电子技术作业解答(第15章)

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新人教版九年级物理第十五章课后习题答案

第十五章第一节《两种电荷》1. 有甲、乙、丙三个带电体，甲物体排斥乙物体，乙物体吸引丙物体。

如果丙物体带正电，甲物体带哪种电？2. 如图15.1-6，用一段细铁丝做一个支架，作为转动轴，把一根中间戳有小孔（没有戳穿）的饮料吸管放在转动轴上，吸管能在水平面内自由转动。

用餐巾纸摩擦吸管使其带电。

（1）把某个物体放在带电吸管一端的附近，发现吸管向物体靠近，由此是否可以判断该物体已经带电？（2）把丝绸摩擦过的玻璃棒放在带电吸管一端的附近，观察吸管运动的方向，并回答：吸管带的是哪种电？餐巾纸带哪种电？为什么？（3）吸管和餐巾纸摩擦起电时，哪个失去了电子？哪个得到了电子？3. 金属锡的原子核带有50 个大小与电子电荷相等的正电荷，它的原子核外有多少个电子？这些电子总共带多少库仑的电荷？为什么金属锡对外不显电性？第十五章第一节《两种电荷》课后习题答案1.甲带负电解析：乙吸引丙，而且丙物体带正电，则根据异种电荷相互吸引，可判断乙物体带负电；甲排斥乙，根据同种电荷相排斥，可知甲、乙一定带同种电荷。

由乙带负电可知甲也带负电。

2.（1）不能由此判断该物体已经带电，因为摩擦过的饮料吸管带电，既可以吸引不带电的物体（带电体吸引轻小物体），也可以吸引带异种电荷的物体。

（2）吸管与玻璃棒相排斥，说明吸管与玻璃棒带同种电荷，即吸管带正电。

那么餐巾纸一定带负电。

因为相互摩擦的两个物体由于得、失电子，带上的是等量异种电荷（3）吸管失去电子而带正电，餐巾纸得到电子而带负电。

3.金属锡的原子核外有50个电子，一个电子所带的电荷量为1.6×10-19C，则这些电子所带电荷量为8×10-18C，由于原子核与核外电子所带电荷量相等，电性相反，因此整体上对外不显电性。

第十五章第二节《电流和电路》1. 图15.2-8 甲是把电池和玩具电风扇连接起来的电路图。

请在图15.2-8乙中用笔画线表示导线，连接相应的电路。

15.2-8 连接玩具电风扇2. 在图15.2-9 中有电子门铃、电源和开关，请用笔画线表示导线把它们连起来，使得门铃能够正常工作，并画出相应的电路图。

模拟电子_作业第15章_20100510计科93班

如图，已知：UDD=12V，RD=5KΩ，RS=1.5KΩ，RG1=100KΩ，RG2=47KΩ，RG=2MΩ，RL=10KΩ，gm=2mA/V，ID=1.5mA。试求：（1）静态值；（2）电压放大倍数。
19209301-15B解答：
19209301-15B出处：《电工学》刘国林主编人民邮电出版社（第七章第3节例题）
19209315---15A选择题出处：
19209315---15B计算题：在图示放大电路中，已知UCC=12V,RC= 6kΩ,
RE1= 300Ω，RE2= 2.7kΩ，RB1= 60kΩ，RB2= 20kΩ，RL= 6kΩ，晶体管β=50，UBE=0.6V,试求:
19209311-15A答案：必须是小信号、线性工作状态，只有在这种情况下，输出信号电压才与输入信号电压具有相同的频率（频率不变），而且幅度成正比。
如果是大信号、非线性状态，输出信号与输入信号的频率不同（产生出多个频率），无法确定等效电路元件的数值，则等效电路没有意义；这时即使采用等效电路，也只是在一定的频率下才有价值
19209311-15B答案：
(1)选择放大电路和晶体管
要求工作点稳定，可选用分压偏置放大电路（教材图15.4.1），选Ucc=1Ω。
（2）参数计算
由式rbe≈[200+(1+ß) ]Ω≈ri可求IC≈IE≈ = mA=1.66mA
19209303-15B解答：U=5.1/（3.3+5.1）*2V=1.2V
19209303-15B出处：电工学第六版下册第十五章
成绩：10分
19209305-15A填空题：射级输出器的主要特点是：电压放大倍数接近；输入电阻；输出电阻。
19209305-15A答案：1，高，低。

