模电(李国立)3章习题答案
模电模块三习题册答案
模电模块三习题册答案模电模块三习题册是电子工程专业的一门重要课程，通过解答习题可以帮助学生巩固所学的电路分析和设计知识。
在这篇文章中，我将为大家提供一些模电模块三习题册的答案，希望对大家的学习有所帮助。
第一题：给定一个电路，其输入电压为10V，电阻为100Ω，求电路中的电流和电压。
解答：根据欧姆定律，电流可以通过公式I = V/R计算得出，其中V为电压，R 为电阻。
所以，电流I = 10V / 100Ω = 0.1A。
而电压等于电流乘以电阻，即V = I * R = 0.1A * 100Ω = 10V。
因此，电路中的电流为0.1A，电压为10V。
第二题：给定一个电路，其输入电压为5V，电感为0.1H，电容为0.01F，求电路中的谐振频率。
解答：根据谐振频率的公式f = 1 / (2π√(LC))，其中L为电感，C为电容。
将给定的数值代入公式中，可以计算得出谐振频率。
所以，f = 1 / (2π√(0.1H *0.01F)) = 1 / (2π√(0.001)) ≈ 159.15Hz。
因此，电路中的谐振频率约为159.15Hz。
第三题：给定一个放大电路，其输入电压为1V，输入电阻为10kΩ，放大倍数为100，求输出电压和输出电流。
解答：根据放大倍数的定义，输出电压等于输入电压乘以放大倍数。
所以，输出电压Vout = 1V * 100 = 100V。
而输出电流可以通过输出电压除以输出电阻得出，即Iout = Vout / Rout。
由于题目中没有给出输出电阻的数值，无法计算出具体的输出电流。
第四题：给定一个滤波电路，其输入电压为10V，电容为1μF，电阻为1kΩ，求电路中的输出电压。
解答：滤波电路可以通过电容和电阻的组合来实现对输入信号的滤波。
在这个电路中，电容和电阻的组合决定了滤波的特性。
根据滤波电路的公式Vout = Vin / (1 + jωRC)，其中Vin为输入电压，ω为角频率，R为电阻，C为电容。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
电路与模拟电子技术(第二版)第3章习题解答[1]
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第三章 正弦交流电路3.1 两同频率的正弦电压，V t u V t u )60cos(4,)30sin(1021︒+=︒+-=ωω，求出它们的有效值和相位差。
解：将两正弦电压写成标准形式V t u )18030sin(101︒+︒+=ω V t u )9060sin(42︒+︒+=ω，其有效值为V U 07.72101==，V U 83.2242==︒=︒-︒=150,15021021ϕϕ或︒=-=∆6021ϕϕϕ3.2 已知相量21421321,,322,232A A A A A A j A j A ⋅=+=++=+=，试写出它们的极坐标表示式。
解： ︒∠=⋅=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=︒304421234301j e j A ︒∠=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=604232142j A3122(23(31)()2(13)45A A A j j =+=+++++∠︒ 412443060169016A A A j =⋅=⨯∠︒+︒=∠︒= 3.3 已知两电流 A t i A t i )45314cos(5,)30314sin(221︒+=︒+=,若21i i i +=，求i 并画出相图。
解：A t i )9045314sin(52︒+︒+=，两电流的幅值相量为 1230m I A =∠︒ ，A I m︒∠=13552 总电流幅值相量为)135sin 135(cos 5)30sin 30(cos 221︒+︒+︒+︒=+=j j I I I mm m ︒∠=+-=++-=11285.453.480.1)2251(2253j jA t t i )112314sin(85.4)(︒+= 相量图如右图所示。
3.4 某二端元件，已知其两端的电压相量为V 120220︒∠=U ，电流相量为A I︒∠=305 ，f=50H Z ，试确定元件的种类，并确定参数值。
解：元件的阻抗为449044305120220j IU Z =︒∠=︒∠︒∠==元件是电感，44=L ω，H L 14.05024444=⨯==πω3.5 有一10μF 的电容，其端电压为V )60314sin(2220︒+=t u ，求流过电容的电流i 无功功率Q 和平均储能W C ，画出电压、电流的相量图。
模拟电子技术基础 第三章 习题解答
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
1
1.4 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管 导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出 幅值。
uO VCC ICQ RC 11V＜UBE 饱和，Uce＝Uces＝0.7V
5
1.11 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和 管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电 压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
