电子技术基础
电子技术基础大全
XL＝ 2πfL
感抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和线圈的电感L，就可以用上式把感抗计算出来。
阻抗
具有电阻、电感和电容的电路里，对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗常用Z表示。阻抗由电阻、感抗和容抗三者组成，但不是三者简单相加。如果三者是串联的，又知道交流电的频率f、电阻R、电感L和电容C，那么串联电路的阻抗
周期
交流电完成一次完整的变化所需要的时间叫做周期，常用T表示。周期的单位是秒（s）,也常用毫秒（ms）或微秒（us）做单位。1s=1000ms，1s=1000000us。
频率
交流电在1s内完成周期性变化的次数叫做频率，常用f表示。频率的单位是赫（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做单位。1kHz=1000Hz，1MHz=1000000Hz。交流电频率f是周期T的倒数，即
电阻
电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧（Ω），也常用千欧（kΩ）或者兆欧（MΩ）做单位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。
电阻可以用万用表欧姆挡测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头引脚断开后再测量。
阻抗的单位是欧姆。
对于一个具体电路，阻抗不是不变的，而是随着频率变化而变化。在电阻、电感和电容串联电路中，电路的阻抗一般来说比电阻大。也就是阻抗减小到最小值。在电感和电容并联电路中，谐振的时候阻抗增加到最大值，这和串联电路相反。
相位
相位是反映交流电任何时刻的状态的物理量。交流电的大小和方向是随时间变化的。比如正弦交流电流，它的公式是i=Isin2πft。i是交流电流的瞬时值，I是交流电流的最大值，f是交流电的频率，t是时间。随着时间的推移，交流电流可以从零变到最大值，从最大值变到零，又从零变到负的最大值，从负的最大值变到零，如附图甲所示。在三角函数中2πft相当于角度，它反映了交流电任何时刻所处的状态，是在增大还是在减小，是正的还是负的等等。因此把2πft叫做相位，或者叫做相。
电子技术基础(精选)
电子技术基础(精选)电子技术基础是研究电子设备和电子系统的基本原理、设计方法和应用技术的学科。
它是现代电子工程的基础，涵盖了电路理论、模拟电子技术、数字电子技术、信号处理、电磁场与微波技术等多个方面。
在电路理论方面，我们学习基本的电路元件如电阻、电容、电感等，以及它们在电路中的作用。
我们研究电路的稳定性、传输特性、频率响应等，并学习如何分析和设计各种电路。
模拟电子技术是研究模拟信号的放大、滤波、调制、解调等处理方法。
我们学习各种放大器、滤波器、振荡器等模拟电路的设计和调试，以及它们在通信、音频、视频等领域的应用。
数字电子技术是研究数字信号的传输、处理和存储。
我们学习数字逻辑电路、数字系统设计、数字信号处理等知识，并了解它们在计算机、通信、控制等领域的应用。
信号处理是研究信号的采集、变换、滤波、检测等处理方法。
我们学习各种信号处理算法和工具，如傅里叶变换、滤波器设计、信号检测等，并了解它们在通信、图像处理、语音识别等领域的应用。
电磁场与微波技术是研究电磁波的传播、辐射、散射等特性。
我们学习电磁场的基本理论、微波器件的设计和应用，以及它们在无线通信、雷达、遥感等领域的应用。
电子技术基础的学习不仅需要理论知识，还需要实践能力的培养。
通过实验、课程设计和项目实践，我们可以将理论知识应用到实际中，培养解决实际问题的能力。
电子技术基础是电子工程的基础学科，它为后续的电子工程学习和研究提供了必要的知识和技能。
通过学习电子技术基础，我们可以深入了解电子设备和电子系统的工作原理，掌握设计和调试各种电子电路的方法，并为将来的电子工程领域的工作打下坚实的基础。
电子技术基础（精选）电子技术基础是研究电子设备和电子系统的基本原理、设计方法和应用技术的学科。
它是现代电子工程的基础，涵盖了电路理论、模拟电子技术、数字电子技术、信号处理、电磁场与微波技术等多个方面。
在电路理论方面，我们学习基本的电路元件如电阻、电容、电感等，以及它们在电路中的作用。
从零开始学电子技术基础
从零开始学电子技术基础简介电子技术是现代社会中不可或缺的一项技术，它涉及到电子器件的原理、电路的设计与实现以及相关的电子系统。
掌握电子技术基础可以帮助我们更好地理解和应用电子产品，本文旨在从零开始研究电子技术基础。