秦曾煌《电工学电子技术》(第版)(下册)笔记和课后习题详解(基本放大电路)【圣才出品】

第15章　基本放大电路15.1　复习笔记一、共发射极放大电路的组成1．电路结构图15-1是共发射极接法的基本交流放大电路。

图15-1 共发射极基本交流放大电路2．性能指标（1）输入电阻放大电路的输入端用一个等效电阻r i 表示，它称为放大电路的输入电阻，是信号源的负载，即（2）输出电阻放大电路的输出端也可用一电压源表示，它是负载电阻R L 的电源，其内阻r o 称为放大电路的输出电阻。

放大电路的输出电压与输入电压之比，称为放大电路的电压放大倍数。

即o U &iU &二、放大电路的静态分析1．用放大电路的直流通路确定静态值图15-2是图l5-1放大电路的直流通路。

画直流通路时，电容C 1和C 2可视为开路。

图15-2 图15-1交流放大电路的直流通路①由直流通路，可得出静态时的基极电流②由I B 可得出静态时的集电极电流③静态时的集-射极电压则为晶体管集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的伏安特性曲线即为输出特性曲线（图15-3）。

在图15-2所示的直流通路中，晶体管与集电极负载电阻R C串联后接于电源U CC。

可列出或图15-3 用图解法确定放大电路的静态工作点这是一个直线方程，其斜率为，在横轴上的截距为U CC，在纵轴上的截距为。

这一直线很容易在图15-3上作出，称为直流负载线。

负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点Q，称为放大电路的静态工作点，由它确定放大电路的电压和电流的静态值。

I B通常称它为偏置电流，简称偏流。

产生偏流的电路，称为偏置电路。

R B称为偏置电阻。

通常是改变R B的阻值来调整偏流I B的大小。

三、放大电路的动态分析1．微变等效电路法放大电路的微变等效电路，就是把非线性元件晶体管所组成的放大电路等散为一个线性电路，也就是把晶体管线性化，等效为一个线性元件。

（1）晶体管的微变等效电路图15-4（b）所示就是晶体管微变等效电路（a ）（b ）图15-4 晶体管及其微变等效电路其中①晶体管的输入电阻②晶体管的电流放大系数③晶体管的输出电阻（2）放大电路的微变等效电路由晶体管的微变等效电路和放大电路的交流通路可得出放大电路的微变等放电路。

模拟电子_作业第15章_20100513网工92

19309201-15A两级放大电路如图6所示，晶体管的B1 = B2 = 40，Tbe1 = 1:37k，Tbe2= 0:89k。

计算ri 和ro解：ri = ri1 = RB1//RB2//[rbe1 + (1 + B1)R’’E1= 4:77k-ro = ro2=(rbe2 + RC1)/B2=272-前级的集电极电阻RC1即为后级的基极电阻。

从两级放大电路看，提高了输入电阻，降低了输出电阻。

19309201-15A计算题出处:秦曾煌编,电工学辅导资料选编(第6版)下册,P56。

19309201-15B填空题：固定偏置放大电路的特点是什么？解：工作点不稳定，电压放大倍数高。

19309201-15A计算题出处:秦曾煌编,电工学(第6版)下册,P60。

19309202-15A两级放大电路如图所示，晶体管的β1=β2=40，r bel=1.37kΩ，r be2=0.89kΩ。

（1）估算各级电路的静态值；（2）计算r i和r o。

19309202-15A计算题出处:秦曾煌编,电工学(第6版)下册,P88。

19309202-15B晶体管用微变等效电路来代替，条件是什么？在输入为小信号的情况下，静态工作点附近的晶体管特性曲线非常接近于直线。

19309202-15B计算题出处:秦曾煌编,电工学(第6版)下册,P47。

19309203-15A思考题：通常希望放大电路的输入电阻高一点好，还是低一点好？对输出电阻?放大电路的带负载能力是指什么？19309203-15A解答：通常希望放大电路的输入电阻能高一些，输出级的输出电阻低一些。

