贴片电容材质分类
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
贴片电容常识- 贴片电容的分类和尺寸
贴片电容常识- 贴片电容的分类和尺寸电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列，具体分类如下：类型封装形式耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸(mm)英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.201.00±0.201.25±0.201206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.201.00±0.201.25±0.201210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.301.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求例风华系列的贴片电容的命名贴片电容的命名:贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
各种贴片电容容值规格参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
半导体瓷：其电气性能对外界物理条件极其敏感，可制造各种敏感元件。
比如热敏电阻，气敏电阻。
磁性瓷：即铁氧体瓷，是铁磁性氧化物。
用以制造高频或微波铁氧体器件、以及恒磁器件。
如VCD中的磁珠。
微波介质瓷：其品质因素大，频率特性好，可制作声表面波滤波器(SAWF)；陶瓷滤波器(CF)。
贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
电容的材质及分类
薄膜电容器涤纶电容器：又叫聚酯电容器，它是以涤纶薄膜作为介质的电容器。
涤纶电容器电容量较大，范围从几皮法到几百微法，工作电压范围宽。
金属化涤纶电容器的电容量范围可以更宽，工作电压有可以达到上万多伏。
还有一种小型涤纶电容器，其容量从0.1UF到10UF，体积只有一般涤纶电容器的1/3。
涤纶电容器的介电常数较大，体积小，容量大；耐热性好，工作温度可达120℃—130℃；缺点是损耗角正切值较大。
涤纶电容器是有机介质薄膜电容器中产量最大的一种，它一般用在直流及脉动电路中，不宜在高频电路中使用。
聚苯乙烯电容器：聚苯乙烯电容器的容量范围从几十皮法到几微法，额定直流电压范围很宽，从几百伏到数千伏，其精度可达到5‰。
聚苯乙烯电容器的最大特点是绝缘电阻高（一般在10000M欧以上），它的高频损耗小，电容量稳定，应用很广泛；由于其精度很高，在滤波器及对电容量要求精确的电路中常采用聚苯乙烯电容器；它的缺点是工作温度范围不宽，上限为+75℃，所以焊接时烙铁的接触时间不宜过长，以免过热损坏薄膜；另外它的成本较其他几种有机介质薄膜电容器稍高。
聚丙烯电容器：聚丙烯电容器具有优良的高频绝缘性能，电容量和损耗角正切值在很大频率范围内与频率变化无关，与温度变化的关系也很小，而介电强度随温度上升而有所增加，这是其他介质材料所难以具备的特点。
它的耐温性好，吸收系数小，其机械性能也比聚苯乙烯好，且价格适中，应用很广泛，适宜用于高频电路。
聚四氟乙烯电容器：其最大特点是工作温度范围宽，低温在-150℃，高温可达250℃。
其缺点是耐电压性差，成本高。
它的绝缘电阻高，高频损耗小，耐化学腐蚀性好，适宜用在高温、高绝缘、高频等场合。
另外还有聚碳酸酯膜电容器，其电性能比聚酯膜电容器好些，耐热性与聚酯电容器相似，可代替聚酯、纸介电容器用于直流、交流及脉动电路中；聚酰亚胺薄膜电容器，耐辐射、耐燃烧，能在有辐射等恶劣条件下工作；漆膜电容器，体积小，容量大，温度特性和容量稳定性都优于涤纶电容器，可取代部分电解电容器使用，性能比电解电容器好得多，其缺点是工作电压不易做的很高，一般为直流40V；复合薄膜电容器，如用聚苯乙烯薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器，比聚苯乙烯提高了抗电强度和上限工作温度，减小了体积，但电容量的温度系数和损耗角正切值较差。
贴片电容器的材质和精度的计算
贴片电容器的材质和精度的计算
贴片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在对应关系，主要分为三大类别：
一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度主要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档 (±0.5pF)三种精度。
二、是以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档(±10)。
特殊情况下，可提供J档(±5)精度的。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。
小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。
三、是以Y5V为II类介质的低频电容器，其温度系数为：+30～-80，电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。
其容量精度主要为Z档(+80～-20)，也可选择±20精度的。
贴片电阻在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。
正确选择一颗贴片电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必须特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。
贴片电容标准命名方法及定义：贴片电容的命名，国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。
如何识别贴片电容是哪种材质
