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天下“武功”，为快不破——COT控制模式

天下“武功”，为快不破——COT控制模式天下武功，⽆坚不摧，唯快不破！⽆论是武侠⼩说⾥的绝顶武功（如东⽅不败的“绣花针”，⼩李飞⼑，凌波微步等），还是实战场上的战⽃机，拼的全是速度，就连今年年初突如其来的新冠疫情，决胜的秘诀都与响应的速度息息相关。

那么在Buck电路中说到快速响应，会有什么东西闯⼊各位看官的脑海呢？没错，就是它——恒定导通时间控制模式（COT控制模式）！今天我们就来聊聊它。

COT控制本质属于电压型控制模式，⼀般结构框图如下图：图注：⼀般COT控制模式结构框图其中 Ton 时间⼀定，通过调节 Toff 来实现不同的输出电压。

细分⼜可以分为如下三类：1纹波型COT输出电压作为反馈参与控制回路。

优点：结构简单，单环控制，系统延时少，对输出电压响应好。

缺点：抗⼲扰能⼒差，所以需要外加纹波或者采⽤ESR较⼤的电容来保证正常⼯作。

同时也有电压型控制模式共同的缺点，对电流的响应不好，也需要外加措施进⾏过流保护。

图注：纹波COT控制模式结构框图2V2控制模式COT：同样是输出电压作为反馈参与控制回路，但是由于有两个电压环路，所以称为V2控制模式。

优点：可以进⼀步精确输出电压。

缺点：同样会在低ESR的情况下，因为次谐波振荡带来不稳定，所以也需要外部谐波补偿来提⾼系统稳定性。

同时电压型控制模式的缺点也⼀样拥有。

图注：V2控制模式COT结构框图3⾕值电流模式COT实际上为⼀种电流控制模式，引⼊了电流环。

优点：相⽐于之前的电压型控制模式，对电流有着更精确的响应，因为本⾝采样了电流信号，所以可以避免次谐波振荡，设计各种保护也更为简单。

缺点：结构较为复杂，系统延时较⾼。

图注：⾕值电流模式COT结构框图最后我们把三种控制⽅式的优劣在⼀个表格中总结⼀下：⽅式/项⽬抗⼲扰次谐波震荡稳态误差过流保护纹波模式弱有有需外加V2模式强有⽆需外加⾕值电流模式强⽆⽆⽆需外加⽬前⼤多数的COT芯⽚采取的是前两种模式，这也解释了为什么有时候建议采⽤⼀定ESR的电容来保证系统稳定。

(完整版)减薄、划片工艺介绍

扩张
• 步骤：
• 扩张前准备
开机，打开电源，查看引伸盘控温器上的温度显示值是否为40℃± 5℃,异常红灯会亮。
划片贴片切割裂片倒膜扩张

放扩张环，打开压盖，将扩张环的内环放入底盘中，注意光滑面朝上，将扩张环的外环放入压环盘中，注意光滑面朝下。
划片贴片切割裂片倒膜扩张
430μm
80μm
上蜡
减薄
• 定义：
将芯片固定在陶瓷盘上便于减薄的过程。
上蜡研磨抛光
卸片
清洗
上蜡
减薄
• 步骤：
• 清洁陶瓷盘
上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量级的操作，任何细微的杂质都可能导致意想不到的异常状况。
上蜡研磨抛光卸片
清洗
上蜡
• 步骤：
上蜡研磨抛光卸片
清洗
研磨
• 步骤：
• 镶盘将锡盘上均匀布满钻石液的过程。
减薄上蜡研磨抛光卸片清洗
抛光
减薄
• 步骤：
• 抛光
通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片。
上蜡研磨抛光
卸片
清洗
卸片
减薄
• 定义：
将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过程。
上蜡研磨抛光
卸片
清洗
卸片
减薄
• 步骤：
• 浸泡
将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥离。
上蜡研磨抛光卸片
清洗
卸片
减薄
• 步骤：
• 夹取
用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程中需非常小心。