成 解：在空载和带负载情况下，
都
信 电路的静态电流、rbe均相
息 工
等，它们分别为:
程
学
院
实 验 中
I BQ
VCC
U BEQ Rb
U BEQ R
22μ
A
心 I CQ I BQ 1.76mA
rbe
rbb' EQ
1.3k
9
成
都
信
息
工 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出
RL Rc RL
I CQ (Rc ∥ RL ) 2.3V
中 心
A u
RL'
rbe
115
Ri Rb ∥rbe rbe 1.3k
A us
rbe Rs rbe
Au
47
Ro Rc 5k
11
2.9 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得ui和uo的有效值分别为1mV和100mV，则负载电
模拟电子技术第三章习题答案
11.已知共基放大电路如题3-21图所示。
已知晶体管VT 的h fe =50，r bb’=50Ω，U BEQ =0.7V ,电路中的电容对交流可视为短路。
1．求静态工作点。
2．画出h 参数等效电路；求中频电压增益ＡU ,输入电阻和输出电阻。
分析：题3-21图电路为CB 组态放大电路。
在进行低频小信号分析时，可以使用CB 组态的h 参数模型，也可以使用比较熟悉的CE 组态的h 参数模型。
解： 方法一：1． 直流电路如题3-21图a 所示。
R L 3k Ω题3-21图V CC +12v题3-21图a2．利用CB 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图b 所示。
方法二：1． 静态工作点的计算方法同方法一，略2． 利用CE 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图c 所示。
()())V (75.32365.112)mA (03.050)mA (62.1)mA (62.165.151501)mA (65.1k 27.04)V (412301515E C CQ CC CEQ f eBQ EQ f e f e CQ E BE B CC B2B1B2B =+⨯-=+-==≈==⨯=+==-=-==⨯+=+=R R I V U h I I I h h I R U U I V R R R U CQ EQ题3-21图b+u o-+u i-()()()()bb'ie fe EQ ie ib fe fefb fe2626150150853Ω1.6585316.7Ω15111h r h I h h h h h h =++=++⨯====+-==≈-+()()()()E ib o c fb C L fb C L o U i e ib ib //16.7Ω//2k Ω16.5Ω3k Ω////13//38816.7i e r R h r R h i R R h R R u A u i h h =====⨯⨯-⨯==-=-=-=⨯输入电阻输出电阻中频电压增益为输入电阻输出电阻10.共集放大电路如题3-19图所示。
模电第三章习题答案
模电第三章习题答案模电第三章习题答案模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要学科，它研究的是模拟电路的设计与分析。
模电的第三章主要涉及放大器的基本概念和特性，包括放大器的分类、放大器的增益计算、放大器的频率响应等内容。
在学习模电的过程中，习题是巩固知识和提高解题能力的有效工具。
下面将给出模电第三章习题的详细解答。
1. 问题：计算电压放大倍数Av。
解答：电压放大倍数Av的计算公式为Av = Vout / Vin，其中Vout为输出电压，Vin为输入电压。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过欧姆定律和基尔霍夫定律来计算。
2. 问题：计算共模抑制比CMRR。
解答：共模抑制比CMRR的计算公式为CMRR = 20log10(Ad / Ac)，其中Ad为差模增益，Ac为共模增益。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
3. 问题：计算输入阻抗Zin。
解答：输入阻抗Zin的计算公式为Zin = Vin / Iin，其中Vin为输入电压，Iin为输入电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
4. 问题：计算输出阻抗Zout。
解答：输出阻抗Zout的计算公式为Zout = Vout / Iout，其中Vout为输出电压，Iout为输出电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
5. 问题：计算最大输出功率Pmax。
解答：最大输出功率Pmax的计算公式为Pmax = Vout^2 / (4Rl)，其中Vout为输出电压，Rl为负载电阻。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
通过以上习题的解答，我们可以加深对模电第三章内容的理解。
在实际应用中，我们需要熟练掌握放大器的基本概念和特性，以便能够正确设计和分析模拟电路。
