第12章-封装缺陷分析1
LED封装不良分析知识 - 最新
我们经常会碰到LED不亮的情况,封装企业、应用企业以及使用的单位和个人,都有可能碰到,这就是行业内的人说的死灯现象。
究其原因不外是两种情况:其一,LED的漏电流过大造成PN结失效,使LED灯点不亮,这种情况一般不会影响其它的LED灯的工作;其二,LED灯的内部连接引线断开,造成LED无电流通过而产生死灯,这种情况会影响其它的LED灯的正常工作,原因是由于LED灯工作电压低(红黄橙LED工作电压1.8V—2.2V,蓝绿白LED工作电压2.8—3.2V),一般都要用串、并联来联接,来适应不同的工作电压,串联的LED灯越多影响越大,只要其中有一个LED灯内部连线开路,将造成该串联电路的整串LED灯不亮,可见这种情况比第一种情况要严重的多。
LED死灯是影响产品质量、可靠性的关健,如何减少和杜绝死灯,提高产品质量和可靠性,是封装、应用企业需要解决的关键问题。
下面是对造成死灯的一些原因作一些分析探讨1. 静电对LED芯片造成损伤,使LED芯片的PN结失效,漏电流增大,变成一个电阻静电是一种危害极大的魔鬼,全世界因为静电损坏的电子元器件不计其数,造成数千万美元的经济损失。
所以防止静电损坏电子元器件,是电子行业一项很重要的工作,LED 封装、应用的企业千万不要掉以轻心。
任何一个环节出问题,都将造成对LED的损害,使LED性能变坏甚至失效。
我们知道人体(ESD)静电可以达到三千伏左右,足可以将LED 芯片击穿损坏,在LED封装生产线,各类设备的接地电阻是否符合要求,这也是很重要的,一般要求接地电阻为4欧姆,有些要求高的场合其接地电阻甚至要达到≤2欧姆。
这些要求都为电子行业的人们所熟悉,关健是在实际执行时是否到位,是否有记录。
据笔者了解一般的民营企业,防静电措施做得并不到位,这就是大多数企业查不到接地电阻的测试记录,即使做了接地电阻测试也是一年一次,或几年一次,或有问题时检查一下接地电阻,殊不知接地电阻测试这是一项很重要的工作,每年至少4次(每季度测试一次),一些要求高的地方,每月就要作一次接地电阻测试。
集成电路封装中的缺陷与失效
TQFP)等封装器件由于引线框架较薄,容易发生底座偏移和引脚变形。
翘曲
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翘曲变形的发生是因为材料间彼此热膨胀系数 的差异及流动应力的影响再加上黏着力的限制,导 致了整个封装体在封装过程中受到了外界温度变化 的影响,材料间为了释放温度影响所产生的内应力 ,故而通过翘曲变形来达到消除内应力的目的。这 一现象在再流焊接器件中最易发生。
外来颗粒
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在封装工艺中,封装材料中外来颗粒的存 在是由于其暴露在污染的环境、设备或材料中 。外来颗粒会在封装中扩散并留在封装内的金 属部位上,如IC芯片和引线键合点,从而导致 腐蚀和其他后续可靠性问题。
不完全固化
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封装材料的特性如玻璃化转化温度受固 化程度的影响。因此,为了最大化实现封装 材料的特性,必须确保封装材料完全固化。 固化时间不足和固化温度偏低是导料完全固化 。另外,在两种封装料的灌注中,混合比例 的轻微变化都将导致不完全固化,进一步体 现了精确配比的重要性。
①检查印刷配准参数,当发现错误的配准时进行纠正。 ②经常清洗模板,避免阻塞。 ③经常检查焊膏,确信其不能太干燥。 ④确信支撑印制电路板的底基平实。
影响翘曲的参数及改进措施
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(3)放置精度。如印刷精度一样,不当放置会造成翘曲缺陷。 为使机器故障最小化,以下方面需要检查和控制: ①因为元器件的拾取点很小,检查进料器使它基部对准非常重要。 ②确信支撑印制电路板的X—Y平台平坦而坚固。 ③放置对准要有精密控制,其放置速度要很慢。 ④确定常用拾取工具的适当喷嘴尺寸。
此外,需要进行刮刀位置控制以确保刮刀压力稳定,从而获得均匀的塑封 层厚度。在硬化前,当填充粒子在塑封料中局部区域聚集并形成不均匀分布时 ,会导致不同质或不均匀的材料组成。塑封料的不充分混合将会导致封装灌封 过程中不同质现象的发生。
集成电路封装与测试(一)
三人获得了1956年 诺贝尔物理学奖
William B. Shockley
John Bardeen
Walter H. Brattain
1958年9月10日美国的基尔比发明了集成电 路集成电路是美国物理学家基尔比(Jack Kilby)和诺伊斯两人各自独立发明的,都拥有 发明的专利权。 1958年9月10日,基尔比的第一个安置在半 导体锗片上的电路取得了成 功,被称为“相 移振荡器”。 1957年,诺伊斯(Robort Noyce)成立了仙童 半导体公司,成为硅谷的第一家专门研制硅 晶体管的公司。 1959年2月,基尔比申请了专利。不久,得 克萨斯仪器公司宣布,他们已生产出一种比 火柴头还小的半导体固体 电路。诺伊斯虽然 此前已制造出半导体硅片集成电路,但直到 1959年7月才申请专利,比基尔比晚了半年。 法庭后来裁决,集成电路的发明专利属于基 尔比,而 有关集成电路的内部连接技术专利 权属于诺伊斯。两人都因此成为微电子学的 创始人,获得美国的“巴伦坦奖章”。
双边 引脚
SOP (小型化封装 小型化封装) 小型化封装
单边 引脚
SIP 单列引脚式封装) (单列引脚式封装) ZIP 交叉引脚式封装) (交叉引脚式封装)
四边 引脚
QFP PLCC (四侧引脚扁平封装 (无引线塑料封装载体 ) 四侧引脚扁平封装) 四侧引脚扁平封装
双边 引脚
DIP (双列式封装) 双列式封装)
4.2 技术发展趋势
