模拟电子技术习题解答(康华光版)
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 vi＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（Vth ＝ V，rD＝200Ω）分析输出电压 vo的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|Vi |＜时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥时；D1导通，D2截止，vo＝0.7V；当vi ≤时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。
vi与voth ＝0．5V，rD＝200Ω。
当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D2均截止，vo=vi； vi≥0．5V时，D 1导通，D2截止。
电子技术基础-模拟电路 (康华光)第三章习题
电子技术基础-模拟电路 （康华光）第三章习题.doc3.1.2、解：由A B I m A ,I .m A =-=-2004可知，A B I I 、的实际方向与图中参考方向相反，即A B I I 、的实际方向都是流进三级管；c I .m A =+204说明c I 的实际方向与图中参考方向相同，即cI 的实际方向是流出三级管；c A B I =I +I 。
所以，它是NPN 型三极管；电极A 是集电极，B 是基极，C 是发射极。
c bI m A I .m Aβ===2500043.2.1、解：（a ）无放大作用。
一方面cc V 使发射结所加的反偏电压太高，管子易击穿；另一反面因b R =0，使输入信号i v 被短路。
（b ）有放大作用。
因电路的偏置正常（及发射极正偏，集电结反偏），而且交流信号能够传输。
（C ）无放大作用，因cc V 无法给PNP 三极管发射结提供偏置电压（或因b C 1隔断了基极的直流通路）。
（d ）无放大作用，因电源cc V 接反，使集电结正偏。
3.3.1、解：由图3.3.1可知，当b C i A ,i m A μ∆=∆=102，故c bi i β∆==∆200。
当C CES C CES i m A V .V ;i m A V .V∆=→≈∆=→≈10032008，，。
3.3.4、解：已知c bi i β∆==∆200，B B B E QB Q bV V I .m A R -==003C Q B Q I I m A β==6 C E Q C C C Q C V V I R V=-=13.4.5、解：（1）求C Q C E Q I V 、表达式cc B Q V I R =1cc C Q B Q V I I R ββ==1C E Q C C C QV V I R +R )=-23（ （2）求v i O A R R 、、的表达式（在交流通路图中，R 3被短路）L v beR R A =-r β2（//），i be R R //r =1，O R R ≈2（3）求C 3开路后，v i O A R R 、、的表达式（在交流通路图中，R 3被短路）L v beR +R R A =-r β23【（）//】，v A ↑i be R R //r =1不变，O R R +R ≈↑233.5.4、解：（1）求Q 点eb B Q C C b b R B Q B E QC Q E Q eeC E Q C C C QR V =V .VR R V V V I I .m A R R V V I Aβμ+-====-=212431818 c e CQ BQ （R +R ）=2.8V I =I（2）求be i r R 、be E Qi b b be e m V r ()I R R //R //[r ()R ].K ββΩ=++=++≈12262001108（3）求vs vs2A A 1、（前者是共发射极放大电路对信号源的电压放大倍数；后者是共集电极放大电路对信号源的电压放大倍数）o o i ei vs s i s be ei s o o i eivs sisbe ei sv v v R R A .v v v r ()R R R v v v +R R A .v v v r ()R R R ββββ==∙=-∙≈-+++==∙=∙≈+++1112220791081（1）（4）求O O2R R 1、o c be b b s o R R r (R //R //R )R R e//Ωβ+=+1122311。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th时，D1导通，D2截止。
电子技术基础-模拟部分(第五版)康华光-课后答案
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电子技术基础模拟部分
第五版
主编 康华光
高等教育出版社
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湖南人文科技学院
田汉平
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模拟电子技术习题解答(康华光版)
3. C位置：发射结反偏，截止，IC=0。
习题3.3.2
• (a)：放大。 • (b)：放大。 • (c)：饱和。 • (d)：截止。 • (e)：饱和。
习题3.3.6
2. AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω
3. Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV
习题3.7.1
1. |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz
2. f=fH=fL时，|AVM|=57db
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=－9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈，，但使整r体if提性高能，下降， 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接，到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能，因为是正反馈，应交 换运放正负极。
• (b)：不能，应交换R 和RL
1. VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V;
2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)， RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被正偏而导通。
，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和 折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
解 （1）恒压降等效电路法当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝ 0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。
v i 与v oth ＝0．5V ，r D ＝200Ω。
当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
第二章模拟电路康华光课后习题答案
精品文档模拟电路（康光华）第二章课后习题答案）在室2V的值；（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I和电路如图题2.4.12.4.1所示。