正余弦细分芯片

正余弦细分芯片一、正余弦细分芯片的原理正余弦细分芯片是一种基于正弦波和余弦波的函数近似计算芯片，通过对输入信号进行快速和高精度的计算，实现精确的信号分析和处理。

其原理主要基于正弦波和余弦波的周期性特性以及傅里叶级数展开的原理。

正弦波和余弦波是一种具有周期性的函数，可以由正弦函数sin(t)和余弦函数cos(t)表示。

在信号处理领域，正弦波和余弦波被广泛应用于信号的频域分析和频率识别。

正余弦细分芯片利用这种周期性特性，通过对输入信号进行离散化处理，通过一系列的计算和累加操作，实现对信号频域特性的高精度计算和分析。

正余弦细分芯片的原理主要基于傅里叶级数展开的原理，即将输入信号表示为一系列正弦波和余弦波的叠加。

通过对信号进行离散化处理，将信号进行分段采样，并通过一系列加权累加操作，实现对信号的频域特性进行高效的计算和分析。

正余弦细分芯片通过这种高效的计算方式，实现了对信号的高精度分析和处理。

二、正余弦细分芯片的结构正余弦细分芯片的结构主要包括输入信号采集模块、数字信号处理模块和输出控制模块。

输入信号采集模块用于采集外部信号，将信号转换为数字信号，输入到数字信号处理模块进行处理。

数字信号处理模块是正余弦细分芯片的核心部分，主要包括正弦波和余弦波的函数近似计算单元、加权累加单元和频域特性计算单元。

输出控制模块用于输出处理后的信号，并将信号转换为模拟信号输出。

正余弦细分芯片的结构设计合理，功能完善，具有高速运算、高精度计算和稳定性能的特点。

其采用先进的数字信号处理技术，结合对信号的离散化处理和傅里叶级数展开的原理，实现了对信号的高效处理和分析。

正余弦细分芯片的结构设计符合工程实际应用需求，广泛应用于电力电子、通信、工控等领域。

三、正余弦细分芯片的应用正余弦细分芯片在工业控制、机器人控制、电力电子、通信等领域有着广泛的应用。

其高速运算、高精度计算和稳定性能，使其在各种信号处理和控制系统中发挥着重要作用。

以下将分别介绍正余弦细分芯片在不同领域的应用。

如何抑制电源纹波

如何抑制电源纹波直流电压波动会产生纹波现象，叠加在直流上的分量称为纹波，在我们平常的应用中DCDC输出电源纹波过大对于正常工作的芯片可能会造成影响，严重的会导致CPU挂机，如：板载DDR颗粒的VDD纹波过大可能会使得CPU对于DDR的数据读写出错，CPU访问到非法地址空间造成芯片的挂机。

电源输出交流纹波可以视为是直流输出叠加一个交流成份；从图中可以看出，纹波中包括了两个交流成份：一个DCDC输出的纹波信号与一个高频噪声的叠加。

在龙芯3A3000手册中对于芯片的电源纹波有明显的规定。

因此对于DCDC输出电压的纹波抑制显得尤为重要。

根据BUCK电路输出纹波计算公式：减少DCDC输出纹波的几种方式如下：1、增大BUCK输出电容：增大输出电容容量也就是增大了电源系统所存储的能量，当CPU在加载过程中需要大电流提供时，电源平面上较大的电容即可为CPU 提供瞬时所需的能量，使得电压波动不大。

但是电容的选择也是很重要的，对于小电流电源平面（负载电流3A这种）可能增加些许陶瓷电容即可达到较好的需求，但是对于大电流电源平面（负载电流上百A这种），所增加的电容容量就会变得很大，此时ESR就变成了考虑对象。

通常CPU的核心电源都是低压大电流的，一般选择大容量低ESR的高分子铝电解电容，而不选择铝液体电解电容。

铝液体电解电容不同规格ESR如下：高分子铝电解电容不同规格EESR如下：基本上为mΩ级2、增大电源芯片的开关频率：提高高频纹波频率，有利于抑制输出高频纹波，但是过大的开关频率容易造成EMI辐射超标，因此开关频率最好还是选择一个合适的值。

3、增大输出电感：根据开关电源的公式，电感内电流波动大小和电感值成反比，输出纹波和输出电容值成反比。

所以加大电感值可以减小输出电源的纹波。

4、优化反馈环路设计：4.1、增加前馈电容因为电源的反馈断加入了前馈电容，所以与反馈电阻形成新的零点和极点，虽然Cff在其零点频率之后引入了增益提升，此处涉及较深的控制理论，此处不再展开叙述。