同时，通过解题过程，我们也可以培养自己的逻辑思维和问题解决能力。
模电作为电子工程的重要学科，对于电子工程师的培养具有重要意义。
第3章习题解答
第3章作业3.4.2 电路如图题3.4.2所示，电源v s为正弦波电压，试绘出负载R L两端的电压波形。
设二极管是理想的。
解v s〉0时，D2、D4导通，v L= v s；v s〈0时，D1、D3导通，v L=-v s。
故v L波形如图解所示。
3.4.3 电路如图题3.4.3所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D和V o的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=×=Ω××−=−=− V V V V D O 4.17.022=×==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DD O 6)02.321000(02.32122±=Ω×+Ω××±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆−∆+，即1.406V ～1.394V 。
3.4.6 试判断图题 3.4.6中二极管是导通还是截止，为什么？解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=×Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=×Ω+Ω+×Ω+Ω= D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有V V k k V A 115)10140(10=×Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=×Ω+Ω+−×Ω+Ω=3.5.1 电路如图题3.5.1所示，稳压管D Z 的稳定电压V Z =8V ，限流电阻R =3k Ω，设v I =v i =15sin ωt V ，试画出v o 的波形。
《模拟电子线路》各章节习题答案
各章节部分习题答案第一章半导体器件【练一练1】1. 导体绝缘体2. N P3. 电子空穴4. 空穴电子5. 电子空穴6. 正负7. 单向导电导通截止【练一练2】1. 正向；反向；0.7V；0.2V2. 最大整流电流IF；最高反向工作电压UR3. 硅，锗；点接触型，面接触型；N；硅；整流4. 小；大5. R=U/I；也要改变【练一练3】1. 发射；基; 集电，ｅ；b; c2. 正向，反向3. 截止区；放大区；饱和区4. 集电结，发射结5. PNP；NPN；NPN；PNP6. 发射；集电；基；发射；集电7. I E=ＩB＋ＩC；直流电流放大系数； ；交流电流放大系数，β8. 基极；集电极；微弱；较大9. 反向；反向；零10. 正向；正向；零【习题1】一、选择题1.ａ2.ｃ３.ｂ４.ｃ 5.ｃ 6.C 7.b 8.ｂ 9.ｂ 10.a 11.c 12.c三、问答题14. 从晶体二极管的伏安特性曲线上看，导通电压低的为诸管，导通电压高的为硅管。
16. 晶体三极管电流放大作用的实质是用微弱的电流控制较大的电流。
晶体三极管具有电流放大作用必须给它的各级加上适当的电压，即：发射结正偏，集电结反偏。
18. 用万用表欧姆挡置“R×100Ω或R×1ｋΩ”处，将红、黑表笔对调分别接触二极管两端，表头将有两次指示。
若两次指示的阻值相差很大，阻值大的那次红笔所接为正极，黑笔所接为负极。
19. 因为在测量阻值时，为使测试棒和管脚接触良好，用两只手捏紧进行测量，相当于给所测元件并联一个人体电阻，所以测量值比较小，认为不合格，但用在设备上却工作正常。
20.（a）截止区（b）放大区 (c) 饱和区第二章放大电路【练一练1】1. 180o;放大器的倒相作用 2. 共发射极；共集电极；共基极 3. 发射极；基极；发射极；集电极；电流；电压 4. 隔直流作用；交流 5. 发射结；集电结6. 不能放大交流信号的电路为（a ）、（b ）、（c ）、（f ）能放大交流信号的电路为 （d ）、（e ） 【练一练2】1. 没有输入信号；估算；图解2. I BQ 、I CQ 和U CEQ3. 减小；增加4. 右移5. 陡6. 晶体管的特性曲线；放大电路的工作状态 【练一练3】1. 倒相；反相器2. 特性曲线；输入电阻；输出电阻3. 输入电阻；r be4. 输出电阻；r o5. LR '1；陡一些；R ’L =R C //R L 6. 大；小 7. 直流负载线的中心 8. 短【习题2】 一、选择题1. b2. a3. b4. c5. b6. c7. c 二、计算题8．I BQ =11 A ，I CQ =0.9mA ，U CEQ =4.2V ，A u = –61，r be =2640 ，r o =2k ； 9．I CQ =3mA ，U CEQ =6V ；10．r i =1668Ω，r o =2kΩ，A u = –72；第三章 含负反馈的放大电路【练一练1】1. B2.B3.A4.C5.C6.A ；B ；B ；B7. 图3.2-11所示电路中，通过R3和R7引入的是：直流电压并联负反馈； 通过R4引入的是：交、直流电流串联负反馈。
模电1-3章课后习题
填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。
3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。
