硅集成电路工艺复习提纲

硅集成电路工艺复习提纲

第二章热氧化

硅热氧化成长动力学,两种限制公式

栅介质及高k介质，为什么需要用高k介质材料

二氧化硅在半导体制造工艺中的应用

列举热氧化在IC制作造中6种用途，并给出各种用途的目的

第三章扩散

杂质扩散机构，

扩散两个杂质的分布函数公式，曲线，特点

扩散的结深，影响因素

第四章离子注入

注入离子的分布函数公式，

注入结深计算，

沟道效应及如何控制沟道效应（4种方法），

离子注入在CMOS工艺中的应用，并简要解释。

阈值电压调整，轻掺杂漏，多晶硅栅掺杂，源漏注入，阱注入，防穿通注入，预非晶化注入，

第六章化学气相淀积

氮化硅在CMOS工艺中的应用

CVD氧化硅在CMOS工艺中的应用

LPCVD ，APCVD，PECVD

解释质量输运限制和反应速度限制的工艺区别，那种工艺依赖于温度

第八章光刻与刻蚀工艺

光刻工艺流程，

干法刻蚀原理，

二氧化硅和硅的干法刻蚀，

干法刻蚀的选择刻蚀比

第九章金属化

解释铝作为互连金属的原因

描述Al/硅接触的尖揳现象，列出两种解决的主要办法第十章工艺集成

隔离方法

局部氧化（LOCOS）,浅沟槽隔离（STI）

CMOS制造工艺，

双极制造工艺