如何识别贴片电容是哪种材质
如何识别各种材质贴片电容?，贴片电容外观识别方法显而易见，比较难识别的是同一类型电容，如贴片叠层电容，各厂家生产的贴片电容颜色、尺寸、形状都有一点区别。
由于贴片叠层电容体积太小无法再表面丝印，所以识别贴片叠层电容容值和厂家是无法从一个单品上看出。
下面容乐电子详解贴片电容材质识别方法。
常见贴片电容主要有：瓷片电容，贴片钽电容，贴片电解电容，贴片叠层电容。
1.瓷片电容，材质是瓷片，表面有丝印，无极性，无厂家标识，圆形，颜色有蓝色、淡黄色、酒红色、黄色、橘橙色。
2.贴片钽电容材质是钽，表面有丝印，有极性，主要有黑色、黄色等。
钽电容表面一般有一条丝印线(白色、黄色等)标记电容的正极，并且丝印有电容值和工作电压。
3.贴片电解电容，一般为圆柱形，表面有丝印，有极性，外观上可见铝制外壳，钽电容表面一般有一条丝印线(黑色)标记电容的负极，并且丝印有电容值和工作电压。
4.贴片叠层电容，一般为长方形或正方形，一般为长方形，表面没有丝印，没有极性，主要有褐色、灰色、淡紫色等。
如何识别各种材质贴片电容?，以上四种贴片电容识别相对较简单，单从外观即可识别出属于什么电容，我们只需记住他们的外形即可，根据上面提供的产品图我相信大家应该可以轻易识别各材质的电容。
今天的内容就到这里，希望能够帮助到大家。
贴片电容按材质分类
贴片电容的材质按美国电工协会（EIA）标准，贴片电容介质材料，按温度稳定性分成三类：一、超稳定级（Ⅰ类）的介质材料为COG或NPO；二、稳定级（Ⅱ类）的介质材料为X7R；三、能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
而C0G和NPO只是标准不同而已，C0G是EIA标准，美国电工协会，NP0是JIS标准，日本工业协会，在电路里面，是一样用的。
X5R与X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
X7R是当温度在-55℃到+125℃时其容量变化仅为15%的，而X5R只是当温度在-55℃到+85℃时其容量变化才为15%。
X5R 与X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化。
X5R与X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。
广泛应用于对容量，损耗要求不高的场合。
NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数是依次递减的，而容值是依次递增的。
不同材质的频率特性也是不同的，NPO是最高频的，依次递减。
NPO(COG)、X7R、X5R和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
贴片电容分类和封装、型号、耐压介绍
贴⽚电容分类和封装、型号、耐压介绍贴⽚电容可分为风多种，瓷介电容(CT)。
涤纶电容(CL)。
独⽯电容(CC)。
电解电容(CD)。
云母电容(CY);⼜分⾼压⾼压贴⽚电容，低压贴⽚电容;下⾯容乐电⼦来介绍⼀下贴⽚电容分类和封装、型号、耐压。
⾼压贴⽚电容分类：①温度补偿型NPO介质：NP0(COG)电⽓性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，在众多特殊领域内都有⽆法取代的地位。
NPO常⽤的封装尺⼨有0805、1210、2225等。
②⾼介电常数型X7R介质：X7R是⼀种强电介质，所以能制造出容量⽐NPO介质更⼤的电容器，这种电容器性能⾮常稳定，且随温度及电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，通常被使⽤在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较⾼的中⾼频电路中。
③半导体型X5R介质：X5R具有较⾼的介电常数，常⽤于⽣产⽐容较⼤、标称容量较⾼的⼤容量电容器产品。
但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感。
主要特点是封装体积⼩,绝缘性能⾼，耐⾼压，质量稳定。
贴⽚电容的封装、型号、耐压贴⽚电容全称叫⽚式陶瓷电容器，也称为贴⽚电容。
贴⽚电容的材质有四种：X7R，NPO，Z5U，Y5V。
常⽤的是：X7R,NPO两种，它们的⼯作温度都在-55°—+125°之间。
误差都是J:5% K:10% M:20%。
X7R电容器封装：DC=50V DC=100V0805 330pF.-0.056µF 330pF.-0.012µF1206 1000pF.-0.15µF 1000pF.-0.047µF1210 1000pF.-0.22µF 1000pF.-0.1µF2225 0.01µF.-1µF 0.01µF.-0.56µFNPO电容器封装：封装：DC=50V DC=100V0805 0.5.-1000pF 0.5.-820pF1206 0.5.-1200pF 0.5.-1800pF1210 560.-5600pF 560.-2700pF2225 1000pF.-0.033µF 1000pF.-0.018µF贴⽚电容型号有0201，0402,0603,0805,1206,1210,1808,1812,2225,3035,2512 。
材质不同的三星贴片电容比较
材质不同的三星贴片电容比较
三星贴片电容采用的材质主要分为有：NPO(COG)材质、X5R/X7R材质和Y5V材质等
三种材质组成材料不一，物理性质因此发生了改变，所制成电容器的性能也就只能适合不同的应用环境。
这里就针对几点对其进行比较。
1.物理性质分类：
NPO(COG)材质的贴片电容属于I类高频电容器
X5R/X7R材质的贴片电容属于II类低频电容器
Y5V材质的贴片电容属于II类低频电容器
2.电容量的稳定性：
NPO(COG)材质的贴片电容：几乎不随环境温度、电压和时间的变化而变化，电容量非常稳定。
X5R/X7R材质的贴片电容：对环境温度、电压和时间的变化相对敏感，其电容量相对稳定。
Y5V材质的贴片电容：其电容量受环境、温度、电压和时间的影响变化大，电容量不稳定。
3.性能特点：