若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。
若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。
4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98 ；若α＝0.99，则β＝99 。
5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。
7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真的原因是Ic偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。
8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。
9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率f H时，这时电路的实际增益为-77.7 ，其输出与输入信号的相位相差-225 度。
10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100 倍，上限频率f H＝2×106Hz，下限频率f L＝20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB。
11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。
模电第三章作业解答
模拟电子技术基础第三章3.2 电路如题图3.2所示，12100e e R R ==Ω，BJT 的100β=，0.6BE U V =，求：（1）静态工作点Q （111B C CE I I U 、、）；（2）当120.01V,0.01V i i u u ==-时，求输出电压12o o o u u u =-的值；（3）当12c c 、间接入负载电阻 5.6k L R =Ω时，求o u 的值；（4）求电路的差模输入电阻id r 、共模输入电阻ic r 和输出电阻o r 。
解：（1）由于发射极为恒流源，所以：C1E111mA 2I I I ===恒；C1B11mA 10μA 100I I β===； 静态电路中取120i i u u ==，120.6V E E BE U U U ==-=-； 所以，CE1CC C1C1E15V U V I R U =--=（其中E1U 可以忽略，则CE1 4.4V U =）。
（2）差动放大电路为双端输入双端输出有()()c1ud be1e1be1100 5.643.321+ 2.8261010.126200+1+100 2.826k 1R A r R r ββ-⨯⎧==-=-⎪++⨯⎪⎨⎪=⋅=Ω⎪⎩；而120.02V id i i u u u =-=故输出0.8664V o ud id u A u =⋅=-。
（3）当接入负载电阻L 5.6k R =Ω时：()L c1ud be1e1//1001.8667214.441+ 2.8261010.1R R A r R ββ⎛⎫- ⎪⨯⎝⎭==-=-++⨯； 14.440.020.289V o ud id u A u =⋅=-⨯=-。
（4）()[]1212 2.82610110025.852k id be e r r R β=++=⨯+⨯=Ω⎡⎤⎣⎦； ()11210M 2ic be e r r R β=++⋅Ω⎡⎤⎣⎦；1211.2k od c r R ==Ω。
电路与模拟电子技术基础（第2版）习题解答第3章习题解答
第3章正弦稳态电路的分析习题解答3.1 已知正弦电压()V314sin 10q -=t u ，当0=t 时，V 5=u 。
求出有效值、频率、周期和初相，并画波形图。
周期和初相，并画波形图。
解 有效值为有效值为有效值为 V 07.7210==UHz 502314==pf ；s 02.01==fT将 0=t , V 5=u 代入，有代入，有 )sin(105q -=，求得初相°-=30q 。
波形图如下。
波形图如下3.2 正弦电流i 的波形如图3.1所示，写出瞬时值表达式。
所示，写出瞬时值表达式。
图3.1 习题3.2波形图波形图解 从波形见，电流i 的最大值是A 20，设i 的瞬时值表达式为的瞬时值表达式为A π2sin 20÷øöçèæ+=q t T i当 0=t 时，A =10i ，所以，所以 q sin 2010=，求得，求得 °=30q 或 6π=q 。
当 s 2=t 时，A =20i ，所以，所以 ÷øöçèæ+´=6π2π2sin 2020T ，求得，求得 s 12=T 。
所以所以 A÷øöçèæ°+=306πsin 20t i。
3.3正弦电流()A 120 3cos 51°-=t i ，A )45 3sin(2°+=t i 。
求相位差，说明超前滞后关系。
关系。
解 若令参考正弦量初相位为零，则1i 的初相位°-=°-°=30120901q ，而2i 初相位°=452q ，其相位差其相位差 °-=°-°-=-=75453021q q j ， 所以1i 滞后于2i °75 角，或2i 超前1i °75 角。
模电(李国立)3章习题答案
3 场效应管自我检测题一．选择和填空1. N沟道和P沟道场效应管的区别在于C 。