Cotex-m3

Cotex-M3一、简介：1、Cotex-M3是属于ARM体系架构V7-M系列的版本处理器；2、Cotex-M3的特性：拥有Thumb-2指令集，支持16位和32位指令，只存在Thumb状态，拥有NVIC中断嵌套控制，MPU寄存器保护单元，SYSTick系统时钟，总线矩阵以及存在双堆栈等特性；3、Cotex-M3结构图：二、寄存器组：1、通用寄存器，r0-r15，其中r0-r7为低寄存器，r8-r12为高寄存器（特权模式才能访问）；2、特殊寄存器：1）R13堆栈指针寄存器（也叫SP寄存器）：指向主栈指针：（MSP）用于特权模式，由内核、异常服务例程代码使用；指向用户栈指针：（PSP）用于用户程序代码中；（另外M3中栈机制为满递减栈）2）R14链接寄存器：也叫LR，通常用于调用子程序时保存返回的地址；3）R15程序计数器：也叫PC，是内核用于指向代码执行指令的地址的寄存器；（由于M3流水线的特性，PC通常指向当前执行指令的下一条指令地址，当前指令地址=pc-4）；注意：由于M3为32位处理器，其不支持ARM态，故PC的最低一位（LSB）永远为1（表示Thumb态），低两位并不影响处理器的寻址（故地址总是4的倍数）；4）状态寄存器：（特殊功能寄存器）xPSR：状态寄存器（内部分为3个子状态）APSR：应用程序状态寄存器；IPSR：中断状态寄存器；EPSR：执行状态寄存器；5）中断屏蔽寄存器：（特殊功能寄存器）PRIMASK：只占一位，置1表示关中断，但NMI和硬件fault可以响应，默认是0，表示中断开；FAULTMASK：只占一位，置1表示关中断，但只允许NMI响应，默认0；BASEPRI：占9位（由表达优先级的位数决定），用于定义屏蔽的优先级的阈值，表示低于该优先级的所有中断都关闭（优先级低，其值越大），默认0；6）控制寄存器CONTROL（特殊功能寄存器）：用于定义当前的特权等级，以及当操作模式：M3拥有两个处理模式和两个特权等级处理器在线程模式下：可以为特权级，也可以为用户级；处理器在Handler模式下：只能为特权级；系统复位为线程模式，特权级；特权级可以通过修改CONTROL[0]进入用户级，而用户级只能通过触发异常，由异常Handler模式修改CONTROL[0]进入特权等级；三、异常和中断：1、M3支持11个系统异常，240个外部中断IRQ；2、向量表：是用于存放异常处理的入口地址的数组（32位整数），每个元素对应一个Handler的入口地址；该向量表的地址由NVIC中的重定位寄存器指定所在位置，复地址偏移量= 异常类型* 4；//0x0c = 11 * 4;3、复位序列：1）M3上电复位后首先在0x0000_0000处得到MSP的初始值（首先为服务例程准备好堆栈）；2）从0x0000_0004处得到PC的值；3）从PC所指向的地址处取指；四、汇编指令集：1、ARM特定汇编指令：EQU指示字来定义常数：NVIC_IRQ_SETEN0 EQU0xE000E100 ;相当于宏定义DIC定义特定指令：DIC 0xBE00 ;定义一条真实的计算机指令DCB定义字符串常数：HELLO_TEXTDCB “hello\n”,0;HELLO_TEXT就表示字符串hello\n\0DCD定义一串32位整数：MY_NUMBERDCD 0x12345678 ;相当于宏定义MY_NUMBER2、汇编后缀：S：表示更新APSR中的标识位（NZCV）；条件执行后缀：EQ：相等NE：不等GT：大于LT：小于……注意：当使用UAL（统一汇编语法）默认不会更新状态寄存器，而使用Thumb语法是会默认更新状态寄存器的；汇编指令还支持制定使用16位或32位的指令：ADDS.N R0, #1 ;表示16位指令（没有默认是16位）ADDS.W R0, #1 ;表示32位指令3、常用汇编指令：加法：ADD，ADC减法：SUB，SBC乘法：MUL除法：SDIV/UDIV ;有/无符号按位与：AND按位或：ORR按位异或：EOR按位清零：BIC逻辑左移：LSL逻辑右移：LSR算术右移：ASR比较：CMP测试：TET ;（等同于按位与&，只是临时值）移动：MOV数据反转：REVREV.W ;将数据以字节方式倒置（大小端的转换）RBIT ;将32位二进制整数按位倒置转移指令B<cond> ;转移/条件转移BL ;转移链接指令，也就是将返回地址（PC）保存于LR中数据传送指令LDR ;存储器->寄存器（读存储器）STR ;寄存器->存储器（写存储器）LDR S H ;将半字传送，并且拓展符号位到寄存器中STRSH ;LDM;连续的字单元->若干个寄存器STM ;多个寄存器->连续的地址子字单元空间LDRD/STRD ;双字（64位）传送LDMIA/STMIA ;多字数据传送PUSH ;压栈（可多字操作）POP;出栈（可多字操作）MRS ;特殊功能寄存器->通用寄存器MSR ;通用寄存器->特殊功能寄存器汇编支持的数据传输类型：1）寄存器-->寄存器2）寄存器<-->存储器3）寄存器<-->特殊功能寄存器4）立即数-->寄存器注意：对存储器的访问必须将地址以立即数的形式加载到寄存器，由[寄存器]的方式才能操作；//mov r1, #0x40000000 mov r1, r2 ;将r2中的数据写入0x40000000地址处；4、立即数和自增自减标识（!）立即数用#标识;#0x12更新标识;sp! ，表示每次对sp的操作都会更新sp预索引：STR.W R0, [R1, #0x04]! ;表示操作后R1 = R1 + 4后索引：STR.W R0, [R1], #0X04 ;表示操作后R1 = R1 + 45、常用条件判断标识：EQ 相等NE 不等GT 有符号大于LT 有符号小于HI 无符号大于LS 无符号小于等于GE 有符号大于等于LE 有符号小于等于6、指令屏障和存储器屏障指令主要用于确保以下指令之前，的所有指令全部生效才执行之后的指令；DMB：仅当所有在它前面的存储器访问都执行完毕，才执行后面对这些存储器访问的指令；DSB：仅当所有在它前面的存储器访问都执行完毕，才执行之后的指令（后面的指令处于等待状态）；ISB：清除流水线，保证前面的所有指令都执行完毕，才执行之后的指令；7、饱和运算：运算结果大于上限或下限时，其值就是其上限或下限；（会设置IPSR的Q位，主要用于数据操作大于其上限时会丢失，如FFFFFFFF + 2 =ffff ffff）；8、IF-THEN指令块，该指令块最多包含4条条件执行指令；ITTEE <cond>指令<cond>指令<cond2>指令<cond3>指令<cond4>第一条指令的条件必须与IT块的<cond>相同；后面三个指令条件据情况给出，T表示为真，E表示否则，可自由组合；9、数据拓展指令：（用于C语言中的数据类型的转换）SXTB, SXTH, UXTB, UXTH；//有符号/无符号展开拓展成32位的数据10、位段操作指令：BFC/BFI, UBFX/SBFXBFC：位段清零（32位）BFC.W Rd, #lsb, #width ;将Rd的第lsb位和它左边的共width个位清零；BFI 位段插入;BFI.W Rd, Rn, #lsb, #widthUBFX/SBFX ;清零/拓展位段提取11、表格字节跳转和表格半字跳转：（通常表示为switch case）表格字节跳转：TBB.W [RN, RM] ;PC += Rn[Rm] * 2五、存储器系统：1、存储器系统功能1）内部总线和外部总线通过AHB总线互联相连，外部总线分为，I-Code,D-Code、系统总线，私有外设总线；因此存储器的映射是预定义的，规定了哪个位置使用哪条总线；（指令总线和数据总线使用的是同一个存储区）2）存储器系统有两个区域支持位段操作，支持单一比特的原子操作；3）M3存储器系统支持非对齐方位和互斥访问；4）支持both大小端配置；2、总线接口1）M3处理器使用的是哈弗架构，有独立的指令总线和数据总线，取指和数据访问可以同时进行；2）内部总线：指令总线、数据总线（连接到AHB（高级高性能）总线矩阵上）；系统总线（连接到系统总线AHB上）；3）外部总线：（均为32位总线接口）I-Coude、D-Coude，连接映射的代码区，桥接到总线互联网络；系统总线，负责0x2000_0000——0xDFFF_FFFF和0xE010_0000——0xFFFF_FFFF的数据传输，可取指和数据访问；外部PPB、DAP总线等外部私有总线；4）私有外设总线AHB：只用于内部的AHB外设（NVIC,FPB,DWT和TM）；APB：可用于内部APB设备，也用于外部设备的访问；3、存储器映射1）代码区：存放指令和数据，由I/D总线访问（该区域可分为多个子区域，如Flash、Option