研究步骤1. 掌握基本电路知识首先，了解基本的电路结构和特性是研究电子技术的基础。
我们需要研究电压、电流、电阻等基本概念，并理解欧姆定律以及基本的电路分析方法。
2. 研究基本电子器件电子技术中有许多常用的基本电子器件，如二极管、晶体管、场效应管等。
我们应该研究它们的原理、特性以及基本的应用场景。
3. 熟悉常见电路的组成和工作原理研究电子技术的过程中，我们需要了解一些常见的电子电路，如放大电路、滤波电路、稳压电路等。
了解这些电路的组成和工作原理，可以帮助我们更好地理解电子技术的应用。
4. 硬件实践研究电子技术不仅仅是理论知识，还需要进行实践。
我们可以购买一些基本的电子器件，进行实际的电路搭建和调试，从而提高我们的实际操作能力。
5. 深入研究和应用在掌握了基本的电子技术知识后，我们可以选择深入研究一些特定的电子技术领域，如模拟电子技术、数字电子技术、嵌入式系统等。
根据自己的兴趣和需求，选择相应的研究资料进行深入研究和应用。
总结研究电子技术基础是一个循序渐进的过程，需要逐步掌握基础知识并进行实际的应用实践。
通过研究和实践，我们可以更好地理解电子技术的原理和应用，为未来的研究和工作打下坚实的基础。
以上是从零开始学习电子技术基础的一些建议和步骤，希望对您有所帮助。
祝您学习顺利！。
电子技术基础知识
2010
5025
5.00±0.20
2.50±0.20
0.55±0.10
0.60±0.20
0.60±0.20
2512
6432
6.40±0.20
3.20±0.20
0.55±0.10
0.60±0.20
0.60±0.20
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浙江师范大学
贴片电阻的封装与功率关系如下表：
封装 英制 (mil) 0201 0402 0603 公制 (mm) 0603 1005 1608
25
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3、 电感
26
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§3.1 定义
电感是用来表示自感应特性的一个量；自感电动势要阻碍线圈中电流 的变化，这种阻碍作用称之为感抗。电感一般有直标法和色标法，色标法 与电阻类似 电感器用符号L表示，它的基本单位是亨利（H），常用毫亨（mH） 为单位。 V S 电感定义公式为L= ，单位为： = A = S = H
R代表小数点位置 1% 82R0 1503 三位有效数 82R0=82.0 150x103 =150000=150k
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§1.5电阻的主要性能指标 1.额定功率：指在规定的大气压和特定的环境 温度下，电阻所允许承受的最大功率。 2.标称阻值：指产品上标示的阻值。 3.允许误差：实际阻值对于标称阻值的最大 允许偏差范围，它表示了产品的精度。
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第一部分、常用电子元器件
1
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电子元器件分为无源器件和有源器件。 无源器件的简单定义：如果电子元器件工作 时，其内部没有任何形式的电源，则这种器 件叫做无源器件。常见的无源器件有电阻、 电容、电感、二极管等。无源器件的基本特 点：只需输入信号，不需要外加电源就能正 常工作。
电子技术基础》正式教案
《电子技术基础》正式教案一、教学目标1. 了解电子技术的基本概念、发展和应用。
2. 掌握电子元件的基本原理和特性，包括电阻、电容、电感等。
3. 学习基本的电子电路分析方法，包括串联、并联、混联电路等。
4. 学会使用常用的电子仪器仪表，如万用表、示波器等。
5. 培养学生的实验操作能力和团队协作精神。
二、教学内容第一章：电子技术概述1.1 电子技术的定义和发展1.2 电子技术的应用领域1.3 电子技术的基本电路元素第二章：电子元件2.1 电阻2.2 电容2.3 电感2.4 二极管2.5 晶体管第三章：基本电路分析3.1 串联电路3.2 并联电路3.3 混联电路3.4 电路的功率和能量第四章：常用电子仪器仪表4.1 万用表的使用4.2 示波器的使用4.3 信号发生器和频率计的使用第五章：实验操作与团队协作5.1 电子实验的基本操作5.2 电子实验的安全注意事项5.3 团队协作与沟通技巧三、教学方法1. 讲授法：讲解电子技术的基本概念、原理和分析方法。