（oD的变化范围。
300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求v温（o）求二极管的电流和电压解（1v2V?V).710?2?0(3?DDD mA6I?8.6?10A???8.D3R?101?V41..7V?V?2V?2?0DO的变化范围）求v（2o 300 K。
所示，温度T＝的小信号模型等效电路如图解图题2.4.12.4.l VmV26T?.02r???3d mA.6I8D =r时，则当r=r dd2d1r2?.022?3d mV6??v??V????1VDDO)?3.02r(1000?2?R?2d)v??v)~(V?(V?v。
的变化范围为～1.394V，即1.406V OOOOO两端电压AO2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出2.4.3二极管电路如图。
设二极管是理想的。
V AO D故，阴极电位为－12 V，D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V图解a：将 6 V。
V=–处于正向偏置而导通，AO。
AO＝－12V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，V15V图b：D的阳极电位为－，0V的阴极电位为D导通，此后使D，Dc：对有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V故图211 =0 V。
，故D反偏截止，V而其阳极为－15 V AO2，阴极电位为有阳极电位为12 V，对D有阳极电位为12 V，阴极电位为0 VDd图：对21 6V＝－。
反偏而截止，故6V更易导通，此后使6V－．故DV＝－；DV AO12A.精品文档试判断图题2.4.42.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？D断开，以“地”为电位参考点，这时有图a：将解?10kV?1V??15V A?)k140?10(?5k2k??V.5VVV??15?3?10B?k?255)(18?2)k?(被反偏而截止。
康光华电子技术基础(模拟部分)第五版习题选解资料
1.2.1解：正弦波电压表达式为)sin()(θω+=t V t v m ，由于0=θ，于是得 （1）))(102sin(5)(4V t t v π⨯= （2）))(100sin(2220)(V t t v π= （3）))(2000sin(05.0)(V t t v π= （4）))(1000sin(125.0)(V t t v = 1.2.2解：（1）方波信号在电阻上的耗散功率RV dt TRV dt R t v T P S TS T S 2)(1220202===⎰⎰（2）可知直流分量、基波分量、三次谐波分量分别为2S V 、πS V 2、π32S V，所以他们在电阻上的耗散功率为直流分量：R V R V P S S O 4/222=⎪⎭⎫⎝⎛=基波分量：R V R V P S S22212/212ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•=三次谐波分量：R V R V P S S222392/2132ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•= （3）三个分量占电阻上总耗散功率的百分比： 前三者之和为：RV R V R V R V P P P P S S S S 2222223103~0475.09224≈++==++=ππ所占百分比：%95%1002//475.0%100)/(223~0=⨯≈⨯R V RV P P S S S 1.4.1解：由图可知，i vo LO Lo i s i i s v A R R R v R R R v v •+=+=),(，所以（1）O L S i R R R R 10,10==时，i i s i i s v R R R v v 1011)(=+=， i i vo L O L o v v A R R R v 101110⨯=•+=，则源电压增益为26.810/1111/100≈==i i s o vs v v v v A 。
同理可得 （2）5.225===iis o vs v v v v A （3）0826.01111/10≈==i i s o vs v v v v A （4）826.010/1111/10≈==i i s o vs v v v v A 1.5.1解：电压增益 200005.01===VV v v A i o v dB A v 46200lg 20lg 20≈=电流增益 1001052000/16=⨯Ω==-AV i i A i o i dB A i 40100lg 20lg 20≈=功率增益 ()200001051052000/1632=⨯⨯⨯Ω==--AV V P P A i o p dB A p 4320000lg 10lg 10≈= 1.5.2解：设负载开路时输出电压为'o v ，负载电阻Ω=k R L 1时输出电压为o v ，根据题意 ()''8.0%201o o o v v v =-= 而 ()L O L oo R R R v v +=//'则 ()()Ω=Ω⨯⨯-=-=25010118.0/11/3'L oo O R v v R1.5.3解：设'o v 为负载电阻断开时的输出电压，即V v o 1.1'=；负载电阻Ω=k R L 1时，输出电压V v o 1=。
康华光模拟电子技术基础课后答案全解
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模电课后（康华光版）习题答案
第四章部分习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA =100mA，，P CM =150mW =150mW，，V （BR BR））CEO =30V =30V，，若它的工作电压V CE =10V =10V，则工作电流，则工作电流I C 不得超过多大？若工作电流I C =1mA =1mA，则工作电压的极限值应为多少？，则工作电压的极限值应为多少？，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
则将损坏。
当工作电压当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，时，mA V P I CECMC 15==此值小于I CM =100mA =100mA，故此时工作电流不超过，故此时工作电流不超过15mA 即可。
即可。
同理，当工同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V （BR ）CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 30V。
4．3．3 若将图题若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V =12V，，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V =0.7V。
图题3.3.1图题 3.3.3解: 由题3.3.1已求得β=200=200，故，故，故mA R V V I bBEBB B 03.0=-=I C =βI B =200=200××0.03mA=6mA 0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R e 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V =6V。