芯片封装工艺: △ 芯片封装工艺: 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装, 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装,即先将圆片 划片成小管芯。 划片成小管芯。 再逐个封装成器件,到在圆片上完成封装划片后 再逐个封装成器件, 就成器件。 就成器件。 芯片与封装的互连:从引线键合( △ 芯片与封装的互连:从引线键合(WB)向倒装焊 ) (FC)转变。 )转变。 微电子封装和PCB板之间的互连: 板之间的互连: △ 微电子封装和 板之间的互连 已由通孔插装(PTH)为主转为表面贴装(SMT)为主。 为主转为表面贴装( 已由通孔插装 为主转为表面贴装 )为主。
先进封装缺陷及失效案例解析
先进封装缺陷及失效案例解析
先进封装是一种高度集成、高性能、高可靠性的封装技术,但仍然存
在一些缺陷和失效模式。
1.焊点疲劳:焊点在长期受到温度变化的影响下,容易发生疲劳断裂,导致电气连接失效。
这种失效模式主要影响球格阵列封装(BGA)和无线
通讯模块。
2.器件间隙裂缝:由于先进封装技术的高度集成和微型化,器件之间
的间隙非常小,容易因应力过大而发生裂缝,导致封装失效。
这种失效模
式主要影响焊盘球接触型封装(CSP)和BGA封装。
3.热膨胀不匹配:不同材料的膨胀系数不同,先进封装中各种材料之
间的热膨胀系数不匹配,容易导致封装失效。
这种失效模式主要影响CSP
和BGA封装。
4.气泡:由于先进封装技术采用高温焊接和高压注塑等工艺,容易导
致气泡生成。
气泡会导致器件连接失效,并且会使封装的温度敏感性增加。
这种失效模式主要影响CSP和BGA封装。
5.毛刺:封装过程中,可能会出现毛刺,这些毛刺可能会导致器件的
短路或信号干扰。
这种失效模式主要影响CSP和BGA封装。
6.接地电路不良:由于先进封装技术中,器件的接地通常通过焊盘来
实现,因此焊盘接地不良会导致器件失效。
这种失效模式主要影响CSP和BGA封装。
针对这些失效模式,可以采用一些措施来提高封装的可靠性,例如控
制焊接温度、优化焊接工艺、提高材料匹配度等。
同时,在封装设计和生
产过程中,也需要严格的质量管理和测试,以确保产品的可靠性和稳定性。
12_封装可靠性与失效分析-课件
1.温度循环(TC) -40℃或-55℃或-65℃到+
2. 高温 / 高湿 / 偏压 高温、高湿环境并施正偏压或反向 铝引线或铝金属化层的 偏压工作。通常为85℃/85%RH/ 腐蚀;模塑料中的离子 (THB)
额定偏臵 性杂质的浸蚀。
3.高温贮存寿命 (HTS) 4.压力锅试验 (PCT)
高温环境下,施加偏压或不加偏压下工 高温失效机理; 作。 Al-Au互扩形成金属间化 如125℃或150℃下1000h。 合物,或金属-Si互扩散。
JEDEC(Joint Electron Devices Engineering Council ),电子元件工业联合会,作 为一个全球性组织,JEDEC所制定的标准为全行业所接受和采纳。 MIL-STD 美国军用标准,当今世界技术最先进、体系最完备的军用标准 。
温度循环曲线示意
JESD22-A104D
a注:与封装或组装密切关联的失效共计28.1%
过载(Overstress) 大弹性变形 机械 - 屈服
失效机理
磨损(Wear out)
热
- 断裂—脆性,韧性 - 裂纹,爆裂(Popcorn) - 弯曲 - 界面分开 - 热过载 - 接近Tg(玻璃化温度)
- 融化 - 蠕变断裂温度
机械
- 高低周疲劳 - 蠕变 - 磨损(磨粒磨损 等) - 金属迁移 (电/离子迁移) - 应力驱动扩散 - 表面充电 - 内部扩散 Kirkendall空洞 - 氢脆 - 腐蚀 - 解聚
失效率=失效率函数
n(t t) n(t) n(t) (t) [ N n(t) ]t [ N n(t) ]t
N为产品的总数,且足够大; n(t)为N个产品从开始工作到t时刻的累积失效数。
半导体封装键合工艺中常见缺陷识别和处理方法
半导体封装键合工艺中常见缺陷识别和处理方法南京信息职业技术学院李荣茂 2012-07-13##############2012-07-13######2#0#12-07-13########,摘要,本文叙述了键合工艺的概念、键合工艺设备的改进和其产生的各种缺陷的类别。
重点研究了键合工艺常见缺陷的类型和其产生的根本原因。
通过对各种缺陷类型的识别,探索其产生的根本原因并找出应对方法,从而增加其合格率。
,关键词,键合工艺缺陷处理方法1.引言 FORCE 大 POWER是比较适宜的 ;(3)断点靠我们需要调节参数,小近随着科技发展的日新月异,电子芯片的使用越来越渗透到各行各中间,通常问题已经不再参数上了,我们应当仔细观察设备平台,是否业,而封装技术也应运而生。
所谓封装技术是一种将集成电路用“”有异物例如一些小的残留碎片遗留在产品的底部造成损伤,如果确认绝缘是这样的情况,及时清理平台残留碎片即可。
的塑料或陶瓷材料打包的技术。
封装对于芯片来说不但必须也是至关 4.2 不规则焊球 Defective ball 重要的,它直接影响到了芯片的质量,而 WIRE BOND作为封装技术中的一个重要的步骤,其过程中产生的晶体缺陷也是不容忽视的。
2.WIRE BOND 键合工艺目前主要的芯片连接技术有三种,分别为引线键合,载带焊和倒装焊,其中前者占键合工艺的 80%以上,在 IC 制造也中得到广泛的应用。
引线键合是半导体封装制程的一站,自晶粒 (Die或 Chip)各电极上,以金线或铝线进行各式打线结合,再牵线至脚架(Lead Frame)的各内脚处续行打线以完成回路,这种两端打线的工作称为 WireB ond。
Wire bond 图 2 不规则焊球在芯片封装厂称为前工序,又叫做金属线键合是将 die 的 PAD飞线连如图 2 所示金线打在芯片上的球并非圆形且球与球的大小厚度还接到外部封装的 BALL 的工序。
不一样,表示同一粒芯片上的球是不规则的,一粒芯片大约有百来粒 3.键合工艺为什么会产生缺陷球,有可能只有一到两粒是产生这样异常的,可对质量的影响确是大打 3.1 键合工艺产生缺陷的原因折扣。
电子器件的封装缺陷和失效
电子器件的封装缺陷和失效电子器件是一个非常复杂的系统,其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。