2. 实验法：通过实验操作，让学生亲手实践，加深对电子技术的理解和掌握。
3. 案例分析法：分析实际应用中的电子技术案例，提高学生的应用能力。
4. 小组讨论法：鼓励学生相互交流、讨论，培养团队合作精神。
四、教学评价1. 平时成绩：包括课堂表现、作业完成情况等，占总评的30%。
3. 期末考试：包括理论知识、电路分析和实际操作，占总评的40%。
五、教学资源1. 教材：《电子技术基础》正式教案。
2. 实验设备：电阻、电容、电感、二极管、晶体管等元件，万用表、示波器等仪器仪表。
3. 辅助材料：教案、PPT课件、实验指导书等。
六、教学进度安排1. 第一章：2课时2. 第二章：3课时3. 第三章：4课时4. 第四章：3课时5. 第五章：2课时七、教学注意事项1. 注重学生的安全意识和实验操作规范。
2. 鼓励学生提问，及时解答学生疑问。
3. 关注学生的学习进度，适时调整教学难度和节奏。
电子技术基础
电子技术基础电子技术基础是现代科技的基础之一，是指电子学的基本理论和电子元器件的基本知识。
电子技术基础的主要内容包括电路分析、数字电路、模拟电路、通信电路、微处理器、数字信号处理、电磁场和波导、量子力学等。
本文将对电子技术基础的主要知识点进行详细的介绍。
一、电路分析电路分析是电子技术基础中的一个重要知识点。
电路分析的主要内容包括基本电路定律、戴维南等效电路、史密斯图和电感等。
在电路分析中，需要掌握基本电路定律，包括欧姆定律、基尔霍夫定律和电压-电流特性等。
戴维南等效电路的内容比较复杂，主要是用一个定电源替换一个电路的一部分，从而简化电路分析。
史密斯图是通信工程中常用的一个图形工具，它可以表示阻抗匹配电路和传输线中的反射现象。
学习电路分析还需要了解电感的性质。
电感是指导体中储存磁能量的物理量，具有阻抗变化、滤波、放大和相移等作用。
通过电路分析的知识，可以更好地了解电子电路设计的基本原理和方法。
二、数字电路数字电路是电子技术基础中的另一个重要知识点。
数字电路的主要内容包括布尔代数、逻辑门、触发器和计数器等。
布尔代数是一种基本数学方法，以一种抽象方式描述逻辑表达式的运算。
逻辑门是实现布尔代数运算的电路元件。
常见的逻辑门包括与门、或门、非门、异或门和与或非门等。
触发器是一种逻辑电路元件，由多个逻辑门构成，可以存储和输出1或0的二进制数字信号。
计数器是能够记录电子数据的设备，可以用来计算时间、频率和速度等信息。
数字电路在电子技术中的应用非常广泛，包括数字信号处理、数字逻辑设计、计算机电路和数字通信系统等。
通过数字电路的知识，可以更好地理解和设计数字电子系统。
三、模拟电路模拟电路是电子技术基础中的另一个重要知识点。
模拟电路的主要内容包括放大器、滤波器、振荡器和功率放大器等。
放大器是模拟电路中最常见的元件，有增益、放大和滤波等作用。
滤波器是对信号进行滤波和去噪的电路，可以减少杂音和干扰等。
振荡器是一种元件，可以产生稳定的交流电信号。
电子技术基础
图1-1二极管的伏安特性曲线①OA段：死区。
死区电压：硅管为05V，锗管为02V
②AB段：正向导通区。
导通电压：锗管为07V，硅管为03V。
（2）反向特性：
①OC段：反向截止区。
反向截止区的特点：
随反向电压增加，反向电流基本不变，电流值比较小。只有当温度升高时，反向电流才会增加。
（2）求交流放大系数时，取△IB=20μA，△IC=1 mA，则交流放大系数β=△IC/△IB=50。
（3）当基极IB=0时，对应集电极电流即为ICEO的值，根据三极管的输出特性，IB=0的曲线对应的集电极电流IC约为02 mA。
第一章半导体器件的基础知识
第二章二极管应用电路
第三章三极管基本放大电路
第四章负反馈放大器
第五章正弦波振荡器
第六章集成运算放大器
第七章功率放大器
第八章直流稳压电源
第九章晶闸管及应用电路
第十章逻辑门电路
第十一章数字逻辑基础
第十二章组合逻辑电路
第十三章集成触发器
第十四章时序逻辑电路
6 PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
7 PN结内电场的方向：由N区指向P区。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻档层或耗尽层。
8 PN结的反向击穿是指PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。
半导体器件是各种电子线路的核心，晶体二极管和晶体三极管及场效应管是应用广泛的半导体器件之一，熟悉并掌握这些半导体器件的结构、特性及主要参数是本章的重点。