（A．衬底材料前者为硅，后者为锗，B．衬底材料前者N型，后者为P型，C．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）2. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
3．结型场效应管的栅源之间通常加反向偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层S i O2绝缘层，因此栅极静态电流几乎等于零。
4. 图选择题4中，（a）电路中场效应管的类型是N沟道增强型绝缘栅场效应管，V DD 的极性为正；（b）电路中场效应管的类型是N沟道结型场效应管，V DD的极性为正；（c）电路中场效应管的类型是P沟道耗尽型绝缘栅场效应管，V DD的极性为负。
ggg( a )( b )( c )DD图选择题45.在放大状态下，双极型晶体管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置；结型场效应管的栅源之间加有反向偏置电压，栅漏之间加有反向偏置电压。
6.双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了基极电流对集电极电流的控制能力；而单极型场效应管常用跨导g m 参数反映栅源电压对漏极电流的控制能力。
7. 场效应管的栅极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻。
8．结型场效应管利用半导体器件的内部电场效应进行工作，MOSFET利用半导体器件的表面电场效应进行工作。
9．双极型晶体管从结构上可以分成_NPN和PNP两种类型，工作时有多子和少子两种载流子参与导电。
场效应管从结构上可以分成结型和绝缘栅型两大类型，因导电沟道的不同每一大类又可分为N沟道和P沟道两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于多数载流子的运动。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．场效应管的优点是有很高的输入电阻。
（√）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模电课后习题答案
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
电路与模拟电子技术(第二版第三章习题解答
元件是电感， ，
3.5有一10μF的电容，其端电压为 ，求流过电容的电流i无功功率Q和平均储能WC，画出电压、电流的相量图。
解： ，
电流超前电压90°，相量图如右图所示。
QC=-UI=-220×0.69=-152Var
3.6一线圈接在120V的直流电源上，流过的电流为20A，若接在220V，50HZ的交流电源上，流过的电流为22A，求线圈的电阻R和电感L。
，
线路功率损耗
单相输电线中的电流： ，线路功率损耗为
现要求功率损耗相等，即：
，
由此得
三相输电线的用铜量为3Sl，单相输电线的用铜量为 ，即三相输电线的用铜量为单相输电线用铜量的3/4。
， ，
，
3.14用电源等效变换的方法求题3.14图所示电路中的 ，已知 。
解：等效电路如图所示
3.15求题3.15图所示电路的戴维宁等效电路和诺顿等效电路。
解：（a）由弥尔曼定理可得
（b）ab端开路时， ，故
用短路电流法求等效阻抗，电路如图所示，对大回路有：
，
， ，
3.16求题3.16图所示电桥的平衡条件。
解：电源额定电流为 ，负载电流为 ，超过电源额定电流。
将负载的功率因数从0.6提高到0.95，需并联的电容容量为
并联电容后，电源电流为
设并联电容后还可接入n只40W灯泡，接入n只灯泡后的功率因数角为 ，则
有功功率8000+40n≤104cos
无功功率8000sin(arccos0.95)=104sin
总功率：
功率因数：
3.40证明：如果电压相等，输送功率相等，距离相等，线路功率损耗相等，则三相输电线（设负载对称）的用铜量为单相输电线用铜量的3/4。
模电第三章课后题答案
模电第三章课后题答案模拟电路第三章课后题答案1. 什么是直流偏置？有哪些方法可以实现直流偏置？直流偏置是指在放大器电路中为信号输入提供一个基准电压或偏置电压的方法。
常用的直流偏置方法有四种：固定偏置、可调偏置、恒流源偏置和共射极稳压偏置。
2. 什么是共模反馈？可以用来做什么？共模反馈是指将输出信号的一部分通过反馈电路送回放大器输入端并与输入信号相加的一种反馈方式。
它可以用来降低输出的共模干扰、提高放大器的直流稳定性和增大输出阻抗等。
3. 论述共源放大器输入电阻的大小与管子的参数关系。
共源放大器输入电阻Ri与管子的参数关系为Ri=rd//rds。
其中rd和rds 分别为管子的内阻和漏极电阻，它们与管子的型号有关，可以通过数据手册或参数表找到。
4. 怎样理解源极负载共源放大器的“驱动能力”？源极负载共源放大器的“驱动能力”是指它可以驱动的负载电阻的大小。
它与放大器的工作状态有关，当放大器处于饱和状态时，它的驱动能力较强；当放大器处于截止状态时，它的驱动能力较弱。
5. 什么是运放的输入失调？有什么影响？运放的输入失调是指运放输入端的两路信号不对称，产生一个微小的偏置电压，从而影响运放的放大能力和输出的准确性。
其影响包括：增大输出的偏置电压、降低放大增益和导致失真等。