当负载变化时，输出电压变化小，则负载能力好，输出电压变化和输出电阻r0 有关，r0 小，放大电路带负载能力好。

19309203-15A思考题出处:秦曾煌编,电工学(第6版)下册电子技术高等教育出版社P48 15.3.919309203-15B 计算题：在如图的射级输出器中，已知R s =50Ω,R B1=100K Ω,R B2=30K Ω,R E =1K Ω,晶体管的ß=50， r be =1K Ω,试求r i ，r o 和A u 。

电子技术习题答案(附题目)

电子测量的意义
有助于了解电路的工作状态和性能，发现故障和问题，提高电子产品的质量和可靠性。
02
模拟电子技术
放大器
放大器的基本原理
放大器是一种能够将微弱的电信号进行放大的电子器件。它通过改变输入信号的幅度，实现信号的放大，以便满足各种应用需求。
放大器的性能指标
放大器的性能指标包括电压增益、电流增益、功率增益、带宽、输入输出阻抗等。这些指标用于描述放大器的性能，对于选择和使用合适的放大器至关重要。
组合逻辑电路
总结词
组合逻辑电路由逻辑门电路组成，用于实现各种逻辑函数和运算。
详细描述
组合逻辑电路由与门、或门、非门等基本逻辑门电路组成，通过不同的组合方式可以实现各种复杂的逻辑函数和运算。组合逻辑电路具有并行处理的优点，适用于大规模数据处理和高速度计算。
总结词
组合逻辑电路的设计方法包括真值表、卡诺图和公式法等。
总线是计算机中用于连接各个部件的线路。电子技术可以用于研究和开发各种类型的总线，如数据总线、地址总线等。总线可以提高计算机各个部件之间的通信效率和数据传输速度。
05
习题与答案
电子技术基础习题与答案
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总结词：基础概念
在此添加您的文本16字
详细描述：涵盖了电子技术的基本概念，如电流、电压、电阻、电容、电感等，以及欧姆定律、基尔霍夫定律等基本原理。
涵盖了模拟电子系统的设计方法，如系统分析、电路设计、仿真测试等，以及设计实例的分析。
数字电子技术习题与答案
总结词
数字逻辑基础
详细描述
介绍了数字逻辑的基本概念，如逻辑门、逻辑运算、触发器等，以及数字逻辑的定理和规则。

电路基础与集成电子技术 15.2 DA转换器

15.2 DA转换器
DA转换器是利用电阻网络和模拟开关，将二进制数D 转换为与之成比例的模拟量，n位二进制数D可以写成 :
D d n1 2n1 d n2 2n2 d1 21 d0 20 di 2i
i 0
n 1
而输出应当是与输入的数字量成比例的模拟量A。 DA转换过程是把输入的二进制数中为1的每一位代码，按每位权的大小，转换成相应的模拟量，然后将各位转换以后的模拟量，经求和运算放大器相加，其和便是与被转换数字量成正比的模拟量，从而实现了数模转换。
第15章数模与模数转换器
2010.03
15.2.1 权电阻解码网络
DA转换器权由电阻解码网络、电子开关和运算放大器组成。 Sn-1~S0是n个电子开关，受输入二进制代码d n-1~d 0控制，当该位的值为“1”时，开关将电阻接至参考电压源VREF；当该位为“0” 时，开关将电阻接地。 DA转换器是利用电阻网络和模拟开关，将二进制数D转换为与之成比例的模拟量，n位二进制数D可以写成：
Rf(R/2)
i
2 n 1 R
2 n -2 R I0
S1
21 R
I1
S n-2
20 R I n2
S n-1
A
I n1
Uo
S0
VREF
d0
d1
d n-2
d n-1
2010.03
第15章数模与模数转换器
VREF R R n1 U O i Ii n 2 2 i 0 2
n -1
I
S2 2 2R
n -2 2R R
I
S n-2
S n-1
I
2
2
I
2R 2