电子技术基础3篇
电子技术基础
第一篇：什么是电路？
电路是指带有电源、电器件、信号处理等组成的电气系统，通常用于控制电能、转换电能、传输信号等各种电气应用。
在电路中，电器件能够吸收或释放能量，例如，电感器件可以吸收能量并储存为磁场能量，电容器件可以吸收能量并储存为电场能量。
掌握电路原理和电器件的特性可以实现不同的电路设计，例如，可以设计自动控制系统、放大器、滤波器等电路应用。
电路的基本组成包括电源、电器件和连线。
电源是产生
电能的装置，常见的电源包括干电池、交流电源、直流电源等。
电器件包括电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管、场效应管、集成电路等各种被动和主动电器件。
连线则是将电器件串联或并联形成电路，通常使用导线或印刷电路板进行实现。
电路设计和分析一般采用电路图的形式进行表示。
在电
路图中，电源和电器件通过连线进行连接，表示电流的方向箭头指向电路整体的流动方向，电压的符号则表示沿着电路中的一段电路元件进行测量时的电势差。
在实际应用中，电路设计需要根据具体应用进行依据，
例如，需要考虑电路功率、电路噪声、信号带宽、电路稳定性等等因素，同时，还需要依据电器件的特性和电路元件的相互作用进行分析和优化。
对于复杂电路的设计，通常会使用计算机辅助设计工具，如电路仿真软件进行进行模拟和验证。
总之，电路作为电气系统的核心部分，掌握电路原理和
设计方法十分重要。
在实际应用中，不同的电路设计可以实现不同的电气控制和信号处理功能。
电子技术基础
B、二进制异步可预置
C、二进制同步可清零
D、二进制异步可清零
61、一片集成二一十进制计数器74LS90可构成（A）进制计数器。
A、2至10间任意
B、5 C、10
D、2
62、集成运放电路（A），会损坏运放。
A、输出负载过大
B、输出端开路
C、输出负载过小
D、输出端与输入端直接相连
63、集成运放电路的输出端外接（ D）防止负载过大而损坏器件。
A、整流角θ
B、控制角α
C、补偿角θ
D、逆变角β
46．单相半波可控整流电路的电源电压为220V，晶闸管的额定电压要留2倍裕量，
则需选购( D )的晶闸管。
A、250V
B、300V
C、500V
D、700V
47．单结晶体管触发电路输出(B )。
A、双脉冲
B、尖脉冲
C、单脉冲 D、宽脉冲
48．晶闸管电路中采用( C )的方法来防止电流尖峰。
A、6
B、5
C、4.5
D、3
24．直流双臂电桥为了减少接线及接触电阻的影响，在接线时要求( A )。
A、电流端在电位端外侧
B、电流端在电位端内侧
C、电流端在电阻端外侧
D、电流端在电阻端内侧
25．直流双臂电桥的测量具有( D)的特点。
A、电流小、电源容量大
B、电流小、电源容量小
C、电流大、电源容量小
D、电流大、电源容量大
C、门极
D、阳极
75．CW7806 的输出电压、最大输出电流为( A)伏。
A、6V、1.5A
B、6V、1A
C、6V、0.5A
D、6V、0.1A
76． 如图所示，IS= 5A，当US单独作用时，I1 = 3A，当IS 和US共同作用时I1
电子技术基础知识
图3
[例1]电路图
4 二极管的伏安特性 1．定义：二极管两端的 电压和流过的电流之间的关 系曲线叫作二极管的伏安特 性。
二极管的伏安特性
5．特点： （1）正向特性 ①正向电压VF小于门坎电压VT时，二极管V截止， 正向电流IF = 0； 其中，门槛电压
VT 0 . 5 V (Si) 0.2V (Ge)
图5 万用表检测二极管
9 二极管的分类 （1）按材料分：硅管、锗管
（2）按PN结面积：点接触型（电流小，高频应用）、面 接触型（电流大，用于整流） （3）按用途：如图6所示。
图6 二极管图形符号
三、 晶体三极管
晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流 的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。 1 三极管的结构 （1）. 三极管的外形 特点：有三个电极， 故称三极管。 图7三极管外形
图 极间反向电流
(2) 穿透电流ICEO 是指基极开路（IB=0）、集电极与发射极之间 加 上规定的电压时，从集电极流到发射极的电流。如
图所示。它与ICBO之间的关系为：
ICEO = (1+β) ICBO
3.极限参数
(1)集电极最大允许电流ICM 三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，管子性能将 显著下降，并有可能烧坏管子。