Bytes等）；2）片上SRAM运行时临时代码存放的地方，该区域拥有一个位带区；3）偏上外设用于外设寄存器使用，含有一个位带区，用于对外设的便捷访问，对此区域寄存器的操作就是对相应外设的操作；4）2个1G空间，链接外部RAM和外部设备区；5）最后0.5G包括系统及组件，内部私有外设总线S，外部私有外设总线，以及自定义的系统外设4、存储器访问属性：可缓冲、可缓存、可执行、可共享；（通过MPU进行配置）1）代码区：可执行、可缓冲，不可缓存；2）SRAM区：写操作可缓冲，可缓存，指令可执行；3）片上外设区：指令不可执行，不可缓存；4）外部RAM区：前半段（0x6000_0000-0x7FFF_FFFFF）可缓存，指令可执行；后半段（0x8000_0000-0x9FFF_FFFF）不可缓存，指令可执行；5）外部设备区：多用于共享内存，不可缓冲，不可执行；6）系统区：指令不可执行，不可缓存、不可缓冲，（指定区域可缓存、可缓冲）；默认访问权限：5、位段操作：位段区域：SRAM和外设区的前1MB区域；位段别名区：重映射后的区域，一个位对应一个字区域操作（但该字只有LSB位有效）位段别名：对别名地址的访问会作用到位带区的实际对应位上的操作（其中执行了重映射），对位段区的操作是原子操作；若使用C语言访问位段别名区时，申请的变量必须使用volatile来定义；SRAM区中的位带重映射片上外设中的位带重映射6、非对齐数据传输：非对齐传输使用于字、半字、双字的数据进行地质非对齐（也就是地址可以出现奇数0x20000001）访问；但非对齐传输数据只适用于常规数据指令数据的传输，特殊指令不可使用，否则会造成数据的错误（如push/pop，ldm/stm等）；7、互斥访问：该特性属于原子操作互斥访问的指令LDREX（字）、LDREXB（字节）、LDREXH（半字）；STREX8、端模式：M3通常使用的是小端模式的数据存储；小端模式：低字节存放低位数据；大端模式：低字节存放高位数据；REV/REVH进行大小端数据的切换；六、异常1、异常优先级：1）优先级等级越高，其值越低；2）优先级的编号总是以MSB（最高位）对齐的，LSB总是读出0；3）优先级分组，由控制寄存器AIRCR（仅3个位，0~7组别）决定：4）抢占优先级和子优先级抢占优先级：决定处理器在运行另外一个中断的时候能否再次产生中断；子优先级：是在同一个抢占优先级层次（也就是抢占位相同），子优先级位不同的优先级，子优先级之间没有嵌套关系；5）当由于分组和优先级有效位中子优先级不可用时，抢占优先级就为子优先级；6）优先级处理排序：抢占优先级>子优先级>中断表中断排位顺序2、向量表：向量表的重定位：由向量表偏移量寄存器（VTOR的[29]位）决定，0=代码区，1=ARM区；向量表的起始地址：由VTOR的[15]位段提供；3、中断输入和挂起：当中断输入被确认后，该中断请求将被挂起，以等待中断处理的执行（即使中断源取消了中断），当中断处理得到执行的时候，中断挂起状态就会自动的清除（除非挂起状态寄存器被强制置1，中断就不会被执行）；在执行中断的时候（中断返回前），是不能够再次处理相同的中断，当中断挂起活跃保持，改中断会被再次挂起，继续进入中断的处理；（所以即使中断禁止了，中断挂起任然可以发生，使能中断前有必要将中断挂起寄存器置位）；4、错误异常：1）总线错误：通常为压栈、出栈错误，指令访问错误；总线错误有总线错误寄存器BFSR确定错误的类型；2）存储器管理错误：访问了非法的地址；往只读区域写入数据；用户等级下访问了特权等级专属的存储器；MFSR存储器管理状态寄存器；3）用法错误：执行了未定义的指令；尝试进入ARM状态；无效的中断返回（LR返回错误）；多寄存器访问时，地址没有对齐；除数为0；状态寄存器UFSR；4）硬件fault：（HFSR）5、请求系统管理调用（SVC）和可挂起服务调用（PendSV）SVC：通常是用户程序要操作硬件的时候，向系统请求（也就是调用系统接口）产生一个SVC异常，然后由该异常服务列成调用相关的操作系统函数完成用户请求服务；PendSV：可挂起的异常，通常用于上下文切换的自动延迟，直到其他ISR处理完毕；七、NVIC和中断控制1、对NVIC存储器的访问是通过存储器映射方式访问每个外部中断都在NVIC的下列寄存器中有相应的置位；使能与除能寄存器；挂起与解除寄存器；优先级寄存器；活动状态寄存器；以及多个影响中断处理的寄存器：异常屏蔽寄存器；向量表偏移寄存器；STIR（软件触发中断寄存器）；优先级分组位段；2、中断的使能和除能：每个中断要使能/除能，必须配置各自的使能/除能位；3、中断的挂起和解除：操作寄存器族中对应的SETPEND/CLRPEND4、优先级寄存器阵列：每个外部中断都有对应的优先级寄存器；5、活跃状态：ACTIVE寄存器族标识着每个中断的活跃状态；6、PRIMASK/FAULTMASK；BASEPRI：开/关中断；以及屏蔽制定阈值的所有中断；7、设置中断的步骤：1）设置优先级分组，（默认优先级组为0）；2）复制硬件错误，NMI服务例程，以及其他需要的地址到新向量表中；3）设置向量表偏移寄存器，使之指向新向量表；4）在新向量表中添加需要的中断向量；5）设置中断优先级，（默认中断优先级0）；6）使能中断；8、软件中断：使用SETPEND寄存器，或软件触发中断寄存器STIR；9、SYSTick定时器：1）SYSTick定时器是一个24位的倒计数定时器，当值计到0的时候，将从RELOAD 寄存器中自动重装载定时器初值；2）SysTick相关寄存器3）SYSTick定时器是集成在NVIC中，用于产生SYSTICK异常（编号15）；4）该定时器具有24位计数值，SYSTICK定时器用于产生中断，有特定的异常类型和异常向量；5）SYSTICK由4个寄存器控制：控制状态寄存器；重装载值寄存器；当前值寄存器；校准值寄存器；6）SYSTICK变成流程：（1）将SYSTICK控制和状态寄存器清0，禁止SYSTICK；（2）向重装载值寄存器写入重装载值；（3）将当前值寄存器清零；（4）写控制和状态寄存器，启动SYSTICK定时器；八、中断的具体行为：1、中断、异常的响应流程：1）压栈：当响应异常的时候，首先由硬件依次将xPSR、PC、LR、R12，以及R3-R0（一般用于函数传参）自动压入栈中（主栈或进程栈，由当前状态决定）；2）取向量：指令总线从向量表中取出该异常的向量（起始地址）（压栈和取向量其实是同时工作的）；3）寄存器的更新：SP：（MSP/PSP），指向异常使用的栈顶；IPSR：异常编号部分为当前异常的编号；PC：指向异常服务例程的入口地址；LR：定义为特殊值EXC_RETURN，用于中断返回操作，最后4位提供异常返回的信息；NVIC：多个寄存器会被更新；2、异常返回：将先前压栈的值倒叙出栈；更新NVIC寄存器；回到原来的处理环境；3、末尾连锁中断（咬尾中断）：也就是当一个中断执行完毕，紧接着执行另外一个中断，期间第一个中断执行完毕返回时不会出栈，而是直接进入下一个中断，而下一个中断也不必进行压栈操作，以此缩短多个中断的响应时间；4、延迟到达的高优先级异常处理：当低优先级异常响应（但并未执行对应的异常例程），正在保存现场（压栈）的时候，另外一个高优先级的异常到达，处理器就会响应该高优先级的异常（执行该异常例程），将当前低优先级的挂起，待高优先级退出后才接着执行；九、MPU存储器保护单元：1、MPU的功能：1）阻止应用程序破坏操作系统使用的数据；2）将任务隔开，阻止访问不属于自己的数据区域；3）将关键区域设置为只读，消除数据破坏；4）检测意外的存储访问；5）还可用于设置存储器区域（8个区域）的其他访问属性，缓冲，缓存等；2、MPU寄存器组：1）类型寄存器：标识MPU的开启与支持数量（8）；2）控制寄存器：3）区域编号寄存器：4）MPU区域基地址寄存器：5）区域属性和大小寄存器：。