电工电子技术习题(顶)

电工电子技术习题(顶) -标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII第14章习题一、选择题1.二极管电路如下图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V 时，输出电压Uo=( )。

A ．-14.3V B. -0.7V C. -12V D. -15V2. PN 结加反向电压时，其反向饱和电流是由（）。

A. 多子扩散而成B. 少子扩散而成C. 少子漂移而成D. 多子漂移而成3. 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ，ICM=20mA ，U (BR)CEO =15V, 则下列哪种是正常工作状态（）。

A. U CE =3V, I C =10mAB. U CE =2V, I C =40mAC. U CE =6V, I C =20mAD. U CE =16V, I C =30mA4.某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：10.5V, 6V, 6.7V, 则该三极管为（）。

A ．NPN 型锗管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. PNP 型硅管5. 图示电路中，D 1、D 2为理想二极管，则ao 两端的电压为（）。

A ．－3V B ．0V C ．1V D ．4V6.二极管电路如图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V 时，输出电压u o =( )。

A ．-14.3V B ．-0.7V C ．-12V D ．-15V7．N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。

A ．带负电 B. 带正电 C. 不带电8．半导体二极管的主要特点是具有（）。

A ．电流放大作用B ．单向导电性C ．电压放大作用9．二极管接在电路中，若测得a 、b 两端电位如图所示，则二极管工作状态为（）。

A ．导通 B ．截止 C ．击穿1K Ω12V15VE 1E 1D 1D 2+-U 0(图1)VD10．如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（）。

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

第一章习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解：波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。

电子技术基础习题答案作者：曾令琴电子技术基础节后检测解答.docx

《电子技术基础》节后学习检测解答第1章节后检测解析1.2学习检测解答：1、半导体只所以M用广泛，是因为它具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能，在导电机理上，金属导体屮只有自由电了一种载流了参与导电，而半导体屮有多了和少了两种载流了同时参与导电，这是它们导电机理上的木质区别。

2、天然半导体材料经过特殊的高度提纯工艺，成为晶格结构完全对称的纯净半导体时，称为木征半导体。

在本征半导体中掺入微量的特殊杂质元素后，使本征半导体的导电能力极大增强，这吋的半导体称为杂质半导体。

木征半导体屮掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体屮多了是自由电了，少了是空穴，定域的离了带正电；木征半导体屮掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体屮多了是空穴，少了是自由电了，定域的离了带负电。

3、在同一块晶体屮的两端注入不同的朵质元素示，在两端分别形成P区和N区，而在P 区和N区交界处因为浓度上的基别而出现扩散，扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离了区，这个离了区就是PN结，PN结具有单向导电性：正向偏置时导通，反向偏置时截止。

1.3学习检测解答：1、二极管的伏安特性曲线上通常分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。

二极管工作在死区吋，山于正向电压小于和等于死区电压，因此无法抵消PN结内电场对正向扩散电流的阻碍作用，电流趋近于零；二极管工作在正向导通区时，管了正向端电压的数值基木保持在小于IV的情况下不变，而在此电压下管了屮通过的电流增长很快；二极管工作在反向截止区时，当温度不变时反向电流基木不变，且不随反向电压的增加而增人，故称为反射饱和电流，若温度变化时，对反向截止区的电流彫响较人；二极管工作在击穿区时，特点是电压增加一点即造成电流迅速增人，若不加限制，则二极管有热击穿的危险。

2、电击穿包括雪朋击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。

如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时，由于PN结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆,可造成二极管的永久损坏。