大了，因此称三极管为电流控制型器件。 电流放大作用：
电流放大系数：β =△IC/△IB
4、三极管的特性曲线
（1）输入特性曲线 集射极之间的电压UCE一定时，发射结电压UBE与基极电 流IB之间的关系曲线。
IC
mA
RC V UCC
IB μA RB UBB + V UBE
－
+ UCE
电子技术基础知识
欢迎共阅第一章基础知识一、电路计算中的代数量及正方向（一）、双向标量在图1-1中导线AB 里的电流强度，具有两个可能的方向，I 我们把这种有两个可能方向的标量称为双向标量，它既不同于AB完全没有方向的标量（如体积），也不同于有无限多个可能方 I向（方向连续变）的矢量。
（图1-1）取“ 量念：向）。
有更丰富的表达力，用代数量进行运算也可收到一举两得的效果，使用代数量等式时，要特别注意以下两点：1、代数量与算术量在书写时没有任何区别，因此，应当明确式中哪些量是代数量，对于一次演算中的同一个量，不允许一会看作代数量，一会又看作算术量，否则容易出现错误。
2、凡代数量必须事先约定正方向，正方向可以任意选择，但已经选定就不能更改。
在用代数量等式表示电路定律时，必须注意式中各代数量的“正方向”之间的关系（或叫配合），各量“正方向”的关系不同时，同一定律会有不同的代数量表达式，看下面两个例子： 例1：写出不含源电路的欧姆定律的代数量表达式。
首先这个定律的完整内容包括两点：①、流过电路的电流在数值上等于电路两端的电压除以其电阻；②、电流的方向（对外电路而言的实际方向），是从高电位端指向低电位端。
若用算术量表示即I=U/R，此只表示了欧姆定律的一个内容，若要同时表示两个内容，则必须用代数量等式表示，共有两种形式：一种是I和U的正方向规定的一致如图2-2所示，则有I=U/R；另一种是I和U的正方向规定的相反如图2-2所示，则有I=-U/R。
以上两式都能分两种情况加以说明：由图2-1知A点比B点电位高；由图2-2知B点比A点电位高；证明略。
UU例2：写出含源电路的欧姆定律的表达式。
ABAB首先讨论一段最简单的含源电路—无II内阻电源，其关系式也有两种可能。
（图2-2）（图2-3）图2-4所示U=ε；图2-5所示U=-ε。
再讨论有内阻电源，它可等所示，设步有如果按图=U-Ir。
✍✍R就AB开路时Ｕ常数τ三、晶体管的功率损耗１、处于甲类放大状态的晶体管，功率损耗为ＰＣ＝（１／２）ＰＣＭ，其中ＰＣＭ为最大允许集电极损耗功率。
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电子技术基础知识电子技术基础知识1.2电子技术基础知识一、填空1、电容器的主要技术指标有Vmax、标称电容值、和允许误差范围四只200μF/50V的电容器串联，等效电容量为50μF。
2、三极管的极限参数有Pcm、Icm、BVceo。
（集电极、发射极、击穿电压）3、有一个稳压二极管稳压电路，焊接后挑食时发现其稳压输出端只有0.7伏的电压，经检查元件是好的，出现这种故障的原因是接反。
4、稳压管工作在反向击穿区，稳压管接入电路时，阴极应接电压的正极，阳极接负极，反映稳压管性能的参数时动态电阻。
6、晶闸管三个电极的名称是阳极、阴极和门极。
7、在晶体管放大电路中，反馈信号取自于输出电压，这种反馈叫做电压反馈。
8、三极管放大电路设置静态工作点的目的是获得最大不失真输出。
9、场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。
10、把集成运放接成负反馈组态是集成运放线性应用的必要条件。
而在开环或正反馈时，集成运放工作在非线性工作状态。
11、已知某深度负反馈电路A Ud=100，F=0.1，则A Uf=9。
12、正弦波振荡电路一般由基本放大电路、反馈电路、选频网络和稳压电路等四个环节组成，而且缺一不可。
13、若采用市电供电，则通过变压、整流、滤波和稳压后可得到稳定的直流电。
14、理想运算放大器的开环放大倍数A od为∞，输入阻抗为∞，输出阻抗R为0，共模抑制比od为∞，频带宽度BW为∞。
KCMR15、串联型稳压电源电路包括调整输出、比较放大、采样和基准电位四个环节。
16、一个10位的DAC，输出电压满量程为10V，则它的分辨率为1/（210-1），能分辨的最小电压值为10/210V。
17、TTL电路多余管脚可以悬空，CMOS电路则不能悬空。
18、三极管放大器有共集、共射和共基三种基本组态。
19、多级放大器的级间耦合方式一般有直接耦合、光电耦合和变压器耦合三种。
电子技术基础知识
电子技术基础知识一.电流1.电路一般是有哪几部分组成的？答: 电路一般由电源、开关、导线、负载四部分组成。
2.电流, 是指电荷的定向移动。