NPO(COG)材质：具有高的电容量稳定性。
在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃，
X5R/X7R材质：具有较高的电容量且较稳定。
在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为±15％，
Y5V材质：具有较宽的容量范围。
在-55℃～＋85℃工作范围内，其温度系数为＋80-20％4.应用：
三种材质均为叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。
广泛应用于回流焊和波峰焊。
5.代表品：
NPO(COG)材质：三星贴片电容 3216 1206 20PF NPO 50V COG
X5R/X7R材质：三星贴片电容C0402X5R0J224KT
Y5V材质：三星贴片电容 0805 1-100pf。
三星贴片电容命名规则
三星贴片电容命名规则在电子元器件领域，三星贴片电容是一种常见的电子元件，具有广泛的应用。
为了帮助用户更好地理解和选择合适的三星贴片电容，本文将介绍其命名规则，包括以下方面：1. 材质三星贴片电容的材质主要有铝、钽、聚苯乙烯等。
例如，以铝为材质的电容器的命名为“Aluminum”，以钽为材质的电容器的命名为“Tantalum”，以聚苯乙烯为材质的电容器的命名为“Polyphenylene”。
2. 存储容量三星贴片电容的存储容量通常以法拉（F）为单位进行表示。
在命名中，存储容量通常会直接或间接地被包含在内。
例如，一个存储容量为0.01 法拉的电容器的命名为“1F0”，其中“1F”表示0.01 法拉，而“0”则表示其偏差范围为±10%。
3. 电容器的偏差电容器的偏差是指其实际容量与标称容量之间的允许误差范围。
三星贴片电容的偏差通常以正负百分比表示。
例如，一个偏差为±5%的电容器的命名为“X5”，其中“X”表示偏差范围，而“5”则表示5%。
4. 额定电流电容器的额定电流是指在正常工作条件下，电容器可以承受的最大电流。
三星贴片电容的额定电流通常以安培（A）为单位进行表示。
在命名中，额定电流通常会直接或间接地被包含在内。
例如，一个额定电流为0.1 安培的电容器的命名为“1A1”，其中“1A”表示0.1 安培，而“1”则表示其偏差范围为±10%。
5. 薄厚电容器的厚度是衡量其体积和占用空间大小的重要指标。
三星贴片电容的厚度通常以毫米（mm）为单位进行表示。
在命名中，厚度通常会直接或间接地被包含在内。
例如，一个厚度为0.1 毫米的电容器的命名为“T01”，其中“T”表示薄厚，而“01”则表示其厚度为0.1 毫米。
6. 内电极电容器的内电极是指与电解质接触的金属电极，其材料和形状直接影响着电容器的性能。
三星贴片电容的内电极材料主要有铝制、铜制、树脂制等。
例如，一个以铝为内电极的电容器的命名为“Aluminum”，以铜为内电极的电容器的命名为“Copper”，以树脂为内电极的电容器的命名为“Resin”。
最全贴片电容规格书
贴片电容的材质规格贴片电容的材质规格贴片电容(MLCC)Multilayer Ceramic Capacitor常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
上表可看出各个不同材料的温度特性一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
贴片电容构造
贴片电容构造
贴片电容是一种电子元件，它通常由以下几个构造组成：
1. 电介质层：贴片电容的主要构造部分是电介质层。
电介质层常由陶瓷、塑料或聚合物材料制成，能够有效隔离电极之间的电荷，并且具有较高的绝缘性能。
2. 金属电极：贴片电容的两侧通常有金属电极，用于与外部电路连接。
金属电极通常由银、镀金或铜等导电材料制成，能够快速传递电流。
3. 导电涂层：为了增加电极的导电性能，贴片电容常涂覆导电涂层。
导电涂层通常由碳或银浆等材料制成，能够进行导电，使电流能够更好地流过电容。
4. 封装材料：为了保护电容器内部结构，贴片电容通常使用耐热、耐高温的封装材料进行封装。
常见的封装材料有塑料、陶瓷和树脂等。
这些构造使贴片电容具有较小的尺寸、较高的电容率和较好的频率响应特性，适用于各种电子设备和电路应用中。
各种贴片电容容值规格全参数表
各种贴⽚电容容值规格全参数表各种贴⽚电容容值表X7R贴⽚电容简述X7R贴⽚电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴⽚电容特性具有较⾼的电容量稳定性，在-55℃～125℃⼯作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独⽯结构，具有⾼可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适⽤于回流炉和波峰焊。
应⽤于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴⽚电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴⽚电容选型表1210～2225 X7R贴⽚电容选型表NPO COG 贴⽚电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：⼤⼤中中⼩⼩NPO(COG)贴⽚电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，⼏乎不随温度、电压、时间的变化⽽变化。
尤其适⽤于⾼频电⼦电路。
具有最⾼的电容量稳定性，在-55℃～125℃⼯作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独⽯结构，具有⾼可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适⽤于回流炉和波峰焊。
应⽤于各种⾼频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把⽤来制造⽚式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这⾥所说的瓷介就是⽤电容器瓷制成的陶瓷介质。