模拟电子技术基础第四版习题解答

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

第15章(1) 核酸的理化性质

核酸的理化性质——核酸的紫外吸收
2、增色效应与减色效应
核酸的理化性质——核酸的紫外吸收
2、增色效应与减色效应
有时核酸溶液的紫外吸收用摩尔磷吸光度表示，根据磷含量及紫外吸收值然后算出摩尔磷吸光系数。 ε(P)=A/cL =30.98A/WL 一般天然DNA的ε(P)为6600，RNA为7700~7800。由于单链核苷酸的ε(P)比双链的要高，所以核酸发生变性时， ε(P)升高，故称增色效应；复性时ε(P)降低，称为减色效应。
核酸的理化性质——核酸的水解
3、酶水解
5`——N—N—N—N—G—A—A—T—T—C—N—N—N—N——3` 3`——N—N—N—N—C—T—T—A—A—G—N—N—N—N——5` E. coR I
5`——N—N—N—N—G
A—A—T—T—C—N—N—N—N——3` G—N—N—N—N——5`
3`——N—N—N—N—C—T—பைடு நூலகம்—A—A
核酸的理化性质——核酸的水解
3、酶水解
蛇毒磷酸二酯酶和牛脾磷酸二酯酶是从不同末端降解多聚核苷酸的核酸外切酶
核酸的理化性质——核酸的水解
3、酶水解
牛胰核糖核酸酶（RNase I）作用位点为嘧啶核苷-3`磷酸与其它核苷酸之间的连键，产物为3`-嘧啶核苷酸；或以3`-嘧啶核苷酸结尾的寡核苷酸。
核酸的理化性质——核酸的水解
水解
核酸的理化性质——核酸的水解
2、碱水解
核酸的理化性质——核酸的水解
2、碱水解
核酸的理化性质——核酸的水解
2、碱水解
核酸的理化性质——核酸的水解
3、酶水解
非特异性水解多聚核苷酸链中磷酸二酯键的酶称为磷酸二酯非特异性水解多聚核苷酸链中磷酸二酯键的酶称为磷酸二酯特异性水解核酸的磷酸二酯酶称为核酸酶酶，特异性水解核酸的磷酸二酯酶称为核酸酶 DNA水解酶（DNases） DNA为底物，RNA水解酶（RNases） DNA水解酶（DNases）以DNA为底物，RNA水解酶（RNases）以水解酶为底物水解酶 RNA为底物为底物。 RNA为底物。根据作用方式又分作两类：核酸外切酶和核酸内切酶。根据作用方式又分作两类：核酸外切酶和核酸内切酶。核酸外切酶的作用方式是从多聚核苷酸链的一端（3′核酸外切酶的作用方式是从多聚核苷酸链的一端（3′-端或 5′开始，逐个水解切除核苷酸； 5′-端）开始，逐个水解切除核苷酸；核酸内切酶的作用方式刚好和外切酶相反，它从多聚核苷酸链中间开始，式刚好和外切酶相反，它从多聚核苷酸链中间开始，在某个位点切断磷酸二酯键。位点切断磷酸二酯键。在分子生物学研究中最有应用价值的是限制性核酸内切酶。在分子生物学研究中最有应用价值的是限制性核酸内切酶。限制性核酸内切酶这种酶可以特异性的水解核酸中某些特定碱基顺序部位。这种酶可以特异性的水解核酸中某些特定碱基顺序部位。

电子技术基础

《电子技术基础》课程学习指导书第14章半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（c ）。

(a) 与导体相同(b) 与绝缘体相同(c) 介乎导体和绝缘体之间14.2P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c ）。

(a) 带正电(b) 带负电(c) 不带电14.3 N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）。

(a) 带负电(b) 带正电(c) 不带电14.4 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（b ）。

(a) 变窄 (b) 变宽(c) 不变14.5 普通半导体二极管是由（a ）。

(a)一个PN结组成(b)两个PN结组成(c)三个PN结组成14.6 电路如图所示，直流电压U I=10 V，稳压管的稳定电压U Z=6 V，则限流电阻R上的压降U R 为（ c ）。