3.电流的大小称为电流强度（简称电流, 符号为I）, 是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量, 每秒通过1库仑的电量称为1「安培」（A）。
4.电流的方向, 是正电荷定向移动的方向。
5.电流的三大效应: 热效应磁效应化学效应6.换算方法: 1A=1000mA 1mA=1000μA 1μA=1000nA1nA=1000pA 1KA=1000A①必须具有可以自由移动的电荷(金属中只有负电荷移动, 电解液中为正负离子同时移动）。
②导体两端存在电压差（要使闭合回路中得到连续电流, 必须要有电源）。
③电路必须为通路。
8.电流表和电压表在电路中如何连接？为什么？答: 电流表在电路中应和被测电路串联相接,由于电流表内阻小,串在电路中对电路影响不大;电压表在电路中应和被测电路并联相接,由于电压表内阻大,并联相接分流作用对电路影响较小.二.电阻1.电阻表达导体对电流阻碍作用的大小。
2.电阻在电路中通常起分压、分流的作用3.换算方法: 1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω4.导体的电阻的大小导体的长度、横截面积、材料和温度有关。
5.电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件, 例如灯泡、电热炉等电器。
电阻定律: R=ρL/Sρ——制成电阻的材料电阻率, 国际单位制为欧姆·米（Ω·m）；L——绕制成电阻的导线长度, 国际单位制为米（m）；S ——绕制成电阻的导线横截面积, 国际单位制为平方米（㎡）；R ——电阻值, 国际单位制为欧姆（Ω）。
6.使用万用表, 应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表, 若有其他电阻并在被测电阻上, 应先断开其他电阻后再测, 测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。
7.使用万用表, 应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表, 若有其他电阻并在被测电阻上, 应先断开其他电阻后再测, 测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。
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《电子技术基础》节后思考与问题解答第1章节后思考与问题解析1.1 思考与问题解答：1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于温度升高、光照作用等原因，使本征半导体中的价电子挣脱共价键的束缚游离到晶体中成为自由电子的现象称为本征激发，同样原因使价电子跳进相邻空穴的填补运动称为复合。
在本征半导体中掺入五价杂质元素后，自由电子数量浓度大大于空穴载流子数量而成为多了；掺入三价杂质元素后，空穴载流子浓度大大于自由电子载流子数量而成为多子。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中有自由电子和空穴两种载流子同时参与导电，这是它们导电机理上的本质区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：经过提纯工艺后，使半导体材料成为具有共价键结构的单晶体，称为本征半导体。
在本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：无论多子是自由电子或是空穴，只是载流子的数量不同，对于失电子的原子来讲，成为正离子，对于得电子的原子来讲，成为负离子。
但是，整块半导体晶体中的正、负电荷数并没有发生变化，所以半导体本身呈电中性。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：雪崩击穿是碰撞式的击穿，通常在强电场下发生；齐纳击穿是场效应式的击穿，这两种击穿都属于电击穿，电击穿可逆，通常不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？PＮ结具有哪种显著特性？答：PN结正向偏置时通过的多子形成的电流称为扩散电流，PN结反向偏置时出现的少子形成的电流叫做漂移电流。
P区加电源正极、N区接电源负极为正向偏置，反之为反向偏置。
PN结的显著特性是单向导电性。
