射频通信电路第六章 混频器 6-1-1

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第六章----混频器PPT课件

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2. 现象:
听到的声音:哨叫——干扰哨声
干扰的原因:组合频率干扰
qfs pfL = fI
pfL qfs = fI
pfL + qfs :恒大于fL
pfL qfs :无意义 -
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3. 抑制方法:
组合频率分量电流振幅随 (p + q) 的增加而迅速减小,因 而,只有对应于 p 和 q 为较小值的输入有用信号才会产生明 显的干扰哨声,将产生最强干扰哨声的信号频率移到接收频 段之外,就可大大减小干扰哨声的有害影响。
变频器:
混频器:
优点:电路简单,节省元 件。
缺点:本振信号频率易受 输入信号频率的牵引,电 路工作状态无法使振荡和 混频都处于最佳情况,一 般工作频率不高。
-
优点:由于本振和混频由 不同器件完成,从而便于 同时使振荡和混频都处于 最佳状态,且本振信号频 率不易受牵引。
缺点:元件多,电路较复 杂。
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为什么要变频?
此电路除用作混频器外,还可以用作相位检波器、电调衰减 器、调制器等。
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5
9
6
3
1
4
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(a)
(b)
封装环形混频器- 的外形与电路
21
6.5 混频干扰
混频必须采用非线性器件,在产生所需频率 之外,还有大量的不需要的组合频率分量,一 旦这些组合频率分量的频率接近于中频有用信 号,就会通过中频放大器,经解调后,在输出 级产生串音、哨叫和各种干扰。
优点: 1、动态范围较大
2、组合频率干扰少
3、噪声较小
4、不存在本地辐射
5、电路结构简单
缺点: 无变频增益 -
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6.4 二极管混频器
一、二极管平衡混频器

第六章题目及解答

第六章题目及解答

·171·6-1 为什么调幅,检波和混频都必须利用电子器件的非线性特性才能实现?它们之间各有何异同之处?分析 非线性器件可以产生新的频率分量,而调幅,检波和混频都为了产生新的频率分量。

调幅、检波和混频不同点是输入的信号不同,输出的滤波器不同。

解 由于调幅、检波和混频均属于频率变换,即输出信号中产生了新的频率分量,而线性器件不可能产生新的频率分量,只有利用非线性器件才能完成频率变换的功能。

调幅、检波和混频三者相同之处是都属于线性频率变换,即实现频谱搬移,它们实现的原理框图都可用下图表示。

非线性器件都可采用乘法器。

调幅、检波和混频不同点是输入的信号不同,输出的滤波器不同。

调幅输入的是调制信号()v t Ω和载波()o v t ,即1v =()v t Ω,2v =()o v t ,滤波器是中心频率为载波频率ω0的带通滤波器。

检波输入的是已调制的中频信号()i v t 和本地振荡信号()o v t ,即1v = ()i v t ,2v =()o v t ,滤波器是RC 低通滤波器。

混频输入的是已调制信号vs(t)和本地振荡信号()o v t ,即1v =()s v t ,2v =()o v t ,滤波器是中心频率为中频频率ωi 的带通滤波器。

·172·6-2 为什么调幅系数m a 不能大于1? 分析 调幅系数大于1,会产生过量调制。

解 若调幅系数ma>1,调幅波产生过量调制。

如下图所示,该信号传送到接收端经包络检波后使解调出的调制信号产生严重的失真。

6-3 试画下列调幅信号的频谱图,确定信号带宽,并计算在单位电阻上产生的信号功率。

(1) )V )(t (102cos )t 32002cos 1.0t 4002cos 2.01(20)t (6⨯π⨯π+⨯π+=v (2) )V (t 102cos t 6280cos 4)t (6⨯π=v分析 根据信号带宽公式和信号功率即可求得。