COT模式下内置纹波补偿技术的Buck变换器

第1"卷，第1期Vol .19 $ N o.l电子与封装ELECTRONICS & PACKAGING总第16"期2019年1月COT 模式下内置纹波补偿技术的Buck 变换器夏剑平，王彬，黄堃$徐勤媛(中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214072)摘要：当输出旁路电容为陶瓷电容等低等效串联电阻(equivalent series resistance , ESRJ 电容时，传统固定导通时间(constanton -tim e ，COTJ 模式下的同步降压变换器容易出现周期性振荡现象。

对此，提出一种可内置于芯片的纹波补偿技术。

通过将与E S R 电压纹d 成比例同步变化的量注入到补偿电路中，并将该电压与直流参考电压比较，以实现当使用低E S R 电容时，C O T 架构的降压器能稳定工作。

同时通过仿真及实验结果验证了对稳定性和纹d 补偿相关分析的正确性。

关键词2内置纹波补偿-等效串联电阻-固定导通时间-同步降压中图分类号：TN 402 文献标识码：A 文章编号：1661-1070 (2019) 01-0013-05A Built-in Ripple Compensation Technique for Constant On-Time Buck ConverterX IA Jianping，W ANG B in ，HUANG Kun，X U Qinyuan(China Electronics Technology Group Corporation No.5" Research Institute, Wuxi 214072, China)Abstract: The constant on -tim e (COT ) synchronous buck converter operates easily in a periodic oscillation statewhen the equivalent series resistance (ESR ) o f output capacitor is lo w . B y leading into the voltage that synchronously changes w ith the ripple voltage across ESR and comparing it w ith the DC reference voltage，a ripple compensation technique for COT synchronous buck converter is proposed，w hich can make the converter operate norm ally even a low ESR output capacitor is used . Sim ulation results are given to ve rify the stability and ripple compensation analyses .Keywords: b u ilt-in ripple compensation ; equivalent series resistance ; constant on -tim e ; synchronous1引言固定导通时间控制(constant on -tim e ，COT )是目前比较先进的同步降压变换器控制技术。