因此,研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解,这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。
封装缺陷与失效的研究方法论封装的失效机理可以分为两类:过应力和磨损。
过应力失效往往是瞬时的、灾难性的;磨损失效是长期的累积损坏,往往首先表示为性能退化,接着才是器件失效。
失效的负载类型又可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等。
影响封装缺陷和失效的因素是多种多样的,材料成分和属性、封装设计、环境条件和工艺参数等都会有所影响。
确定影响因素是预防封装缺陷和失效的基本前提。
影响因素可以通过试验或者模拟仿真的方法来确定,一般多采用物理模型法和数值参数法。
对于更复杂的缺陷和失效机理,常常采用试差法确定关键的影响因素,但是这个方法需要较长的试验时间和设备修正,效率低、花费高。
在分析失效机理的过程中,采用鱼骨图(因果图)展示影响因素是行业通用的方法。
鱼骨图可以说明复杂的原因及影响因素和封装缺陷之间的关系,也可以区分多种原因并将其分门别类。
生产应用中,有一类鱼骨图被称为6Ms:从机器、方法、材料、量度、人力和自然力等六个维度分析影响因素。
这一张图所示的是展示塑封芯片分层原因的鱼骨图,从设计、工艺、环境和材料四个方面进行了分析。
通过鱼骨图,清晰地展现了所有的影响因素,为失效分析奠定了良好基础。
引发失效的负载类型如上一节所述,封装的负载类型可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载。
1. 失效机理的分类机械载荷:包括物理冲击、振动、填充颗粒在硅芯片上施加的应力(如收缩应力)和惯性力(如宇宙飞船的巨大加速度)等。
材料对这些载荷的响应可能表现为弹性形变、塑性形变、翘曲、脆性或柔性断裂、界面分层、疲劳裂缝产生和扩展、蠕变以及蠕变开裂等等。
热载荷:包括芯片黏结剂固化时的高温、引线键合前的预加热、成型工艺、后固化、邻近元器件的再加工、浸焊、气相焊接和回流焊接等等。
封装分析报告
封装分析报告1. 引言封装是面向对象程序设计中的一种重要概念,它允许将数据和操作封装在一个单元中,通过接口与外界进行交互。
通过封装,我们可以隐藏内部实现细节,并提供对外的抽象接口,从而增强代码的可维护性、可拓展性和可复用性。
本文将对封装进行深入分析,并探讨其应用场景、优点和限制。
2. 封装的概念封装是面向对象程序设计的三大特性之一,它将数据和对数据的操作封装在一个单元中,并通过接口与外界进行交互。
封装的目的在于隐藏内部实现细节,只向外界暴露必要的接口,从而降低了外界对内部实现的依赖性。
通过封装,我们可以将数据和行为组织在一起,形成一个独立的、可复用的模块。
封装可以实现信息隐藏,即将数据对外界隐藏起来,只通过接口提供对数据的访问。
这样做的好处是可以保护数据的一致性和完整性,防止外界直接修改数据,同时还可以有效地控制数据的访问权限。
3. 封装的应用场景3.1 封装和信息隐藏封装提供了对数据的访问权限控制,通过合理地设计接口,可以实现对数据的保护。
一些重要的数据可以被封装在类的私有成员中,只通过接口提供对外访问。
这样做可以防止数据被误用或非法修改,提高了系统的稳定性和安全性。
3.2 封装和模块化封装可以将数据和行为组织在一起,形成一个独立的、可复用的模块。
通过将相关的数据和操作封装在一起,可以提高代码的可维护性和可拓展性。
其他模块可以通过接口使用该模块,而不需要关注具体的实现细节,提高了代码的复用性。
3.3 封装和接口设计封装的一个重要应用是接口设计。
通过合理地设计接口,可以隐藏内部实现细节,将复杂度封装在内部,提供简洁的对外接口。
良好的接口设计可以降低使用成本,提高代码的可读性和可维护性。
4. 封装的优点封装作为面向对象程序设计的重要特性,具有以下优点:4.1 隐藏内部实现细节通过封装,可以将内部实现细节隐藏起来,只向外界暴露必要的接口。
这样做的好处是提高了代码的安全性和稳定性,外界无法直接访问和修改内部数据,从而减少了系统出错的可能性。
第十二章 封装过程中的缺陷分析
2、再流焊中的问题
再流焊的工艺: 再流焊的工艺: 印刷焊膏 贴装元器件 再流焊(干燥、预热、 再流焊(干燥、预热、 熔化、冷却) 熔化、冷却)
波峰焊工艺: 波峰焊工艺: 印刷贴片胶 贴装片式元器件 波峰焊
尹小田
胶固化(再流焊) 胶固化(再流焊)
插装分立元器件
波峰焊接
波峰焊接是利用波峰焊机内的机械泵或电磁泵,将熔融钎 波峰焊接是利用波峰焊机内的机械泵或电磁泵, 料压向波峰喷嘴,形成一股平稳的钎料波峰, 料压向波峰喷嘴,形成一股平稳的钎料波峰,并 源源不断地从喷嘴中溢出。 源源不断地从喷嘴中溢出。装有元器件的印制电 路板以直线平面运动的方式通过钎料波峰面而完 成焊接的一种成组焊接工艺技术。 成焊接的一种成组焊接工艺技术。
尹小田
再流焊原理
升温区:焊膏中的溶剂、气体蒸发掉;助焊剂润湿焊盘; 升温区:焊膏中的溶剂、气体蒸发掉;助焊剂润湿焊盘; 焊膏软化、塌落,覆盖了焊盘,与氧气隔离。 焊膏软化、塌落,覆盖了焊盘,与氧气隔离。 保温区: 和元器件得到充分的预热, 保温区:PCB和元器件得到充分的预热,防止热冲击。 和元器件得到充分的预热 防止热冲击。 焊接区:焊膏熔化,润湿、扩散、漫流、混合形成接点。 焊接区:焊膏熔化,润湿、扩散、漫流、混合形成接点。
4、再流焊工艺的重要参数是温度曲线。 、再流焊工艺的重要参数是温度曲线。 5、残余焊膏。 、残余焊膏。 必须仔细刮去锡膏, 必须仔细刮去锡膏,不能让它流入 钻孔内导致塞孔, 钻孔内导致塞孔,然后清洗干净
尹小田
再流焊的缺陷:翘曲、锡珠、墓碑现象、 再流焊的缺陷:翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞
墓碑现象:回流焊接后,片式元件的一端离开焊盘表面, 墓碑现象:回流焊接后,片式元件的一端离开焊盘表面,整 个元件呈斜立或直立,状如石碑的缺陷。 个元件呈斜立或直立,状如石碑的缺陷。 原因: 、无源元件两焊点之间焊料的初始润湿不一致。 原因:1、无源元件两焊点之间焊料的初始润湿不一致。 原因:2、无源元件两端焊点的热容不一致。 : 、无源元件两端焊点的热容不一致。 原因润湿的参数: 润湿的参数: 原因:3、焊盘 端子表面的清洁不一致 必定引起墓碑现象。 端子表面的清洁不一致。 原因低热容的一端的再流和润湿要快,。 : 、焊盘/端子表面的清洁不一致 必定引起墓碑现象。 低热容的一端的再流和润湿要快, 开始润湿的时间、润湿力、完全润湿时间。 开始润湿的时间、润湿力、完全润湿时间。 引起热容差的因素有: 引起热容差的因素有: 表面越清洁和越无氧化物,初始润湿的时间差越小, 表面越清洁和越无氧化物,初始润湿的时间差越小 常在焊膏方面想办法解决或减少墓碑现象的方法:除了选带 常在焊膏方面想办法解决或减少墓碑现象的方法: ,润 , 如果元器件一端比另一端明显先达到完全润湿, 如果元器件一端比另一端明显先达到完全润湿 焊盘的热容差; 焊盘的热容差; 。 可减小墓碑现象。 可减小墓碑现象 有热稳定焊剂系统的焊膏;选用带有金属粒子的焊膏。 有热稳定焊剂系统的焊膏;选用带有金属粒子的焊膏。 湿将可能有能力“抬起”元件一端脱离焊膏。 湿将可能有能力“抬起”元件一端脱离焊膏。 元器件金属化表面的热容差; 元器件金属化表面的热容差; 1、通过热再流焊曲线的控制,减小板子间的润湿时间差。 、通过热再流焊曲线的控制,减小板子间的润湿时间差。 印刷焊膏的热容差; 印刷焊膏的热容差; 2、控制板子、元件和元件贴装容差 、控制板子、 通孔或内层热耗散的不同。 通孔或内层热耗散的不同 3、控制N2系统中的 2的含量 。 、控制 系统中的O 的含量。
第12章 集成电路的测试与封装
TOP VIEW
Mold Compound 环氧树脂
SIDE VIEW
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集成电路封装工艺流程
材料 工序 部件
晶圆
划片
分类
加工好的焊料 聚合物粘结剂 Al丝 Au丝
管芯键合
引线框架 陶瓷管壳
引线绑定
保形的涂敷材料
密封
加工好的金属 聚合物密封剂
管壳焊封
管帽
塑模化合物
型模
测试
12.3 芯片键合
引线键合
引线键合是将芯片表面的铝压点和引线框架上的电 极内端(有时称为柱)进行电连接最常用的方法(见下
图)。引线键合放置精度通常是+5µ m。键合线或是金或
是铝,因为它在芯片压点和引线框架内端压点都形成良 好键合,通常引线直径是25~75µ m之间。
传统装配与封装
封装的内容
(1)通过一定的结构设计、工艺设计、电设计、热设计和可靠
性设计制造出合格的外壳或引线框架等主要零部件; (2) 改进封装结构、确定外形尺寸,使之达到通用化、标准
化,并向多层次、窄节距、多引线、小外形和高密度方向发展;
(3) 保证自硅晶圆的减薄、划片和分片开始,直到芯片粘接、 引线键合和封盖等一系列封装所需工艺的正确实施,达到一定
三级基板(或PCB)
MCM的优势
• 近似芯片尺寸的超小型封装 • 可容纳引脚的数最多,便于 焊接、安装和修整更换 • 电、热性能优良 • 测试、筛选、老化操作容易 实现 • 散热性能优良 • 封装内无需填料 • 制造工艺、设备的兼容性好
一种六芯片MCM
12.6 数字集成电路测试方法
12.6.1 可测试性的重要性
热膨胀系数(CTE)失配。严重的CTE失配将应力引入C4焊
集成电路封装技术
第一章集成电路芯片封装技术1. (P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2. 芯片封装实现的功能:1 传递电能,主要是指电源电压的分配和导通。
2 传递电路信号,主要是将电信号的延迟尽可能减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的IO接口引出的路径达到最短。
3 提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散出的问题。
4 结构保护与支持,主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑,并能适应各种工作环境和条件的变化。
3.在确定集成电路的封装要求时应注意以下儿个因素:1 成本2 外形与结构3 可靠性4 性能4.在选择具体的封装形式时,主要需要考虑4种设计参数:性能、尺寸、重量、可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术层次:第一层次(Level1或First Level):该层次又称为芯片层次的封装(Chip Level Packaging),是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架(Lead Frame)之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次组装进行连接的模块(组件Module)元件。
第二层次(Level2或Second Level:将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成个电路卡(Card〉的工艺.第三层次(Level3或Third Level):将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板(Board)上使之成为一个部件或子系(Subsystem)的工艺。
第四层次(Level4或Fourth Level)将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程。
在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺也称为零级层次(Level 0)的封装,6.封装的分类:按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类。
EMC封装是什么?常见的缺陷有哪些?如何解决?