第六章混频器1

第六章混频器1

第六章混频器作业6-5、6-6 6.1 概述混频器的作用:①发射机---上变频器---将已调制中频信号搬移到射频②接收机---下变频器---将接收到的射频信号搬移到中频混频方法:①乘法器电路二极管--不需偏置,功耗低{②非线性器件场效应管—平方率,组合频率少双极晶体管混频原理(下变频为例):工作状态--线性时变()=cosω本LO振信号:v t V tLO LO()=cosω射频RF信号:v t V tRF RF1[()t()t] LO =cosω−ω+cosω+ωRF LO RF RF LO RF LOv v V V二者相乘:2中频信号调幅接收机混频器---结构框图、端口波形与频谱特征v(t) RFv(t)IF vRFvIFv v(t)LOLO混频实质---线性频谱搬移①时域特性---输出、输入波形包络相同,载波频率不同②频域特性---输出、输入频谱结构与带宽相同,载频不同混频器结构:三个端口---射频口、本振口、中频口混频器主要指标1. 增益变频增益---输出中频信号大小与输入射频信号大小之比表示形式:电压增益A V=V IF/V in功率增益G p=P IF/P in两者关系:2P V/R RG A===2===2IF IF L SP V2P V/R Rin RF S L 端口匹配:{R射频口源阻抗sR中频口负载阻抗L(1)射频口---①与低噪声放大器直连②前接滤波器(50Ω)(2)中频口---接中频滤波器(声表/介质/晶体---阻抗不同)混频器种类(按增益划分):①有源混频器---增益大于1②无源混频器---增益小于1---变频损耗---动态范围大2. 噪声混频器位于接收机前端,其噪声性能对系统影响大F1F1−−F F=++2 31G G G112噪声系数的计算:混频器是线性网络(对射频信号),可用线性网络公式计算(增益---变频增益)混频器噪声来源:(1)电路内部元器件噪声---由实际电路进行具体分析(2)输入信号伴随的噪声---①射频信号带内噪声②镜像带内噪声两种噪声系数定义:SSB 信号位于本振一侧,混频DSB信号位于本振两边,无镜像将信号带内噪声和镜像带内噪频率,混频只将信号带内噪声声都搬到中频,实测噪声系数搬移到中频,实测的噪声系数---单边(SSB)噪声系数---双边(DSB)噪声系数若两热噪声相同,混频器无噪若混频器无噪,信噪比不变输出信噪比降低3dB混频前频谱混频后频谱3. 失真与干扰非线性器件实现混频---利用非线性特性的平方项产生中频信号非线性器件高次方项---产生组合频率落在带内----干扰、失真(1)干扰哨声f混频器输入:射频信号RFf本振信号LO有用中频:f=−LOIF f fRFRF±=±Δ组合中频:pf qf f FLO IF单音频若组合中频落在有用中频带内:有用中频组合中频}ΔF送入解调器---输出音频信号含有---干扰哨声(2)寄生通道干扰f前提条件:输入射频有用信号, 伴有干扰信号RF f m有用中频:f IF=f RF−f LO--有用射频与本振产生--主通道中频qf±=LO pf fm IF组合中频:--干扰与本振产生--寄生通道中频--寄生通道干扰主要的寄生通道干扰:①中频干扰:f m=f IF(q=0,p=1)不经混频直通到输出端被混频器直接放大,增益比主通道变频增益大f=−q,1=1p= mf fLO IF②镜像频率干扰:()镜频干扰通过混频器,变频增益与主信号一样(3)互调失真条件:输入信号伴有多个干扰以两个干扰信号为例:有用射频信号:fRF射频干扰信号:f m、f1m2RF---互调干扰如出现组合频率()rf−≈m sf f1m2()IF---互调失真rf−−=m sf f f1m2LOn1=s+r+ 由非线性器件次方项产生当r+s=3影响最严重---三阶互调---次方项产生n4=三阶互调干扰信号与射频信号的关系:2m f f或f−≈1m2RF 2f−≈m f f2m1RF4. 线性指标非线性器件构成混频器---工作在线性时变状态---对小信号线性非线性器件小信号输入---混频器是线性网络输出中频信号幅度}成正比输入射频信号幅度较大信号输入---出现非线性失真衡量指标:(1)1dB 压缩点变频增益下降1dB时所对应的输入射频(或输出中频)信号功率(2)三阶互调截点条件:输入有用射频信号f RFf射频干扰信号和RF1fRF2fRF1fRF2假设输入射频及干扰信号幅度均相同有用信号中频:f IF=f RF−f LO三阶互调产生的中频信号:(2)f−f−f=fRF1RF2LO IF或()2RF f f ff−−=2FR1LO IF三阶互调中频功率=有用中频功率的点----三阶互调截点----IIP3、OIP3(3)线性动态范围定义:1dB 压缩点与混频器的基底噪声之比,用dB表示混频器位于低噪放后---线性范围要求比低噪放高5. 口间隔离①本振口射频口9影响LNA工作性能9影响本振工作性能②本振口中频口使中放过载甚至强信号阻塞③射频口中频口f>>RF fIF一般,可被滤除6. 阻抗匹配非线性器件对混频器三个口的阻抗要求:①匹配----最佳功率传输RF口/IF口必须与所接的滤波器匹配不同滤波器输入输出阻抗不同,如:声表面波滤波器:200欧陶瓷滤波器:330欧晶体滤波器:1000欧②每个口对另外两个口的信号力求短路----减少口间干扰6.2 有源混频器电路{单管跨导型混频器单平衡混频器双平衡混频器特征: 由双极型晶体管或场效应管构成实现原理基本相同,分析方法通用混频增益> 16.2.1 单管跨导型混频器1. 电路构成直流偏置原理电路2. 工作原理‰器件工作状态---线性时变v t VRF ()=cosω射频:RF RFt小信号v t VLO ()=cosω本振:LOV>>LO VRF线性时变的两要点:tLO大信号①时变---时变偏置控制时变跨导---称为跨导型混频器GSQ=−+GG LO GS=−++GG LO RFV(t)V v(t)时变偏置:v(t)V v(t)v(t)时变跨导:g m(t)--- ωLO的周期函数---傅氏展开:m0+ω+ω+=g g t g tm m1LO m2LOg(t)cos cos2......ππ110∫mgmi()cos=∫g tgm()=ωi td t ωωLO LOg t d tmπ2πLO−π−π②线性----漏极电流与小信号成线性iD射频小信号输入时,漏极输出电流:ωIF i I()()()D=+⋅0t g t v t Dm RF混频的实现:滤波ωRF±ω() g t⋅v t()1()()IFωωω=−中频LOm RFRF LO 11i t=g⋅Vω−ωt=g⋅Vωt()cos()cosIF m1RF RF LO m1RF IF221v t=g R⋅Vωt()cos输出中频电压:1IF m L RF IF2输出回路谐振阻抗V1A=IF=/=v g R V V g R1变频增益:m L RF RF fc LV2RFI1g==fc gIFm定义:1---变频跨导---射频电压变中频电流能力V2RF---时变跨导基频分量的一半‰变频跨导的求法①由器件的伏安特性曲线iD~v GS---平方律特征及跨导的定义di g=D m dvGS求出器件的g m~v GS关系曲线---线性特性g(t)m当v GS增大,受限为最大gm gm max②代入混频器的时变偏置GS=−+GG LOv(t)V v(t)直流偏置和本振幅度不同---变频跨导不同③通过曲线g m~v GS画出时变跨导的波形g(t)④由傅氏级数m gm(t)g(t)m求出基频分量幅度得到变频跨导:1g=gfc m12g m1变频跨导最大值:当V=GG VGG(off)LOm g m max Vg(t)且使达到最大值时m g m(t)=g m max⋅S1(ωLO t) g(t)变为方波,g=πm12g mmaxg(t)的基频分量最大mg=πfc gm max 最大变频跨导:3. 设计考虑(1)RF口和LO口的设计考虑问题----匹配RF和LO信号均由栅极输入,二者同时匹配很难----主要考虑RF口的匹配即混频器RF口与前级低噪放的匹配---保证小信号最佳传输匹配措施:①保证LO口耦合电容C很小,以使本振源不影响RF口参数G1②栅极输入电容并入低噪声放大器输出谐振回路FET混频器、放大器等效电路的差异?①输入阻抗1≈1 R+iωCωCRF GS RF GS r ds呈容性---相同输出阻抗输出阻抗②输出阻抗相同③等效电流源不同放大器----g vm gsg---跨导m混频器----g vfc gsg---变频跨导fc(2)偏置=−+ 时变偏置v GS(t)V GG v LO(t)v(t) 随本振电压变化时,LO应使管子工作在饱和区,i~D V维持平方率特性不变GS本振变化不能影响漏极电压保障措施---漏极对本振短路,即加LC串连回路漏极对本振的交流阻抗为0本振变化不影响漏极电压(3)输出回路中频输出回路功能:①选频滤波从含众多频率分量的漏极电流中选出中频信号同时对RF/LO信号短路②阻抗变换将后级中频电路的输入阻抗变换为漏级所须阻抗,获得适当增益(4)中频陷波若RF信号含中频干扰和噪声---直通---混频器相当中频放大器防止中频干扰和噪声直通的方法:FET的栅极应对中频短路---加中频串联回路---中频陷波器(5)本振注入方式①从栅极注入优点---需要的本振功率小缺点---LO 口与RF口的隔离差②从源极注入栅极直流偏压VGG = 0时变偏置=−=−v(t)V v(t)v(t)GS GG LO LOLO负半周,FET导通,正半周仍截止,跨导随本振时变,实现混频优点---LO 口与RF口的隔离加大缺点--- 对射频负反馈,使混频增益下降,RS本振源提供的功率比从栅极注入要大4. 双栅FET混频器‰电路特点①场效应管有两个栅极②本振信号接在靠近漏极的栅极G上2③射频信号接在靠近源极的栅极G上1④本振口和射频口分别与自己的源阻抗匹配⑤本振信号的栅极G2对中频短路⑥双栅管的漏极对本振和射频短路‰双栅FET混频器工作原理将双栅分解成两个场效应管9FET2工作特征①输入为本振信号v(t)LO②作为跟随器---源极输出跟随输入,即v DS1≈v LO(t) 9FET1工作特征①输入为射频信号v(t)RF1管工作在可变电阻区(条件vDS1足够小)②FETi≈β−D1n(v GS V GS th)v DS i v=v t1()1D1GS RF1()与成线性∂igβn v DS1v(t)===βD1FET1跨导:1∂n LOvGS1g=---时变跨导---重复频率ωLO1g(t)11g(t)9混频的实现i g(t)v g(t)v==D11GS11RF=β=βv v v vn DS1RF n LO RF包含有频率ω−RFωLO---实现了混频功能9中频输出混频电流经FET2到达中频输出端i(t)DFET2相当共栅中频放大器为获得足够增益要求G2对中频短路双栅FET混频器优点:---口间隔离好、易匹配、变频增益大。