6. 什么是偏压稳定度？如何提高？偏压稳定度是指放大器直流工作点的稳定性，通常用温度系数来表示。
它可以通过采用合适的偏压电路设计、选用稳定性好的元器件、合理布局和散热等方式来提高。
7. 什么是负反馈？有哪些优点？如何设计？负反馈是指将部分输出信号送回放大器输入端，并与输入信号相减的一种反馈方式。
它的优点包括提高放大器的稳定性、降低失真、增加带宽和减小输出阻抗等。
负反馈的设计需要明确设计目标和反馈网络的参数，通过计算和仿真实现。
模拟电子技术教程第3章习题答案
模拟电子技术教程第3章习题答案(总17页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第3章 习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗（ 不能 ）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗（ 能 ）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。
（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
（8）画直流通路比画交流通路复杂吗（不）在画交流通路时直流电压源可认为短路，直流电流源可认为开路，二极管和稳压管只考虑其动态内阻即可。
（9）求输出阻抗时负载R L必须断开，单管放大器输出阻抗最难求的是共集电极放大器，其次是共源放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指晶体管对所加电源呈现的等效电阻，交流电阻指在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗（无）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C或R D的作用是把电流I C 或I D的变化转换为电压的变化。
模电课后习题参考答案
《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。
2.减小；增大。
3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。
4.0.5；；；。
5. 15V；；；；6V；。
6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。
2. ②；①。
3.①。
4.③。
5.③。
6.③。
三、1、2、5、6对； 3、4错。
思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。
再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。
(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。
故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。
当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。
当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。
同理，当u i≤时，U om≈。
图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。
因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。
截止。
1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；<u i<8V时，u o=u i；u i<时，u o=。
图略。
1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。
(完整版)第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1．晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其__A_______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5．温度升高，晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6．温度升高，晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8．温度升高，晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9．温度升高，晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13．对于电压放大器来说，___B____越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位___B____。
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3 场效应管
自我检测题
一．选择和填空
1. N沟道和P沟道场效应管的区别在于C 。