EMC封装是什么?常见的缺陷有哪些?如何解决?本文主要通过对EMC封装成形的过程中常出现的问题(缺陷)一未填充、气孔、麻点、冲丝、开裂、溢料、粘模等进行分析与研究,并提出行之有效的解决办法与对策。
塑料封装以其独特的优势而成为当前微电子封装的主流,约占封装市场的95%以上。
塑封产品的广泛应用,也为塑料封装带来了前所未有的发展,但是几乎所有的塑封产品成形缺陷问题总是普遍存在的,也无论是采用先进的传递模注封装,还是采用传统的单注塑模封装,都是无法完全避免的。
相比较而言,传统塑封模成形缺陷几率较大,种类也较多,尺寸越大,发生的几率也越大。
塑封产品的质量优劣主要由四个方面因素来决定:A、EMC的性能,主要包括胶化时间、黏度、流动性、脱模性、粘接性、耐湿性、耐热性、溢料性、应力、强度、模量等;B、模具,主要包括浇道、浇口、型腔、排气口设计与引线框架设计的匹配程度等;C、封装形式,不同的封装形式往往会出现不同的缺陷,所以优化封装形式的设计,会大大减少不良缺陷的发生;D、工艺参数,主要包括合模压力、注塑压力、注塑速度、预热温度、模具温度、固化时间等。
下面主要对在塑封成形中常见的缺陷问题产生的原因进行分析研究,并提出相应有效可行的解决办法与对策。
1.封装成形未充填及其对策封装成形未充填现象主要有两种情况:一种是有趋向性的未充填,主要是由于封装工艺与EMC的性能参数不匹配造成的;一种是随机性的未充填,主要是由于模具清洗不当、EMC中不溶性杂质太大、模具进料口太小等原因,引起模具浇口堵塞而造成的。
从封装形式上看,在DIP和QFP中比较容易出现未充填现象,而从外形上看,DIP未充填主要表现为完全未充填和部分未充填,QFP主要存在角部未充填。
未充填的主要原因及其对策:(1)由于模具温度过高,或者说封装工艺与EMC的性能参数不匹配而引起的有趋向性的未充填。
预热后的EMC在高温下反应速度加快,致使EMC的胶化时间相对变短,流动性变差,在型腔还未完全充满时,EMC的黏度便会急剧上升,流动阻力也变大,以至于未能得到良好的充填,从而形成有趋向性的未充填。
moldflow6.1中文教程第12 章 Insert molding 成型案例分析
第12 章Insert molding 成型案例分析12.1 Insert molding 成型原理Inset molding 成型是指在模具型腔内装入预先准备的insert,然后合模进行塑胶的注射。
熔融的塑胶材料充满insert 以外的型腔空间,凝固后和insert 成为一体,开模后作为整体一起被顶出。
从insert molding 的成型工艺可以看出,insert 在塑胶制品内必须有牢固的定位,才不至于从塑胶制品上脱落。
Insert 的材质多为金属。
Inset molding 成型利用塑料的易成型性、弯曲性与金属的刚性、强度及耐热性相互组合补充可结实地制成复杂精巧的金属塑料一体化制品,如图12-1 所示。
本案例中insert材质采用铝合金。
图 12-1 insert molding 成型原理12.2 Insert molding 分析前处理Insert molding成型案例采用3D 网格进行模拟分析。
在生成最终的3D 网格前,系统必须先在产品模型表面生成初始表面网格,并按照修补表面网格的程序消除一切表面网格缺陷,然后再转化成3D网格。
需要注意的是,3D网格不能像表面网格那样可以直接删除再进行修补动作。
如果必须删除模型里的3D 网格,需先删除所有3D 网格,之后将“网格类型”由3D 转换成表面网格,如图12-2 所示,从源档模型重新划分表面网格并修补网格缺陷。
在表面网格完好的情况下再将“网格类型”设置成3D,再次利用“生成网格”指令生成3D 网格。
所以对一个3D 执行删除,就必须对整个模型重新进行网格划分。
一般不建议这么做。
因此建议用户在表面网格段一次性消除网格缺陷,不要遗留问题网格,否则即使不影响3D网格的划分,也会影响3D网格的质量,修改起来很麻烦。
图12-2 转化网格类型12.2.1 导入并添加模在 insert molding 成型分析中,系统不仅分析熔融塑胶在型腔内的流动,同时计算腔内塑胶和insert 及模具这三者之间热量传递对塑胶制品和insert 成型效果的影响。
双列直插型低功耗智能功率模块封装工艺缺陷分析与改善
目录1 引言 (1)1.1智能功率模块概述 (1)1.1.1功率MOSFET发展现状 (1)1.1.2 IGBT发展现状 (3)1.1.3 智能功率模块的特点和发展现状 (5)1.1.4 常用智能功率模块封装结构[8] (8)1.1.5 常用智能功率模块封装材料 (10)1.2低功耗智能功率模块特点与应用简介 (12)1.2.1 低功耗智能功率模块特点 (12)1.2.2 低功耗智能功率模块设计结构 (13)1.2.3 低功耗智能功率模块的应用 (13)1.3本文研究的目的与内容 (13)2 双列直插型低功耗智能功率模块封装结构设计与工艺 (15)2.1模块封装结构 (15)2.2模块封装工艺流程 (16)2.3低功耗智能功率模块封装工艺的主要缺陷 (21)2.4本章小结 (21)3 芯片焊接空洞缺陷形成的机理及其解决措施 (23)3.1芯片焊接空洞缺陷状况 (23)3.2芯片焊接空洞缺陷形成机理分析 (25)3.2.1 工艺材料的影响 (25)3.2.2 工艺夹具的影响 (26)3.2.3 工艺参数的影响 (28)3.3缺陷改善实验设计方案 (30)3.3.1 以DBC为基板的芯片焊接空洞改善实验设计方案 (31)3.3.2 以IMS为基板的芯片焊接空洞改善试验设计方案 (33)3.4试验结果与分析 (36)3.4.1 焊接优化正交试验结果 (36)3.4.2 影响芯片焊接空洞的因素分析 (37)3.4.3 针对温度曲线进行优化的试验设计结果 (40)3.4.4 改善措施 (44)3.5本章小结 (45)4 塑封不完整缺陷形成的机理及其解决措施 (46)4.1塑封缺陷状况 (46)4.2塑封缺陷形成的机理分析 (47)4.2.1 塑封工艺流程分析 (47)4.2.2 材料,工具设备及工艺参数分析 (47)4.2.3 工艺参数的影响 (51)4.2.4 EMC材料本身的影响 (52)4.2.5 模具的影响 (52)4.2.6 模块塑封体设计的影响 (52)4.3缺陷改善试验设计方案 (52)4.3.1 试验设计方案,结果与分析 (53)4.3.2 改善措施 (58)4.4本章小结 (58)5 总结与展望 (60)参考文献 (61)致谢 (63)攻读学位期间发表的学术论文 (64)图片目录图1 功率MOSFET结构和电符号 (2)图2 N沟道增强型垂直式结构的功率MOSFET的结构和功能 (2)图3 三种IGBT芯片厚度的比较 (4)图4 n沟道增强型垂直式IGBT的结构和功能,非穿通结构 (5)图5 功率模块内部结构示意图[9] (9)图6 IMS基板Bergquist 公司提供 (11)图7 DBC基板Curamik 公司提供 (11)图8 采用陶瓷基板的DIP智能功率模块(44mmX27mm) 的剖面图[11] (13)图9 采用DBC基板的SPM模块的接线框架构造图。
12封装过程中的缺陷分析
1、金线偏移
2、再流焊中的问题
可靠性测试就是为了剔除有缺陷的不良产品, 对产品缺陷问题的原因的分析并加以改善,可以 延长产品的使用寿命,提高封装产品的质量。
例如缺陷:金线偏移、孔洞、锡珠、墓碑现象 等。
1、金线偏移
金线偏移:是封装过程中最常发生的问题之一。
金线偏移量过大,会造成相邻的金线相互接触而形成 短路,甚至将金线冲断形成断路,造成元器件的缺陷。 金线偏移的原因有:
焊膏使用:从冷藏出来后先要恢复到室温后再升温, 以免形成焊锡球。
影响再流焊质量的原因分析
1、PCB焊盘设计要正确
2、焊膏质量和焊膏的正确使用
3、元器件焊端和引脚、印制电路基板的焊盘质量。
4、贴装元器件。 元器件正确、位置准确、压力适当。
再流焊的缺陷:翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞
翘曲:外界温度变化,由于材料间热膨胀系数的差异,流 动应力的影响,加上黏着力的限制,造成施加在元 器件两端的力出现不平衡,而造成翘曲变形的现象。 影响翘曲的参数: 1、焊膏印刷; 2、印刷的清晰度和精确度; 3、放置精度; 影响翘曲的因素还有:焊接合金、焊膏粘贴特性、焊膏 量、热传导效率。 要做好对机器的 检测,P152
其它缺陷: 焊膏熔化不完全; 焊料量不足与虚焊或断路; 润湿不良接触; 桥连或短路;
锡点高度或超过元器件体;
元器件裂纹缺损; 冷焊或焊紊乱;
锡丝;
元器件端头镀层剥落; 焊锡裂纹;
1、树脂流动而产生的拖曳力; 黏性过大、流速过快
2、引脚架变形;铸膜时上下模穴的流动波前不平衡,“赛马”
3、气泡的移动; 铸穴中有空气进入形成的气泡碰撞金线
4、过保压/迟滞保压; 5、填充物的碰撞。 使金线难以弹性恢复
电子封装中微观缺陷检测技术研究
电子封装中微观缺陷检测技术研究在当今这个科技飞速发展的时代,电子设备就像我们生活中的小精灵,无处不在,给我们带来各种便利和乐趣。
从手机、电脑到智能家电,它们的背后都离不开电子封装技术。
而在电子封装这个看似神秘的领域里,微观缺陷检测技术可是个超级重要的大角色。
就拿我之前遇到的一件事儿来说吧。
有一次,我去一家电子厂参观,正好赶上他们在检测一批新生产的电子封装产品。
我看到工人们拿着各种仪器,一脸严肃地对着那些小小的芯片和电路板左看右看。
我好奇地凑过去,发现他们正在寻找那些肉眼几乎看不见的微观缺陷。
当时我就在想,这得多难啊!那些微观缺陷就像藏在草丛里的小虫子,不仔细找根本发现不了。
后来我了解到,要是这些微观缺陷没被检测出来,那可就麻烦大了。
比如说,一个小小的裂缝或者气泡,都可能导致整个电子设备出现故障,甚至报废。
咱们先来说说电子封装中为啥会出现微观缺陷。
这就好比盖房子,材料不好、施工不精细,房子就容易有问题。
在电子封装中,材料的纯度不够、工艺不精准、环境不干净等,都可能导致微观缺陷的产生。
比如说,在封装过程中,如果温度控制不好,就可能会产生热应力,从而导致封装材料出现裂缝。
又或者,如果封装环境中有灰尘颗粒,它们可能会夹在封装材料中间,形成微小的空洞。
那怎么检测这些微观缺陷呢?这可真是个技术活儿!目前常用的方法有光学检测、电子显微镜检测、X 射线检测等等。
光学检测就像是用放大镜看东西,通过特殊的光源和镜头,把微观缺陷放大,让我们能看到。
电子显微镜检测那就更厉害了,它能把微观世界放大成千上万倍,让那些小缺陷无处遁形。
X 射线检测则像是给电子封装拍“透视照”,可以穿透封装材料,看到内部的情况。
不过,这些检测技术也不是完美的。
光学检测有时候可能会受到光线的影响,导致检测结果不准确。
电子显微镜检测虽然厉害,但是设备昂贵,检测速度也比较慢。
X 射线检测呢,对人体有一定的辐射,而且对一些细微的缺陷可能不够敏感。
为了提高检测的准确性和效率,科学家们可是绞尽了脑汁。
第12章-封装缺陷分析1
第12章
锡珠的产生原因及解决方案
原因一:模版开口不合适。钢网开口太大, 或由于模版开口形状不合适,导致贴放片式元 件时焊膏蔓延至焊盘之外,都会使得再流焊中 锡珠生成。 解决方案: 1)缩小开口尺寸
片式阻容元件的模版开口尺寸应略小于相 应的印制板焊盘 。
2)控制开口形状 灵活地选择阻容元件的模版开口形状,可
解决方法:由于锡膏的有效期较短,一般使用前都是低 温存放的,使用时,必须将锡膏恢复至室温后,再进行 均匀搅拌方可使用,急于求成必将适得其反。
原因之四:再流焊工艺的温度曲线设置问题。预 热及保温过程,可以减少元件及印制板遭受热冲 击,并确保锡膏中的溶剂能部分挥发,若温度不 足或保温时间太短,都会影响最终的焊接质量。
下图所示为矩形片式元件焊盘结构示意图, 在图中,A代表焊盘宽度,B代表焊盘的长度, G代表焊盘间距,S代表焊盘剩余尺寸。
如果违反了设计要求,再流焊时就会产生焊 接缺陷,而且PCB焊盘设计的问题在生产工艺中 是很难甚至是无法解决的。 a. 当焊盘间距G过大或过小时,再流焊会由于元 件焊端不能与焊盘搭接交叠,会产生吊桥、移动。