射频通信电路第六章 混频器 6-1-1-1

射频通信电路第六章 混频器 6-1-1-1

2 PIF VIF / RL 2 RS 两者关系? 两者关系? G P = = 2 = AV PRF V RF / RS RL
有源混频器 增益大于1 有源混频器——增益大于 混频器 增益大于 按增益划分混频器 增益划分混频器 无源混频器 增益小于1 无源混频器——增益小于 混频器 增益小于
2. 噪声 讨论混频器噪声的意义
第六章
6.1 混频器概述
混频器
发射机—上混频器——将已调制中频信号搬移到射频 发射机 上混频器 将已调制中频信号搬移到射频 接收机—下混频器 接收机 下混频器——将接收到的射频信号搬移到中频 将接收到的射频信号搬移到中频 乘法器+ 乘法器+滤波器 基本方法: 基本方法: 非线性器件+滤波器 非线性器件+ 本振信号: 本振信号:v LO (t ) = VLO cos ω LO t 射频信号: 射频信号:v RF = VRF cos ω RF t
频谱搬移
混频器的Байду номын сангаас出噪声——位于中频段 位于中频段 混频器的输出噪声
混频器的单边噪声和 混频器的单边噪声和双边噪声 ——讨论射频噪声的搬移 单边噪声 讨论射频噪声的搬移 单边噪声 单边噪声 ① 射频信号位于本振的一边 被搬移到中频 中频的噪声 ② 被搬移到中频的噪声 射频信号段 射频信号段 镜像频段 镜像频段 双边噪声 双边噪声 射频信号位于本振的两边 不存在镜像频率(如零中频方案) 不存在镜像频率(如零中频方案)
(2 f RF 1 − f RF 2 ) − f LO = f IF
度 相 等 , 三 阶 截 点 截点 输入 输
(3)线性动态范围 ) 定义: 定义: 压缩点与混频器的噪声基底之比, dB表示 1-dB 压缩点与混频器的噪声基底之比,用dB表示

第六章混频

第六章混频
若输入信号us是普通调幅波,
(6.2―8)
us=Usmo(1+macosΩt)cosωCt。只要带通滤波器的带宽足够, 即B=>>2Ω,带内阻抗可近似认为等于有载谐振阻抗RL。 输出的中频电压近似等于ui=gcRLUsmo(1+macosΩt)cosωit。
第6章 混频
仿照集电极回路的分析方法,三极管混频器的输 入回路基极电流iB与输入电压us的关系也可近似写成
第6章 混频
3. 混频失真与干扰
混频器的失真有频率失真和非线性失真。此外, 由于器件的非线性还存在着组合频率干扰。这些组合 频率干扰往往是伴随有用信号而存在的,严重地影响 混频器的正常工作。因此,如何减小失真与干扰是混 频器研究中的一个重要问题。
第6章 混频
4. 选择性
所谓选择性是指混频器选取出有用的中频信号而 滤除其他干扰信号的能力。选择性越好输出信号的频 谱纯度越高。选择性主要取决于混频器输出端的中频 带通滤波器的性能。此外,对混频器的要求还有动态 范围、稳定性等等。
(6.2―5)
(6.2―6)
称其为混频跨导,其值等于基波跨导的一半。在 忽略晶体管输出阻抗的情况下,经集电极回路带通滤 波器的滤波,取出的中频电压
ui gc RLUsm cosit
(6.2―7)
第6章 混频
Re 为 LC 并联谐振回路的有载谐振阻抗。中频输出
电压的幅度
Uim gc RLU sm
第6章 混频
在无线电技术中,混频的应用非常普遍。在超外
差式接收机中,所有输入信号的频率都要变成中频, 广播收音机的中频等于 465kHz ,电视接收机的中频等
于 38MHz 。在发射机中,为了提高发射信号的频率稳

射频电路设计(第六章)

射频电路设计(第六章)

