椭圆偏振仪讲稿.ppt

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2000
4000
6000
Distance from Substrate in ?
8000
多层膜的测量
• ZnS-Ag-ZnS多层膜的椭偏仪拟合结果ψ和∆
(Appl. Surf. Sci.v.183 (1-2), p103-110, Nov. 12 2001 )
Ag、ZnS的n和k随λ变化曲线
模型的选择
椭圆偏振仪
金承钰
上海交通大学分析测试中心 (上海市华山路1954号,中国上海,200030)
工作原理
入射光入射任何介质
Transmission=IT/IO Reflection=IR/IO
椭圆偏振测量术是研究两媒质间界面或薄膜中发生的 现象及其特性的一种光学方法,基于利用偏振光束在 界面和薄膜上反射或透射时出现的偏振态的变化。
S-P坐标系中电磁波的电场分量描述
Erp rp 0
Eip
Ers = 0 rs = Eis
则有rp= Erp / Eip,rs= Ers/ Eis
设入射电场分量与坐标轴成45o则Eip=Eis
tan(ψ)ejΔ=rp/rs =ρ(N0,N1,N2,d1,φ0,λ) =Erp/ Ers, 其中tan(ψ)为电场反射分量的振幅比,Δ为两
RAE特点
可消除光源残余偏振造成的任 何误差,但需系统在暗室中工作。
典型的椭圆偏振仪的操作和数据处理过程
Power Up→Verify →Alignment→Calibra tion→Acquire Data→Analysis (Model→Fit→Results)
最小均方差
MSE 1 2N M
7659.8 ? 0?
1 mm
拟合结果
• 梯度光学特性(EMA=-14.44,说明该材料的光
学梯度由基底到样品表面折射率是梯度增大)
Depth Profile of Optical Constants at 500nm
4.5
Index of refraction 'n'
4.0
n
3.5
3.0
2.5
2.0 -2000
聚合物材料
SnO2 材料
光学梯度膜的测量
• Si基底上生长的SiC或Si3N4薄膜特点
Graded Film Substrate
Substrate
SiC薄膜所用的Graded模型
拟合结果
• 膜厚信息
2 graded(sic_cauchy)/void 1 sic_cauchy 0 si_vuv
N i1

imod iexp
exp ,i
2


mi od eixp
exp ,i

2


1 2N
M
2
模型拟合
• Cauchy色散关系模型 • Herzinger-JohsTM参数 • Lorentz • Drude • Gaussian • Harmonic • Tauc-Lorentz色散关系-谐振子等模型 • Urbach吸收模型
• ZnS膜层用的是Cauchy和Urbach模型
Cauchy色散关系: n(λ)=A+B/λ2+C/λ4 Urbach吸收模型: К(λ)=AКexp[BК(1.24(1/λ-1/CК))]
• Ag膜层用的是Lorentz模型
Lorentz色散关系-谐振子模型: ε=ε∞+(4πe2/m)∑[Nj/(ωj2-ω2)-iГjω]
液体样品池
主要应用
• 测量薄膜膜厚及其光学常数,如折射率、
消光系数、吸收系数、复介电函数等
• 测定材料的多层结构和表面粗糙度 • 研究梯度膜层和透明薄膜的折射率和厚度,
光学常数的梯度变化
• 测量镀碳磁盘的碳层厚度和光学常数以及
润滑层的厚度和表面粗糙度
• 无损研究与气态、液态周围媒质接触的表
面分子或原子的物理、化学吸附状态
• SiC , Si3N4 thin films.
• Ferroelectic thin films such as BaxSr(1-x)TiO3,
Pb xZr(1-x)TiO3 system.
• Nitride doping α-DLC thin films. • TiO2 doping Polymide namometer materials. • SOI material and device. • ZnS-Ag-ZnS multilayers thin films. • Pb-Sr-Se semiconductor thin film on BaF2 substrate. • SnO2 on glass substrate
• 研究处于各种不同环境中的半导体及金属
表面的氧化问题及其成分分析
• 现场深入研究电极-电解液界面过程,并可
和其它常规电化学测量方法同步进行
• 研究血凝过程、薄膜抗原-抗体的免疫反应、
电吸附免疫试验和细胞表面的材料测定等
• 研究固体的辐射探伤,表征介电材料和半
导体பைடு நூலகம்料制备过程中造成的表面机械损伤
现阶段工作
者的相位差。
基本结构
椭圆偏振仪是一种偏振态探测设备, 椭偏仪假设被探测光线为100%偏振光 (线偏振、圆偏振或椭圆偏振)。 一般结构为: 光源→起偏器→样品→检偏器→探测器
仪器类型
• “零”偏振型 • 偏振调制型 • 回转元件型:回转起偏、回转检偏
RPE特点
单色仪置于起偏器之后,可抑制环 境光的影响,但存在光源残余偏振造 成的数据误差,且旋转起偏器可能造 成光束在样品上移动。
重复性:ψ+/-0.015o,Δ+/-0.08o(与测量条件有关) 入射角:20-90oC连续可调,重复性优于0.005o X-Y移动台:150mm×150mm
• 主要附件配置:
光谱扩展系统: UV—200nm,NIR—1700nm。 聚焦系统:光斑可达直径200μm或更小(400-100nm)。 自动相位补偿器:实现0-360o范围内准确测量Δ。 固定角度垂直样品架
椭圆偏振仪的局限性
模型的任意性,变量之间的相关性, 数据分析过程有时会很复杂,最终结 果取决于分析人员的判断。
变角度光谱椭圆偏振仪
• 型号:W-VASE with AutoRetarderTM • 生产厂家:美国J.A.Woollam 公司 • 性能指标:
光谱范围:240-1100nm连续可调 光谱分辨率:0.5nm 光束直径:1mm 光束发散角:0.05o 测量速度:每个波长1-2s
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