(a)10V (b)6V (c)4V(d)-4VRO14.7 电路如图所示，已知u I =3V ，则晶体管T 此时工作在( b )。

(a)放大状态 (b)截止状态 (c)饱和状态10V1k Ωβ=50二、填空题：14.8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性。

14.9 理想二极管的正向电阻为 0 。

14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大。

14.11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN 结的死区电。

14.12 N 型半导体中的多数载流子是自由电子。

14.13 P 型半导体中的多数载流子是空穴。

三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，求电压u O 。

u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i =3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间，求输出电压u O 。

u OUo=0v14.16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。

5k Ωu OU 最高反向电压=3v14.17 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4 k ，电位u A=1V，u B=3V，计算电位u F 的值。

电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案

电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

[此处图片未下载成功]8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 09.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为 12 V。

网分第十一到十五章课后答案

题11.1根据定义求)()(t t t f ε=和)(e )(t t t f atε-=的象函数。

解： (1)2020001e 1e 1e e )()(-ss dt s s t dt t t s F stst st st =-=+-==∞-∞-∞-∞----⎰⎰ε(2)20)(2)(00)(1e )(1e 1ee )(e )(-ααααεααα+=+-=+++-==∞+-∞+-∞-∞-----⎰⎰s s dt s s tdt t ts F ts ts ststt题11.2设ξξετd f c t bf t t f a t f f t A t f tt )()(d )(d )(,0)0(),()e 1()(011121/1⎰-++==-=-- 求)(2t f 的象函数)(2s F 。

解：)/1(//1)(1τττ+=+-=s s A s A s A s F 由拉氏变换的微分、线性和积分性质得：)/1(/)()()/(]/)([)()]0()([)(22111112ττ+++=++=++-=-s s A c bs as s F s c b as s s F c s bF f s sF a s F 题11.3设)()()(,e 2)(,e 5)(215221t f t f t f t f t f tt*===--(t 为纯数)。

分别求对应象函数)(1s F 、)(2s F 、)(s F ，验证卷积定理。

解：设25)}({)(11+==s t f s F L ,52)}({)(22+==s t f L s F 则)5)(2(10)()(21++=s s s F s F )(1t f 与)(2t f 的卷积为 )e e (310]e 31[e 10e e 10e 2e 5)(*)(520350350)(5221tt t t tt tt d d t f t f --------=⨯==⨯=⎰⎰ξξξξξξ对上式取拉氏变换得：)5)(2(10)5121(310)}(*)({21++=+-+=s s s s t f t f L 由此验证 )()()}(*)({2121s F s F t f t f =L 。

微电子工艺原理与技术第15章隔离和金属化

肖特基接触势垒的高低由金属的功函数m（从金属
表面移走一个电子所需要的能量-eV单位），和半导体
的费米能级与真空能级的电势差 s决定。理论上讲，当m> s 且半导体为N型,或m< s且半导体为P型都
可以形成肖特基二极管。在Si 上，肖特基接触势垒高
度ms随金属不同有较大变化，但在GaAs上，都在
解决隔离的最好办法是采用SOI材料，器件制作在互相隔离的岛上。GaAs器件通常也生长在绝缘衬底上，隔离容易。
浅槽隔离
浅槽隔离
深槽隔离
5. 肖特基接触
为了将半导体器件与外部有效联系，必须在半导体片上淀积一层金属而形成紧密的接触，称为金属—半导体接触。金属－半导体接触，由于具体情况不同，可以有不同的伏－安特性。通常，接触可分为欧姆接触和整流接触（肖特基接触）。当半导体掺杂浓度较低(如低于5 × 1017／厘米3)，这时表现出类似PN结的单向导电性，称为肖特基接触（SBD）。
Au与Ga反应，形成合金，留下高浓度Ga 空位， Ge扩散进GaAs 替代Ga，成N型重掺杂。
8. 互连与多层布线
VLSI设计需要把器件连到一起以构成完整的系统，连线是指利用导体的掩膜图形为设计中的单元之间提供电气通路。设计规则要求连线必须满足最小宽度和最小间距。每一根连线都必须根据规则与邻近线保持间距。在VLSI设计中，连线可能非常复杂以致于需要采用多层布线。现代 CMOS工艺中，通常有6层或6层以上布线。
2.连线阻抗，对高频微波电路特别重要。往往要求采用低电阻金属尽量少用多晶硅等材料、缩短连线长度和有良好接地。
3. 电迁移效应，所谓电迁移是指：当连线中电流携带的电子把动量转移给导电的金属原子，从而在大电流时产生互连线中金属原子的移动现象。在金属原子消耗的地方互连线断开，积累的地方形成小丘。从而使器件失效。在Al中加 1%-4%的Cu ，减少了Al的边界扩散，提高了电迁移的激活能，从而可以有效遏制电迁移现象。在Al 中加入Ti或TiN 也可以降低电迁移。