环境温度对半导体的电性能 有很大影响。由功率损耗使 器件内部加热,可造成超过 100—1500c的温升。注:在
例题中忽略了带隙能随温度的变 化,这将在第7章中讨论。
6.1半导体基础
二、掺杂半导体:
通过引入杂质原子可以引发半导体的电特性作较大的改变。 这种过程称为掺杂。 1、 N型半导体:为获得N型掺杂(提供附加电子到导带),所 引入的原子较之原来在本征半导体晶格上的原子有更多的价 电子。如:将磷(P)原子移植到si内,就在中性晶格内提供了 弱束缚电子,如右图(b)
6.1半导体基础
以电势的导数代替电场,积分得扩散阻挡层电压(称内建电势):
其中nn和np仍分别是N型半导体和P型半导体中的电子浓度。
ห้องสมุดไป่ตู้
如果再考虑空穴电流从P型半导体到N型半导体的流动以及与之相抵消的场 感应电流中的相应部分IPF,可以得到扩散阻挡层电压: 若:P型半导体中受主浓度NA>>ni N型半导体中施主浓度ND>>ni 则n n= ND n p = ni2 /NA
总电压降为扩散电压:
6.1半导体基础
正空间电荷区在N型半导体内的延伸长度: 正空间电荷区在N型半导体内的延伸长度: 总长度: 三、结点电容:是射频器件的一个重要参量,因为 在高频运行下低电容意味着有快捷的开关速度和适应 能力。通过熟知的平扳电容器公式可找出结电容: C=εA/ds 把距离代人上式.得到电容的表达式如下
I=I0(e v/VT-1)
在负压下有一小的、与电压无关的电流 在负压下有一小的、与电压无关的电流(-Io),而在正压下则为指数增长电流。(图示中的函数关系是理 ,而在正压下则为指数增长电流。
想化的,末考虑到击穿现象。但上式显示出了在外加交流电压下PN结的整流性质。)

高频电路基础第6章-混频器ppt课件

高频电路基础第6章-混频器ppt课件
选择适宜的任务点和本振幅度,可以使得场效应管得到 最大的变频跨导,但又不会产生过大的失真
2021/7/25
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减少输出中无用分量的方法
混频器中只需n=2的交叉乘积项中含有的和频或差频分量是 需求的,其他一切组合频率分量都是无用输出。为了阻止无用 输出,实践的混频器在以下几方面采取措施: 在输出端用滤波器取出需求的频率成分,抑制无用输出 在电路构造上采取一定的抵消、补偿等手段消除无用输出 改动非线性器件任务形状
第6章 混频器
.
频谱变换
调制:将音讯信号调制到载波上
调制
fC
解调
信息信号的频谱
f 已调信号的频谱
变频:将已调信号改动到另一个载频。根据改动前后的频率 高低,分成上变频和下变频
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上变频 下变频
.
f
2
变频的作用
改动载波的频率〔上变频、下变频〕,到达某个需 求的频率。
经过变频,可以实现对不同频率的输入信号以同一 个频率进展放大,从而满足对于增益、带宽、矩形 系数等一系列目的
iC (t) gm (t) vRF gm (t) VRF cosRFt
其中
gm (t)
io vi
io iQ (t )
称为时变跨导
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将时变跨导展开:
gm (t) g0 g1 cosLOt g2 cos 2LOt ...
其中:
gn
211ggm m(t()tc)dos((nLt)Lt)d (Lt)
(1
vgs VGS (off
)
)2
I DSS
(1
VGSQ
VL
cos Lt
VGS (off

第六章-定向耦合器

第六章-定向耦合器

第六章 定向耦合器、混合电桥与功率分配器§6.1 定向耦合器的基本概念微波定向耦合器是微波系统中应用最广泛的元件之一,它是个四端口网络。

其原理方框图如图(6.1-1)所示,图(a )是同向定向耦合器,图(b )是反向定向耦合器。

对于正向定向耦合器,它的工作过程是,当电磁波从端口1输入时,除了一部分电磁能量直接从端口4输出外,同时还有一部分电磁能量从端口3输出,而端口2无输出。

我们将端口3称为耦合口,端口2称为隔离口。

对于反向定向耦合器,当电磁波从端口1输入时,除了一部分电磁能量直接从端口4输出外,同时还有一部分电磁能量从端口2输出,而端口3无输出。

此时端口2为耦合口,端口3为隔离口。

图6.1-1 正向和反向定向耦合器显然,定向耦合器是是一个四端口网络,它的特性可用各种网络参数来描述,对于图(6.1-1)所示的定向耦合器,考虑到网络是互易,对称和无耗的,其散射矩阵为[]⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡=11121314121114131314111214131211s s s s s s s s s s s s s s s s s (6.1-1) 在理想情况下,定向耦合器的各端口都是匹配的,即044332211====s s s s对于图(6.1-1a )所示的正向定向耦合器,当1口输入时,2口没有输出,因此有012=s 根据无耗网络的[]s 矩阵的么正性,有⎪⎩⎪⎨⎧=+=+01*1314*1413214213s s s s s s (6.1-2) 此式表明,该网络的端口3和端口4的输出功率之和等于输入功率,而两个端口输出相位相差900。

由此可以看出,一个互易,无耗,完全对称的四端口网络,可以构成一个理想的900定向耦合器。

这样,正向定向耦合器的散射矩阵变为[]⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡=000000001314141313141413s s s s s s s s s (6.1-3)同理,对于图(6.1-1b )的反向定向耦合器,其散射矩阵为[]⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎣⎡=000000001214121414121412s s s s s s s s s (6.1-4) 式中12s 与14s 相位上相差900。