⼤家知道，陶瓷是⼀类质硬、性脆的⽆机烧结体。
就其显微结构⽽论，⼤都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配⽅确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的⼯艺。
按其⽤途可以分为三类：①⾼频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②⾼频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频⾼介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即⾼频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按⼯作频率可以分为三类：低频、⾼频、微波介质。
⾼频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质⽤，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加⼊适量的稀⼟类氧化物等配制⽽成。
贴片电容的材料
贴片电容的材料
贴片电容通常由以下材料制成：
1. 电介质材料：常见的包括聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚四氟乙烯（PTFE）、陶瓷等。
这些材料具有优良的电绝缘性能，可提供电容器所需的电介质性能。
2. 电极材料：常见的包括铝（Al）和铂（Pt）等金属。
电极材料的选择往往取决于电容器的工作环境和应用要求。
3. 封装材料：常见的包括有机树脂（如环氧树脂）和硅胶等。
封装材料主要用于保护电容器元件，并提供良好的机械保护和环境封装。
以上所提及的材料是贴片电容常见的组成部分，不同型号和规格的贴片电容可能使用不同的材料组合。
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这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。
相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
下表给出了Z5U电容器的取值范围。
Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%四 Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性+22% ---82% 介质损耗最大5%五，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。
COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。
X7R与X5R材质的温度系数不同。
X5R材质所能做出来的电容容值会更高一些，与X7R同样容值电压的电容相比，X5R的价格也要便宜一些。
NPO（C0G）具有温度补偿特性，精度能做到5%，但是不能做到太高的容值。
X是最低温度-55度 7是最高承受温度125度 R是使用温度内容值变化的范围+-15%同理 X5R只是最高温度为85度Ｘ７Ｒ和Ｘ５Ｒ是ＥＩＡ的代码，表示不同的温度特性，温度变化率相同，都是１５％，只是Ｘ７Ｒ上限工作温度是１２５度，Ｘ５Ｒ上限是８５度，从材料上来说，比较接近，都是ＢＴ作为主烧块的陶瓷材料，Ｘ５Ｒ的Ｋ值大点，可以做更大的容量，一般大容量的ＭＬＣＣ都是Ｘ５Ｒ，不能用Ｘ７Ｒ做．电容参数X5R，X7R，Y5V，COG等代表什么意思呢？这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
表4-1 电容的温度与容量误差编码这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
下表给出了Z5U电容器的取值范围。
Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大 4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性+22% ---- -82% 介质损耗最大 5%贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。
NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途NPO的特性及主要用途属1类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。
特性：电容范围 1pF～0.1u F (1±0.2V rms 1MHz)环境温度： -55℃～+125℃ 组别：CG温度特性：0±30ppm/℃损耗角正切值： 15x10-4绝缘电阻：≥10GΩ抗电强度：2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安X7R的特性及主要用途属2类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10兆周以下的频率场合。
特性：电容范围 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)环境温度： -55℃～+125℃组别：2X1温度特性：±15%损耗角正切值： 100Volts: 2.5% max50Volts: 2.5% max25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max10Volts: 5.0% max绝缘电阻：≥4GΩ或≥100S/C (单位：MΩ)抗电强度：2.5倍额定电压5秒浪涌电流：≤50毫安Y5V的特性及主要用途属 2类陶瓷介质，具有很高的介电系数，能较容易做到小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。