电工学电子技术第七版第十五章答案

≈
rbe + RS 1+ β
= 1000 + 50 1 + 50
≈
20.06Ω
.k 15.6.2 在图 15.07 中，已知晶体管的电流放大系数 β = 60 ，输入电阻 rbe = 1.8kΩ ， w 信号源的输入信号 ES = 15mV ，内阻 RS = 0.6KΩ ，各个电阻和电容的数值已标在
2KΩ RE '
+ 100uF CE
o 图 1 5 . 0 7 习题 1 5 . 6 . 2 图
.c IE
（1）
= U B − U BE
R' E
+
R '' E
= 2.94 − 0.7 100 + 2 ×103
A = 1.07mA
w rbe
=
300
+
(1
+
β
)
26 IE
=
300
+
61×
26mA 1.07mA
= 300 + 51 26mV 2mA
= 0.96KΩ
ri2 = RB2 //[rbe2 + (1 + β )(RE2 // RL ) = 130 //[0.96 + 51× (3 //1.5)] = 37KΩ
m Au1
= −β
RC1 // ri2 rbe1
= −50 4 // 37 1.56
= −116
试说明其稳定工作点饿物理过程 ; (2) 设
RC
U CC = 20V，RC = 10KΩ，RB = 330KΩ，β = 50
RB
w 试求其静态值 o

《电子技术基础》数电部分课后习题解答

数字电子部分习题解答第1章数字逻辑概论1.2.2 将10进值数127、2.718转换为2进制数、16进制数解：(2) (127)D = (1111111)B 此结果由127除2取余直至商为0得到。

= (7F)H 此结果为将每4位2进制数对应1位16进制数得到。

(4) (2.718)D = (10.1011)B 此结果分两步得到:整数部分--除2取余直至商为0得到;小数部分—乘2取整直至满足精度要求.= (2.B)H 此结果为以小数点为界,将每4位2进制数对应1位16进制数得到。

1.4.1 将10进值数127、2.718转换为8421码。

解：(2) (127)D = = (000100100111)(000100100111)8421BCD 此结果为将127中每1位10进制数对应4位8421码得到。

(4) (2.718)D = (0010.0111 0001 1000)8421BCD 此结果为将2.718中每1位10进制数对应4位8421码得到。

第2章逻辑代数2.23 用卡诺图化简下列各式。

解：(4) )12,10,8,4,2,0(),,,(å=m D C B A L D C AB D C B A D C B A D C B A D C B A D C B A +++++=对应卡诺图为: 化简结果: DB DC L +=解：(6) åå+=)15,11,55,3,1()13,9,6,4,2,0(),,,(d m D C B A L 对应卡诺图为: 卡诺图化简原则: 1. 每个圈包围相邻1单元(每个1对应1个最小项)的个数为2n (1,2,4,8,16); 2. 每个圈应包围尽量多的1单元; 3. 同一个1单元可以被多个圈包围; 4. 每个1单元均应被圈过; 5. 每个圈对应一个与项; 6. 化简结果为所有与项的或(加). 化简结果: D A L +=第4章组合逻辑电路组合逻辑电路4．4．7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,( 4．4．7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,(。