高频电子线路第六章课后习题答案

高频电子线路第六章课后习题答案

因此,输出信号中包含了的基频分量和 ( ωc + ) ,ωc ) ( 频率分量.
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高频电子线路习题参考答案
(2) u u u′ 1 = c + u , u′ 2 = c u D D 2 2 在忽略负载的反作用时,
u ′ 1 = g D K ( ωc t ) c + u i1 = g D K (ωc t )uD 2 i = g K (ω t )u′ = g K (ω t ) uc u D c D2 D c 2 2 uo = ( i1 i2 ) RL = 2 RL g D K (ωc t )u 2 2 1 2 = 2 RL g DU + cos ωc t cos 3ωc t + cos 5ωc t + ..... cos t 3π 5π 2 π
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高频电子线路习题参考答案
所以,(b)和(c)能实现DSB调幅 而且在(b)中,包含了ωc的奇次谐波与Ω的和频与差频分 量,以及ωc的偶次谐波分量. 在(c)中,包含了ωc的奇次谐波与Ω的和频与差频分量, 以及ωc的基频分量.
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高频电子线路习题参考答案
6-5试分析图示调制器.图中,Cb对载波短路,对音频开路; uC=UCcosωct, u =U cos t (1)设UC及U 均较小,二极管特性近似为i=a0+a1u2+a2u2.求 输出uo(t)中含有哪些频率分量(忽略负载反作用)? (2)如UC>>U ,二极管工作于开关状态,试求uo(t)的表示式. (要求:首先,忽略负载反作用时的情况,并将结果与(1) 比较;然后,分析考虑负载反作用时的输出电压.
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高频电子线路习题参考答案
i Lc = ( i1 i2 ) = g D K (ωc t )( u + uc ) g D K (ωc t π )( u uc ) = g D K (ωc t ) K (ωc t π ) u + g D K (ωc t ) + K (ωc t π ) uc = g D K ′(ωc t )u + g D uc 4 4 cos 3ωc t + ...... U cos ω t + g DU c cos ωc t = g D cos ωc t 3π π cos(ωc + ω )t + cos(ωc ω )t 2 g DU + g U cos ω t 1 1 D c c π cos(3ωc + ω )t cos(3ωc ω )t + ..... 3 3

混频器

混频器

中频滤波器后输出中频电压为
vI t 2

Vsm cos o s t
2

Vsm cos I t
G
现代电子线路 下册
第六章 通信电路
主要优点: ► 电路对称,抵消了杂波分量,组合频率分 量少; ► 结构简单,噪声小,频带宽; 缺点: 混频增益小于1;
G
现代电子线路 下册
BE
V BB v O(t ) v S(t ) v S(t ) E(t )
G
现代电子线路 下册
第六章 通信电路
V om V sm
时变偏置电压: v (t ) E(t) =VBB+vO(t) s
+ 1:1 C1 L1 +
+ VBB
vo (t )
VT C2 L2 +
-
-
VCC
可将E(t)=VBB+vo(t)视为是晶体管的时变 偏置电压,在该电压作用下,晶体管的跨导 将随时间作变化 。
0.1 F
R8 1k R2 51 7 8 1
C3 C1
R6 75Ω C4
.022F
56pF
本振
R4
.047F
R7 200Ω
-24V
10 F
.047F
本振电压加入混频器有射极注入和基极注入。需 要注意的是:1、尽量避免vs和vo的相互影响和两 个回路的影响;2、不要妨碍中频电流通路。
G
现代电子线路 下册
第六章 通信电路
2、晶体管混频器---场效应管 CG ◆ 基本原理 + vs(t)=Vsmcosωst vs (t ) vo(t) =Vomcosωot , 且Vom>>Vsm

射频通信电路6_混频器解读

射频通信电路6_混频器解读

SSB _ NF DSB _ NF
若射频和镜像两个通带内噪声相同,则
DSB _ NF 3dB SSB _ NF
杨远望 yuanwangyang@
3. 线性-动态范围
(1)G1dB压缩点 (2)三阶截点 (3)线性范围(1dB压缩点与本地噪声功率之比) (4)线性无杂散动态范围(三阶截点与本地噪
I IF 1 g fc gD VRF
1 gD RD
单二极管混频器组合频率分量太多。
杨远望 yuanwangyang@
• 二极管双平衡(环形)混频器
1:1 + VLO _
+ VLO _ + VLO _
D4
D1
D3
D2 + VIF _
1:1
RL
+ VRF -
杨远望 yuanwangyang@
(3) 负载RL中流过的总电流
i (iD1 iD 2 ) (iD 3 iD 4 ) 2VRF (t ) [ S1 ( Lot ) S1 ( Lot )] 2 RL RD 2VRF (t ) S2 ( Lot ) 2 RL RD
杨远望 yuanwangyang@
fRF向fLO的窜通可能对之产生频率牵引作用。 fLO向fIF的泄露可能导致其后级电路发生阻塞。 fLO 向fRF的窜通可能是本振大信号影响LNA的正常工 作。
6.端口阻抗匹配
阻抗匹配要求对混频器来讲十分重要,要求 (1)三个端口都应匹配以减小反射;(2)每个端口 相对其它两个端口都应尽可能呈现交流短路特性以减 小相互间的窜扰。
杨远望 yuanwangyang@
&6.2 混频器主要性能指标
1. 频率变换-变频增益

06混频器解析

06混频器解析

① 输入为本振信号
vDS1
② 作为跟随器工作,源极输出
跟随输入,即 vDS1 vLO (t)
(2)FET1工作特征 ① 输入为射频信号
② FET1管工作在可变电阻区 (条件 vDS1 很小)
iD1 n (vGS1 VGS(th) )vDS1
iD1 与vGS1 vRF (t)
FET1管跨导:g1
cos(L
s )t]
vI VIm (1 ma cos t) cosIt
中频
上混频: I L s s 下混频: I L s s
叠加型混频器
利用非线性器件幂级数展开式中的二次项, 将两个信号的相加作用改变为相乘作用。
i f (v) a0 a1v a2v2 a3v3 a0 a1v a2v2 a0 a1(vs vL ) a2 (vs vL )2 a0 a1(vs vL ) a2 (vs2 vL2 ) 2a2vsvL
其中的相乘项2a2vsvL是有用项,其它项则产生失真和干扰
混频器的主要指标
增益(dB) 噪声系数NF(dB)
IIP3(dBm)
输入阻抗(Ω) 口间隔离(dB)
指标
10 dB 12 dB +5 dBm 50Ω 10 ~ 20 dB
混频器的主要指标
增益
输出中频信号大小与输入射频信号大小之比
电压增益
AV
带通滤波器 vI vL
本地振荡器
调幅接收机—混频器的结构框图
实现方法
乘积法
使用乘法器电路(吉尔伯特乘法器) 由模拟乘法器和带通滤波器组成
叠加法 利用器件的非线性特性
二极管——动态范围大,组合频率干扰少,开关速度快 三极管——有一定的混频增益 场效应管——平方律特性,互调、交调干扰少 为减少组合频率分量,工作于线性时变状态