COT架构的过流保护电路设计

COT架构的过流保护电路设计摘要：本文介绍了基于COT架构的过流保护方法，分析了基于COT的具备温度补偿的双阈值过流保护电路子模块设计，以供参考。

关键词：COT架构；过流保护电路；设计前言：恒定导通时间（COT）控制是一种利用内部计时电路产生恒定导通时间，并将输出电压纹波与基准电平进行比较来产生关断信号，从而得到脉宽调制波的控制方式。

自适应导通时间（AOT）控制则是对COT控制的改进，将输入电压Vin与开启时间建立线性关系，导通时间随Vin的增加而减少，从而使得开关频率在Vin变化时也可以保持相对稳定。

传统的COT架构在输出电流过大时一般采用恒流输出方式，限制最大输出电流。

若系统较长时间处于过流状态，则功耗较大且发热较多。

一、COT架构的过流保护方法1.COT架构的传统过流保护电路电路基本原理是：正常情况下电路中的OCP比较器输出逻辑高电平，不影响回路，金氧半场效晶体管开关状态由脉宽调制（PWM）比较器控制。

如果电路当电流超过预定最大值（过流）时，上功率管导通电阻后压降超出阈值，此时OCP比较器输出逻辑低电平使脉宽调制（PWM）比较器控制金氧半场效晶体，驱动上管关断，下管开启，待电流低于阈值后才启动下个周期，从而起到过流保护的作用。

2.COT架构的具备温度补偿的双阈值过流保护电路本文针对基于COT架构的传统过流保护电路存在的发热、功耗大等问题提出了可实现温度补偿的双阈值过流保护电路设计方案，可定时调整过流门限。

门限ITH1和常规过流门限相等，目的是避免稳态时误触发，起到短时过流保护作用，而门限ITH2更低，如果电路维持过流状态的时间较长，则将门限从ITH1下调至ITH2，以快速减少输出电流，维持更小的恒定电流，而且不会对软启动或负载波动时的电路运行产生影响。

如果过流状态消失，则结束恒流输出保护。

而对于传统过流保护电路中导通电阻造成过流门限不精准的缺点，设计了针对门限电压进行温度补偿的功能，起到抵消温度变化对门限的影响。

减薄,划片工艺处理介绍

划片
在芯片正面（激光划芯片背面），贴片
沿着激光划片的痕迹使用裂片机将切割管芯完全分离开。
裂片
倒膜
扩张
倒膜
• 定义：
将完全分离的管芯由正面贴膜翻转成背面贴膜。
划片贴片切割裂片倒膜扩张
倒膜
• 步骤：
• 去杂质将切割与劈裂过程中产生的一些碎屑
杂质粘掉。
划片贴片切割裂片倒膜扩张
• 步骤：
• 浸泡
将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥离。
上蜡研磨抛光卸片
清洗
卸片
减薄
• 步骤：
• 夹取
用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程中需非常小心。
上蜡研磨抛光卸片
清洗
清洗
• 定义：
使用一定的化学试剂通过水浴浸泡， QDR冲洗的方式将芯片上蘸有的残蜡清洗干净。
贴片
• 步骤：
• 贴片放铁环，需注意对准卡栓，用平口
镊子夹取芯片，放片时芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片。
划片贴片切割裂片倒膜扩张
切割
划片
使用激光在芯片背面，沿切割道划片贴片
。不同尺寸芯片，划片深度不一，切割深度区间为25至40μm之间。
注意：并未将芯片划穿。
裂片
倒膜
扩张
裂片
上蜡研磨抛光卸片
清洗
研磨
• 步骤：
• 镶盘将锡盘上均匀布满钻石液的过程。
减薄上蜡研磨抛光卸片清洗
抛光
减薄
• 步骤：
• 抛光
通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片。

海思终端芯片ATE技术手册

一、文档说明：本文参照业界通用做法，定义了海思终端芯片类COT的推荐ATE测试策略，以及此类芯片在测试程序开发及量产时各版本的的测试规范及测试项目要求。

因技术和芯片规格持续发展，各IP的测试规范不断添加和完善。

对于成熟IP，程序开发时需要遵守该规范，新IP 测试规范建立时可参考对应的测试规范。

二、文档目的：支撑终端芯片媒体类产品达成<2000 FDPPM的质量目标。

三、使用规范：1）本文档针对IP的测试项仅进行简单说明，详细说明及指导手册请严格遵守《IP测试规范》及《IP测试CBB》。

2）芯片测试策略必须不松于该规范，如有测试条件的删减，需经过PDT经理/项目经理/PE/PL的联合会签，如有特殊需求，可酌情增加测试条件。

3.1 程序版本说明FT/CP定义常温测试（若只有此一道testflow，也定义为FTA;若因向量深度或其他问题导致flow增加的，记为FTB,FTC....）。