缓慢冷却会导致电路板的更多物质分解而进入锡中, 从而产生灰暗毛糙的焊点。在极端的情形下,它能 引起沾锡不良和减弱焊点结合力。
冷却段降温速率一般为3-10℃/s,冷却至75℃即 可。
再流焊炉
(3)再流焊特点
当焊膏达到熔融温度时,焊料还要“再流动” 一次。
BGA封装设计与常见缺陷
正确设计BGA封装球栅数组封装(BGA)正在成为一种标准的封装形式。
人们已经看到,采用0.05至0.06英寸间距的BGA,效果显著。
封装发展的下一步很可能是芯片级封装(CSP),这种封装外形更小,更易于加工。
BGA设计规则凸点塌落技术,即回流焊时锡铅球端点下沈到基板上形成焊点,可追溯到70年代中期。
但直到现在,它才开始快速发展。
目前,Motorola、IBM、Citizen、ASAT、LSILogic、Hestia和Amkor等公司,除了在自己的产品中使用这种封装,还提供BGA商品。
BGA的另一个主要优势是成品率高。
Motorola和Compaq等用户声称,在其包含160至225条I/O引线的0.05英寸间距封装中,没有缺陷产生。
而其它的全自动工厂中,具有相同I/O引线数的细间距器件的失效率为500或1000PPM。
目前正在进一步开发具有400到700条I/O引线的BGA封装,日本甚至报道了1000条I/O引线BGA封装的研发结果。
目前,标准还没有完全制定好,JEDEC文件仅对1mm、1.27mm和1.5mm 间距作了基本规定。
基体的尺寸范围为7至50mm,共面性小于200μm。
BGA的局限性许多用户抱怨BGA焊点可视性差。
很明显,BGA的焊点不能藉由肉眼检测。
实际上,由于零配件引线数不断增加,任何现代电子组装制程都会出现这种情况。
采用低成本的X射线装置,以及良好的设计规则,可以进行相对简单的检测。
现在的布线设计(footprint)包括印制导线组合、通孔和0.02英寸的圆形表面焊盘。
器件上焊球的大小必然会影响焊盘尺寸。
最初,一些工程师在焊盘表面贴上阻焊膜,以此减小回流焊期间器件的移动和焊膏的流动。
采用这种方法,在加热过程中焊点容易开裂,因此不可取。
如果铜焊盘与阻焊膜涂层之间为标准间隙,则应采用标准阻焊膜设计规则。
需要时,这种简单的布局允许在印制板两个表面走线。
甚至间距为1或1.27mm的、I/O数较多的器件,焊球之间都会出现走线问题。
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12.2.7润湿不良
钎料无法全面地包覆被焊材料表面,而让钎 焊材料表面的金属裸露。润湿不良在钎焊作业中 是不能被接受的,它严重地降低了焊点的“耐久 性”和“延伸性”,同时也降低了焊点的“导电
性”及“导热性”。
线难以弹性的回复原状。同样,对于添加催化 剂反应较快的树脂,保压较久会使温度升高, 使其粘度过大,偏移的金线也难以弹性回复。
金线偏移的原因(3):
5.填充物的碰撞 封装材料会添加一些填充物,较大颗粒的
填充物(如:2.5-250µm)碰撞纤细的金线 (如:25µm),也会引起金线的偏移。
降低金线偏移产生的措施:
以有效的减少或者避免锡膏量过多而被挤压出 来的情况。
图 模板开口修改形状示意图
原因二:对位不准。模版与印制板对位应准 确且印制板及模版固定完好,使印锡膏过程模 版与印制板保持一致,因为对位不准也会造成 锡膏蔓延。
解决方法:必须调整好机器、模版、印制板、 刮刀四者的关系,确保印刷质量。
原因三:锡膏使用不当。冷藏的锡膏升温时间不足,搅 拌不当,会使锡膏吸湿,导致高温再流焊时水汽挥发致 使锡珠生成。
12.2.2 翘曲
翘曲机理:因为材料间彼此热膨胀系数差异 及流动应力的影响所产生的应力变形。
翘曲往往是由于PCB的上下部分温度不平衡 造成的。
在预热阶段,部件的一端从焊膏分离有多种因素,如
不同的膨胀系数、不当涂膏或部件放置不当等。于是,直 接的热传导被缝隙阻断了。如果热量通过部件传导,则一 端的焊料溶化,另一端凝固。熔化的一端焊料形成新月型, 其表面拉力的曲转力矩比部件的重量大而引起部件的翘曲。
12.2.5桥连缺陷
桥连即将相邻的两个焊点或引脚桥连在一 块。
桥连
产生原因
焊膏印刷时过量,在过大贴装压力挤压下产 生桥连。
元件引脚弯曲相接,再流焊后形成桥连。 焊盘或网孔设计不精确,产生偏移而导致印
刷间距缩小。 焊膏选择不适当,助焊剂性能不好,容易造
成焊膏塌陷。
预防措施
使用球形焊膏,适当增加焊膏粒度,调整焊 膏印刷量。
4)贴装元器件
贴装质量的三要素:元件正确、位置准确、压力 (贴片高度)合适。
a、元件正确
这要求各装配号元器件的类型、型号、标称值和极性 等特征标记要符合产品的装配图,不能贴错位置。
b、位置准确
即元器件的端头或引脚均和焊盘图形要求尽量对齐、 居中。
C、压片
贴片压力要恰当合适,元器件焊端或引脚不小于1/2 厚度要浸入焊膏。
(4)影响再流焊原因分析
1)焊盘设计不当 如果PCB焊盘设计不正确,即使贴装位置
十分准确,再流焊后反而会出现元件位置偏移、 吊桥等焊接缺陷。
焊盘要求
PCB焊盘设计应掌握以下关键要素: a. 对称性:两端焊盘必须对称,才能保证熔融焊 锡表面的张力平衡。 b. 焊盘间距:确保元件端头或引脚与焊盘恰当的 搭接尺寸。焊盘间距过大或过小都会引起焊接缺 陷。 c. 焊盘剩余尺寸:元件端头或引脚与焊盘搭接后 的剩余尺寸必须保证焊点能够形成弯月面。 d. 焊盘宽度:应与元件端头或引脚的基本宽度一 致。
到保温段结束,焊盘、焊料球及元件引脚上的 氧化物被除去,整个电路板的温度达到平衡。
应注意的是SMA上所有元件在这一段结束时应具 有相同的温度,否则进入到焊接段将会因为各 部分温度不均产生各种不良焊接现象。
焊接(回流)段
在这一区域里,温度先升高使焊膏熔化并发 生润湿反应,开始生成金属间化合物层。到达 最高温度后,开始降温,焊膏凝固。
解决方法:保温的过程为150℃-160℃,70s90s。
