蒸镀方法比较
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
PECVD
E-Gun、Sputter、PE-CVD 工作原理以及比较说明
物理
综述
热电阻 E-Gun Sputter
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
热能 动能 热能 溅射镀膜
化学 PE-CVD
E-Gun
环境
材料
真空 Pump 设定温度
温度 板材上真实温度
靶材 干锅（容器） O2(可选)
对象 基板
电子枪
E-Gun
E-Gun之电子枪
E-Gun之坩埚
E-Gun之样品架
E-Gun之Pump
sputter原理说明
sputter之原理图
电子在电场E 作用下，在飞向基板过程中与氩原子发生碰撞， 使其电离出Ar+和一个新的电子，电子飞向基片，Ar+在电场作 用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅 射。
PECVD原理说明
制程气体(如SiH4，NH3，N2等)在射频电源的 作用下电离成离子；经过多次碰撞产生了大量 的SiH3-，H-等活性基；这些活性基被吸附在 基板上或者取代基板表面的H原子；被吸附的 原子在自身动能和基板温度的作用下在基板表 面迁移，选择能量最低的点稳定下来；同时基 板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等 离子体中，以达到动态平衡；当原子沉积速度 大于逃逸速度后就可以不断在基板表面沉积成 我们所需要的薄膜了。