1.2 思考与问题1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：当外加的正向电压的电场不足于克服PN结内电场时，此时的正向电压值为死区电压。
硅管的死区电压典型值是0.5V，锗管的死区电压典型值是0.1V。
2、为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大？答：二极管的反向电流是由少子构成的，而少子是受本征激发和复合产生的。
在温度不变时，少子的数量基本不变，具有饱和性。
当环境温度升高时，本征激发和复合运动加剧，少子的数量随温度升高而增加很多，造成反向电流增大。
3、把一个1.5V的干电池直接正向连接到二极管的两端，会出现什么问题？答：把一个1.5V的干电池直接正向连接到二极管的两端，因二极管的正向管压降小于1.5V，所以会使正向电流进一步增大，二极管易过热损坏。
所以当正向电压大于二极管管压降时，一定要要电路中串接一个限流分压电阻。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况？答：二极管的伏安特性曲线上分死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区域。
死区时由于正向电压不足以克服PN结的内电场作用，所以正向电流基本为零；正向导通区的电压值等于二极管导通压降值，电流为扩散电流，即正向导通电流；反向截止区，反向电压只要不超过U RM，反向电流基本可视为零；反向击穿区的反向电压值超过U RM，因此反向电流突然骤增，二极管被击穿。
5、半导体二极管工作在反向击穿区，是否一定被损坏？为什么？答：半导体二极管工作在反向击穿区时，如果属于齐纳击穿或雪崩击穿的电击穿，二极管不会损坏，但持续增大的结温使电击穿变成了热击穿时，二极管将永久损坏。
6、理想二极管电路如图1.16所示。
已知输入电压u i＝10sinωt V，试画出输出电压u0的波形。
答：（a）图：分析时可把图中二极管视为理想二极管（二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大），当输入正弦波电压低于－5V 时，二极管D导通，输出电压u O=u i；当输入正弦波电压高于－5V时，二极管D 截止，输出电压u O=－5V，波形如右图所示：u o/u iωt 010V图1.16 思考题6电路图（b ）图：图中二极管也看作理想二极管，当输入正弦波电压高于＋5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =u i ；当输入正弦波电压低于＋5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =＋5V ，波形如下图所示：1.3思考与问题解答1、稳压二极管正常工作时在哪个区域？使用时应注意什么？答：稳压二极管正常工作时在反向击穿区。
使用时为保证稳压管不被过流损坏，应串联一个合适的限流电阻。
2、发光二极管正常工作时在哪个区域？导通电压与普通二极管有何不同？答：发光二极管正常工作时在正向导通区，因发光二极管是功率型器件，所以其正向导通电压比普通二极管高，至少要在1.3V 以上。
3、光电二极管正常工作时在哪个区域？其导过的电流大小取决于什么？答：光电二极管正常工作时是在反向截止区，其导通电流的大小取决于光照强度。
4、变容二极管正常工作时在哪个区域？变容二极管正向偏置和反向偏置时的结电容有何不同？答：变容二极管正常工作时在反向截止区。
当变容二极管的PN 结正偏时，由于扩散电容C D 与正偏电流近似成正比，因此PN结的结电容以扩散电容C D 为主；当PN 结反偏时，由于PN 结的反向电阻很大，此时PN 结的结电容容抗将随工作频率的提高而降低，势垒电容C B 随反向偏置电压的增大而变化，这时PN 结上的结电容又以势垒电容C B 为主，5、试判断图1.23所示电路中二极管各处于什么工作状态？设各二极管的导通电压为0.7V ，求输出电压U AO 。
答：假设O 点为参考电位点，则V B ＝－15V ，V C ＝0V ，若R 中无电流时，V A ＝－8V 。
V D1由于正向偏置导通；导通后V A ＝－0.7V ，所以输出电压V AO ＝－0.7V 。
1.4思考与问题解答1、双极型三极管的发射极和集电极是否可以互换使用？为什么？答：双极型三极管的发射极和集电极虽然类型相同，但它们的掺杂浓度和内部结构有较大差异，因此在使用过程中不能互换，否则会降低管子的电流放大能力甚至失去电流放大能力。
2、三极管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ u o /u i ωt 0 10V 图1.23 思考题5图答：三极管在输出特性曲线的饱和区工作时，管子的电流放大能力大大下降，因此其电流放大系数不再等于β。