精品课件-射频电路基础-第六章

精品课件-射频电路基础-第六章
gnuscosnωlt产生,此时应取gc=gn/2计算iim。当UBB和晶体管 的导通电压UBE(on)相等时,θ=π/2,可以利用单向开关函数, 直接获得iC经过两次级数展开的表达式,从而简化分析过程。
第六章 混频
【例6.2.1】晶体管放大器上混频电路和晶体管的转移特性 如图6.2.3所示。中频已调波us=Usm(1+macosΩt)cosωct,本振 信号ul=Ulmcosωlt,Ulm>>Usm,基极回路的直流电压源UBB提供晶 体管的导通电压UBE(on),LC并联谐振回路的谐振频率ω0=3ωl+ωc, 带宽BWBPF>>2Ω,谐振电阻为Re。写出时变静态电流I0(t)和时变 电导g(t)的表达式并画出波形,写出混频跨导gc和高频已调波ui 的表达式。
第六章 混频
其中,UBB为基极回路的直流电压源。对us而言,UBB+ul是 时变静态工作点Q对应的晶体管的输入电压,称为时变静态 电压,在其附近将iC展开成有关us的泰勒级数,并作线性近 似,得到: iC≈f(UBB+ul)+f′(UBB+ul)us=I0(t)+g(t)us(6.2.1) 式中,I0(t)为时变静态电流,而g(t)为时变电导,它们分别是 us为零,交流输入电压仅有直流偏置电压和本振信号时有源器件 的输出电流和交流跨导。
第六章 混频
第六章 混频
6.1 混频信号 6.2 混频原理 6.3 混频器的主要性能指标 6.4 接收机混频电路的干扰和失真 6.5 集成器件与应用电路举例 本章小结 思考题和习题
第六章 混频
混频的典型应用为超外差接收机。例如,调幅接收 机把535~1605kHz频段内各个电台的调幅信号都下混频为 465kHz的中频信号,调频接收机则把88~108MHz频段内各个电 台的调频信号都下混频为10.7MHz的中频信号。经过混频后, 中频信号频率固定,便于针对该频率设计和优化中频放大器, 可以在中频带宽内实现高增益,提高接收机的接收灵敏度。同 时中频信号的带宽相对较大,便于设计选择性较好的滤波器, 提高接收机的选择性。

第6章_混频器和振荡器简介V2013

第6章_混频器和振荡器简介V2013
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振荡器基本原理
微波单片集成电路
10
振荡器基本原理
微波单片集成电路
11
振荡器基本原理
微波单片集成电路
12
2
混频器概述
混频器的作用
利用非线性
频率转换功能
微波单片集成电路

3
混频器指标
微波单片集成电路
4
混频器指标
输入1dB压缩点IP1dB 输出1dB压缩点OP1dB 输入三阶截点IIP3 输出三阶截点OIP3
微波单片集成电路
5
混频器指标
微波单片集成电路
6
混频器基本原理
微波单片集成电路
7
混频器基本原理
微波单片集成电路
8
振荡器概述
振荡器的作用
正反馈、增益、选频网络
直流电源能量 转换成交流能量
系统中的本振信号
性能指标: 振荡频率 振荡幅度 相位噪声 波形失真 类型: 环形振荡器 LC振荡器 RC振荡器 晶体振荡器 压控振荡器
微波单片集成电路
类型: 单端振荡器:一个负 载和一个带有负阻的谐 振器 双端振荡器:两个端 口组成并分别有负载。
微波单片集成电路
第六章:混频器和振荡器
注明:该课件内容来自于李智群等编著的《射频集成 电路与系统》书籍,东南大学射频与光电集成电路研 究所,复旦大学,香港城市大学以及网络上等相关的 课程讲义。 微波单片集成电路 1
本章内容
混频器概述 混频器指标
混频器基本原理
振荡器概述
振荡器基本原理
微波单片集成电路

第六章 混频

第六章 混频

iC = iC 0 + [g0 + g1 cos ω0 t + …] [VS cos t cos ωS t ]
= ω0 ωS ; B = 2max
如果输出回路的谐振频率为: 如果输出回路的谐振频率为: I ω 则选出的中频电流iCI为:
1 1 iCI = g1VS cost cos(ω0 ωS )t = g1VS cost cosωI t 2 2
二、二极管混频器
常用的二极管混频器是由两个特性相同的二极管构成的平衡 混频器,其原理电路如下图所示。 混频器,其原理电路如下图所示。 D
vS = VS (t ) cosωct vS + VS (t ) = VS (1 + ma cost ) V0 >> V S
vS
1
+ + v0 D2
L1 C1 L2 C2
v0
vS
乘法器 本地振荡器
带通滤波器
vI
v0
2 max
v 设: S
= [V S cos t ]cos ω S t ; v 0 = V0 cos ω 0 t
ωI
v S v 0 = V SV 0 cos t cos ω S t cos ω 0 t VSV0 cost [cos(ω0 + ωS )t + cos(ω0 ωS )t ] = 滤波后: 滤波后: 2 VSV0 vI = cost cos(ω0 ωS )t = [VI cos t ]cos ω I t 2
晶体管混频器的特点: 晶体管混频器的特点:
晶体管混频器的主要优点是有变频增益,但它存在一些缺点: 晶体管混频器的主要优点是有变频增益,但它存在一些缺点: 1)动态范围小,信号电压正常工作的范围约为几十mV。当信 )动态范围小,信号电压正常工作的范围约为几十 。 号电压较大时,会产生非线性失真。 号电压较大时,会产生非线性失真。 2)组合频率干扰严重。 )组合频率干扰严重。 3)噪声较大。二极管噪声比晶体管的噪声小得多。 )噪声较大。二极管噪声比晶体管的噪声小得多。 4)存在本地振荡辐射问题。在无高放的接收机中,本振电压 )存在本地振荡辐射问题。在无高放的接收机中, 可以通过混频晶体管的极间电容的耦合从天线辐射出去。 可以通过混频晶体管的极间电容的耦合从天线辐射出去。 因此在高质量通信设备中以及工作频率较高时, 因此在高质量通信设备中以及工作频率较高时,常使用二极 管平衡型混频器。 管平衡型混频器。

高频课件 第6章 混频器原理与组合频率干扰(4)