3.2 ATE量产测试流程➢芯片应用特点芯片用于机顶盒，视频监控，数字电视等产品系列，质量及可靠性要求高；发货量大，成本敏感；工作环境为各国正常生活环境。

➢测试流程➢补充说明(1)CP测试：低覆盖率（开始为中覆盖，后续根据量产数据进行删减测试项以达到降成本目的），DVS，VDDN，常温测试，1~4 site(2)FT测试：全覆盖，VDDN+VDDH+VDDL，常温测试（高温待验证必要性），GB（根据CHAR结果），2~ 8sites。

(3)量产SLT：可选项，长期可根据ATE覆盖率更新情况进行抽检或取消。

(4)可靠性测试：建议By wafer lot进行HTOL/uHAST抽检3.3 测试项目标准ATE向量规格要求如下：ATE向量规格要求(CP_FT).xlsx3.4 降成本策略当量产程序稳定后，即可开始量产测试降成本工作，降成本细节请参考《海思COT芯片ATE测试降成本规范》，本文仅针对无线终端芯片进行策略性指导。

SWM12系列芯片中文简介 Cotex-M0

SWM12LQ32RA：
数字外设: •最多 25 个 GPIO； •相互独立的 6 路 PWM 产生模块，具有前后死区与紧急刹车； •4 个定时器，其中两个可用做计数器； •可编程看门狗(WDT)。 •1 个 PID 硬件控制器（可与 ADC PWM 模块协同工作）
串行接口: •1 个 UART 模块； •1 个 SPI 模块。
产品选型:
系列产品参数：
核心: •ARM Cortex-M0 处理器，最高工作频率 50Mhz； •小型化指令集 Thumb-2，提升存储密度； •嵌套中断向量控制器(NVIC)，支持 32 个中断源；
•SW 在线调试； •4 级软件加密模式。
电源管理: •集成电源管理单元，使芯片具有睡眠模式； •睡眠模式：芯片时钟停止，减少不必要的动态功耗； •片内上电复位模块（POR）； •掉电检测(BOD)，分别具有 4 个可编程阈值电压的掉电检测中断和掉电检测复位。
A10\SSI_SSn\OP2INN 12 C2\SSI_SSn\OP2INP 13
C3\SSI_CLK\AD7\OP2OUT 14
SWM10LQ48FA
28 B2\SWCLK 27 B3\SWDIO 26 C6\UART_RX 25 C7\UART_TX 24 A8\PWM4 23 XO 22 XI 21 VSS33 20 RESETn 19 A7\UART_TX\OP0INP 18 A6\UART_RX\OP0INN 17 A11\PWM5 16 C5\SSI_TX 15 C4\SSI_RX
存储器: •18KB 片上 SRAM，可灵活划分为代码区与数据区； •在系统可编程(ISP)。
时钟产生器: •片内 44/22Mhz RC 振荡器，在校准后精度可达 1%以上，低功耗应用可关闭； •外接晶体振荡器，支持 2-30Mhz； •可分别独立产生 UART、SPI、 Timer、ADC 和 PWM 时钟分频。

rk3188 4核Cotex-A9芯片简介

RK3188High Performance Mobile Application Processer for Tablet• Quad-core ARM Cortex-A9 processor with up to 1.8GHz speed • 28nm HKMG process with low leakage and high performance • Quad-core Mali-400 GPU, supporting OpenGL ES 1.1/2.0 and OpenVG 1.1, up to 500Mhz • High performance dedicated 2D processor • Full memory support, including DDRIIIand LPDDRII • 1080P@60fps multi-format video decoder • 1080P@30fps video encoding for H.264 and vp8 • Embedded 60bit/s ECC for MLC NAND，16bit data width to improve performance • Support MLC NAND Flash, iNAND Flash ,eMMC/SDMMC and USB booting • Dual panel display with multi-layer, with maximum 2048x1536 resolution support • One USB OTG 2.0, one USB Host2.0 interface and High-Speed Inter Chips interface • Support RMII Ethernetinterface •Embedded GPS baseband Package RK3188 BGA453 19mmX19mm 0.8mm ball pitchRK3188 高性能移动应用处理器• Cortex-A9 四核处理器，频率高达 1.8GHz • 低漏电，高性能 28nm HKMG 工艺 • Mali-400 MP4 GPU, 频率高达 500Mhz, 支持 OpenGL ES 1.1/2.0 and OpenVG 1.1 • 支持 DDR3, LVDDR3 and LPDDR2 • 内嵌高性能 2D 加速硬件 • H.264，VP8，RV，WMV，AVS，H.263，MPEG4 等全视频格式的 1080P@60fps 解码 •H．264 和 VP8 1080P@30fps 视频编码 • 内置 MLC NAND 60bit/s ECC，支持 16bit 位宽 • 支持 MLC NAND, E-MMC/SD-MMC, i-NAND 和 USB 启动 • 双 LCD 显示接口，支持 5 个图层, 完美支持 2048*1536 分辨率 • 内置一个 USB OTG 2.0，一个 USB Host2.0 接口 • 内置高速通信接口 •支持以太网接口 • 内置双摄像头接口 •内置 GPS 封装: RK3188 BGA453 19mmX19mm 0.8mm ball pitch 。