3、使用三极管时，只要①集电极电流超过I CM值；②耗散功率超过P CM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。
上述说法哪个是对的？答：当耗散功率超过P CM值时，三极管必然损坏，而使用中超过I CM和U（BR）CEO时三极管不一定损坏。
第②个说法对。
4、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？①U BE＝0.7V，U CE＝0.3V；②U BE＝0.7V，U CE＝4V；③U BE＝0V，U CE＝4V；④U BE＝－0.2V，U CE＝－0.3V；⑤U BE＝0V，U CE＝－4V。
答：均以发射极电位为参考电位进行数据分析，即设V E＝0。
①数据显示U BE＝0.7V为正值，说明发射结正偏，且V B＝0.7V，管子属于硅管，发射极电位最低，为NPN管，V C＝0.3V，说明集电结也正偏，管子工作在饱和区。
②数据显示U BE＝0.7V为正值，说明发射结正偏，且V B＝0.7V，管子属于硅管，V C ＝4V，说明集电结也反偏，管子工作在放大区。
发射极电位最低，为NPN管。
③数据显示U BE＝0V，说明发射结截止，且U CE＝4V，说明集电极电位最高，管子属于硅管，工作在截止区，为NPN管。
④数据显示U BE＝－0.2V，基极电位较发射极电位低，由0.2V说明管子属于锗管，由U CE＝－0.3V来看，其集电极电位最低为PNP管，数据显示集电结反偏，发射结正偏，说明管子工作在放大区。
⑤数据显示U BE＝0V，说明发射结截止，U CE＝－4V，说明集电极电位最低为PNP 锗管，管子工作在截止区。
1.5 思考与问题解答：1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？答：双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电，这是它们在导电机理上的不同之处。
由于双极型三极管的输出电流I C受基极电流I B的控制，因此称其为电流控制型器件；MOS管的输出电流I D受栅源间电压U GS的控制，因之称为电压控制型器件。
2、当U GS为何值时，增强型N沟道MOS管导通？当U GD等于何值时，漏极电流表现出恒流特性？答：当U GS=U T时，增强型N沟道MOS管开始导通，随着U GS的增加，沟道加宽，I D增大。
当U GD＝U GS－U DS<U T时，漏极电流I D几乎不变，表现出恒流特性。
3、双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同？答：双极型三极管的输入电阻r be一般在几百欧～千欧左右，相对较小；而MOS管绝缘层的输入电阻极高，趋近于无穷大，因此通常认为栅极电流为零。
4、MOS管在不使用时，应注意避免什么问题？否则会出现何种事故？答：由于二氧化硅层的原因，使MOS管具有很高的输入电阻。
在外界电压影响下，栅极易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，所以MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
5、为什么说场效应管的热稳定性比双极型三极管的热稳定性好？答：双极型三极管同时有两种载流子参与导电，其中少数载流子受温度影响变化较大，即其热稳定性较差，而场效应管只有多子一种载流子参与导电，而温度对多子无影响，因此其热稳定性较好。
1.6 思考与问题解答：1、分析下列说法是否正确，对者打“√”错者打“×”。
（1）晶闸管加上大于1V的正向阳极电压就能导通。
（×）（2）晶闸管导通后，控制极就失去了控制作用。
（√）（3）晶闸管导通时，其阳极电流的大小由控制极电流决定。
（√）（4）只要阳极电流小于维持电流，晶闸管就从导通转为关断。
（√）2、当正向阳极电压大到正向转折电压时，晶闸管能够正常导通吗？为什么？答：当正向阳极电压超过临界极限即正向转折电压U BO时，漏电流会急剧增大，晶闸管便由阻断状态转变导通状态，这种导通不属于正常导通，称为“硬开通”。
3、何谓晶闸管的“硬开通”？晶闸管正常工作时允许“硬开通”吗？为什么？答：晶闸管的正向阳极电压超过临界极限即正向转折电压U BO时，晶闸管出现“硬开通”，硬开通时晶闸管的管压降只有1V左右，但是通过晶闸管的电流却很大，显然，晶闸管正常工作时一般是不允许硬开通的。