（A．衬底材料前者为硅，后者为锗，B．衬底材料前者N型，后者为P型，C．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）
2. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
3．结型场效应管的栅源之间通常加反向偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层S i O2绝缘层，因此栅极静态电流几乎等于零。
4. 图选择题4中，（a）电路中场效应管的类型是N沟道增强型绝缘栅场效应管，V DD 的极性为正；（b）电路中场效应管的类型是N沟道结型场效应管，V DD的极性为正；（c）电路中场效应管的类型是P沟道耗尽型绝缘栅场效应管，V DD的极性为负。
g
g
g
( a )( b )( c )
DD
图选择题4
5.在放大状态下，双极型晶体管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置；结型场效应管的栅源之间加有反向偏置电压，栅漏之间加有反向偏置电压。
6.双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了基极电流对集电极电流的控制能力；而单极型场效应管常用跨导g m 参数反映栅源电压对漏极电流的控制能力。
7. 场效应管的栅极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻。
8．结型场效应管利用半导体器件的内部电场效应进行工作，MOSFET利用半导体器件的表面电场效应进行工作。
9．双极型晶体管从结构上可以分成_NPN和PNP两种类型，工作时有多子和少子两种载流子参与导电。
场效应管从结构上可以分成结型和绝缘栅型两大类型，因导电沟道的不同每一大类又可分为N沟道和P沟道两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于多数载流子的运动。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻。
（√）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（√）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
（×）
4．用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的输入电阻比后者大。
（ × ）
5. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换（ √ ）；双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，所以发射极和集电极也可以互换。
（ × ）
6. 场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。
（ √ ） 7．N 沟道结型场效应管的GS v 越负，D i 越小，GS v 不可为正（ √ ）；N 沟道增强型绝缘栅场效应管的GS v 也一样。
（ × ）
8．场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大。
（ √ ）
9．场效应管是电压控制器件，GS m D v g i =，这是个线性方程，所以它是线性器件。
（ × ） 10．场效应管的输出电阻特别高。
（ × ）
习题
3.1定性画出图题3.1两种场效应管的转移特性曲线，并说明曲线与横坐标交点的含义。
D
i
D
g
( b )
( a )
图题3.1
解：
( a )
( b )
3.2已知场效应管的输出特性如图题3.2所示。
试求管子的下列参数： （1）夹断电压P V 或开启电压T V ； （2）饱和漏极电流DSS I 或DO I
（3）V 4GS =v 时的漏源击穿电压BR(DS)V ； （4）V 10DS =v 、mA 3D =i 附近时的跨导m g 。
246/V
图题3.2
解：N 沟道增强型MOSFET （1）开启电压T V =3V
（2）T GS V v 2==6V 时，I DO ≈5.5mA （3）V 4GS =v 时的漏源击穿电压BR(DS)V ≈18V （4）g m ≈
GS
D U I ∆∆≈5
5.54.28.3--mS ＝2.8mS
3.3图题3.3所示是三种不同类型的场效应管的转移特性曲线，试判断它们各属于什么类型的场效应管。
i D
( a )
( b )
g
( c )
图题3.3
解：
（a ）N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管 （b ）
P
沟道结型场效应管
（c ）P 沟道增强型绝缘栅场效应管
3.4在由一个双极型晶体管和一个MOS 场效应管组成的共射和共源放大电路中，测得T 1和T 2管的各电极对地静态电位如图题3.4所示，试判断T 1和T 2管的类型，用相应的管子符号填入图中。
T 1
T 2
图题3.4
解： T 1为PNP 型三极管，发射极接地，基极电位为-0.7V ；T 2为场效应管，源极接地，
栅极电位为-0.7V。
T2
1
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