高频课件 第6章  混频器原理与组合频率干扰(4)
20~20KHz的干扰哨声,在 n 次谐波的附近,有用信号 的频率应满足: fS n fI 20KHz
和 fS n fI 20KHz
3.抑制措施:将接收机的中频选在接收机频段外。
如:中频段广播收音机的接收频率为550-1605KHz, 而中频为465KHz。
13
二、组合副波道干扰(与两个电台有关)
答:(1)可能受到中频干扰,因为中频干扰与转移特性无关。 (2) 可能受到镜像干扰,因为镜像干扰与转移特性无关。 (3)不会产生交调。因为交调干扰由晶体管的三次或更高 非线性项产生,而表达式中无三次项。 (4) 会产生互调。因为互调干扰由晶体管的二次、三次或 更高非线性项产生。
19
例6.4:湖北台频率f1=774KHz,武汉台f2=1035KHz,问它们 对某短波(fs=2~12MHz,fI=465KHz)收音机的哪些频率将 产生互调干扰?
fC
fL
fS , 有:fn
pfS
( p 1) fI q
∴ 当两个电台的组合频率接近中频的整数倍时,会产生组合副
波道干扰。 如:两个电台,两载波分别为 fC=550KHz, fn= 1566KHz;由于1566-2ⅹ550=465+1, 所以两电台之间存在
副波道干扰。 其包含两种特殊情况:
14
1.中频干扰
5
三、混频器的主要技术指标(P207)
◆ 混频增益(包括电压增益和功率增益 )
电压增益:输出中频电压振幅UI与输入高频电压振幅Us之比 。
Auc
UI Us
功率增益:输出中频信号功率PI与输入高频信号功率PS之比。
Apc
PI Ps
6
◆ 选择性:接收有用信号,排除干扰信号的能力。
主要是指:在满足通频带要求的前提下,排除邻近信道干扰的

《射频通信电路》 第六章 匹配和偏置电路

《射频通信电路》 第六章 匹配和偏置电路
获得最大功率传输 获得最小系统噪声 获得最佳频率响应 获得最大功率容量等多种标准
应用:
低噪声放大电路 宽频带放大电路 功率放大电路等射频电路中
《射频通信电路》常树茂
6.2 集总参数匹配电路
6.2.1 6.2.2 6.2.3 6.2.4 6.2.5 变压器阻抗变换电路 L形匹配电路 集总参数L形匹配电路 匹配禁区和频率响应 T形和π形匹配电路
0 1 1 Z 0 1 A = 0 1 jω C 1 0
a
jω ( L + LL ) 1 R 1 L
0 1
《射频通信电路》常树茂
6.2.4 匹配禁区和频率响应
-2.4 -2.8 -3.2
|H(ω)| dB
《射频通信电路》常树茂
6.2.4 匹配禁区和频率响应
《射频通信电路》常树茂
6.2.4 匹配禁区和频率响应
50.0
25.0
100
200 10.0
500.0
0.2 0.08 0.2 0.04 0.02 0.01 0.004 0.04
Z0
200 100
500.0
0.004 0.08 50.0 25.0 10.0 0.01
《射频通信电路》常树茂
6.2.1 变压器阻抗变换电路
传输线变压器的阻抗平衡与非平衡变换
《射频通信电路》常树茂
6.2.1 变压器阻抗变换电路
具体的实际例子
《射频通信电路》常树茂
6.2.3 集总参数L形匹配电路
C C L L L ZL Zin ZL
Zin
L
ZL
Zin
C
ZL
Zin
C
C
C
L
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1 v LO v RF = V LOV RF [cos(ω RF − ω LO )t + cos(ω RF + ω LO )t ] 相乘得: 相乘得: 2
中频滤波器
调幅接收机 混频器的结构框图 调幅接收机—混频器的结构框图 接收机
vS
带通滤波器
非线性器件
vI
vL
本地振荡器
混频器结构:三个端口 输入信号 信号、 混频器结构:三个端口——输入信号、本振信号、 输入信号、本振信号 中频信号 中频信号
输出中频电压 变频增益
1 vIF (t ) = g m1 RL ⋅ VRF cos ω IF t 2 VIF 1 Av = = g m1 RLVRF / VRF = g fc RL VRF 2
(2)变频跨导的求法 ) ①已知器件的伏安特性曲线 i D ~ vGS 已知器件的伏安特性曲线
di D 根据跨导的定义 ②根据跨导的定义 g m = dvGS
1
π
∫π g
m
(t ) cos iω LO tdω LO t
(b)线性 )线性——小信号与时变跨导相乘引出频谱线性搬移 小信号与时变跨导相乘引出频谱线性搬移 漏极输出电流
条件: 条件:小信号
iD
ωIF
iD = I D 0 (t ) + g m (t ) ⋅ v RF (t )
相乘
g m1 (t ) ⋅ vRF (t )
f RF
非线性 器件 本振
中频 滤波器
f IF
(二次方项) 二次方项)
f IF
付波道中频 组合频率 组合频率 ± pf RF m qf LO = f IF ± F 付波道中频
= p+q
次方项 ) 进入检波(解调) 形成哨叫 进入检波(解调)——形成哨叫 形成
主中频 付波道中频
(2)寄生通道干扰 ) 特征:输入伴有干扰信号 特征:输入伴有干扰信号 主中频: f IF = f RF − f LO 中频: 干扰信号与本振的组合频率 fm
射频 中频
混频
本振
成正比
(2)三阶互调截点 输入信号 有用信号 有用信号 f RF
射频 f RF
f RF 1
中频
混频
本振
干扰信号 干扰信号 f RF 1 f RF 2
f RF 2
(设输入信号幅度相同) 设输入信号幅度相同) 主中频 f IF = f RF − f LO 互调信号 互调信号 中频
(2 f RF1 − f RF 2 ) − f LO = f IF
零中频方案中, 零中频方案中,射频口 直通泄漏 中频口的影响 方案中 信号强 频率相近
v1 (t ) = V1 cos ω1t v2 (t ) = V2 cos ω 2 t
射频输入为: 射频输入为:
v(t ) = v RF (t ) + v1 (t ) + v2 (t )
特性为: 设LNA特性为: 特性为
中频 滤波器
f IF
± qf LO m pf m 2 ≠ f IF
但是当组合频率 但是当组合频率
± qf LO m pf m1 ≠ f IF
f IF
( rf m1 − sf m1 ) − f LO = f IF
由非线性器件的 称
(rf m1 − sf m1 ) ≈ f RF
互调干扰 次方项 产生
n = r + s +1
f RF
非线性 器件 本振
中频 滤波器
f IF
± qf LO m pf m = f IF 寄生通道干扰
最主要的寄生通道干扰 主要的寄生通道干扰 ① 中频干扰
f IF
f m = f IF
直通
不需要混频 变换能力最强
q = 0, p = 1
② 镜像频率干扰 镜像频率干扰
f m = f LO − f IF
接收机前端, 接收机前端,对系统噪声影响大 对射频而言是线性, 对射频而言是线性,可用线性网 络噪声计算公式 低噪放 F1、G1 、 带通滤波器 F2、G2 、 混频器 F3、G3 、
F = F1 +
F −1 F2 − 1 + 3 G1 G 1G 2
混频器的噪声来源
电路器件噪声 两个输入噪声
射频输入 本振输入
2 PIF VIF / RL 2 RS 两者关系? 两者关系? G P = = 2 = AV PRF V RF / RS RL
有源混频器 增益大于1 有源混频器——增益大于 混频器 增益大于 按增益划分混频器 增益划分混频器 无源混频器 增益小于1 无源混频器——增益小于 混频器 增益小于
2. 噪声 讨论混频器噪声的意义
频谱搬移
混频器的输出噪声——位于中频段 位于中频段 混频器的输出噪声
混频器的单边噪声和 混频器的单边噪声和双边噪声 ——讨论射频噪声的搬移 单边噪声 讨论射频噪声的搬移 单边噪声 单边噪声 ① 射频信号位于本振的一边 被搬移到中频 中频的噪声 ② 被搬移到中频的噪声 射频信号段 射频信号段 镜像频段 镜像频段 双边噪声 双边噪声 射频信号位于本振的两边 不存在镜像频率(如零中频方案) 不存在镜像频率(如零中频方案)
iD
vGS ( off )
0
vGS
求出器件的 g m ~ vGS 关系曲线 代入混频器的时变偏置 ③ 代入混频器的时变偏置
vGS (t ) = −VGG + v LO (t )
vLO (t )
−VGG
画出时变跨导的波形 ④ 通过曲线 g m ~ vGS 画出时变跨导的波形 g m (t ) ⑤ 对 g m (t ) 富氏级数分解 求出基波分量幅度 求出基波分量幅度 g m1 变频跨导 1 g fc = g m1 2 分析变频跨导 变频跨导与 ⑥ 分析变频跨导与 本振幅度 VLO的关系 变为方波 g m (t ) 变为方波
i D = a 0 + a1v RF + a v
2 2 RF
+ .......
展开式
2 i D = a 0 + a1v RF + a 2 v RF + .......
系数随时变偏置而时变 系数随时变偏置而 时变偏置
2 i D = a 0 (t ) + a1 (t )v RF + a 2 (t )v RF + ....... 时变频率与时变偏置中的 时变频率与时变偏置中的 ω LO 相同
单边噪声是 单边噪声是 双边的两倍 双边的两倍 (高3dB) )
3. 失真 混频——频谱线性搬移 频谱线性搬移——非线性器件 非线性器件——平方项 混频 频谱线性搬移 非线性器件 平方项 非线性器件——高次方项 高次方项——产生组合频率 产生组合频率——干扰、失真 干扰、 非线性器件 高次方项 产生组合频率 干扰 (1)干扰哨声 ) 特征: 特征:接收机音频出现哨叫 混频输入:仅有有用射频 混频输入:仅有有用射频 f RF 主中频: f IF = f RF − f LO 中频: (n
a1 (t )
时变跨导: 时变跨导:g m (t )
π

