 C．截止 D．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A．NPN型低频小功率硅晶体管 B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管 D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号 B．低频大信号 C．低频小信号 D．高频小信号4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管 B．增强型场效应管和耗尽型场效应管C．N沟道场效应管和P沟道场效应管 D．晶体管和场效应管5．当UGS＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 D．NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。
A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管C．耗尽型NMOS管 D．耗尽型PMOS管2．3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( × )2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √ ) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( × )4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
( √ )5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √ )2．4 分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)UBE =UB—UE＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；U BC =UB—UC＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) UBE =UB—UE＝2—3＝—1V，发射结反偏；U BC =UB—UC＝2—5＝—3 V，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) UBE =UB—UE＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；U BC =UB—UC＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP型晶体管U EB =UE—UB＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；UCB=UC—UB＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的IB 、IC、UCE。
解：(a)方法一：设晶体管工作在放大状态，则有 IC ＝βIB＝100×0.053＝5.3mAUCE＝12—5.3×3＝—3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降UCE(Sat)＝0.3 V，则集电极电流为因此可得晶体管的IB ＝0.053 mA、IC＝ICS＝3.9 mA、UCE＝UCE(Sat)＝0.3 V方法二：因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V(b) A mA K VI B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-=设晶体管工作在放大状态，则有I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mAU CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B ＝0，I C ＝0，U CE ＝5 V3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C 1、C 2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C 1、C 2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是uGS＝0时，iD ＝—IDSS(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是uGS＝0时， iD＝0(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是uGS＝0时，iD ＝IDSS，且uGS≤0第3章放大电路基础3．1 填空题1．放大电路的输入电压Ui ＝10 mV，输出电压U＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1 ，输入电阻大，输出电阻小。
4．差分放大电路的输入电压Ui1＝1 V，Ui2＝0.98 V，则它的差模输入电压Uid＝0.02 V，共模输入电压UiC＝ 0.99 V。
5．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
6．乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。