cot 芯片

cot 芯片cot 芯片，也称为 coordinated universal time简称 UTC 的协调世界时芯片，是一种用于计时和同步的芯片。

它是由ISO计量标准组织定义的时间标准之一，旨在提供全球统一的时间参考。

cot 芯片的核心功能是提供高精度的时间基准，以确保各种计时设备都能保持一致的时间。

它通常与其他设备（如计算机、路由器、交换机等）一起使用，用于同步它们的时钟，以实现协调的操作。

cot 芯片的主要特点有以下几个：1. 高精度：cot 芯片通常具有微秒级别的精度，能够提供非常准确的时间参考。

2. 低功耗：cot 芯片采用节能的设计，能够在低功耗状态下运行，降低能耗和热量产生。

3. 抗干扰：cot 芯片具有较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定运行。

4. 同步功能：cot 芯片可以通过各种通信协议（如NTP、PTP 等）将时间同步给其他设备，实现整个网络的统一时间。

5. 简化系统设计：cot 芯片的引入可以简化系统设计，减少对其他定时器和计时电路的依赖。

6. 多种接口：cot 芯片通常提供多种接口（如SPI、I2C等）用于与其他设备进行通信，方便集成到不同的系统中。

cot 芯片广泛应用于各种场景，包括计算机网络、通信系统、航天航空、金融交易等。

在计算机网络中，cot 芯片可以帮助确保网络设备的时钟同步，以确保数据的准确传输和处理。

在金融交易中，cot 芯片可以提供高精度的时间戳，以确保交易的准确性和可靠性。

总之，cot 芯片是一种重要的计时和同步设备，通过提供高精度的时间基准，能够确保各种计时设备间保持同步。

它的广泛应用和稳定性使其成为现代计算机和通信系统中必不可少的组成部分。

cot的原理

cot的原理1. 什么是cotCot是一种网络层协议，全称为Constrained Application Protocol (CoAP) over TCP (CoAP-over-TCP)。

它是基于CoAP的传输层协议而设计的，旨在提供对于受限节点的可靠通信。

2. Cot的背景CoAP最初是专为无线传感器网络（WSN）设计的一种轻量级传输协议。

然而，随着物联网（IoT）的快速发展，CoAP开始应用于更广泛的领域，包括有线网络和移动网络等。

然而，CoAP本身只能在UDP上运行，这使得在一些网络环境下，如数据中心网络和长距离通信网络中，CoAP的性能受到限制。

因此，CoAP-over-TCP应运而生。

3. Cot的优势与UDP相比，TCP具有更高的可靠性和完整性。

CoAP-over-TCP通过在TCP协议的基础上作出一些改进，克服了CoAP在可靠性和完整性方面的不足。

Cot具有以下几个优势：3.1 更高的可靠性TCP通过使用可靠的连接和流量控制等机制，在数据传输过程中提供更高的可靠性。

这意味着即使在高延迟、高丢包率或拥塞的网络环境下，Cot也能够确保数据的可靠传输。

3.2 更好的完整性CoAP-over-TCP通过使用TCP的可靠性特性，确保数据的完整传输。

TCP使用序列号和确认机制，可以检测到丢失、重复或乱序的数据包，并进行相应的处理和校正，保证数据的完整性。

3.3 更广泛的应用由于CoAP-over-TCP使用了TCP协议作为底层传输协议，它可以在更广泛的网络环境中应用，包括有线网络和移动网络等。

这使得Cot在物联网中的应用更加灵活和可靠。

4. Cot的工作原理Cot的工作原理可以简单概括为将CoAP消息封装在TCP报文中进行传输。

下面将详细介绍Cot的工作原理。

4.1. 端口号Cot使用的端口号为5683，与CoAP一致。

这样可以保证Cot与CoAP之间的互操作性。

4.2. 报文格式Cot的报文格式与CoAP基本相同，只是在消息头部分进行了一些改动。

半导体cot模式

半导体cot模式半导体COT（Constant On-Time）控制模式是一种先进的控制策略，用于管理电力电子转换器的开关行为。

在COT控制模式下，开关的开通时间恒定不变，而关断时间则随着系统需求和状态变化而动态调整。

这样可以提高系统的稳定性和效率，同时降低开关损耗和电磁干扰。

COT控制模式的工作原理基于滞环控制模式发展而来。

在基本的迟滞控制中，功率管的导通时间由一个单稳态计时电路（One Shot）控制，使功率管导通一个恒定的时间。

当反馈电压低于参考电压时，比较器的输出会拉高，SR latch被置位，Q输出也拉高，功率管就会打开。

电感电流线性上升，输出电压纹波以及反馈电压上的纹波也会上升，因此，比较器的输出会立马拉低，形成一个脉冲。

而Q输出拉高同时，也启动了单稳态计时器，直到这个固定开通时间结束。

单稳态定时器输出翻转拉高，复位SR latch。

当结束功率管开通的过程后，电感电流下降，输出电压纹波也下降，直到反馈电压再一次低于参考电压，开启新的周期。

在COT控制模式下，开关的开通时间由定时器确定，不受输入电压或负载变化的影响。

一旦定时器到达设定时间，不管系统状态如何，开关都会自动关断。

然后系统会重新开始计时，直到下一次定时器到达设定时间。

这种控制方式可以减少开关次数，降低开关损耗和电磁干扰。

同时，由于COT控制模式不需要复杂的电流和电压检测电路，因此可以简化系统设计并降低成本。

COT控制模式在许多领域都有应用，如电机控制、逆变器和电源管理等。

在电机控制中，COT控制模式可以用于实现恒定转矩或恒定速度控制。

在逆变器中，COT控制模式可以用于实现直流到交流的转换，为负载提供稳定的交流电源。

在电源管理中，COT控制模式可以用于管理多个电源的切换和分配，以确保系统的高效和稳定性。

总之，COT控制模式是一种先进的半导体控制策略，具有许多优点。

它可以提高系统的稳定性和效率，降低开关损耗和电磁干扰，简化系统设计并降低成本。