重复频率为 ωLO
时变跨导富氏展开: 时变跨导富氏展开:
π

g m (t ) = g m 0 + g m1 cos ω LO t + g m 2 cos 2ω LO t + ......
gm0 = 1 2π
∫π g
m
(t )dω LO t
g mi =
混频本质 线性频谱搬移
时域特性 输出、 波形相同 时域特性——输出、输入波形相同、载频不同 特性 输出 输入波形相同、 频域特性 输出、 频谱结构、 频域特性——输出、输入频谱结构、带宽相 特性 输出 输入频谱结构 带宽相 同,载频不同
混频电路的实现 1. 乘法器 2. 非线性器件 双极晶体管 场效应管 二极管 为减少组合频率分量 工作于线性时变状态 工作于线性时变状态
iIF (t ) =
(ωRF + ωLO ) (ωRF − ωLO )
滤波, 滤波,得中频电流
1 1 g m1 ⋅ VRF cos(ωRF − ωLO )t = g m1 ⋅ VRF cos ωIF t 2 2 I IF 1 定义: 定义:变频跨导 g fc = = g m1 时变跨导基波分量的一半 VRF 2
q = 1, p = 1
变换能力与主中频一样
n= p+q =2
fm
f LO
f RF
③靠得最近的干扰(半中频干扰) 靠得最近的干扰(半中频干扰) 最近的干扰
± qf LO m pf m
q = 2, p = 2
0
f IF
fm
f LO
fm =
f RF
f RF + f LO 2
f LO + f RF 2 f LO − 2 f m = 2 f LO − 2 = f IF 2
偶次方项产生的差拍 偶次方项产生的差拍 项产生的
i (t ) = a1v(t ) &# − ω 2 )
中频口——干扰 干扰 中频口
差拍信号从射频口
6. 阻抗匹配 对混频器三个口 的阻抗要求 匹配——最佳传输 ① 匹配 最佳传输 ② 每个口对另外两个口的信号 每个口对另外 另外两个口的信号 力求短路 ——减少口间干扰 减少口间干扰 低噪放 混频器 中频 滤波器
三阶互调 —— 或
r+s=3
n=4
2 f m 2 − f m1 ≈ f RF
满足
2 f m1 − f m 2 ≈ f RF
4. 线性范围 问题:混频是一种非线性功能,为什么有“线性”指标? 问题 混频是一种非线性功能,为什么有“线性”指标? 混频是一种非线性功能 混频器的非线性 混频器的非线性—— 非线性 输出、输入频率不同 输出、输入频率不同 混频器的线性 混频器的线性—— 线性 输出中频 中频幅度 输出中频幅度 输入射频 射频幅度 输入射频幅度 线性指标 (1) 1-dB 压缩点 变频增益下降1 dB时相应的输入(或输出) 变频增益下降1-dB时相应的输入(或输出)功率值 下降 时相应的输入
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