原因五:残余焊膏。有一些情况需要重新印 锡膏,原来的锡膏必须清除干净,否则残余 的焊膏最终会影响锡珠,甚至更严重的质量 问题。
解决方法:仔细刮去锡膏,特别要注意的是 不让锡膏流进插件孔内导致塞孔,然后清洗 干净。
12.2.4 空洞
回流区域时间应该在保证元件良好焊接的前 提下越短越好,一般为30-60s.过长时间或过 高温度,会造成金属间化合物层增厚,影响焊 点可靠性。
冷却段
这段中焊膏内的铅锡粉末已经熔化并充分润湿被连 接表面,应该用尽可能快的速度来进行冷却,这样 将有助于得到明亮,光滑的焊点并有好的外形和低 的接触角度。
影响翘曲的参数及改进措施
焊膏印刷和放置精度 印刷的清晰度和精确度 元件放置精度 改进措施
通过优化PCB设计 采用优良的焊料 改进电路板孔可焊性及预防翘曲防止缺陷的产
生,可以使整个电路板焊接质量得到提高。
12.2.3 锡珠
锡珠是再流焊中经常出现的缺陷。锡珠多 数分布在无引脚的片式元件两侧,大小不一且 独立存在,没有与其他焊点连接的锡珠,不仅 影响产品的外观,更重要的是会影响产品的电 性能,或者给电子设备造成隐患。
解决方法:由于锡膏的有效期较短,一般使用前都是低 温存放的,使用时,必须将锡膏恢复至室温后,再进行 均匀搅拌方可使用,急于求成必将适得其反。
原因之四:再流焊工艺的温度曲线设置问题。预 热及保温过程,可以减少元件及印制板遭受热冲 击,并确保锡膏中的溶剂能部分挥发,若温度不 足或保温时间太短,都会影响最终的焊接质量。
缓慢冷却会导致电路板的更多物质分解而进入锡中, 从而产生灰暗毛糙的焊点。在极端的情形下,它能 引起沾锡不良和减弱焊点结合力。
冷却段降温速率一般为3-10℃/s,冷却至75℃即 可。
再流焊炉
(3)再流焊特点
当焊膏达到熔融温度时,焊料还要“再流动” 一次。
自校正效应(self alignment)——当元器 件贴放位置有少量偏离时,在表面张力的作 用下,能自动被拉回到近似目标位置。
进入空气。 5.焊膏中的焊剂挥发,气体溶入焊膏中溢出时形成空
洞。 6.不适当的再流焊温度曲线很容易产生空洞。 7.PCB差的可焊性也能增加空洞,差的可焊性对气体
排出往往有阻碍作用。
预防措施
增加预热时间,减小预热爬升率可以减少空 洞。
干燥氮气的使用也可以减少空洞
空洞接受标准
焊盘层的空洞不能大于焊球面积的10%, 即空洞的直径不能超过焊球直径的30%。当焊 盘层空洞的面积超过焊球面积的25%时,就视 为一种缺陷,这时空洞的存在会对焊点的机械 或电的可靠性造成隐患。在焊盘层空洞的面积 占焊球面积10%-25%时,应着力改进工艺, 消除或减少空洞。
产生原因
焊盘和元件被油、漆、脂等外界污染物污染 焊盘与SMD引脚被氧化或污染,可焊性和
润湿性变差 焊膏过期变质
预防措施
确保印刷程序有较长停滞时间,定期清洗模 板下面
选择合适的焊膏,不塌陷,易印刷
12.2.8元件破裂
产生原因: 在组装过程中由机械力、温度、振动和扭曲
产生应力导致元件损坏。 贴片头和贴片力设置不当造成元件破裂 过热造成,实际钎焊温度超过元件供应商说
图 焊盘间距G过大或过小
b. 导通孔设计在焊盘上,焊料会从导通口中流 出,会造成焊膏量不足。
图 导通孔示意图
2)焊膏质量及焊膏的正确使用
如果焊膏金属微粉含量高,再流焊升温时金属微粉随 着溶剂、气体蒸发而飞溅,如金属粉末的含氧量高,还会 加剧飞溅,形成焊锡球。另外,如果焊膏黏度过低焊膏的 保形性(触变性)不好,印刷后焊膏图形会塌陷、甚至造 成粘连、再流焊时也会形成焊锡球、桥接等焊接缺陷。
第12章
封装过程中的缺陷分析
12.1 金线偏移
金线偏移是封装过程最常发生的问题 之一。会造成相邻的金线相互接触形 成短路,冲断金线形成断路。
金线偏移的原因(1):
1.树脂流动而产生的拖曳力 这是引起金线偏移最主要也是最常见的原
因。在填充阶段,融胶粘性(Viscosity)过大、 流速过快,金线偏移量也会随之增大。 2.导线架变形
细间距元件焊盘、引线设计满足一定的要求, 8-16%的模板孔减少将会增加印刷工艺窗 口,避免桥连。
在焊膏印刷前用麻布或等丙烷清洗PCB表面 的污渍和油渍,减小桥连产生的风险。
12.2.6冷焊
冷焊是指焊点表面不平滑,如“破碎玻璃” 的表面一般。当冷焊严重时,焊点表面甚至会 有微裂或断裂的情况发生。
过慢,则溶剂挥发不充分,影响焊接质量。 为防止热冲击对元件的损伤,一般规定最大
速度为4℃/s。通常上升速率设定为1-3℃/s。 典型的升温速率为2℃/s。
保温段
保温段的主要目的是使SMA内各元件的温度趋于 稳定,尽量减少温差。在这个区域里给予足够 的时间使较大元件的温度赶上较小元件,并保 证焊膏中的助焊剂得到充分挥发。
再流焊温度曲线
一个典型的温度曲线上图所示。分为升温、 保温、再流和冷却四个阶段。
升温段
该区域的目的是把焊膏中的溶剂、气体蒸发 掉;助焊剂润湿焊盘,引脚等;焊膏软化、 塌落,覆盖焊盘,使焊盘,元器件引脚与氧 气隔离。
升温速率要控制在适当范围以内,过快,会 产生热冲击,电路板和元件因一:模版开口不合适。钢网开口太大, 或由于模版开口形状不合适,导致贴放片式元 件时焊膏蔓延至焊盘之外,都会使得再流焊中 锡珠生成。 解决方案: 1)缩小开口尺寸
片式阻容元件的模版开口尺寸应略小于相 应的印制板焊盘 。
2)控制开口形状 灵活地选择阻容元件的模版开口形状,可
引起导线架变形的原因是上下模穴内树脂 流动速度不一致,如此导线会因为上下模穴模 流的压力差而承受弯矩(Bending Moment) 造成变形。
金线偏移的原因(2):
3.气泡的移动 在填充阶段可能会有空气进入模穴内形成
气泡,气泡碰撞金线也会造成一定程度的金线 偏移。
4. 模压过大/保压较久 模压过大会让模穴内部压力过大,偏移的金
表面贴装中由于挥发性气体不能及时逃逸或在 焊膏凝固之前非金属材料没有移走,就会出现空洞。 一般空洞对强度和可靠性影响不大,但是过量的空 洞将会影响焊点可靠性,降低焊点抗拉强度。空洞 经常在元件引脚下面、鸥型引脚的根部和球栅阵列 的底端被发现。